本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種oled顯示面板以及oled顯示面板的制造方法。

背景技術(shù)：

隨著信息社會(huì)的發(fā)展，人們對(duì)顯示設(shè)備的需求日益增長。為了滿足這種要求，各種平板顯示裝置如薄膜晶體管液晶顯示器(tft-lcd)、等離子體顯示器(pdp)、有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示器都得到了迅猛的發(fā)展。在這些平板顯示裝置當(dāng)中，oled顯示器由于具有主動(dòng)發(fā)光、對(duì)比度高、響應(yīng)速度快、輕薄等諸多優(yōu)點(diǎn)，正在逐步占據(jù)平板顯示的主導(dǎo)地位。目前，oled顯示器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電視、電腦以及智能手表等各種高性能顯示領(lǐng)域中。

圖1為傳統(tǒng)的oled顯示面板的像素電路圖。如圖1所示，在現(xiàn)有的oled顯示面板中，最基本的像素電路包括開關(guān)晶體管t1、驅(qū)動(dòng)晶體管t2和存儲(chǔ)電容cs，所述開關(guān)晶體管t1的柵極與掃描線sn連接，所述開關(guān)晶體管t1的源極與數(shù)據(jù)線dm連接，所述開關(guān)晶體管t1的漏極、驅(qū)動(dòng)晶體管t2的柵極和存儲(chǔ)電容cs的第一基板均連接于節(jié)點(diǎn)n1，所述驅(qū)動(dòng)晶體管t2的源極和存儲(chǔ)電容cs的第二基板均與第一電源vdd連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管t2的漏極與所述有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管oled的陰極與第二電源vss連接。通過掃描線sn打開所述開關(guān)晶體管t1時(shí)，數(shù)據(jù)線dm提供的數(shù)據(jù)電壓經(jīng)由所述開關(guān)晶體管t1存儲(chǔ)到存儲(chǔ)電容cs，從而控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管t2產(chǎn)生電流，以驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)發(fā)光二極管oled發(fā)光。

隨著生活水平的不斷提高和生產(chǎn)力水平的日益改進(jìn)，市場(chǎng)對(duì)高清晰、高分辨率產(chǎn)品的追求也越來越迫切。然而，傳統(tǒng)的oled顯示面板的分辨 率一般在250ppi以下(ppi表示每英寸所擁有的像素?cái)?shù)目，ppi數(shù)值越高，代表顯示器能夠以越高的像素密度顯示圖像)，已經(jīng)無法滿足人們對(duì)于高分辨率顯示器的追求。這是因?yàn)榉直媛实奶岣咭笸瑢娱g距比如相鄰數(shù)據(jù)線之間的距離縮小，然而目前的oled中相鄰的像素單元的數(shù)據(jù)線通常設(shè)置在同一結(jié)構(gòu)層上，基于現(xiàn)有的工藝條件(比如光刻機(jī)的曝光限制)，很難進(jìn)一步縮小相鄰數(shù)據(jù)線之間的距離，從而導(dǎo)致oled顯示面板的分辨率難以提高。除了光刻機(jī)的曝光限制之外，數(shù)據(jù)線串?dāng)_和數(shù)據(jù)線短路也是生產(chǎn)高分辨率的oled必須解決的技術(shù)難題。數(shù)據(jù)線串?dāng)_是指兩條數(shù)據(jù)線之間的耦合，兩條數(shù)據(jù)線之間的互感和互容會(huì)引起數(shù)據(jù)線出現(xiàn)噪聲，研究表明，兩條數(shù)據(jù)線上電流強(qiáng)度相同時(shí)，兩條數(shù)據(jù)線間的距離越近，彼此之間的串?dāng)_效應(yīng)越明顯。數(shù)據(jù)線短路是指兩條數(shù)據(jù)線之間彼此相連，使像素電極無法接收到正常信號(hào)而產(chǎn)生不良。在相同工藝條件下，兩條數(shù)據(jù)線間的距離越近，彼此之間發(fā)生短路的幾率越大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光顯示器的分辨率低的問題。

本發(fā)明的另一目的在于消除有機(jī)發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)線之間的串?dāng)_和短路現(xiàn)象。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種oled顯示面板，包括形成于一基板上的掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線，所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義了以矩陣方式排列的多個(gè)像素組，每個(gè)像素組內(nèi)具有兩個(gè)子像素，同一像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素連接同一電源線并沿該電源線鏡像排列，且同一像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素各自連接的數(shù)據(jù)線位于不同結(jié)構(gòu)層上。

可選的，在所述的oled顯示面板中，每個(gè)像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素分別為第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括第一存儲(chǔ)電容，所述第二子像素包括第二存儲(chǔ)電容。

可選的，在所述的oled顯示面板中，所述第一存儲(chǔ)電容的上極板和第二存儲(chǔ)電容的上極板位于不同結(jié)構(gòu)層上。

可選的，在所述的oled顯示面板中，所述第一子像素還包括第一開 關(guān)晶體管和第一驅(qū)動(dòng)晶體管，所述第二子像素還包括第二開關(guān)晶體管和第二驅(qū)動(dòng)晶體管，所述第一開關(guān)晶體管的源極連接第一數(shù)據(jù)線，所述第二開關(guān)晶體管的源極連接第二數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和電源線相互平行，所述掃描線與所述電源線相互垂直，并且，所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線、所述第一存儲(chǔ)電容和第二存儲(chǔ)電容、所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管、所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管和第二驅(qū)動(dòng)晶體管均沿所述電源線鏡像對(duì)稱。

可選的，在所述的oled顯示面板中，具體包括：

硅島，形成于所述基板上，用以作為所述第一開關(guān)晶體管、第一驅(qū)動(dòng)晶體管、第二開關(guān)晶體管以及第二驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層；

柵絕緣層和第一通孔，所述柵絕緣層形成于所述基板和硅島上，所述第一通孔用于導(dǎo)通所述第一開關(guān)晶體管的漏極和第一存儲(chǔ)電容的下極板以及所述第二開關(guān)晶體管的漏極和所述第二存儲(chǔ)電容的下極板；

圖形化的第一金屬層，形成于所述柵絕緣層上，用以作為掃描線、第一存儲(chǔ)電容的下極板、第二存儲(chǔ)電容的下極板、第一開關(guān)晶體管的柵極、第一驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、第二開關(guān)晶體管的柵極和第二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；

第一層間絕緣層和第二通孔，所述第一層間絕緣層形成于所述柵絕緣層以及圖形化的第一金屬層上，所述第二通孔用于導(dǎo)通所述第一數(shù)據(jù)線和第一開關(guān)晶體管的源極；

圖形化的第二金屬層，形成于所述第一層間絕緣層上，用以作為所述第一數(shù)據(jù)線、第一開關(guān)晶體管的源極和第二存儲(chǔ)電容的上極板；

第二層間絕緣層和第三通孔，所述第二層間絕緣層形成于所述第一層間絕緣層以及圖形化的第二金屬層上，所述第三通孔用于導(dǎo)通第二數(shù)據(jù)線和第二開關(guān)晶體管的源極；

圖形化的第三金屬層，形成于所述第二層間絕緣層上，用以作為第二數(shù)據(jù)線、第二開關(guān)晶體管的源極和第一存儲(chǔ)電容的上極板；

第三層間絕緣層和第四通孔，所述第三層間絕緣層形成于所述第二層間絕緣層以及圖形化的第三金屬層上，所述第四通孔用于導(dǎo)通第一驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、電源線、第一存儲(chǔ)電 容的上極板以及第二存儲(chǔ)電容的上極板；

圖形化的第四金屬層，形成于所述第三層間絕緣層上，用以作為第一驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、電源線；

鈍化絕緣層和接觸孔，所述鈍化絕緣層形成于所述第三層間絕緣層以及圖形化的第四金屬層上，所述接觸孔用于導(dǎo)通所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極、所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極。

可選的，在所述的oled顯示面板中，還包括一開口，所述開口貫穿所述第二層間絕緣層并正對(duì)所述第一存儲(chǔ)電容的下極板。

可選的，在所述的oled顯示面板中，所述第一存儲(chǔ)電容的上極板和第二存儲(chǔ)電容的上極板位于相同結(jié)構(gòu)層上。

可選的，在所述的oled顯示面板中，具體包括：

硅島，形成于所述基板上，用以作為所述第一開關(guān)晶體管、第一驅(qū)動(dòng)晶體管、第二開關(guān)晶體管以及第二驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層；

柵絕緣層和第一通孔，所述柵絕緣層形成于所述基板和硅島上，所述第一通孔用于導(dǎo)通所述第一開關(guān)晶體管的漏極和第一存儲(chǔ)電容的下極板以及所述第二開關(guān)晶體管的漏極和所述第二存儲(chǔ)電容的下極板；

圖形化的第一金屬層，形成于所述柵絕緣層上，用以作為掃描線、第一存儲(chǔ)電容的下極板、第二存儲(chǔ)電容的下極板、第一開關(guān)晶體管的柵極、第一驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、第二開關(guān)晶體管的柵極和第二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；

第一層間絕緣層和第二通孔，所述第一層間絕緣層形成于所述柵絕緣層以及圖形化的第一金屬層上，所述第二通孔用于導(dǎo)通所述第一數(shù)據(jù)線和第一開關(guān)晶體管的源極；

圖形化的第二金屬層，形成于所述第一層間絕緣層上，用以作為所述第一數(shù)據(jù)線、第一開關(guān)晶體管的源極、第一存儲(chǔ)電容的上極板和第二存儲(chǔ)電容的上極板；

第二層間絕緣層和第三通孔，所述第二層間絕緣層形成于所述第一層間絕緣層以及圖形化的第二金屬層上，所述第三通孔用于導(dǎo)通第二數(shù)據(jù)線和第二開關(guān)晶體管的源極；

圖形化的第三金屬層，形成于所述第二層間絕緣層上，用以作為第二數(shù)據(jù)線和第二開關(guān)晶體管的源極；

第三層間絕緣層和第四通孔，所述第三層間絕緣層形成于所述第二層間絕緣層以及圖形化的第三金屬層上，所述第四通孔用于導(dǎo)通第一驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、電源線、第一存儲(chǔ)電容的上極板以及第二存儲(chǔ)電容的上極板；

圖形化的第四金屬層，形成于所述第三層間絕緣層上，用以作為第一驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、電源線；

鈍化絕緣層和接觸孔，所述鈍化絕緣層形成于所述第三層間絕緣層以及圖形化的第四金屬層上，所述接觸孔用于導(dǎo)通所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極以及所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極。

本發(fā)明還提供一種oled顯示面板的制造方法，包括：

在一基板上形成掃描線、數(shù)據(jù)線、電源線、由所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義的以矩陣方式排列的多個(gè)像素組；

其中，每個(gè)像素組內(nèi)具有兩個(gè)子像素，同一像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素連接同一電源線并沿該電源線鏡像排列，且同一像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素各自連接的數(shù)據(jù)線位于不同結(jié)構(gòu)層上。

可選的，在所述的oled顯示面板的制造方法中，每個(gè)像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素分別為第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括第一存儲(chǔ)電容，所述第二子像素包括第二存儲(chǔ)電容，所述第一存儲(chǔ)電容的上極板和第二存儲(chǔ)電容的上極板位于不同結(jié)構(gòu)層上，通過兩次工藝形成。

可選的，在所述的oled顯示面板的制造方法中，所述第一子像素還包括第一開關(guān)晶體管和第一驅(qū)動(dòng)晶體管，所述第二子像素還包括第二開關(guān)晶體管和第二驅(qū)動(dòng)晶體管，所述第一開關(guān)晶體管的源極連接第一數(shù)據(jù)線，所述第二開關(guān)晶體管的源極連接第二數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和電源線相互平行，所述掃描線與所述電源線相互垂直，并且，所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線、所述第一存儲(chǔ)電容和第二存儲(chǔ)電容、所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管、所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管和第二驅(qū)動(dòng)晶體管均沿 所述電源線鏡像對(duì)稱。

可選的，在所述的oled顯示面板的制造方法中，所述oled顯示面板具體通過如下步驟形成：

形成硅島，所述硅島用以作為所述第一開關(guān)晶體管、第一驅(qū)動(dòng)晶體管、第二開關(guān)晶體管以及第二驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層；

形成柵絕緣層和第一通孔，所述柵絕緣層形成于所述基板和硅島上，所述第一通孔用于導(dǎo)通所述第一開關(guān)晶體管的漏極和第一存儲(chǔ)電容的下極板以及所述第二開關(guān)晶體管的漏極和所述第二存儲(chǔ)電容的下極板；

形成圖形化的第一金屬層，所述圖形化的第一金屬層形成于所述柵絕緣層上，用以作為掃描線、第一存儲(chǔ)電容的下極板、第二存儲(chǔ)電容的下極板、第一開關(guān)晶體管的柵極、第一驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、第二開關(guān)晶體管的柵極和第二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；

形成第一層間絕緣層和第二通孔，所述第一層間絕緣層形成于所述柵絕緣層以及圖形化的第一金屬層上，所述第二通孔用于導(dǎo)通所述第一數(shù)據(jù)線和第一開關(guān)晶體管的源極；

形成圖形化的第二金屬層，所述圖形化的第二金屬層形成于所述第一層間絕緣層上，用以作為所述第一數(shù)據(jù)線、第一開關(guān)晶體管的源極和第二存儲(chǔ)電容的上極板；

形成第二層間絕緣層和第三通孔，所述第二層間絕緣層形成于所述第一層間絕緣層以及圖形化的第二金屬層上，所述第三通孔用于導(dǎo)通第二數(shù)據(jù)線和第二開關(guān)晶體管的源極；

形成圖形化的第三金屬層，所述圖形化的第三金屬層形成于所述第二層間絕緣層上，用以作為第二數(shù)據(jù)線、第二開關(guān)晶體管的源極和第一存儲(chǔ)電容的上極板；

形成第三層間絕緣層和第四通孔，所述第三層間絕緣層形成于所述第二層間絕緣層以及圖形化的第三金屬層上，所述第四通孔用于導(dǎo)通第一驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、電源線、第一存儲(chǔ)電容的上極板以及第二存儲(chǔ)電容的上極板；

形成圖形化的第四金屬層，所述圖形化的第四金屬層形成于所述第三 層間絕緣層上，用以作為第一驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、電源線；

鈍化絕緣層和接觸孔，所述鈍化絕緣層形成于所述第三層間絕緣層以及圖形化的第四金屬層上，所述接觸孔用于導(dǎo)通所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極以及所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極。

可選的，在所述的oled顯示面板的制造方法中，形成所述第二層間絕緣層之后，還形成一貫穿所述第二層間絕緣層的開口，所述開口正對(duì)所述第一存儲(chǔ)電容的下極板。

可選的，在所述的oled顯示面板的制造方法中，所述第一存儲(chǔ)電容的上極板和第二存儲(chǔ)電容的上極板位于同一結(jié)構(gòu)層上，通過一次工藝形成。

可選的，在所述的oled顯示面板的制造方法中，所述oled顯示面板具體通過如下步驟形成：

形成硅島，所述硅島形成于所述基板上，用以作為所述第一開關(guān)晶體管、第一驅(qū)動(dòng)晶體管、第二開關(guān)晶體管以及第二驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層；

形成柵絕緣層和第一通孔，所述柵絕緣層形成于所述基板和硅島上，所述第一通孔用于導(dǎo)通所述第一開關(guān)晶體管的漏極和第一存儲(chǔ)電容的下極板以及所述第二開關(guān)晶體管的漏極和所述第二存儲(chǔ)電容的下極板；

形成圖形化的第一金屬層，所述圖形化的第一金屬層形成于所述柵絕緣層上，用以作為掃描線、第一存儲(chǔ)電容的下極板、第二存儲(chǔ)電容的下極板、第一開關(guān)晶體管的柵極、第一驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、第二開關(guān)晶體管的柵極和第二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；

形成第一層間絕緣層和第二通孔，所述第一層間絕緣層形成于所述柵絕緣層以及圖形化的第一金屬層上，所述第二通孔用于導(dǎo)通所述第一數(shù)據(jù)線和第一開關(guān)晶體管的源極；

形成圖形化的第二金屬層，所述圖形化的第二金屬層形成于所述第一層間絕緣層上，用以作為所述第一數(shù)據(jù)線、第一開關(guān)晶體管的源極、第一存儲(chǔ)電容的上極板和第二存儲(chǔ)電容的上極板；

形成第二層間絕緣層和第三通孔，所述第二層間絕緣層形成于所述第 一層間絕緣層以及圖形化的第二金屬層上，所述第三通孔用于導(dǎo)通第二數(shù)據(jù)線和第二開關(guān)晶體管的源極；

形成圖形化的第三金屬層，所述圖形化的第三金屬層形成于所述第二層間絕緣層上，用以作為第二數(shù)據(jù)線和第二開關(guān)晶體管的源極；

形成第三層間絕緣層和第四通孔，所述第三層間絕緣層形成于所述第二層間絕緣層以及圖形化的第三金屬層上，所述第四通孔用于導(dǎo)通第一驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、電源線、第一存儲(chǔ)電容的上極板以及第二存儲(chǔ)電容的上極板；

形成圖形化的第四金屬層，所述圖形化的第四金屬層形成于所述第三層間絕緣層上，用以作為第一驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極、電源線；

形成鈍化絕緣層和接觸孔，所述鈍化絕緣層形成于所述第三層間絕緣層以及圖形化的第四金屬層上，所述接觸孔用于導(dǎo)通所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極以及所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極。

在本發(fā)明提供的oled顯示面板中，包括掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線vdd，所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義了以矩陣方式排列的多個(gè)像素組，每個(gè)像素組內(nèi)具有兩個(gè)子像素，同一像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素連接同一電源線vdd并沿該電源線vdd鏡像排列，且同一像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素各自連接的數(shù)據(jù)線位于不同結(jié)構(gòu)層上(即兩個(gè)子像素各自連接的數(shù)據(jù)線不在同一層)。一方面，由于本發(fā)明將同一像素組內(nèi)兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線設(shè)置在不同的結(jié)構(gòu)層上，在不縮小像素面積的情況下，使同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間的距離增加了一倍，使不在同一層相鄰的數(shù)據(jù)線之間由層間絕緣層隔離，可有效減少數(shù)據(jù)線之間發(fā)生短路的幾率，且在使用中大幅度消除了數(shù)據(jù)線之間的串?dāng)_，不但提高了產(chǎn)品的成品率，而且提升了產(chǎn)品的畫面品質(zhì)。另一方面，由于同一像素組內(nèi)兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線設(shè)置在不同的結(jié)構(gòu)層上，也可基于現(xiàn)有設(shè)備和工藝條件縮小像素面積，提升oled顯示面板的ppi，提高oled顯示面板的分辨率。

進(jìn)一步的，所述第一存儲(chǔ)電容的上極板和第二存儲(chǔ)電容的上極板位于 不同結(jié)構(gòu)層上，通過兩次工藝形成，比如所述第一數(shù)據(jù)線和第二存儲(chǔ)電容的上極板一并形成，而第二數(shù)據(jù)線和第一存儲(chǔ)電容的上極板一并形成，即第一數(shù)據(jù)線和第一存儲(chǔ)電容的上極板不在同一層，第二數(shù)據(jù)線和第二存儲(chǔ)電容的上極板不在同一層，由此，有利于縮小同層的數(shù)據(jù)線和存儲(chǔ)電容上極板的間距，可進(jìn)一步縮小像素面積，提升oled顯示面板的ppi。

附圖說明

圖1是傳統(tǒng)的oled顯示面板的像素電路圖；

圖2a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成硅島后的平面示意圖；

圖2b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成硅島后的剖面示意圖；

圖2c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成硅島后的剖面示意圖；

圖3a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第一通孔后的平面示意圖；

圖3b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第一通孔后的剖面示意圖；

圖3c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第一通孔后的剖面示意圖；

圖4a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第一金屬層后的平面示意圖；

圖4b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第一金屬層后的剖面示意圖；

圖4c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第一金屬層后的剖面示意圖；

圖5a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第二通孔后的平面示意圖；

圖5b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第二通孔 后的剖面示意圖；

圖5c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第二通孔后的剖面示意圖；

圖6a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第二金屬層后的平面示意圖；

圖6b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第二金屬層后的剖面示意圖；

圖6c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第二金屬層后的剖面示意圖；

圖7a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第三通孔后的平面示意圖；

圖7b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第三通孔后的剖面示意圖；

圖7c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第三通孔后的剖面示意圖；

圖8a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第三金屬層后的平面示意圖；

圖8b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第三金屬層后的剖面示意圖；

圖8c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第三金屬層后的剖面示意圖；

圖9a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第四通孔后的平面示意圖；

圖9b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第四通孔后的剖面示意圖；

圖9c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第四通孔后的剖面示意圖；

圖10a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第四金屬層后的平面示意圖；

圖10b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第四金屬層后的剖面示意圖；

圖10c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第四金屬層后的剖面示意圖；

圖11a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成接觸孔后的平面示意圖；

圖11b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成接觸孔后的剖面示意圖；

圖11c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成接觸孔后的剖面示意圖；

圖12a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成陽極后的平面示意圖；

圖12b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成陽極后的剖面示意圖；

圖12c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成陽極后的剖面示意圖；

圖13a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成硅島后的平面示意圖；

圖13b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成硅島后的剖面示意圖；

圖13c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成硅島后的剖面示意圖；

圖14a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第一通孔后的平面示意圖；

圖14b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第一通孔后的剖面示意圖；

圖14c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第一通孔后的剖面示意圖；

圖15a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第一金 屬層后的平面示意圖；

圖15b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第一金屬層后的剖面示意圖；

圖15c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第一金屬層后的剖面示意圖；

圖16a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第二通孔后的平面示意圖；

圖16b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第二通孔后的剖面示意圖；

圖16c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第二通孔后的剖面示意圖；

圖17a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第二金屬層后的平面示意圖；

圖17b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第二金屬層后的剖面示意圖；

圖17c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第二金屬層后的剖面示意圖；

圖18a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第三通孔后的平面示意圖；

圖18b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第三通孔后的剖面示意圖；

圖18c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第三通孔后的剖面示意圖；

圖19a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第三金屬層后的平面示意圖；

圖19b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第三金屬層后的剖面示意圖；

圖19c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第三金屬層后的剖面示意圖；

圖20a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第四通孔后的平面示意圖；

圖20b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第四通孔后的剖面示意圖；

圖20c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第四通孔后的剖面示意圖；

圖21a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第四金屬層后的平面示意圖；

圖21b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第四金屬層后的剖面示意圖；

圖21c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第四金屬層后的剖面示意圖；

圖22a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成接觸孔后的平面示意圖；

圖22b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成接觸孔后的剖面示意圖；

圖22c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成接觸孔后的剖面示意圖；

圖23a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成陽極后的平面示意圖；

圖23b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成陽極后的剖面示意圖；

圖23c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成陽極后的剖面示意圖；

附圖標(biāo)記說明：

第一開關(guān)晶體管-t11；第一開關(guān)晶體管的柵極-g11；第一開關(guān)晶體管的源極-s11；第一開關(guān)晶體管的漏極-d11；

第一驅(qū)動(dòng)晶體管-t12；第一驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極-g12；第一驅(qū)動(dòng)晶體管的源極-s12；第一驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極-d12；

第二開關(guān)晶體管-t21；第二開關(guān)晶體管的柵極-g21；第二開關(guān)晶體管的源極-s21；第二開關(guān)晶體管的漏極-d21；

第二驅(qū)動(dòng)晶體管-t22；第二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極-g22；第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極-s22；第二驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極-d22；

第一存儲(chǔ)電容-c1；第一存儲(chǔ)電容的下極板-c1-1；第一存儲(chǔ)電容的上極板-c1-2；

第二存儲(chǔ)電容-c2；第二存儲(chǔ)電容的下極板-c2-1；第二存儲(chǔ)電容的上極板-c2-2；

第一數(shù)據(jù)線-d1；第二數(shù)據(jù)線-d2；掃描線-sn；電源線-vdd；

基板-100；緩沖層-101；

硅島的第一段-111-1；硅島的第二段-111-2；硅島的第三段-112-1；硅島的第四段-112-2；硅島的第五段-113；硅島的第六段-114；

柵絕緣層-120；第一通孔-120a-1、120a-2；

第一層間絕緣層-140；第二通孔-140a-1；

第二層間絕緣層-160；第三通孔-160a-2；開口-160b；

第三層間絕緣層-180；第四通孔-180a、180a-1、180a-2、180a-3、180a-4；

鈍化絕緣層-200；接觸孔-200a-1、200a-2；

第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極-221；第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極-222。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的核心思想在于，提供一種oled顯示面板及其制造方法，所述oled顯示面板包括掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線vdd，所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義了以矩陣方式排列的多個(gè)像素組，每個(gè)像素組內(nèi)具有兩個(gè)子像素，同一像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素連接同一電源線vdd并沿該電源線vdd鏡像排列，且同一像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素各自連接的數(shù)據(jù)線位于不同結(jié)構(gòu)層上。如此一來，在不縮小像素面積的情況下，可使同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間的距離增加一倍，使不同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間由層間絕緣層隔離，有效減少數(shù)據(jù)線之間發(fā)生短路的幾率，且可大幅度消除數(shù)據(jù)線之間的串?dāng)_。另外，由于同一像素組內(nèi)兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線設(shè)置在不同的結(jié)構(gòu)層上，也 可基于現(xiàn)有設(shè)備和工藝條件縮小像素面積，提升oled顯示面板的ppi，進(jìn)而提高oled顯示面板的分辨率。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的oled顯示面板以及oled顯示面板的制造方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖中各層薄膜厚度和區(qū)域大小形狀不反映oled顯示面板的真實(shí)比例，目的只是示意性的說明本發(fā)明內(nèi)容。

實(shí)施例一

圖12a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組的平面示意圖，所反映的是兩個(gè)子像素的結(jié)構(gòu)，圖12b是圖12a中第一子像素的剖面示意圖，圖12c是圖12a中第二子像素的剖面示意圖。

如圖12a、12b、12c所示，本實(shí)施例的oled顯示面板的主體結(jié)構(gòu)包括形成在基板100上的掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線，所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義了以矩陣方式排列的多個(gè)像素組，每個(gè)像素組內(nèi)具有兩個(gè)子像素，同一像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素連接同一電源線vdd并沿該電源線vdd鏡像排列，且同一像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素各自連接的數(shù)據(jù)線位于不同結(jié)構(gòu)層上。為便于說明本實(shí)施例的技術(shù)方案，如圖12a所示，本實(shí)施例將沿平行于紙面方向上下排列的兩個(gè)子像素分別稱為第一子像素和第二子像素，其中，位于下側(cè)的子像素稱為第一子像素，位于上側(cè)的子像素稱為第二子像素，與第一子像素的開關(guān)晶體管的源極連接的數(shù)據(jù)線稱為第一數(shù)據(jù)線d1，與第二子像素的開關(guān)晶體管的源極連接的數(shù)據(jù)線稱為第二數(shù)據(jù)線d2。

繼續(xù)參考圖12a、12b、12c，并結(jié)合2a至圖11c所示，所述第一數(shù)據(jù)線d1位于第二層間絕緣層160下方(具體是在第一層間絕緣層140與第二層間絕緣層160之間)，所述第一數(shù)據(jù)線d1通過貫穿第一層間絕緣層140的通孔(這里是指第二通孔-140a-1)與第一開關(guān)晶體管的源極s11連接；所述第二數(shù)據(jù)線d2位于第二層間絕緣層160上方(具體是在第二層間絕緣層160與第三層間絕緣層180之間)，所述第二數(shù)據(jù)線d2通過貫穿第一層間絕緣層140和第二層間絕緣層-160的通孔(這里是指第三通孔160a-2)與第二開關(guān)晶體管的源極-s21連接；即，第一數(shù)據(jù)線d1和第二數(shù)據(jù)線d2 分別位于第二層間絕緣層160的兩側(cè)，第一數(shù)據(jù)線d1和第二數(shù)據(jù)線d2之間間隔設(shè)置一第二層間絕緣層160，第一數(shù)據(jù)線d1和第二數(shù)據(jù)線d2通過不同深度的通孔與開關(guān)晶體管的源極連接。如此，在不縮小像素面積的情況下，使同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間的距離增加了一倍，不同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間則由層間絕緣層(這里具體是指第二層間絕緣層160)隔離，在生產(chǎn)中可有效減少數(shù)據(jù)線之間發(fā)生短路的幾率，且在使用中大幅度消除了數(shù)據(jù)線之間的串?dāng)_，不但提高了產(chǎn)品的成品率，而且提升了產(chǎn)品的畫面品質(zhì)。當(dāng)然，由于同一像素組內(nèi)兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線設(shè)置在不同的結(jié)構(gòu)層上(同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間的距離得以增大)，因此不必受限于現(xiàn)有設(shè)備和工藝條件，得以縮小像素面積，提升oled顯示面板的ppi。

具體的，如圖12a和圖12b所示，所述第一子像素包括第一開關(guān)晶體管t11、第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12和第一存儲(chǔ)電容c1。所述第一開關(guān)晶體管t11包括柵極g11、源極s11、漏極d11、有源層111-1(即硅島的第一段)。所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12包括柵極g12、源極s12、漏極d12、有源層111-2(即硅島的第二段)。所述第一存儲(chǔ)電容c1包括第一極板(即下極板c1-1)、第二極板(即上極板c1-2)以及形成于下極板c1-1和上極板c1-2之間的第一層間絕緣層140。其中，所述第一開關(guān)晶體管t11的柵極g11與掃描線sn連接(二者實(shí)際上為一體結(jié)構(gòu))，所述第一開關(guān)晶體管t11的源極s11與第一數(shù)據(jù)線d1連接(二者實(shí)際上為一體結(jié)構(gòu))，所述第一開關(guān)晶體管t11的漏極d11、第一存儲(chǔ)電容c1的第一極板(即下極板c1-1)、第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的柵極g12連接，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的源極s12和第一存儲(chǔ)電容c1的第二極板(即上極板c1-2)均與電源線vdd連接，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的漏極d12與第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極221連接。所述掃描線sn用于向第一開關(guān)晶體管t11提供開啟或關(guān)斷電壓，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12用于控制第一數(shù)據(jù)線d1向第一有機(jī)發(fā)光二極管提供數(shù)據(jù)電壓。

具體的，如圖12a和圖12c所示，所述第二子像素包括第二開關(guān)晶體管t21、第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22和第二存儲(chǔ)電容c2。所述第二開關(guān)晶體管t21包括柵極g21、源極s21、漏極d21、有源層112-1(即硅島的第三段)。 所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22包括柵極g22、源極s22、漏極d22、有源層112-2(即硅島的第四段)。所述第二存儲(chǔ)電容c2包括第一極板(即下極板c2-1)、第二極板(即上極板c2-2)以及形成于下極板c2-1和上極板c2-2之間的第一層間絕緣層140。其中，所述第二開關(guān)晶體管t21的柵極g21與掃描線sn連接(二者實(shí)際上為一體結(jié)構(gòu))，所述第二開關(guān)晶體管t21的源極s21與第二數(shù)據(jù)線d2連接(二者實(shí)際上為一體結(jié)構(gòu))，所述第二開關(guān)晶體管t21的漏極d21、第二存儲(chǔ)電容c2的第一極板(即下極板c2-1)、第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的柵極g22連接，所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的源極s22和第二存儲(chǔ)電容c2的第二極板(即上極板c2-2)均與電源線vdd連接，所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的漏極d22與第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極222連接。所述掃描線sn用于向第二開關(guān)晶體管t21提供開啟或關(guān)斷電壓，所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22用于控制第二數(shù)據(jù)線d2向第二有機(jī)發(fā)光二極管提供數(shù)據(jù)電壓。

繼續(xù)參考圖10a、11a、12a，所述第一數(shù)據(jù)線d1、第二數(shù)據(jù)線d2和電源線vdd相互平行，掃描線sn則與所述電源線vdd相互垂直，且所述第一數(shù)據(jù)線d1和第二數(shù)據(jù)線d2沿電源線vdd鏡像對(duì)稱。同時(shí)，所述第一存儲(chǔ)電容c1和第二存儲(chǔ)電容c2沿電源線vdd鏡像對(duì)稱，所述第一開關(guān)晶體管t11和第二開關(guān)晶體管t21沿電源線vdd鏡像對(duì)稱，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12和第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22沿電源線vdd鏡像對(duì)稱。具體的，本實(shí)施例中，所述第一存儲(chǔ)電容c1的下極板c1-1和第二存儲(chǔ)電容c2的下極板c2-1均為長方形且面積相同并沿電源線vdd鏡像對(duì)稱，所述第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2和第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2均為長方形且面積相同并沿電源線vdd鏡像對(duì)稱。

重點(diǎn)參考圖2a、2b、2c所示，所述oled顯示面板還包括硅島，所述硅島形成于所述基板100上，用以作為第一開關(guān)晶體管t11、第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12、第二開關(guān)晶體管t21以及第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的有源層。

重點(diǎn)參考圖3a、3b、3c所示，所述oled顯示面板還包括柵絕緣層120以及第一通孔120a-1、120a-2，所述柵絕緣層120形成于所述基板100和硅島上，所述第一通孔120a-1、120a-2貫穿所述柵絕緣層120，所述第 一通孔120a-1用于導(dǎo)通第一開關(guān)晶體管t11的漏極d11和第一存儲(chǔ)電容c1的下極板c1-1，所述第一通孔120a-2用于導(dǎo)通第二開關(guān)晶體管t21的漏極d21和第二存儲(chǔ)電容c2的下極板c2-1。

重點(diǎn)參考圖4a、4b、4c所示，所述oled顯示面板還包括圖形化的第一金屬層，所述圖形化的第一金屬層形成于所述柵絕緣層120上，用以作為第一開關(guān)晶體管t11的柵極g11、第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的柵極g12、第二開關(guān)晶體管t21的柵極g21、第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的柵極g22、掃描線sn、第一存儲(chǔ)電容c1的第一電極(即下極板)c1-1和第二存儲(chǔ)電容c2的第一電極(即下極板)c2-1。

重點(diǎn)參考圖5a、5b、5c所示，所述oled顯示面板還包括第一層間絕緣層140以及第二通孔140a-1，所述第一層間絕緣層140形成于所述柵絕緣層120以及圖形化的第一金屬層上，所述第二通孔140a-1用于導(dǎo)通第一數(shù)據(jù)線d1和第一開關(guān)晶體管t11的源極s11。

重點(diǎn)參考圖6a、6b、6c所示，所述oled顯示面板還包括圖形化的第二金屬層，所述圖形化的第二金屬層形成于所述第一層間絕緣層140上，用以作為第一數(shù)據(jù)線d1、第一開關(guān)晶體管t11的源極s11和第二存儲(chǔ)電容c2的第二電極(即上極板c2-2)。

重點(diǎn)參考圖7a、7b、7c所示，所述oled顯示面板還包括第二層間絕緣層160以及第三通孔160a-2，所述第二層間絕緣層160形成于所述第一層間絕緣層140以及圖形化的第二金屬層上，所述第三通孔160a-2用于導(dǎo)通第二數(shù)據(jù)線d2和第二開關(guān)晶體管t21的源極s21。進(jìn)一步的，所述oled顯示面板還包括開口160b，所述開口160b貫穿所述第二層間絕緣層160并正對(duì)所述第一存儲(chǔ)電容c1的下極板c1-1。

重點(diǎn)參考圖8a、8b、8c所示，所述oled顯示面板還包括圖形化的第三金屬層，所述圖形化的第三金屬層形成于所述第二層間絕緣層160上以及所述開口160b，用以作為第二數(shù)據(jù)線d2、第二開關(guān)晶體管t21的源極s21和第一存儲(chǔ)電容c1的第二電極(即上極板c1-2)。

重點(diǎn)參考圖9a、9b、9c所示，所述oled顯示面板還包括第三層間絕緣層180以及第四通孔180a、180a-1、180a-2、180a-3、180a-4，所述第三 層間絕緣層180形成于所述第二層間絕緣層160以及圖形化的第三金屬層上，所述第四通孔180a、180a-1、180a-2、180a-3、180a-4用于導(dǎo)通第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的源極和漏極、第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的源極和漏極、電源線vdd、第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2以及第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2。

重點(diǎn)參考圖10a、10b、10c所示，所述oled顯示面板還包括圖形化的第四金屬層，所述圖形化的第四金屬層形成于所述第三層間絕緣層180上，用以作為第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的源極s12和漏極d12、第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的源極s22和漏極d22、電源線vdd。

重點(diǎn)參考圖11a、11b、11c所示，所述oled顯示面板還包括鈍化絕緣層200以及接觸孔200a-1、200a-2，所述鈍化絕緣層200形成于所述第三層間絕緣層180以及圖形化的第四金屬層上，所述接觸孔200a-1用于導(dǎo)通所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的漏極與第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極221，所述接觸孔200a-2用于導(dǎo)通所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的漏極與第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極222。

以下結(jié)合本發(fā)明oled顯示面板實(shí)施例一制造過程的平面俯視圖和剖面示意圖，進(jìn)一步說明本實(shí)施例的技術(shù)方案，在以下說明中，本發(fā)明所稱的光刻工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、刻蝕和光刻膠剝離等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例。

圖2a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成硅島后的平面示意圖，圖2b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成硅島后的剖面示意圖，圖2c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成硅島后的剖面示意圖。

首先，如圖2a、2b、2c所示，提供一基板100。所述基板100通常為透明基板，具體的，所述透明基板可為硬質(zhì)基板或可撓式基板，例如透明玻璃基板或透明塑料基板。所述透明基板的形狀可為平面、曲面或其他不規(guī)則形狀。應(yīng)理解的是，所述透明基板的材質(zhì)以及形狀在此不做限制。

接著，繼續(xù)參考圖2a、2b、2c所示，在所述基板100上形成硅島。其中，形成硅島的具體過程包括：采用化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝在所述基板100上形成一非晶硅層(a-si)；對(duì)所述非晶硅層采用準(zhǔn)分子激光退火 (ela)、固相晶化(spc)或金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(mic)等工藝方法，將其轉(zhuǎn)化成多晶硅層(p-si)；進(jìn)行第一道光刻工藝，圖形化所述多晶硅層形成硅島。所述硅島用以作為第一開關(guān)晶體管t11的有源層、第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的有源層、第二開關(guān)晶體管t21的有源層以及第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的有源層。具體而言，所述硅島對(duì)應(yīng)于所述第一開關(guān)晶體管t11、第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12、第二開關(guān)晶體管t21和第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22各自的源極和漏極位置。

重點(diǎn)參考圖2a所示，本實(shí)施例中，所述硅島包括第一段111-1、第二段111-2、第三段112-1、第四段112-2、第五段113以及第六段114，上述六部分均大致呈條狀，且上述第一段111-1、第二段111-2、第三段112-1、第四段112-2、第五段113沿x方向延伸，而所述第六段114沿y方向延伸。其中，第一段111-1和第三段112-1為獨(dú)立的條狀結(jié)構(gòu)，第一段111-1用以作為第一子像素中第一開關(guān)晶體管t11的有源層，第三段112-1用以作為第二子像素中第二開關(guān)晶體管t21的有源層，并且，第一段111-1和第三段112-1鏡像對(duì)稱。第五段113位于第二段111-2和第四段112-2之間，所述第二段111-2和第四段112-2鏡像對(duì)稱，第六段114連接第二段111-2、第四段112-2、第五段113的一端以形成“山”字形結(jié)構(gòu)，第二段111-2、第四段112-2、第五段113、第六段114共同作為第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12和第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的有源層(即第五段113為兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管所共用)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，在本發(fā)明其它實(shí)施例中，所述硅島的形狀可以做一些適當(dāng)?shù)淖兓?，例如，第一?qū)動(dòng)晶體管t12和第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的有源層還可以是兩個(gè)開口方向相同的“u”型結(jié)構(gòu)(即第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12和第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22并不共用有源層)，本發(fā)明并不限制硅島的具體形狀。

優(yōu)選的，如圖2b和圖2c所示，在基板100上形成硅島之前，先在所述基板100上形成緩沖層101，所述緩沖層101采用的材料例如為氮化硅或氧化硅。在基板100上形成硅島之后，進(jìn)行第二道光刻工藝，以對(duì)所述硅島的預(yù)定區(qū)域進(jìn)行離子注入，如圖2a中虛線框所示，本實(shí)施例是對(duì)所述第一開關(guān)晶體管t11的漏極區(qū)域和第二開關(guān)晶體管t21的漏極區(qū)域進(jìn)行離子注入，以使其導(dǎo)通性能更好。

圖3a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第一通孔后的平面示意圖，圖3b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第一通孔后的剖面示意圖，圖3c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第一通孔后的剖面示意圖。

如圖3a、3b、3c所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝在所述硅島和未被覆蓋的緩沖層101上形成柵絕緣層120，并進(jìn)行第三道光刻工藝，在所述柵絕緣層120中開設(shè)第一通孔120a-1、120a-2，所述第一通孔120a-1位于所述硅島的第一段111-1的一端，用于連接后續(xù)形成的第一開關(guān)晶體管t11的漏極d11和第一存儲(chǔ)電容c1的下極板c1-1，所述第一通孔120a-2位于所述硅島的第三段112-1的一端，用于連接后續(xù)形成的第二開關(guān)晶體管t21的漏極d21和第二存儲(chǔ)電容c2的下極板c2-1。本實(shí)施例中，所述柵絕緣層120采用的材料例如為氧化物、氮化物或氧氮化合物，當(dāng)然，所述柵絕緣層120亦可采用其它絕緣材料，本發(fā)明對(duì)此并不予限制。

圖4a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第一金屬層(第四道光刻工藝)后的平面示意圖，圖4b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第一金屬層后的剖面示意圖，圖4c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第一金屬層后的剖面示意圖。

接著，如圖4a、4b、4c所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述柵絕緣層120上形成第一金屬層，并進(jìn)行第四道光刻工藝，圖形化所述第一金屬層，分別形成第一開關(guān)晶體管t11的柵極g11、第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的柵極g12、第二開關(guān)晶體管t21的柵極g21、第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的柵極g22、掃描線sn、第一存儲(chǔ)電容c1的第一電極(即下極板)c1-1和第二存儲(chǔ)電容c2的第一電極(即下極板)c2-1。所述第一金屬層可以采用cr、w、ti、ta、mo、al、cu等金屬或合金的單層膜，也可以采用由多層金屬薄膜構(gòu)成的復(fù)合薄膜。

重點(diǎn)參考圖4a所示，本實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)電容c1的第一電極(即下極板)c1-1和第二存儲(chǔ)電容c2的第一電極(即下極板)c2-1對(duì)稱分布，優(yōu)選的，二者的形狀均為長方形且面積相同。如圖4b和圖4c所示，所述第一開關(guān)晶體管t11的漏極d11與第一存儲(chǔ)電容c1的下極板c1-1通過第 一通孔120a-1連接，所述第二開關(guān)晶體管t21的漏極d21與第二存儲(chǔ)電容c2的下極板c2-1通過第一通孔120a-2連接。需要說明的是，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的柵極g12與第一存儲(chǔ)電容c1的下極板c1-1實(shí)際上是一體結(jié)構(gòu)(如圖4a所示)，但為了便于下文說明第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12和第一存儲(chǔ)電容c1各自的結(jié)構(gòu)特性，在圖4b中二者未連成一體；同理，所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的柵極g22與第二存儲(chǔ)電容c2的下極板c2-1實(shí)際上也是一體結(jié)構(gòu)(如圖4a所示)，但為了便于下文說明第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22和第二存儲(chǔ)電容c2各自的結(jié)構(gòu)特性，在圖4c中二者未連成一體。

圖5a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第二通孔(第五道光刻工藝)后的平面示意圖，圖5b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第二通孔后的剖面示意圖，圖5c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第二通孔后的剖面示意圖。

如圖5a、5b、5c所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝形成第一層間絕緣層140，并進(jìn)行第五道光刻工藝，在所述第一層間絕緣層140和柵絕緣層120中開設(shè)第二通孔140a-1，所述第二通孔140a-1位于第一開關(guān)晶體管t11的源極位置，用于導(dǎo)通后續(xù)形成的第一數(shù)據(jù)線d1和第一開關(guān)晶體管t11的源極s11。具體而言，所述第二通孔140a-1位于所述硅島的第一段111-1的另一端，并且，所述第二通孔140a-1貫穿所述第一段111-1上方的第一層間絕緣層140和柵絕緣層120。本實(shí)施例中，所述第一層間絕緣層140采用的材料例如為氧化物、氮化物或氧氮化合物，當(dāng)然，所述第一層間絕緣層140亦可采用其它絕緣材料，本發(fā)明對(duì)此并不予限制。

圖6a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第二金屬層(第六道光刻工藝)后的平面示意圖，圖6b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第二金屬層后的剖面示意圖，圖6c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第二金屬層后的剖面示意圖。

如圖6a、6b、6c所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述第一層間絕緣層140上形成第二金屬層，并進(jìn)行第六道光刻工藝，圖形化所述第二金屬層，以形成第一數(shù)據(jù)線d1、第一開關(guān)晶體管t11的源極s11和第二存儲(chǔ)電容c2的第二電極(即上極板c2-2)。所述第二金屬層可以采用cr、w、ti、ta、 mo、al、cu等金屬或合金的單層膜，也可以采用由多層金屬薄膜構(gòu)成的復(fù)合薄膜。重點(diǎn)參考圖6a所示，本實(shí)施例中，所述第一數(shù)據(jù)線d1與第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2相互平行，所述第一數(shù)據(jù)線d1和第一開關(guān)晶體管t11的源極s11實(shí)際上是一體結(jié)構(gòu)，第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2的形狀為長方形，且所述第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2位于第二存儲(chǔ)電容c2的下極板c2-1的正上方，至此，第二存儲(chǔ)電容c2已經(jīng)形成，其由下極板c2-1、上極板c2-2以及位于二者之間的第一層間絕緣層140共同構(gòu)成。

圖7a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第三通孔(第七道光刻工藝)后的平面示意圖，圖7b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第三通孔后的剖面示意圖，圖7c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第三通孔后的剖面示意圖。

如圖7a、7b、7c所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)的方法形成第二層間絕緣層160，并進(jìn)行第七道光刻工藝，在所述第二層間絕緣層160、第一層間絕緣層140和柵絕緣層120中開設(shè)第三通孔160a-2，所述第三通孔160a-2位于第二開關(guān)晶體管t21的源極位置，用于導(dǎo)通后續(xù)形成的第二數(shù)據(jù)線d2和第二開關(guān)晶體管t21的源極s21。具體而言，所述第三通孔160a-2位于所述硅島的第三段112-1的另一端，即，所述第三通孔160a-2貫穿所述硅島的第三段112-1上方的第二層間絕緣層160、第一層間絕緣層140和柵絕緣層120。本實(shí)施例中，所述第二層間絕緣層160采用的材料例如為氧化物、氮化物或氧氮化合物，當(dāng)然，所述第二層間絕緣層160亦可采用其它絕緣材料，本發(fā)明對(duì)此并不予限制。

優(yōu)選方案中，為了使第一存儲(chǔ)電容c1和第二存儲(chǔ)電容c2的電容值相同，形成第三通孔160a-2之后，進(jìn)行第八道光刻工藝，在所述第二層間絕緣層160中形成正對(duì)第一存儲(chǔ)電容c1的下極板c1-1的開口160b，即去除第一存儲(chǔ)電容c1的下極板c1-1上方的第二層間絕緣層160，以使第一存儲(chǔ)電容c1和第二存儲(chǔ)電容c2的介質(zhì)層厚度相同，也就是說，使第一存儲(chǔ)電容c1和第二存儲(chǔ)電容c2均采用第一層間絕緣層140作為介質(zhì)層?？梢岳斫獾氖?，本發(fā)明并不限定第三通孔160a-2和開口160b形成順序，在本 發(fā)明其它實(shí)施例中也可在形成第三通孔160a-2之前形成該開口160b。進(jìn)一步的，該形成開口160b的步驟并不是必須的，亦可采用其它方式例如增大第一存儲(chǔ)電容的極板面積等方式使第一存儲(chǔ)電容c1和第二存儲(chǔ)電容c2的電容值相同。

圖8a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第三金屬層(第九道光刻工藝)后的平面示意圖，圖8b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第三金屬層后的剖面示意圖，圖8c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第三金屬層后的剖面示意圖。

如圖8a、8b、8c所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述第二層間絕緣層160上形成第三金屬層，并進(jìn)行第九道光刻工藝，圖形化所述第三金屬層，以形成第二數(shù)據(jù)線d2、第二開關(guān)晶體管t21的源極s21和第一存儲(chǔ)電容c1的第二電極(即上極板c1-2)。本實(shí)施例中，所述第一數(shù)據(jù)線d1和第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2不在同一層(即位于不同結(jié)構(gòu)層)，所述第二數(shù)據(jù)線d2和第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2不在同一層(即位于不同結(jié)構(gòu)層)，由此，有利于縮小同層間距(這里是指同層的數(shù)據(jù)線和存儲(chǔ)電容上極板的間距)，進(jìn)而縮小像素面積，提升oled顯示面板的ppi，提高oled顯示面板的分辨率。所述第三金屬層可以采用cr、w、ti、ta、mo、al、cu等金屬或合金的單層膜，也可以采用由多層金屬薄膜構(gòu)成的復(fù)合薄膜。重點(diǎn)參考圖8a所示，本實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)電容c1的第二電極(即上極板c1-2)和第二存儲(chǔ)電容c2的第二電極(即上極板c2-2)對(duì)稱分布，優(yōu)選的，二者的形狀均為長方形。重點(diǎn)參考圖8b和圖8c所示，所述第二數(shù)據(jù)線d2與第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2相互平行，所述第二數(shù)據(jù)線d2和第二開關(guān)晶體管t21的源極s21實(shí)際上是一體結(jié)構(gòu)，且所述第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2位于其下極板c1-1的正上方。并且，第一存儲(chǔ)電容c1的下極板c1-1和第二存儲(chǔ)電容c2的下極板c2-1面積相同，第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2和第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2面積相同。

圖9a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第四通孔(第十道光刻工藝)后的平面示意圖，圖9b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第四通孔后的剖面示意圖，圖9c是本發(fā)明實(shí)施例 一中oled顯示面板的第二子像素形成第四通孔后的剖面示意圖。

如圖9a、9b、9c所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)的方法形成第三層間絕緣層180，并進(jìn)行第九道光刻工藝，在所述第三層間絕緣層180中開設(shè)第四通孔180a、180a-1、180a-2、180a-3、180a-4，用于導(dǎo)通第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的源極和漏極、第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的源極和漏極、電源線vdd、第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2以及第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2。

具體而言，所述第四通孔180a位于第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12和第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的源極位置，貫穿硅島的第五段113(即有源層113)上方的柵絕緣層120、第一層間絕緣層140、第二層間絕緣層160和第三層間絕緣層180。所述第四通孔180a-1位于第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的漏極位置，貫穿硅島的第二段111-2(即有源層111-2)上方的柵絕緣層120、第一層間絕緣層140、第二層間絕緣層160和第三層間絕緣層180。所述第四通孔180a-2位于第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的漏極位置，貫穿硅島的第四段112-2(即有源層112-2)上方的柵絕緣層120、第一層間絕緣層140、第二層間絕緣層160和第三層間絕緣層180。所述第四通孔180a-3位于第一存儲(chǔ)電容c1上方，貫穿第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2上方的第三層間絕緣層180。所述第四通孔180a-4位于第二存儲(chǔ)電容c2上方，貫穿第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2上方的第二層間絕緣層160和第三層間絕緣層180。本實(shí)施例中，所述第三層間絕緣層180采用的材料例如為氧化物、氮化物或氧氮化合物，當(dāng)然，所述第三層間絕緣層180亦可采用其它絕緣材料，本發(fā)明對(duì)此并不予限制。

圖10a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第四金屬層后的平面示意圖，圖10b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成第四金屬層后的剖面示意圖，圖10c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成第四金屬層后的剖面示意圖。

如圖10a、10b、10c所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述第三層間絕緣層180上形成第四金屬層，并進(jìn)行第十一道光刻工藝，圖形化所述第四金屬層，以形成第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的源極s12和漏極d12、第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的源極s22和漏極d22、電源線vdd。所述第四金屬層可以采用 cr、w、ti、ta、mo、al、cu等金屬或合金的單層膜，也可以采用由多層金屬薄膜構(gòu)成的復(fù)合薄膜。重點(diǎn)參考圖10a所示，本實(shí)施例中，所述第四金屬層位于所述第一存儲(chǔ)電容c1和第二存儲(chǔ)電容c2上方，并且，所述電源線vdd、第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的源極s12、第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的源極s22實(shí)際上是一體結(jié)構(gòu)，更具體地說，第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12和第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22共用源極，并且，第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的漏極d12與第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的漏極d22沿電源線vdd鏡像對(duì)稱，同樣，第一存儲(chǔ)電容c1和第二存儲(chǔ)電容c2也沿電源線vdd鏡像對(duì)稱。

圖11a是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成接觸孔后的平面示意圖，圖11b是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第一子像素形成接觸孔后的剖面示意圖，圖11c是本發(fā)明實(shí)施例一中oled顯示面板的第二子像素形成接觸孔后的剖面示意圖。

如圖11a、11b、11c所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)的方法在所述電源線vdd以及未被電源線vdd覆蓋的第三層間絕緣層180上形成鈍化絕緣層200，并進(jìn)行第十二道光刻工藝，在所述鈍化絕緣層200中形成接觸孔200a-1、200a-2，所述接觸孔200a-1、200a-2位于所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12和第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的漏極位置，具體是貫穿所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12和第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的漏極上方的鈍化絕緣層200。本實(shí)施例中，所述鈍化絕緣層200采用的材料例如為氧化物、氮化物或氧氮化合物，當(dāng)然，所述鈍化絕緣層200亦可采用其它絕緣材料，本發(fā)明對(duì)此并不予限制。

接著，如圖12a、12b、12c所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述鈍化絕緣層170上形成一電極層，并進(jìn)行第十三道光刻工藝，圖形化所述電極層，以形成第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極221和第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極222，所述第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極221通過所述接觸孔200a-1與第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的漏極d12電性連接，所述第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極222通過所述接觸孔200a-2與第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的漏極d22電性連接。所述電極層可以采用氧化銦錫、氧化鋅、氧化銦鋅、銀、金或鋁中的一種或多種。

繼續(xù)參考圖12b所示，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的源極s12通過所述第四通孔180a與其有源層112-1實(shí)現(xiàn)電性連接，同時(shí)所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管 t12的源極s12通過所述第四通孔180a-3與所述電源線vdd和第一存儲(chǔ)電容c1的第二電極(即上極板c1-2)實(shí)現(xiàn)電性連接。

繼續(xù)參考圖12c所示，所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的源極s22通過所述第四通孔180a與其有源層112-2實(shí)現(xiàn)電性連接，同時(shí)所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的源極s22通過所述第四通孔180a-4與所述電源線vdd和第二存儲(chǔ)電容c2的第二電極(即上極板c2-2)實(shí)現(xiàn)電性連接。

進(jìn)一步的，形成第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極221和第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極222之后，還可采用常規(guī)工藝形成像素限定層，后續(xù)還可采用常規(guī)工藝形成發(fā)光層和陰極，以完成oled器件制備，在此不再贅述。

綜上，在本實(shí)施例所述的oled顯示面板中，兩個(gè)子像素為一組，并根據(jù)電源線vdd鏡像排列，且同一像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素各自連接的數(shù)據(jù)線位于不同結(jié)構(gòu)層上?？稍诓豢s小像素面積的情況下，使同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間的距離增加了一倍，使不同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間由層間絕緣層隔離，有效減少數(shù)據(jù)線之間發(fā)生短路的幾率，且在使用中大幅度消除了數(shù)據(jù)線之間的串?dāng)_，不但提高了產(chǎn)品的成品率，而且提升了產(chǎn)品的畫面品質(zhì)。再者，由于同一像素組內(nèi)兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線設(shè)置在不同的結(jié)構(gòu)層上，也可基于現(xiàn)有設(shè)備和工藝條件縮小像素面積，提升oled顯示面板的ppi，提高oled顯示面板的分辨率。此外，本實(shí)施例中第一數(shù)據(jù)線d1和第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2不在同一層，第二數(shù)據(jù)線d2和第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2不在同一層，比如所述第一數(shù)據(jù)線d1和第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2一并形成，而第二數(shù)據(jù)線d2和第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2一并形成，由此，有利于縮小同層的數(shù)據(jù)線和存儲(chǔ)電容上極板的間距，進(jìn)而縮小像素面積，提升oled顯示面板的ppi，提高oled顯示面板的分辨率。

實(shí)施例二

本實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2和第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2是一體結(jié)構(gòu)，通過一次工藝形成。

如圖19a、20a、21a所示，所述第一數(shù)據(jù)線d1、第二數(shù)據(jù)線d2和電 源線vdd相互平行，所述掃描線sn與所述電源線vdd相互垂直，并且，所述第一數(shù)據(jù)線d1和第二數(shù)據(jù)線d2沿電源線vdd鏡像對(duì)稱，所述第一存儲(chǔ)電容c1和第二存儲(chǔ)電容c2沿電源線vdd鏡像對(duì)稱，所述第一開關(guān)晶體管t11和第二開關(guān)晶體管t21沿電源線vdd鏡像對(duì)稱，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12和第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22沿電源線vdd鏡像對(duì)稱。

具體的，本實(shí)施例中，所述第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2和第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2是一體結(jié)構(gòu)且為長方形，所述第一存儲(chǔ)電容c1的下極板c1-1和第二存儲(chǔ)電容c2的下極板c2-1亦為長方形。

以下結(jié)合本發(fā)明tft-lcd陣列基板實(shí)施例一制造過程的平面俯視圖和剖面示意圖，進(jìn)一步說明本實(shí)施例的技術(shù)方案。

圖13a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成硅島后的平面示意圖，圖13b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成硅島后的剖面示意圖，圖13c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成硅島后的剖面示意圖。

如圖13a、13b、13c所示，提供一基板100。接著，在所述基板100上形成硅島。所述硅島用以作為第一開關(guān)晶體管t11的有源層、第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的有源層、第二開關(guān)晶體管t21的有源層以及第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的有源層。本實(shí)施例中，在基板100上形成硅島之前，先在所述基板100上形成緩沖層101。優(yōu)選的，在基板100上形成硅島之后，進(jìn)行第二道光刻工藝，以對(duì)所述硅島的預(yù)定區(qū)域進(jìn)行離子注入。

圖14a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第一通孔后的平面示意圖，圖14b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第一通孔后的剖面示意圖，圖14c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第一通孔后的剖面示意圖。

如圖14a、14b、14c所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝在所述硅島和未被覆蓋的緩沖層101上形成柵絕緣層120，并進(jìn)行第三道光刻工藝，在所述柵絕緣層120中開設(shè)第一通孔120a-1、120a-2。

圖15a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第一金屬層后的平面示意圖，圖15b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一 子像素形成第一金屬層后的剖面示意圖，圖15c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第一金屬層后的剖面示意圖。

如圖15a、15b、15c所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述柵絕緣層120上形成第一金屬層，并進(jìn)行第四道光刻工藝，圖形化所述第一金屬層，分別形成第一開關(guān)晶體管t11的柵極g11、第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的柵極g12、第二開關(guān)晶體管t21的柵極g21、第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的柵極g22、掃描線sn、第一存儲(chǔ)電容c1的第一電極(即下極板)c1-1和第二存儲(chǔ)電容c2的第一電極(即下極板)c2-1。

圖16a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第二通孔后的平面示意圖，圖16b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第二通孔后的剖面示意圖，圖16c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第二通孔后的剖面示意圖。

如圖16a、16b、16c所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝形成第一層間絕緣層140，并進(jìn)行第五道光刻工藝，在所述第一層間絕緣層140和柵絕緣層120中開設(shè)第二通孔140a-1，所述第二通孔140a-1位于第一開關(guān)晶體管t11的源極位置，用于導(dǎo)通后續(xù)形成的第一數(shù)據(jù)線d1和第一開關(guān)晶體管t11的源極s11。

圖17a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第二金屬層后的平面示意圖，圖17b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第二金屬層后的剖面示意圖，圖17c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第二金屬層后的剖面示意圖。

如圖17a、17b、17c所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述第一層間絕緣層140上形成第二金屬層，并進(jìn)行第六道光刻工藝，圖形化所述第二金屬層，以形成第一數(shù)據(jù)線d1、第一開關(guān)晶體管t11的源極s11、第一存儲(chǔ)電容c1的第二電極(即上極板c1-2)和第二存儲(chǔ)電容c2的第二電極(即上極板c2-2)。

重點(diǎn)參考圖17a所示，本實(shí)施例與實(shí)施例一區(qū)別在于，第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2和第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2是一體結(jié)構(gòu)，通過一次工藝形成，由于同時(shí)形成了第一存儲(chǔ)電容c1和第二存儲(chǔ)電容c2的上極 板，無需額外形成開口以確保一存儲(chǔ)電容c1和第二存儲(chǔ)電容c2的電容值相等，相比于實(shí)施例一的方案可簡化工藝，降低成本。

圖18a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第三通孔后的平面示意圖，圖18b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第三通孔后的剖面示意圖，圖18c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第三通孔后的剖面示意圖。

如圖18a、18b、18c所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)的方法形成第二層間絕緣層160，并進(jìn)行第七道光刻工藝，在所述第二層間絕緣層160、第一層間絕緣層140和柵絕緣層120中開設(shè)第三通孔160a-2，所述第三通孔160a-2位于第二開關(guān)晶體管t21的源極位置，用于導(dǎo)通后續(xù)形成的第二數(shù)據(jù)線d2和第二開關(guān)晶體管t21的源極s21。

圖19a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第三金屬層后的平面示意圖，圖19b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第三金屬層后的剖面示意圖，圖19c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第三金屬層后的剖面示意圖。

如圖19a、19b、19c所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述第二層間絕緣層160上形成第三金屬層，并進(jìn)行第八道光刻工藝，圖形化所述第三金屬層，以形成第二數(shù)據(jù)線d2以及第二開關(guān)晶體管t21的源極s21，本實(shí)施例中，所述第二數(shù)據(jù)線d2與第二開關(guān)晶體管t21的源極s21為一體結(jié)構(gòu)。

圖20a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第四通孔后的平面示意圖，圖20b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第四通孔后的剖面示意圖，圖20c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第四通孔后的剖面示意圖。

如圖20a、20b、20c所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)的方法形成第三層間絕緣層180，并進(jìn)行第八道光刻工藝，在所述第三層間絕緣層180中開設(shè)第四通孔180a、180a-1、180a-2、180a-3、180a-4，用于導(dǎo)通第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的源極和漏極、第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的源極和漏極、電源線vdd、第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2以及第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2。

圖21a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成第四金 屬層后的平面示意圖，圖21b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成第四金屬層后的剖面示意圖，圖21c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成第四金屬層后的剖面示意圖。

如圖21a、21b、21c所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述第三層間絕緣層180上形成第四金屬層，并進(jìn)行第十道光刻工藝，圖形化所述第四金屬層，以形成第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的源極s12和漏極d12、第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的源極s22和漏極d22、電源線vdd。

圖22a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成接觸孔后的平面示意圖，圖22b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成接觸孔后的剖面示意圖，圖22c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成接觸孔后的剖面示意圖。

如圖22a、22b、22c所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)的方法在所述電源線vdd以及未被電源線vdd覆蓋的第三層間絕緣層180上形成鈍化絕緣層200，并進(jìn)行第十一道光刻工藝，在所述鈍化絕緣層200中形成接觸孔200a，所述接觸孔200a位于所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12和第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的漏極位置，具體是貫穿所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12和第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的漏極上方的鈍化絕緣層200。

圖23a是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的一個(gè)像素組形成陽極后的平面示意圖，圖23b是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第一子像素形成陽極后的剖面示意圖，圖23c是本發(fā)明實(shí)施例二中oled顯示面板的第二子像素形成陽極后的剖面示意圖。

如圖23a、23b、23c所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述鈍化絕緣層200上形成一電極層，并進(jìn)行第十二道光刻工藝，圖形化所述電極層，以形成第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極221和第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極222，所述第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極221通過所述接觸孔200a與第一驅(qū)動(dòng)晶體管t12的漏極d12電性連接，所述第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極222通過所述接觸孔200a與第二驅(qū)動(dòng)晶體管t22的漏極d22電性連接。

進(jìn)一步的，形成第一有機(jī)發(fā)光二極管的陽極221和第二有機(jī)發(fā)光二極管的陽極222之后，還可采用常規(guī)工藝形成像素限定層，后續(xù)還可采用常 規(guī)工藝形成發(fā)光層和陰極，以完成oled器件制備，在此不再贅述。

綜上，在實(shí)施例二所述的oled顯示面板中，兩個(gè)子像素為一組，并根據(jù)電源線vdd鏡像排列，且同一像素組內(nèi)的兩個(gè)子像素各自連接的數(shù)據(jù)線位于不同結(jié)構(gòu)層上?？稍诓豢s小像素面積的情況下，使同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間的距離增加了一倍，使不同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間由層間絕緣層隔離，有效減少數(shù)據(jù)線之間發(fā)生短路的幾率，且在使用中大幅度消除了數(shù)據(jù)線之間的串?dāng)_，不但提高了產(chǎn)品的成品率，而且提升了產(chǎn)品的畫面品質(zhì)。再者，由于同一像素組內(nèi)兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線設(shè)置在不同的結(jié)構(gòu)層上，也可基于現(xiàn)有設(shè)備和工藝條件縮小像素面積，提升oled顯示面板的ppi，提高oled顯示面板的分辨率。同時(shí)，所述第一存儲(chǔ)電容c1的上極板c1-2和第二存儲(chǔ)電容c2的上極板c2-2通過一次工藝形成，可簡化制作工藝，降低成本。

需要說明的是，本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)于實(shí)施例公開的結(jié)構(gòu)而言，由于與實(shí)施例公開的方法相對(duì)應(yīng)，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。

上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。