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      用于形成氧化硅層的組合物、制造氧化硅層的方法、氧化硅層及電子裝置與流程

      文檔序號(hào):11136382閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      1.一種用于形成氧化硅層的組合物,其特征在于,包含:

      含硅聚合物;以及

      包含至少兩種溶劑的混合溶劑,

      其中,所述混合溶劑在25℃下的表面張力是5毫牛/米至35毫牛/米。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成氧化硅層的組合物,其特征在于,所述混合溶劑在25℃下的表面張力是15毫牛/米至35毫牛/米。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成氧化硅層的組合物,其特征在于,所述混合溶劑包含選自苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、環(huán)己烷、環(huán)己烯、十氫萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、環(huán)己烷、環(huán)己烯、對(duì)薄荷烷、二丙醚、二丁醚、苯甲醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基異丁基酮、對(duì)甲基苯甲醚、四甲苯以及其組合中的至少兩個(gè)。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成氧化硅層的組合物,其特征在于,所述含硅聚合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其組合。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成氧化硅層的組合物,其特征在于,所述含硅聚合物的重量平均分子量是1,000克/摩爾至160,000克/摩爾。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成氧化硅層的組合物,其特征在于,所述含硅聚合物是以所述用于形成氧化硅層的組合物的總量計(jì)0.1重量%至30重量%的量被包含。

      7.一種制造氧化硅層的方法,其特征在于,包括:

      將根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成氧化硅層的組合物涂布在襯底上;

      干燥涂有所述用于形成氧化硅層的組合物的所述襯底;以及

      在150℃或大于150℃下在包含惰性氣體的氣氛下固化所得物。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造氧化硅層的方法,其特征在于,所述用于形成氧化硅層的組合物使用旋涂方法涂布。

      9.一種根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法提供的氧化硅層。

      10.一種電子裝置,其特征在于,包含根據(jù)權(quán)利要求9所述的氧化硅層。

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