技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法，其中，該方法包括：在氮化鎵外延基底上依次沉積第一氮化鎵層、第二氮化鋁鎵層，氮化鎵外延基底包括硅襯底層、第二氮化鎵層和第一氮化鋁鎵層；在第二氮化鋁鎵層的表面上沉積第一氮化硅層；在第一氮化硅層上形成源極接觸孔和漏極接觸孔；在源極接觸孔和漏極接觸孔內(nèi)沉積第一金屬層；對(duì)第一氮化硅層、第二氮化鋁鎵層進(jìn)行干法刻蝕，形成柵極接觸孔，柵極接觸孔的底部為第一氮化鎵層的上表面；在柵極接觸孔內(nèi)依次沉積氮化硅介質(zhì)層、第二金屬層。消除得到的氮化鎵半導(dǎo)體器件在柵極處可能產(chǎn)生的寄生電感，在高頻時(shí)降低氮化鎵半導(dǎo)體器件的開關(guān)損耗，進(jìn)而提高了氮化鎵半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉美華;孫輝;林信南;陳建國(guó)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué);北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.25
技術(shù)公布日：2017.10.03