技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及制造方法，包括：襯底、位于襯底上的氮化鎵GaN層、位于GaN層上的氮化鎵鋁AlGaN層、開設(shè)有柵極接觸孔、源極接觸孔和漏極接觸孔的介質(zhì)層、柵極、源極、以及漏極；介質(zhì)層位于AlGaN層的表面上，柵極接觸孔位于源極接觸孔和漏極接觸孔之間；源極和漏極分別包括填充源極接觸孔和漏極接觸孔的第一金屬層，柵極包括填充柵極接觸孔的第二金屬層；襯底開設(shè)有通孔，通孔中填充銅。通過本發(fā)明提供的方案，能夠有效改善器件的熱消散。

技術(shù)研發(fā)人員：劉美華;孫輝;林信南;陳建國
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué);北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.25
技術(shù)公布日：2017.10.03