本發(fā)明涉及l(fā)ed發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種led芯片、led芯片封裝結(jié)構(gòu)及制作方法。

背景技術(shù)：

藍(lán)光led（發(fā)光二極管）芯片大多都是以藍(lán)寶石為襯底的，典型的結(jié)構(gòu)包括以下部分：⑴在藍(lán)寶石基底材料上沉積外延層，該外延層從下到上依次為緩沖層、n型gan層、發(fā)光層、p型gan層；⑵在p型gan層形成p電極，在芯片表面局部位置從p型gan層刻蝕至n型gan層，并在此區(qū)域上制作形成n電極。

此常規(guī)水平結(jié)構(gòu)的led芯片含有一個(gè)正極和一個(gè)負(fù)極金屬接觸層，直流電從正極通入后能夠正常發(fā)光。而用led做成的器件通常都會(huì)包含一個(gè)驅(qū)動(dòng)電源，用于把交流電轉(zhuǎn)換為可用的直流電。

日常生活照明環(huán)境下使用的都是220v交流電，而常規(guī)的led芯片只能用直流電驅(qū)動(dòng)，所以led芯片在后期封裝形成器件時(shí)需要增加一個(gè)直流驅(qū)動(dòng)電源，這樣就能把日常的交流電經(jīng)過(guò)整流作用轉(zhuǎn)換為led所用的直流電。但是直流驅(qū)動(dòng)電源本身的體積偏大，在led器件的在形成中占有過(guò)大的體積。而且驅(qū)動(dòng)電源在能量轉(zhuǎn)換時(shí)本身會(huì)消耗部分電功率，消耗的電功率又會(huì)產(chǎn)生大量的熱，增加器件的散熱負(fù)擔(dān)，最終影響led器件的發(fā)光效率；同時(shí)驅(qū)動(dòng)電源壽命普遍比led芯片低很多，導(dǎo)致的結(jié)果是led器件中芯片未壞，而驅(qū)動(dòng)電源先損壞，所以整個(gè)器件的使用壽命會(huì)大大降低。

在其它場(chǎng)景中，譬如汽車(chē)發(fā)電機(jī)發(fā)電時(shí)產(chǎn)生的是交流電，它也會(huì)經(jīng)過(guò)整流器將電流轉(zhuǎn)換為直流電，然后供給汽車(chē)指示燈以及儀表燈使用，此過(guò)程中的整流器也會(huì)消耗功率，占用空間。

直流電驅(qū)動(dòng)的芯片在長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮后，由于負(fù)電極區(qū)域會(huì)發(fā)生電流擁堵效應(yīng)，發(fā)生電流擁堵時(shí)，電流經(jīng)過(guò)擴(kuò)散聚集在負(fù)極區(qū)域。而負(fù)極區(qū)域只有一個(gè)，因此負(fù)電極區(qū)域會(huì)產(chǎn)生大量的熱，芯片過(guò)熱就會(huì)老化，影響芯片的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決上述的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本發(fā)明提出一種led芯片，該led芯片可以直接采用交流電驅(qū)動(dòng)，相比直流led芯片，無(wú)需直流驅(qū)動(dòng)電源，提高了電功轉(zhuǎn)換效率，而且散熱效果更好，增加了led芯片的使用壽命和可靠性。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種led芯片，包括：外延片，所述外延片上具有第一電極區(qū)域和第二電極區(qū)域，所述第一電極區(qū)域內(nèi)設(shè)有第一正極和第一負(fù)極，所述第二電極區(qū)域內(nèi)設(shè)有第二正極和第二負(fù)極；所述外延片上設(shè)有用于電隔離的溝槽，所述第一正極和第二負(fù)極位于所述溝槽的一側(cè)，所述第一負(fù)極和第二正極位于所述溝槽的另一側(cè)；共晶層，所述共晶層包括第一共晶層和第二共晶層，所述第一共晶層設(shè)置于第一電極區(qū)域并覆蓋第一正極和第一負(fù)極，所述第二共晶層設(shè)置于第二電極區(qū)域并覆蓋第二正極和第二負(fù)極。

本發(fā)明還提出一種led芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：基板，所述基板上設(shè)置有電極；如上所述的led芯片，所述led芯片倒置在所述基板上，所述第一共晶層和第二共晶層與所述基板上的電極對(duì)應(yīng)連接。

基于上述實(shí)施例的led芯片的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明另一方面實(shí)施例提出一種led芯片的制作方法，包括：

形成外延片，所述外延片包括襯底和在襯底上依次形成的緩沖層、n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和p型半導(dǎo)體層；

在外延片上形成刻蝕至襯底的溝槽，并在溝槽內(nèi)填充絕緣材料，所述溝槽將外延片分割為兩部分，溝槽的兩側(cè)分別設(shè)置第一電極區(qū)域和第二電極區(qū)域；

在外延片上的第一電極區(qū)域和第二電極區(qū)域分別形成負(fù)電極孔，所述負(fù)電極孔刻蝕至n型半導(dǎo)體層；

在p型半導(dǎo)體層上形成導(dǎo)電層；

在第一電極區(qū)域和第二電極區(qū)域的導(dǎo)電層上分別形成第一正極和第二正極，在第一電極區(qū)域和第二電極區(qū)域的負(fù)電極孔中分別形成第二負(fù)極和第二正極；

在負(fù)電極孔的側(cè)壁與第一負(fù)極和第二負(fù)極之間形成絕緣層；

形成共晶層，所述共晶層包括第一共晶層和第二共晶層，所述第一共晶層形成在第一電極區(qū)域并覆蓋第一正極和第一負(fù)極，所述第二共晶層形成在第二電極區(qū)域并覆蓋第二正極和第二負(fù)極。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的led芯片，交流電會(huì)選擇從led芯片的第一電極區(qū)域或第二電極區(qū)域的正極流入，從另外一個(gè)電極區(qū)域的負(fù)極流出，因此可以直接采用交流電驅(qū)動(dòng)，相比直流led芯片，無(wú)需直流驅(qū)動(dòng)電源，提高了電功轉(zhuǎn)換效率；其次，本發(fā)明實(shí)施例的led芯片在電極區(qū)域設(shè)置了共晶層，提高了led芯片的散熱效果；同時(shí)，led芯片的兩側(cè)各設(shè)有一個(gè)負(fù)電極，在交流電的周期中，芯片兩側(cè)的電流方向交替變化，負(fù)電極區(qū)域的電流擁堵效應(yīng)就被分散在了led芯片的兩側(cè)，整個(gè)led芯片發(fā)熱均勻，增加了led芯片的使用壽命和可靠性。

本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的led芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的led芯片的俯視圖；

圖3-圖10為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的led芯片制作過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的led芯片封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。

下文的公開(kāi)提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本發(fā)明的公開(kāi)，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結(jié)構(gòu)可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實(shí)施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實(shí)施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是機(jī)械連接或電連接，也可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)的具體含義。

參照下面的描述和附圖，將清楚本發(fā)明的實(shí)施例的這些和其他方面。在這些描述和附圖中，具體公開(kāi)了本發(fā)明的實(shí)施例中的一些特定實(shí)施方式，來(lái)表示實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的原理的一些方式，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的實(shí)施例的范圍不受此限制。相反，本發(fā)明的實(shí)施例包括落入所附加權(quán)利要求書(shū)的精神和內(nèi)涵范圍內(nèi)的所有變化、修改和等同物。

下面參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的led芯片、led芯片封裝結(jié)構(gòu)及l(fā)ed芯片的制備方法。

首先，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的led芯片進(jìn)行說(shuō)明，本發(fā)明實(shí)施例的led芯片特別適用于倒裝led芯片結(jié)構(gòu)。如圖1、圖2和圖10所示，本發(fā)明實(shí)施例的led芯片100，包括外延片10，所述外延片10上具有第一電極區(qū)域110和第二電極區(qū)域120，所述第一電極區(qū)域內(nèi)設(shè)有第一正極111和第一負(fù)極112，所述第二電極區(qū)域120內(nèi)設(shè)有第二正極121和第二負(fù)極122；所述外延片10上設(shè)有用于電隔離的溝槽101，所述第一正極111和第二負(fù)極122位于所述溝槽101的一側(cè)，所述第一負(fù)極112和第二正極121位于所述溝槽101的另一側(cè)；共晶層20，所述共晶層20包括第一共晶層21和第二共晶層22，所述第一共晶層21設(shè)置于第一電極區(qū)域110并覆蓋第一正極111和第一負(fù)極112，所述第二共晶層22設(shè)置于第二電極區(qū)域120并覆蓋第二正極121和第二負(fù)極122。

具體地，在外延片10表面定義第一電極區(qū)域110和第二電極區(qū)域120，兩個(gè)電極區(qū)域分別位于外延片10上的兩側(cè)，優(yōu)選地呈對(duì)稱(chēng)分布，電極區(qū)域的形狀不作限定，在本實(shí)施例中設(shè)置為矩形，每個(gè)電極區(qū)域各設(shè)有一個(gè)正極和一個(gè)負(fù)極。外延片10上還設(shè)有具有電隔離作用的溝槽101，第一正極111和第二負(fù)極122位于所述溝槽101的一側(cè)，所述第一負(fù)極121和第二正極112位于所述溝槽101的另一側(cè)。也即是說(shuō)，這里的電隔離是指溝槽101具有隔斷電流的效果，使得溝槽101兩側(cè)的電極之間電流不能流通，為了使溝槽101具有電隔離作用，所述溝槽101的深度延伸至外延片10的襯底。

所述共晶層20的材料選擇可導(dǎo)電的材料，例如選用cr/ti/au、ti/al、ti/au等合金中的一種，共晶層20的厚度為0.8-1.5um。共晶層20覆蓋外延片10表面的面積占外延片10表面總面積的50%-70%，位于外延片10兩側(cè)的第一共晶層21和第二共晶層22之間間隔距離50-200um，共晶層20與外延片10的邊緣距離20-40um。

與現(xiàn)有的直流led芯片相比，本發(fā)明實(shí)施例的led芯片可直接采用交流電驅(qū)動(dòng)，向共晶層通入交流電時(shí)，交流電的電流方向交替變化，由于發(fā)光二極管的電學(xué)特性，交流電會(huì)選擇從led芯片的第一電極區(qū)域或第二電極區(qū)域的正極流入，從另外一個(gè)電極區(qū)域的負(fù)極流出，因此無(wú)需額外的直流驅(qū)動(dòng)電源，避免了交流電轉(zhuǎn)換成直流電的能量損失，提高了電功轉(zhuǎn)換效率，還可以減小led器件的體積，節(jié)約成本。

其次，本發(fā)明實(shí)施例的led芯片在電極區(qū)域設(shè)置了共晶層，共晶層在外延片上的覆蓋面積較大，可有效提高led芯片的散熱效果。同時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例的led芯片兩側(cè)的電極區(qū)域各設(shè)有一個(gè)負(fù)電極，在交流電的周期中，芯片兩側(cè)的電流方向交替變化，負(fù)電極區(qū)域的電流擁堵效應(yīng)就被分散在了led芯片的兩側(cè)，使得整個(gè)led芯片發(fā)熱均勻，增加了led芯片的使用壽命和可靠性。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述led芯片還包括導(dǎo)電層16，所述外延片10包括襯底11、位于襯底11之上的緩沖層12、n型半導(dǎo)體層13、發(fā)光層14和p型半導(dǎo)體層15，所述導(dǎo)電層16設(shè)于p型半導(dǎo)體層15之上，所述第一正電極111和第二正電極121設(shè)置在導(dǎo)電層16上并與導(dǎo)電層16電連接；所述第一電極區(qū)域110和第二電極區(qū)域120上設(shè)有延伸至n型半導(dǎo)體層13的負(fù)電極孔102，所述第一負(fù)電極112和第二負(fù)電極122設(shè)置在負(fù)電極孔102中并與n型半導(dǎo)體層13電連接，所述負(fù)電極孔102的側(cè)壁與第一負(fù)電極112和第二負(fù)電極122之間設(shè)有絕緣層18。

具體地，所述外延片10為以藍(lán)寶石為襯底的gan基外延片，n型半導(dǎo)體層13為n型gan層，發(fā)光層14為多量子阱層，p型半導(dǎo)體層15為p型gan層。在第一電極區(qū)域110和第二電極區(qū)域120的導(dǎo)電層16上設(shè)置第一正極和第二正極，在第一電極區(qū)域和第二電極區(qū)域上分別設(shè)有一個(gè)負(fù)電極孔102，該負(fù)電極孔102延伸至n型gan層，然后在負(fù)電極孔102中沉積負(fù)極，為了使得負(fù)極不與多量子阱層、p型gan層及導(dǎo)電層電連接，在負(fù)電極孔102的側(cè)壁與第一負(fù)極和第二負(fù)極之間設(shè)置絕緣層18，使得負(fù)極不能和多量子阱層和p型gan層連通，僅是負(fù)極的底部與n型gan層電連接。所述絕緣層18可為sio2層，所述導(dǎo)電層為ito（氧化銦錫）層，厚度為100-300nm。

優(yōu)選地，所述溝槽101內(nèi)填充有絕緣材料，絕緣材料可以為sio2等具有絕緣特性的材料，如此可進(jìn)一步保證溝槽101具有隔斷電流的效果。所述溝槽101的深度為4-6um，溝槽101的寬度為3-8um。

優(yōu)選地，為了提高倒裝led芯片的發(fā)光亮度，可以選擇在導(dǎo)電層16之上沉積一層反射層17，反射層17的材料可以為ag、al或者是dbr（布拉格反射層）。進(jìn)一步地，所述反射層17上還可設(shè)有保護(hù)層19，用于保護(hù)反射層17，所述共晶層20位于保護(hù)層19上面，保護(hù)層的可以為sio2層，厚度為300-600um。

如圖11所示，本發(fā)明另一方面還提供一種led芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括基板200和上面所述的led芯片100，所述基板200上設(shè)置有電極，所述led芯片100倒置在基板200上，所述第一共晶層21和第二共晶層22與所述基板200上的電極對(duì)應(yīng)連接。具體地，將制作完成的led芯片100利用共晶焊接的技術(shù)倒置在基板200上進(jìn)行封裝，焊接完成后的第一共晶層21和第二共晶層22無(wú)需區(qū)分正負(fù)極，可以直接使用交流電驅(qū)動(dòng)。該led芯片的倒裝結(jié)構(gòu)由于設(shè)置共晶層有利于led芯片的散熱，而且交流電在led芯片內(nèi)電流流向的交替變化使得芯片發(fā)熱更均勻，避免單個(gè)區(qū)域過(guò)熱，延長(zhǎng)了led芯片的壽命，提高芯片的可靠性。

基于上述方面實(shí)施例的led芯片的結(jié)構(gòu)，下面參照附圖1-圖11描述提出一種led芯片的制作方法。

本發(fā)明實(shí)施例的led芯片的制作方法包括以下步驟：

s1、形成外延片10，所述外延片10包括襯底11和在襯底11上依次形成的緩沖層12、n型半導(dǎo)體層13、發(fā)光層14和p型半導(dǎo)體層15。

具體地，以藍(lán)寶石為襯底，采用mocvd（金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積）設(shè)備制備led的外延層，從藍(lán)寶石襯底依次向上包括：緩沖層例如氮化鎵，n型半導(dǎo)體層例如n-gan（n型氮化鎵），發(fā)光層例如mqw（多量子肼層）結(jié)構(gòu)，p型半導(dǎo)體層例如p-gan（p型氮化鎵）。

s2、在外延片10上形成刻蝕至襯底11的溝槽101，并在溝槽101內(nèi)填充絕緣材料，所述溝槽101將外延片10分割為兩部分，溝槽101的兩側(cè)分別設(shè)置第一電極區(qū)域110和第二電極區(qū)域120。

具體地，采用icp（電感耦合等離子刻蝕）的方式在外延片上刻蝕出直線(xiàn)型溝槽，溝槽從p-gan刻蝕至藍(lán)寶石襯底，然后用絕緣材料sio2填充溝槽，保證溝槽兩側(cè)的芯片絕緣，不能流通電流。所述溝槽把外延片分割為兩部分，在溝槽的兩側(cè)分別定義第一電極區(qū)域和第二電極區(qū)域。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，溝槽將外延片平均分割為兩部分，溝槽的深度為4-6um，溝槽的寬度為3-8um。

s3、在外延片10上的第一電極區(qū)域110和第二電極區(qū)域120分別形成負(fù)電極孔102，所述負(fù)電極孔102刻蝕至n型半導(dǎo)體層13。

具體地，采用icp刻蝕機(jī)進(jìn)行干法刻蝕外延片，在外延片上的第一電極區(qū)域和第二電極區(qū)域分別形成負(fù)電極孔，暴露出n型半導(dǎo)體層。icp刻蝕時(shí)間約為15分鐘，負(fù)電極孔的刻蝕深度為1.2-1.5um，刻蝕結(jié)束后浸泡去膠液，以去除表面殘余光刻膠。

s4、在p型半導(dǎo)體層15上形成導(dǎo)電層16。

具體地，采用蒸鍍或者濺射鍍膜的方法，在外延片表面制得透明導(dǎo)電層，成分為ito，導(dǎo)電層的厚度100-300nm。完成ito鍍膜后再次進(jìn)行黃光光刻，保留需要的區(qū)域，需要ito層只覆蓋在p型半導(dǎo)體表面，所述溝槽上方未覆蓋ito層，優(yōu)選地在負(fù)電極孔邊界處留有3-5um的距離沒(méi)有ito層。光刻完成后利用ito刻蝕液對(duì)ito進(jìn)行濕法刻蝕，時(shí)間10-20分鐘?？涛g完成后，去除殘余光刻膠，再將外延片放入退火爐中進(jìn)行退火，退火溫度450-540℃，時(shí)間30分鐘。

s5、在第一電極區(qū)域110和第二電極區(qū)域120的導(dǎo)電層16上分別形成第一正極111和第二正極121，在第一電極區(qū)域110和第二電極區(qū)域120的負(fù)電極孔102中分別形成第一負(fù)極112和第二負(fù)極122。

具體地，在黃光條件，采用負(fù)性光刻膠進(jìn)行光刻，暴露出需要鍍電極的區(qū)域，接著放置在蒸鍍機(jī)中在導(dǎo)電層和負(fù)電極孔中制作電極。電極材料選用cr/ti/au、ti/al、ti/au等合金材料，電極的厚度為1.5-2um。電極制作完成后去除殘余光刻膠以及殘金，然后用退火爐在n2氛圍下對(duì)電極進(jìn)行退火合金處理，退火時(shí)間為16分鐘，溫度為300-350℃。

s6、在負(fù)電極孔102的側(cè)壁上形成絕緣層18。

具體地，所述絕緣層位于負(fù)電極孔側(cè)壁與第一負(fù)電極或第二負(fù)電極之間，所述絕緣層的材料可為sio2。

s7、形成共晶層20，所述共晶層20包括第一共晶層21和第二共晶層22，所述第一共晶層21形成在第一電極區(qū)域110并覆蓋第一正極111和第一負(fù)極121，所述第二共晶層22形成在第二電極區(qū)域120并覆蓋第二正極121和第二負(fù)極112。

具體地，在黃光條件下，采用負(fù)性光刻膠進(jìn)行光刻，暴露出外延片上需要鍍共晶層的區(qū)域，接著將外延片放置在蒸鍍機(jī)中制作共晶層，蒸鍍完成后去除殘余光刻膠以及殘金。至此完成led芯片制作。共晶層的材料選擇可導(dǎo)電的材料，例如選用cr/ti/au、ti/al、ti/au等合金中的一種，共晶層覆蓋外延片表面的面積占外延片表面總面積的50%-70%。在本發(fā)明實(shí)施例中，共晶層的厚度為0.8-1.5um，位于外延片兩側(cè)的第一共晶層和第二共晶層之間間隔距離50-200um，共晶層與外延片的邊緣距離20-40um。

進(jìn)一步地，在步驟s5正負(fù)電極的制作完成后，還包括步驟s51、在導(dǎo)電層16上依次形成反射層17和保護(hù)層19。

具體地，采用黃光光刻技術(shù)，暴露出導(dǎo)電層薄膜區(qū)域，其余被光刻膠覆蓋，同樣的，溝槽上方不能覆蓋反射層，光刻完成后將外延片放入蒸鍍或者濺射鍍膜機(jī)內(nèi)沉積一層反射層，反射層厚度為50-150nm，反射層的材料可以為ag、al或者是dbr（布拉格反射層）。然后采用pecvd（plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）設(shè)備，腔體溫度300℃，在已完成的led芯片表面沉積一層sio2保護(hù)層，保護(hù)層厚度為300-600um。接著在黃光環(huán)境下光刻，濕法刻蝕掉電極接觸位置的sio2保護(hù)層，也就是sio2層覆蓋led芯片除正負(fù)極外的所有區(qū)域，完成后浸泡去膠液去除殘余光刻膠。需說(shuō)明的是因保護(hù)層和絕緣層可采用相同的材料，步驟s6中的絕緣層可在制作保護(hù)層的同時(shí)一起形成。

本發(fā)明還提供一種led芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

提供基板200，所述基板200上設(shè)置有電極，；

將上述制作完成的led芯片100倒置在基板200上，將所述第一共晶層21和第二共晶層22與基板200上的電極對(duì)應(yīng)連接。

具體地，將制作完成的led芯片利用共晶焊接的技術(shù)倒置在基板上進(jìn)行封裝，焊接完成后的第一共晶層和第二共晶層無(wú)需區(qū)分正負(fù)極，可以直接使用交流電驅(qū)動(dòng)。該led芯片的倒裝結(jié)構(gòu)由于設(shè)置共晶層有利于led芯片的散熱，而且交流電在led芯片內(nèi)電流流向的交替變化使得芯片發(fā)熱更均勻，避免單個(gè)區(qū)域過(guò)熱，延長(zhǎng)了led芯片的壽命，提高芯片的可靠性。

在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。