技術特征：

技術總結
一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成柵極結構；在柵極結構頂部形成保護層；在柵極結構的側壁和保護層上形成停止層；在柵極結構之間的基底上形成暴露出停止層的介質層；采用等離子干法刻蝕工藝刻蝕去除保護層頂部的停止層，等離子體以間斷的方式進行刻蝕，使對保護層的刻蝕速率小于對停止層的刻蝕速率。由于間斷的方式可以降低等離子的能量，使能量介于去除停止層所需能量和去除保護層所需能量之間，從而使等離子體對保護層的刻蝕速率小于對停止層的刻蝕速率。當部分區(qū)域有停止層殘留而繼續(xù)對殘留停止層進行刻蝕時，可以減少對露出的保護層的損耗，或避免因保護層損耗過多而引起柵極結構受損，從而提高半導體器件的電學性能。

技術研發(fā)人員：黃瑞軒;紀世良
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術研發(fā)日：2016.04.07
技術公布日：2017.10.20