本發(fā)明涉及半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其是涉及一種發(fā)光層材料為以10,10-二芳基蒽酮為核心的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件及其應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電致發(fā)光(oled:organiclightemissiondiodes)器件技術(shù)既可以用來制造新型顯示產(chǎn)品，也可以用于制作新型照明產(chǎn)品，有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和熒光燈照明，應(yīng)用前景十分廣泛。oled發(fā)光器件猶如三明治的結(jié)構(gòu)，包括電極材料膜層，以及夾在不同電極膜層之間的有機(jī)功能材料，各種不同功能材料根據(jù)用途相互疊加在一起共同組成oled發(fā)光器件。作為電流器件，當(dāng)對(duì)oled發(fā)光器件的兩端電極施加電壓，并通過電場(chǎng)作用有機(jī)層功能材料膜層中的正負(fù)電荷，正負(fù)電荷進(jìn)一步在發(fā)光層中復(fù)合，即產(chǎn)生oled電致發(fā)光。有機(jī)發(fā)光二極管(oled)在大面積平板顯示和照明方面的應(yīng)用引起了工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注。然而，傳統(tǒng)有機(jī)熒光材料只能利用電激發(fā)形成的25％單線態(tài)激子發(fā)光，器件的內(nèi)量子效率較低(最高為25％)。外量子效率普遍低于5％，與磷光器件的效率還有很大差距。盡管磷光材料由于重原子中心強(qiáng)的自旋-軌道耦合增強(qiáng)了系間竄越，可以有效利用電激發(fā)形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子發(fā)光，使器件的內(nèi)量子效率達(dá)100％。但磷光材料存在價(jià)格昂貴，材料穩(wěn)定性較差，器件效率滾落嚴(yán)重等問題限制了其在oleds的應(yīng)用。熱激活延遲熒光(tadf)材料是繼有機(jī)熒光材料和有機(jī)磷光材料之后發(fā)展的第三代有機(jī)發(fā)光材料。該類材料一般具有小的單線態(tài)-三線態(tài)能級(jí)差(△est)，三線態(tài)激子可以通過反系間竄越轉(zhuǎn)變成單線態(tài)激子發(fā)光。這可以充分利用電激發(fā)下形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子，器件的內(nèi)量子效率可以達(dá)到100％。同時(shí)，材料結(jié)構(gòu)可控，性質(zhì)穩(wěn)定，價(jià)格便宜無需貴重金屬，在oled領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。雖然理論上tadf材料可以實(shí)現(xiàn)100％的激子利用率，但實(shí)際上存在如下問題:(1)設(shè)計(jì)分子的t1和s1態(tài)具有強(qiáng)的ct特征，非常小的s1-t1態(tài)能隙，雖然可以通過tadf過程實(shí)現(xiàn)高t1→s1態(tài)激子轉(zhuǎn)化率，但同時(shí)導(dǎo)致低的s1態(tài)輻射躍遷速率，因此，難于兼具(或同時(shí)實(shí)現(xiàn))高激子利用率和高熒光輻射效率；(2)即使已經(jīng)采用摻雜器件減輕t激子濃度猝滅效應(yīng)，大多數(shù)tadf材料的器件在高電流密度下效率滾降嚴(yán)重。就當(dāng)前oled顯示照明產(chǎn)業(yè)的實(shí)際需求而言，目前oled材料的發(fā)展還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，落后于面板制造企業(yè)的要求，作為材料企業(yè)開發(fā)更高性能的有機(jī)功能材料的開發(fā)顯得尤為重要。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種基于10,10-二芳基蒽酮化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明基于tadf機(jī)理的以10,10-二芳基蒽酮為核心的化合物作為發(fā)光層材料應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管上，具有良好的光電性能，能夠滿足oled器件企業(yè)，特別是oled顯示面板和oled照明企業(yè)的需求。本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種基于10,10-二芳基蒽酮化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件包括空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，該器件發(fā)光層材料含有以10,10-二芳基蒽酮為核心基團(tuán)的化合物，所述化合物的結(jié)構(gòu)式如通式(1)所示：通式(1)中，r表示為通式(2)、通式(3)、通式(4)或通式(5)所示的結(jié)構(gòu)：其中，x1為氧原子、硫原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種；r1表示苯基、聯(lián)苯基、萘基、蒽基或菲基；r2、r3分別獨(dú)立的選取氫、通式(6)或通式(7)所示結(jié)構(gòu)；a為x2、x3分別表示為氧原子、硫原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種；通式(6)、通式(7)與cl1-cl2鍵、cl2-cl3鍵、cl3-cl4鍵、cl4-cl5鍵、cl‘1-cl’2鍵、cl‘2-cl’3鍵、cl‘3-cl’4鍵或cl‘4-cl’5鍵連接。當(dāng)a表示且與cl4-cl5鍵或cl‘4-cl’5鍵連接時(shí)，x1和x2的位置重疊，只取x1或者x2；x3為氧原子、硫原子、硒原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種。所述通式(1)中r表示：中的任一種。所述基于10,10-二芳基蒽酮的化合物的具體結(jié)構(gòu)式為：所述通式(1)所示材料作為發(fā)光層的主體材料；所述發(fā)光層的摻雜材料為使用下列通式(8)、(9)、(10)、(11)所示材料中的一種：通式(8)中，b1-b10選擇為氫、c1-30直鏈或支鏈烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；b1-b10不同時(shí)為氫；通式(9)中，y1-y6各自獨(dú)立的表示為氧、碳、氮原子的一種；分別表示為含有兩個(gè)原子的基團(tuán)通過任意化學(xué)鍵相連成環(huán)；通式(10)、通式(11)中y1～y4各自獨(dú)立的表示為氧、碳、氮原子的一種；分別表示為含有兩個(gè)原子的基團(tuán)通過任意化學(xué)鍵相連成環(huán)。所述空穴傳輸層的材料為含有三芳基胺基團(tuán)的化合物，該化合物的結(jié)構(gòu)式通式如通式(12)所示：通式(12)中d1-d3各自獨(dú)立表示取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；d1-d3可以相同或者不同。所述電子傳輸層的材料為下列通式(13)、(14)、(15)、(16)、(17)所示材料中的一種：通式(13)、通式(14)、通式(15)、通式(16)、通式(17)中e1-e10選擇為氫、c1-30直鏈或支鏈烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；e1-e10不同時(shí)為氫。所述發(fā)光器件還包括空穴注入層；所述空穴注入層材料為下列結(jié)構(gòu)通式(18)、(19)、(20)所示材料中的一種：通式(18)中，f1-f3各自獨(dú)立表示取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；f1-f3可以相同或者不同；通式(19)、通式(20)中，g1-g6各自獨(dú)立的表示氫原子、腈基、鹵素、酰胺基、烷氧基、酯基、硝基、c1-30直鏈或支鏈烷基取代的碳原子、取代或未取代的c6-30芳基、3元至30元雜芳基；g1-g6不同時(shí)為氫。所述發(fā)光器件還包括電子注入層；所述電子注入層材料為鋰、鋰鹽或銫鹽中的一種；所述鋰鹽為8-羥基喹啉鋰、氟化鋰、碳酸鋰、疊氮化鋰；所述銫鹽為氟化銫、碳酸銫、疊氮化銫。所述通式(1)所示化合物還可以做為發(fā)光層的摻雜材料使用。所述發(fā)光層的摻雜材料與發(fā)光層的主體材料的質(zhì)量比為0.005～0.2:1。一種所述有機(jī)電致發(fā)光器件的應(yīng)用，所述有機(jī)電致發(fā)光器件用于制備頂發(fā)光oled發(fā)光器件。一種所述有機(jī)電致發(fā)光器件的應(yīng)用，所述有機(jī)電致發(fā)光器件應(yīng)用于am-oled顯示器。本發(fā)明有益的技術(shù)效果在于：組成本發(fā)明所述oled發(fā)光器件的含10,10-二芳基蒽酮類化合物具有tadf的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，容易實(shí)現(xiàn)非常小的s1-t1態(tài)能隙差，在激發(fā)情況下，容易實(shí)現(xiàn)三線態(tài)到單線態(tài)的反系間竄越，使原本不能發(fā)光，以熱的形式散失的熱量轉(zhuǎn)化為可產(chǎn)生光能的能量，并有望獲得極高的效率。基于以上原理分析，本發(fā)明所述oled發(fā)光器件，既可以選擇熒光材料作為摻雜材料，也可以選擇磷光材料作為摻雜材料，亦可以將本發(fā)明所述tadf材料直接作為摻雜材料使用。所述以10,10-二芳基蒽酮為核心的化合物作為oled發(fā)光器件的主體材料搭配銥，鉑類磷光材料或蒽類熒光材料使用時(shí)，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時(shí)，對(duì)于器件壽命提升非常明顯。進(jìn)一步的，在oled器件層結(jié)構(gòu)搭配上，引入空穴和電子注入層后，使透明陽極、金屬陰極和有機(jī)材料接觸界面更穩(wěn)定，空穴、電子注入效果提升；空穴傳輸層又可疊層為兩層或多層，鄰接發(fā)光層一側(cè)的空穴傳輸層又可以命名為電子阻擋層(ebl)，提供電子阻擋作用，使發(fā)光層內(nèi)激子復(fù)合效率提升，鄰接空穴注入層一側(cè)的空穴傳輸層則起到空穴傳輸及降低激子傳遞壁壘的作用；電子傳輸層又可疊層為兩層或多層，鄰接發(fā)光層一側(cè)的電子傳輸層又可以命名為空穴阻擋層(hbl)，提供空穴阻擋作用，使發(fā)光層內(nèi)激子復(fù)合效率提升，鄰接電子注入層一側(cè)的電子傳輸層則起到電子傳輸及降低激子傳遞壁壘的作用。然而，應(yīng)當(dāng)指出，這些層中的每個(gè)都并非必須存在。本發(fā)明所述oled器件化合物的組合效果：使得器件的驅(qū)動(dòng)電壓降低，電流效率、功率效率、外量子效率得到進(jìn)一步提高，器件壽命提升效果明顯。在oled發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。令人預(yù)料不到地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在下文中更詳細(xì)描述的化合物組合實(shí)現(xiàn)了這個(gè)目的，并且導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件的改進(jìn)，特別是電壓、效率和壽命的改進(jìn)。這特別適用于紅色或綠色磷光的電致發(fā)光器件，尤其是在使用本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)及材料組合時(shí)，情況如此。附圖說明圖1為本發(fā)明實(shí)施例疊層oled器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1中：1為透明襯底、2為ito陽極層、3為空穴注入層(hil)、4為空穴傳輸層(htl)、5為電子阻擋層(ebl)、6為發(fā)光層(eml)、7為空穴阻擋層(hbl)、8為電子傳輸層(etl)、9為電子注入層(eil)、10為陰極反射電極層。圖2為本發(fā)明器件實(shí)施例所用關(guān)鍵原料的結(jié)構(gòu)式。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體描述。實(shí)施例1原料a的合成在1l三口瓶中，加入19.8g苯酚(0.21mol)，20.8g蒽醌(0.10mol)，0.2g巰基丙酸，400ml二氯乙烷，混合攪拌，升溫至60～65℃滴加3.0g甲磺酸，滴加完畢，在60～65℃下，保溫反應(yīng)4小時(shí)；反應(yīng)結(jié)束后，降溫水洗分液，有機(jī)相減壓脫除溶劑，得粗品，用無水乙醇重結(jié)晶，柱層析得到白色晶體-化合物x，hplc純度99.5％，收率46.58％；在500ml三口燒瓶中加入18.9g化合物x(0.05mol)，100g吡啶，降溫至0～5℃滴加33.8g三氟甲磺酸酐(0.12mol)，室溫反應(yīng)6小時(shí)；然后加水淬滅，萃取分液，有機(jī)相減壓脫除溶劑，柱層析得原料a，hplc純度99.7％，收率74.88％；高分辨質(zhì)譜esi源，正離子模式，分子式c28h16f6o7s2，理論值：642.0242，測(cè)試值：642.0248。元素分析(c28h16f6o7s2)：理論值c：52.34、h：2.51、o：17.43，測(cè)試值：c52.38、h：2.52、o：17.46。實(shí)施例2原料b的合成在250ml三口瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下，加入6.42g原料a(0.01mol)，10.16g雙聯(lián)硼酸頻哪醇酯(0.04mol)，4.90g乙酸鉀(0.05mol)，0.30gpd2(dba)3，0.20g三叔丁基磷，100ml甲苯，回流反應(yīng)20小時(shí)；反應(yīng)結(jié)束后，冷卻，過濾，濾液旋蒸，柱層析得原料b，hplc純度99.8％，收率88.26％；高分辨質(zhì)譜esi源，正離子模式，分子式c38h40b2o5，理論值：598.3062，測(cè)試值：598.3066。元素分析(c38h40b2o5)：理論值c：76.28、h：6.74、o：13.37，測(cè)試值c：76.26、h：6.75、o：13.40。實(shí)施例3化合物1的合成合成路線：在250ml三口瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下，加入3.21g原料a(0.005mol)，2.20g化合物m01(0.012mol)，1.44g叔丁醇鈉(0.015mol)，0.15gpd2(dba)3，0.10g三叔丁基磷，100ml甲苯，回流反應(yīng)20小時(shí)；反應(yīng)結(jié)束后，冷卻，過濾，濾液旋蒸，柱層析得化合物1，hplc純度99.9％，收率78.40％；高分辨質(zhì)譜esi源，正離子模式，分子式c50h32n2o3，理論值：708.2413，測(cè)試值：708.2411。元素分析(c50h32n2o3)：理論值c：84.73、h：4.55、n：3.95、o：6.77，測(cè)試值c：84.71、h：4.55、n：3.98、o：6.76。實(shí)施例4化合物3的合成合成路線：按實(shí)施例3中化合物1的合成方法制備，不同點(diǎn)在于用m02代替m01；高分辨質(zhì)譜esi源，正離子模式，分子式c56h44n2o，理論值：760.3454，測(cè)試值：760.3458。元素分析(c56h44n2o)：理論值c：88.39、h：5.83、n：3.68、o：2.10，測(cè)試值c：88.36、h：5.85、n：3.67、o：2.12。實(shí)施例5化合物5的合成合成路線：按實(shí)施例3中化合物1的合成方法制備，不同點(diǎn)在于用m03代替m01；高分辨質(zhì)譜esi源，正離子模式，分子式c58h36n2o，理論值：776.2828，測(cè)試值：776.2824。元素分析(c58h36n2o)：理論值c：89.66、h：4.67、n：3.61、o：2.06，測(cè)試值c：89.62、h：4.68、n：3.60、o：2.10。實(shí)施例6化合物10的合成合成路線：按實(shí)施例3中化合物1的合成方法制備，不同點(diǎn)在于用m04代替m01；高分辨質(zhì)譜esi源，正離子模式，分子式c68h48n2o，理論值：908.3767，測(cè)試值：908.3764。元素分析(c68h48n2o)：理論值c：89.84、h：5.32、n：3.08、o：1.76，測(cè)試值c：89.86、h：5.35、n：3.05、o：1.74。實(shí)施例7化合物15的合成合成路線：按實(shí)施例3中化合物1的合成方法制備，不同點(diǎn)在于用m05代替m01；高分辨質(zhì)譜esi源，正離子模式，分子式c62h36n2o3，理論值：856.2726，測(cè)試值：856.2722。元素分析(c62h36n2o3)：理論值c：86.90、h：4.23、n：3.27、o：5.60，測(cè)試值c：86.88、h：4.25、n：3.29、o：5.58。實(shí)施例8化合物30的合成合成路線：250ml三口瓶中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下，加入2.99g原料b(0.005mol)，3.87g化合物m06(0.012mol)，1.44g叔丁醇鈉(0.015mol)，0.15gpd2(dba)3，0.10g三叔丁基磷，100ml甲苯，回流反應(yīng)20小時(shí)；反應(yīng)結(jié)束后，冷卻，過濾，濾液旋蒸，柱層析得化合物30，hplc純度99.8％，收率64.33％；高分辨質(zhì)譜esi源，正離子模式，分子式c62h40n2o，理論值：828.3141，測(cè)試值：828.3144。元素分析(c62h40n2o)：理論值c：89.83、h：4.86、n：3.38、o：1.93，測(cè)試值c：89.86、h：4.86、n：3.35、o：1.93。實(shí)施例9化合物34的合成合成路線：按實(shí)施例8中化合物30的合成方法制備，不同點(diǎn)在于用m07代替m06；高分辨質(zhì)譜esi源，正離子模式，分子式c68h52n2o，理論值：912.4080，測(cè)試值：912.4077。元素分析(c68h52n2o)：理論值c：89.44、h：5.74、n：3.07、o：1.75，測(cè)試值c：89.47、h：5.72、n：3.09、o：1.72。實(shí)施例10化合物36的合成合成路線：按實(shí)施例3中化合物1的合成方法制備，不同點(diǎn)在于用m08代替m01；高分辨質(zhì)譜esi源，正離子模式，分子式c68h48n2o3，理論值：940.3665，測(cè)試值：940.3662。元素分析(c68h48n2o3)：理論值c：86.78、h：5.14、n：2.98、o：5.10，測(cè)試值c：86.75、h：5.12、n：3.00、o：5.13。實(shí)施例11化合物49的合成合成路線：按實(shí)施例3中化合物1的合成方法制備，不同點(diǎn)在于用m09代替m01；高分辨質(zhì)譜esi源，正離子模式，分子式c62h42n4o，理論值：858.3359，測(cè)試值：858.3352。元素分析(c62h42n4o)：理論值c：86.69、h：4.93、n：6.52、o：1.86，測(cè)試值c：86.67、h：4.95、n：6.55、o：1.83。實(shí)施例12化合物62的合成合成路線：按實(shí)施例3中化合物1的合成方法制備，不同點(diǎn)在于用m10代替m01；高分辨質(zhì)譜esi源，正離子模式，分子式c62h38n4o3，理論值：886.2944，測(cè)試值：886.2941。元素分析(c62h38n4o3)：理論值c：83.95、h：4.32、n：6.32、o：5.41，測(cè)試值c：83.93、h：4.30、n：6.35、o：5.42。本發(fā)明化合物可以作為發(fā)光層材料使用，對(duì)本發(fā)明化合物42、化合物68、現(xiàn)有材料cbp、現(xiàn)有材料bd1進(jìn)行熱性能、發(fā)光光譜、熒光量子效率以及循環(huán)伏安穩(wěn)定性的測(cè)試，檢測(cè)結(jié)果如表1所示。表1化合物tg(℃)td(℃)λpl(nm)φf循環(huán)伏安穩(wěn)定性化合物4215242146185.6優(yōu)材料cbp11335336926.1差化合物6814843545288.2優(yōu)材料bd1-33448628.3差注：玻璃化溫度tg由示差掃描量熱法(dsc，德國耐馳公司dsc204f1示差掃描量熱儀)測(cè)定，升溫速率10℃/min；熱失重溫度td是在氮?dú)鈿夥罩惺е?％的溫度，在日本島津公司的tga-50h熱重分析儀上進(jìn)行測(cè)定，氮?dú)饬髁繛?0ml/min；λpl是樣品溶液熒光發(fā)射波長，利用日本拓普康sr-3分光輻射度計(jì)測(cè)定；φf是固體粉末熒光量子效率(利用美國海洋光學(xué)的maya2000pro光纖光譜儀，美國藍(lán)菲公司的c-701積分球和海洋光學(xué)lls-led光源組成的測(cè)試固體熒光量子效率測(cè)試系統(tǒng)，參照文獻(xiàn)adv.mater.1997，9，230-232的方法進(jìn)行測(cè)定)。循環(huán)伏安穩(wěn)定性是通過循環(huán)伏安法測(cè)試材料的氧化還原特性來進(jìn)行鑒定；測(cè)試條件：測(cè)試樣品溶于體積比為2:1的二氯甲烷和乙腈混合溶劑，濃度1mg/ml，電解液是0.1m的四氟硼酸四丁基銨或六氟磷酸四丁基銨的有機(jī)溶液。參比電極是ag/ag+電極，對(duì)電極為鈦板，工作電極為ito電極，循環(huán)次數(shù)為20次。由上表數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明化合物具有合適的發(fā)光光譜，較高的φf，適合作為發(fā)光層材料；同時(shí)，本發(fā)明化合物具有較好的氧化還原穩(wěn)定性，較高的熱穩(wěn)定性，使得應(yīng)用本發(fā)明化合物的oled器件效率和壽命得到提升。以下通過器件實(shí)施例1～16和器件比較例1詳細(xì)說明本發(fā)明化合物組合在器件中應(yīng)用效果。本發(fā)明所述器件實(shí)施例2～16、器件比較例1與器件實(shí)施例1相比所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，所不同的是，器件測(cè)層疊結(jié)構(gòu)、搭配材料及膜層厚度有所不同。器件疊層結(jié)構(gòu)如表2所示。各實(shí)施例所得器件的性能測(cè)試結(jié)果如表3所示。器件實(shí)施例1器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包含空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：ht6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物1和gd1按重量比90：10混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。具體制備過程如下：對(duì)ito陽極層2(膜厚為150nm)洗滌，依次進(jìn)行堿洗滌、純水洗滌、干燥后進(jìn)行紫外線-臭氧洗滌以清除透明ito表面的有機(jī)殘留物。在所述洗滌后的ito陽極層2上，利用真空蒸鍍裝置，蒸鍍空穴傳輸層4，空穴傳輸層材料使用ht6，膜厚為120nm，此層作為器件結(jié)構(gòu)中的空穴傳輸層4；在空穴傳輸層4上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍發(fā)光層6，發(fā)光層材料使用化合物1作為主體材料，gd1作為摻雜材料，摻雜質(zhì)量比例為90：10，發(fā)光層膜厚為40nm，此層作為器件結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層6；在發(fā)光層6上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍電子傳輸層8，電子傳輸層材料使用et2和ei1混合摻雜，摻雜質(zhì)量比為1:1，膜厚為35nm，此層作為器件結(jié)構(gòu)中的電子傳輸層8；在電子傳輸層8上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍陰極鋁層，膜厚為100nm，此層為陰極反射電極層10使用。如上所述地完成oled發(fā)光器件制作后，用公知的驅(qū)動(dòng)電路將陽極和陰極連接起來，測(cè)量器件的發(fā)光效率，發(fā)光光譜以及器件的電流-電壓特性。器件實(shí)施例2器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包含空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6和電子傳輸層8。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：110nm，材料：ht2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物3和gd2按重量比88：12混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et02和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例3器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包含空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi2)/空穴傳輸層4(厚度：110nm，材料：ht4)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物5和gd2按重量比88：12混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3和ei1，質(zhì)量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lin3)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例4器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6和電子傳輸層8。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：90nm，材料：ht3)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物10和gd3按重量比89：11混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例5器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi3和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：ht3)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物15和gd3按重量比89：11混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：li)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例6器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi4和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：ht6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物24和gd4按重量比92：8混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et4和ei1，質(zhì)量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lif)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例7器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7和電子傳輸層8。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：90nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb1)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物30和gd4按重量比92：8混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：20nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：15nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例8器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht5)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb3)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物34和gd5按重量比92：8混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：cs2co3)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例9器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入3層(厚度：50nm，材料：hi6和ht4，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物36和gd6按重量比95：5混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：ei1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例10器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：90nm，材料：ht3)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb1)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物49和gd5按重量比92：8混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：25nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：10nm，材料：et5)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：ei1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例11器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht6，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物51和gd4按重量比92：8混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：li2co3)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例12器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：ht6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物62和gd6按重量比95：5混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et6)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：csf)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例13器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物63和gd2按重量比88：12混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：csn3)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例14器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7和電子傳輸層8。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物78、gh2和gd2按重量比60：30：10混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度15nm，材料：eb2)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例15器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht6，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：gh3和化合物68按重量比88：12混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：25nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：10nm，材料：et5)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：ei1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例16器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6和電子傳輸層8。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：90nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb1)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：gh4和化合物76按重量比92：8混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。器件比較例1器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽極層2(厚度：150nm)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：hti)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：gh1和gd1按重量比90：10混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lif)/al(厚度：100nm)。通過標(biāo)準(zhǔn)方法表征所述oled，從呈現(xiàn)朗伯發(fā)射特性的電流/電壓/發(fā)光密度特性線計(jì)算，和測(cè)量壽命。確定在1000cd/m2亮度下的電致發(fā)光光譜，計(jì)算ciex和y顏色坐標(biāo)，器件測(cè)試數(shù)據(jù)如表3所示。表2表3注：器件測(cè)試性能以比較例1作為參照，比較例1器件各項(xiàng)性能指標(biāo)設(shè)為1.0。比較例1的電流效率為32.6cd/a(@1000cd/m2)；驅(qū)動(dòng)電壓為5.6v(@1000cd/m2)；5000亮度下lt95壽命衰減為3.5hr。表3總結(jié)了所述oled器件在1000cd/m2亮度所需的電壓、達(dá)到的電流效率及電致發(fā)光光譜的色坐標(biāo)，以及在5000cd/m2亮度下lt95衰減壽命。器件實(shí)施例1對(duì)比器件比較例1，更換本發(fā)明的發(fā)光層主體材料，并按本發(fā)明的材料組合成疊層器件后，器件電壓降低，電流效率提升60％，壽命提升11倍；器件實(shí)施例2～13按本發(fā)明設(shè)計(jì)的材料搭配和器件疊層組合，使得器件數(shù)據(jù)進(jìn)一步提升；如器件實(shí)施例14，本發(fā)明的以10,10-二芳基蒽酮為核心基團(tuán)的材料作為混合主體材料時(shí)，進(jìn)一步的獲得了非常好的性能數(shù)據(jù)；如器件實(shí)施例15、16，本發(fā)明以10,10-二芳基蒽酮為核心基團(tuán)的材料作為發(fā)光層摻雜材料使用時(shí)，同樣獲得了非常好的性能數(shù)據(jù)。綜上，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁12