本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

導(dǎo)線架通常為用于封裝膠體所包覆的結(jié)構(gòu)中，此結(jié)構(gòu)亦被稱為封裝結(jié)構(gòu)。導(dǎo)線架可由例如銅的金屬制造，且通常包含位于導(dǎo)線架中央且固定于支架的接合墊。導(dǎo)線架亦包含固定于支架的多個導(dǎo)線。在一些裸露式封裝結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)線架的接合墊的底部可能為裸露，用以接合印刷電路板的接合墊。

為了進一步改善封裝結(jié)構(gòu)的各項特性，相關(guān)領(lǐng)域莫不費盡心思開發(fā)。如何能提供一種具有較佳特性的封裝結(jié)構(gòu)，實屬當前重要研發(fā)課題之一，亦成為當前相關(guān)領(lǐng)域亟需改進的目標。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一實施方式是提供一種具有良好散熱能力的封裝結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明一實施方式，一種封裝結(jié)構(gòu)，包含導(dǎo)線架、第一晶片以及封裝材。導(dǎo)線架具有相對的第一面與第二面，且具有位于第二面上的第一凹陷區(qū)域。第一晶片具有相對的第一面與第二面，其中第一晶片的第一面固定于導(dǎo)線架的第一凹陷區(qū)域。封裝材包覆導(dǎo)線架與第一晶片，其中第一晶片的第二面與導(dǎo)線架的第一面自封裝材裸露。

于本發(fā)明的一或多個實施方式中，封裝結(jié)構(gòu)還包含第二凹陷區(qū)域與第二晶片。第二凹陷區(qū)域位于導(dǎo)線架的第二面上。第二晶片具有相對的第一面與第二面，其中第二晶片的第一面固定于導(dǎo)線架的第二凹陷區(qū)域上，封裝材還包覆第二晶片，且第二晶片的第二面自封裝材裸露。

根據(jù)本發(fā)明另一實施方式，一種封裝結(jié)構(gòu)，包含導(dǎo)線架、第一晶片、散熱件以及封裝材。導(dǎo)線架具有相對的第一面與第二面，且具有位于第二面上的第一凹陷區(qū)域。第一晶片具有相對的第一面與第二面，其中第一晶片的第一面固定于導(dǎo)線架的第一凹陷區(qū)域上。散熱件具有相對的第一面與第二面，其中散熱件的第一面熱接觸第一晶片的第二面。封裝材包覆導(dǎo)線架、第一晶 片與散熱件，其中散熱件的第二面與導(dǎo)線架的第一面自封裝材裸露。

于本發(fā)明的一或多個實施方式中，封裝材沒有包覆導(dǎo)線架的第一面。

于本發(fā)明的一或多個實施方式中，封裝結(jié)構(gòu)還包含第二凹陷區(qū)域與第二晶片。第二凹陷區(qū)域位于導(dǎo)線架的第二面上。第二晶片具有相對的第一面與第二面，其中第二晶片的第一面固定于導(dǎo)線架的第二凹陷區(qū)域上，封裝材還包覆第二晶片。

于本發(fā)明的一或多個實施方式中，導(dǎo)線架的第一凹陷區(qū)域的厚度與第二凹陷區(qū)域的厚度相同。

于本發(fā)明的一或多個實施方式中，導(dǎo)線架的第一凹陷區(qū)域的厚度與第二凹陷區(qū)域的厚度不同。

于本發(fā)明的一或多個實施方式中，導(dǎo)線架的第一凹陷區(qū)域還區(qū)分為第一區(qū)塊與第二區(qū)塊，第一區(qū)塊與第二區(qū)塊不直接接觸，第一晶片的第一面電性接觸第一區(qū)塊與第二區(qū)塊。

于本發(fā)明的一或多個實施方式中，導(dǎo)線架具有相對于第一凹陷區(qū)域的平坦區(qū)域，平坦區(qū)域的厚度大于第一凹陷區(qū)域的厚度。

于本發(fā)明的一或多個實施方式中，第一晶片的厚度等于導(dǎo)線架的平坦區(qū)域的厚度。

于本發(fā)明的一或多個實施方式中，第一晶片的厚度大于導(dǎo)線架的第一凹陷區(qū)域的厚度。

于本發(fā)明的一或多個實施方式中，導(dǎo)線架的第一面為平面。

在本發(fā)明上述實施方式中，因為第一晶片的第二面與導(dǎo)線架的第一面自封裝材裸露，且第一晶片為固定于導(dǎo)線架的第一凹陷區(qū)域上，第一晶片可以借由導(dǎo)線架的第一面及第一晶片的第二面有效地散熱。于是，封裝結(jié)構(gòu)的散熱能力得以有效提升。

附圖說明

圖1繪示依照本發(fā)明一實施方式的封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。

圖2繪示沿圖1的切線2的剖面圖。

圖3繪示依照本發(fā)明一實施方式的不具有封裝材的封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。

圖4繪示依照本發(fā)明另一實施方式的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖5繪示依照本發(fā)明另一實施方式的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖6繪示依照本發(fā)明另一實施方式的封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。

圖7繪示沿圖6的切線7的剖面圖。

圖8繪示依照本發(fā)明另一實施方式的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖9繪示依照本發(fā)明另一實施方式的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。

其中，附圖標記說明如下：

100封裝結(jié)構(gòu)

110導(dǎo)線架

111第一面

113第二面

115第一凹陷區(qū)域

116第一區(qū)塊

116b第三區(qū)塊

117第二區(qū)塊

118平坦區(qū)域

119第二凹陷區(qū)域

120第一晶片

121第一面

123第二面

130封裝材

140第二晶片

141第一面

143第二面

150散熱件

151第一面

153第二面

具體實施方式

以下將以附圖說明本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實務(wù)上的細節(jié)不 應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務(wù)上的細節(jié)是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些現(xiàn)有慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。

圖1繪示依照本發(fā)明一實施方式的封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2繪示沿圖1的切線2的剖面圖。如圖1與圖2所繪示，本發(fā)明的一實施方式提供一種封裝結(jié)構(gòu)100。封裝結(jié)構(gòu)100包含導(dǎo)線架110、第一晶片120以及封裝材130。

導(dǎo)線架110具有相對的第一面111與第二面113，且具有位于第二面113上的第一凹陷區(qū)域115。第一晶片120具有相對的第一面121與第二面123，其中第一晶片120的第一面121固定于第一凹陷區(qū)域115，且第一晶片120的第一面121與至少部份第一凹陷區(qū)域115電性連接。封裝材130包覆導(dǎo)線架110與第一晶片120，其中第一晶片120的第二面123與導(dǎo)線架110的第一面111自封裝材130裸露。換句話說，封裝材130沒有包覆(覆蓋)導(dǎo)線架110的第一面111。

因為封裝材130沒有包覆導(dǎo)線架110的第一面111，第一晶片120的第二面123自封裝材130裸露，且第一晶片120為固定于第一凹陷區(qū)域115上，故第一晶片120可以借由導(dǎo)線架110的第一面111及/或第一晶片120的第二面123有效地散熱。于是，封裝結(jié)構(gòu)100的散熱能力得以有效提升。

具體而言，導(dǎo)線架110的第一面111為平面。因為導(dǎo)線架110的第一面111為平面，封裝結(jié)構(gòu)100可以在封裝材130沒有包覆導(dǎo)線架110的第一面111的情況下維持整體性(也就是說，封裝結(jié)構(gòu)100的形狀可為長方體)。應(yīng)了解到，以上所舉的導(dǎo)線架110的具體實施方式僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員，應(yīng)視實際需要，彈性選擇導(dǎo)線架110的具體實施方式。

導(dǎo)線架110具有相對于第一凹陷區(qū)域115的平坦區(qū)域118，平坦區(qū)域118的厚度大于第一凹陷區(qū)域115的厚度。具體而言，在一些實施方式中，第一凹陷區(qū)域115可以借由蝕刻導(dǎo)線架110的第二面113而形成。

具體而言，第一晶片120所產(chǎn)生的熱能為先傳遞至導(dǎo)線架110的第一凹陷區(qū)域115，接著再傳遞至導(dǎo)線架110的第一面111而將熱能傳遞至空氣中。因為第一凹陷區(qū)域115的厚度小于平坦區(qū)域118的厚度，相較于借由導(dǎo)線架110的平坦區(qū)域118傳遞第一晶片120所產(chǎn)生的熱能，第一凹陷區(qū)域115將能較容易將熱能傳遞至空氣中。

在此同時，因為平坦區(qū)域118的厚度大于第一凹陷區(qū)域115的厚度，封裝結(jié)構(gòu)100將會具有足夠的整體結(jié)構(gòu)強度。具體而言，封裝結(jié)構(gòu)100的整體結(jié)構(gòu)主要由導(dǎo)線架110與第一晶片120所支持。在第一凹陷區(qū)域115附近的區(qū)域，封裝結(jié)構(gòu)100主要是由第一晶片120與第一凹陷區(qū)域115的結(jié)構(gòu)所支持；在平坦區(qū)域118附近的區(qū)域，封裝結(jié)構(gòu)100主要是由平坦區(qū)域118的結(jié)構(gòu)所支持。因為第一晶片120與第一凹陷區(qū)域115的總厚度與平坦區(qū)域118的厚度皆夠大，因此無論是在第一凹陷區(qū)域115附近的區(qū)域或是在平坦區(qū)域118附近的區(qū)域，封裝結(jié)構(gòu)100皆具有足夠的結(jié)構(gòu)強度。

第一晶片120的厚度可大致等于導(dǎo)線架110的平坦區(qū)域118的厚度。第一晶片120的厚度可大于導(dǎo)線架110的第一凹陷區(qū)域115的厚度。

平坦區(qū)域118的厚度可為約100微米至約250微米。第一凹陷區(qū)域115的厚度可為約50微米至約100微米。第一晶片120的厚度可為約100微米至約300微米。封裝結(jié)構(gòu)100的總厚度可為約400微米至1000微米。應(yīng)了解到，以上所舉的封裝結(jié)構(gòu)100、第一凹陷區(qū)域115、平坦區(qū)域118與第一晶片120的具體實施方式僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員，應(yīng)視實際需要，彈性選擇封裝結(jié)構(gòu)100、第一凹陷區(qū)域115、平坦區(qū)域118與第一晶片120的具體實施方式。

第一晶片120的基板的材質(zhì)可為例如銅的金屬。封裝材130的材質(zhì)可為封裝膠體。應(yīng)了解到，以上所舉的第一晶片120的基板與封裝材130的材質(zhì)僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員，應(yīng)視實際需要，彈性選擇第一晶片120的基板與封裝材130的材質(zhì)。

具體而言，第一晶片120適用于覆晶(flip-chip)制程。換句話說，第一晶片120的第一面121為覆晶接置于第一凹陷區(qū)域115，其中第一面121可具有主動層。第一晶片120的第一面121與導(dǎo)線架110的第一凹陷區(qū)域115可借由使用例如設(shè)置于第一晶片120的第一面121上的小焊料球陣列(未繪示)形成電性連結(jié)。

圖3繪示依照本發(fā)明一實施方式的不具有封裝材的封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。如圖2與圖3所繪示，導(dǎo)線架110的第一凹陷區(qū)域115還區(qū)分為第一區(qū)塊116與第二區(qū)塊117，第一區(qū)塊116與第二區(qū)塊117不直接接觸，第一晶片120的第一面121電性接觸第一區(qū)塊116與第二區(qū)塊117。于是，借由將第一區(qū) 塊116與第二區(qū)塊117分別電性連接其他不同的電子元件，第一晶片120將可以電性連接于不同的電子元件。

第一凹陷區(qū)域115可區(qū)分為更多區(qū)塊。舉例來說，在本實施方式中，第一凹陷區(qū)域115進一步區(qū)分為第一區(qū)塊116、第二區(qū)塊117與第三區(qū)塊116b。第三區(qū)塊116b不與第一區(qū)塊116、第二區(qū)塊117直接接觸。

圖4繪示依照本發(fā)明另一實施方式的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖4所繪示，本實施方式的封裝結(jié)構(gòu)100與圖1、圖2與圖3的封裝結(jié)構(gòu)100大致相同，以下主要描述其相異處。

本實施方式的封裝結(jié)構(gòu)100還包含第二凹陷區(qū)域119與第二晶片140。第二凹陷區(qū)域119位于導(dǎo)線架110的第二面113上，但不與前述第一凹陷區(qū)域115重疊處。第二晶片140具有相對的第一面141與第二面143，其中第二晶片140的第一面141固定于導(dǎo)線架110的第二凹陷區(qū)域119上，且第二晶片140的第一面141與至少部份第二凹陷區(qū)域119電性連接。封裝材130還包覆第二晶片140，且第二晶片140的第二面143自封裝材130裸露。

具體而言，導(dǎo)線架110的第一凹陷區(qū)域115的厚度與導(dǎo)線架110的第二凹陷區(qū)域119的厚度大致相同。

圖5繪示依照本發(fā)明另一實施方式的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖5所繪示，本實施方式的封裝結(jié)構(gòu)100與圖4的封裝結(jié)構(gòu)100大致相同，主要相異處在于，導(dǎo)線架110的第一凹陷區(qū)域115的厚度與導(dǎo)線架110的第二凹陷區(qū)域119的厚度不同。在本實施方式中，第一凹陷區(qū)域115的厚度小于第二凹陷區(qū)域119的厚度。應(yīng)了解到，以上所舉的第一凹陷區(qū)域115、第二凹陷區(qū)域119的厚度僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員，應(yīng)視實際需要，彈性選擇第一凹陷區(qū)域115、第二凹陷區(qū)域119的厚度。

于是，如圖4與圖5所繪示，第一凹陷區(qū)域115與第二凹陷區(qū)域119的厚度可以分別依照第一晶片120與第二晶片140的厚度調(diào)整，以使封裝結(jié)構(gòu)100的形狀可以維持整體性及表面平整度。此外，依照實際的情況與需求，封裝結(jié)構(gòu)100可更進一步包含更多晶片，同時導(dǎo)線架110亦可更進一步包含更多凹陷區(qū)域。

圖6繪示依照本發(fā)明另一實施方式的封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。圖7繪示沿圖6的切線7的剖面圖。如圖6與圖7所繪示，本實施方式的封裝結(jié)構(gòu)100與 圖1、圖2與圖3的封裝結(jié)構(gòu)100大致相同，以下主要描述其相異處。

封裝結(jié)構(gòu)100還包含散熱件150。散熱件150具有相對的第一面151與第二面153，其中散熱件150的第一面151熱接觸并覆蓋第一晶片120的第二面123。封裝材130包覆導(dǎo)線架110、第一晶片120與散熱件150，其中散熱件150的第二面153自封裝材130裸露。

具體而言，散熱件150的厚度可為150微米至250微米。應(yīng)了解到，以上所舉的散熱件150的厚度僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員，應(yīng)視實際需要，彈性選擇散熱件150的厚度。

圖8繪示依照本發(fā)明另一實施方式的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖8所繪示，本實施方式的封裝結(jié)構(gòu)100與圖6與圖7的封裝結(jié)構(gòu)100大致相同，以下主要描述其相異處。

封裝結(jié)構(gòu)100還包含第二凹陷區(qū)域119與第二晶片140。第二凹陷區(qū)域119位于導(dǎo)線架110的第二面113上，但不與前述第一凹陷區(qū)域115重疊處。第二晶片140具有相對的第一面141與第二面143，其中第二晶片140的第一面141固定于導(dǎo)線架110的第二凹陷區(qū)域119上，且第二晶片140的第一面141與至少部份第二凹陷區(qū)域119電性連接。封裝材130還包覆第二晶片140。

具體而言，第二晶片140的第二面143自封裝材130裸露，但并不限于此。在其他實施方式中，封裝材130可能覆蓋第二晶片140的第二面143。

具體而言，導(dǎo)線架110的第一凹陷區(qū)域115的厚度與導(dǎo)線架110的第二凹陷區(qū)域119的厚度大致相同。

圖9繪示依照本發(fā)明另一實施方式的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖9所繪示，本實施方式的封裝結(jié)構(gòu)100與圖8的封裝結(jié)構(gòu)100大致相同，主要相異處在于第一凹陷區(qū)域115與第二凹陷區(qū)域119的厚度不同。在本實施方式中，第一凹陷區(qū)域115的厚度小于第二凹陷區(qū)域119的厚度。應(yīng)了解到，以上所舉的第一凹陷區(qū)域115與第二凹陷區(qū)域119的厚度僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員，應(yīng)視實際需要，彈性選擇第一凹陷區(qū)域115與第二凹陷區(qū)域119的厚度。

因為封裝材130沒有包覆導(dǎo)線架110的第一面111，第一晶片120可以借由先將熱能傳遞至導(dǎo)線架110，再借由導(dǎo)線架110的第一面111有效地散 熱。同時，因為散熱件150的第二面153自封裝材130裸露，且散熱件150的第一面151熱接觸且覆蓋第一晶片120的第二面123，第一晶片120可以借由第一晶片120的第二面123先將熱能傳遞至散熱件150，再借由散熱件150有效地散熱。于是，封裝結(jié)構(gòu)100的散熱能力得以有效提升。

雖然本發(fā)明已以實施方式說明如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權(quán)利要求書的范圍為準。