本發(fā)明涉及半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其是涉及一種發(fā)光層材料為三嗪類化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件及其應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電致發(fā)光(oled:organiclightemissiondiodes)器件技術(shù)既可以用來(lái)制造新型顯示產(chǎn)品，也可以用于制作新型照明產(chǎn)品，有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和熒光燈照明，應(yīng)用前景十分廣泛。oled發(fā)光器件猶如三明治的結(jié)構(gòu)，包括電極材料膜層，以及夾在不同電極膜層之間的有機(jī)功能材料，各種不同功能材料根據(jù)用途相互疊加在一起共同組成oled發(fā)光器件。作為電流器件，當(dāng)對(duì)oled發(fā)光器件的兩端電極施加電壓，并通過(guò)電場(chǎng)作用有機(jī)層功能材料膜層中的正負(fù)電荷，正負(fù)電荷進(jìn)一步在發(fā)光層中復(fù)合，即產(chǎn)生oled電致發(fā)光。有機(jī)發(fā)光二極管(oled)在大面積平板顯示和照明方面的應(yīng)用引起了工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注。然而，傳統(tǒng)有機(jī)熒光材料只能利用電激發(fā)形成的25％單線態(tài)激子發(fā)光，器件的內(nèi)量子效率較低(最高為25％)。外量子效率普遍低于5％，與磷光器件的效率還有很大差距。盡管磷光材料由于重原子中心強(qiáng)的自旋-軌道耦合增強(qiáng)了系間竄越，可以有效利用電激發(fā)形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子發(fā)光，使器件的內(nèi)量子效率達(dá)100％。但磷光材料存在價(jià)格昂貴，材料穩(wěn)定性較差，器件效率滾落嚴(yán)重等問(wèn)題限制了其在oleds的應(yīng)用。熱激活延遲熒光(tadf)材料是繼有機(jī)熒光材料和有機(jī)磷光材料之后發(fā)展的第三代有機(jī)發(fā)光材料。該類材料一般具有小的單線態(tài)-三線態(tài)能級(jí)差(△est)，三線態(tài)激子可以通過(guò)反系間竄越轉(zhuǎn)變成單線態(tài)激子發(fā)光。這可以充分利用電激發(fā)下形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子，器件的內(nèi)量子效率可以達(dá)到100％。同時(shí)，材料結(jié)構(gòu)可控，性質(zhì)穩(wěn)定，價(jià)格便宜無(wú)需貴重金屬，在oled領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。雖然理論上tadf材料可以實(shí)現(xiàn)100％的激子利用率，但實(shí)際上存在如下問(wèn)題:(1)設(shè)計(jì)分子的t1和s1態(tài)具有強(qiáng)的ct特征，非常小的s1-t1態(tài)能隙，雖然可以通過(guò)tadf過(guò)程實(shí)現(xiàn)高t1→s1態(tài)激子轉(zhuǎn)化率，但同時(shí)導(dǎo)致低的s1態(tài)輻射躍遷速率，因此，難于兼具(或同時(shí)實(shí)現(xiàn))高激子利用率和高熒光輻射效率；(2)即使已經(jīng)采用摻雜器件減輕t激子濃度猝滅效應(yīng)，大多數(shù)tadf材料的器件在高電流密度下效率滾降嚴(yán)重。就當(dāng)前oled顯示照明產(chǎn)業(yè)的實(shí)際需求而言，目前oled材料的發(fā)展還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，落后于面板制造企業(yè)的要求，作為材料企業(yè)開發(fā)更高性能的有機(jī)功能材料顯得尤為重要。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種含有三嗪類化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明基于tadf機(jī)理的以三嗪為核心的化合物作為發(fā)光層材料應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管上，具有良好的光電性能，能夠滿足oled器件企業(yè)，特別是oled顯示面板和oled照明企業(yè)的需求。本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種含有三嗪類化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件包括空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，該器件發(fā)光層材料包括含有三嗪基團(tuán)的化合物，所述化合物的結(jié)構(gòu)式如通式(1)所示：通式(1)中，ar1表示-ar-r或者-r；其中，ar表示苯基、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基或苯并菲基；r采用通式(2)或通式(3)表示：其中，x1為氧原子、硫原子、硒原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種；r1、r2分別獨(dú)立的選取氫或通式(4)所示結(jié)構(gòu)，r1、r2不同時(shí)為氫；a為x2、x3分別為氧原子、硫原子、硒原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種；a與cl1-cl2鍵、cl2-cl3鍵、cl3-cl4鍵、cl4-cl5鍵、cl‘1-cl’2鍵、cl‘2-cl’3鍵、cl‘3-cl’4鍵或cl‘4-cl’5鍵連接；r3表示苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基或菲基；通式(1)中，ar2表示苯基、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基或苯并菲基；通式(1)中，ar3表示與ar1相同的取代基、苯基、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基或苯并菲基。所述化合物中當(dāng)a表示且與cl4-cl5鍵或cl‘4-cl’5鍵連接時(shí)，x1和x2的位置重疊，只取x1或者x2；x3表示為氧原子、硫原子、硒原子、c1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的胺基中的一種。所述化合物的結(jié)構(gòu)通式為：所述通式(1)中ar1為：中的任一種。所述化合物的具體結(jié)構(gòu)式為：所述通式(1)所示材料作為發(fā)光層的主體材料；所述發(fā)光層的摻雜材料為使用下列通式(9)、(10)、(11)、(12)所示材料中的一種：通式(9)中，b1-b10選擇為氫、c1-30直鏈或支鏈烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；通式(10)中，y1-y6各自獨(dú)立的表示為氧、碳、氮原子的一種；分別表示為含有兩個(gè)原子的基團(tuán)通過(guò)任意化學(xué)鍵相連成環(huán)；通式(11)、通式(12)中y1-y4各自獨(dú)立的表示為氧、碳、氮原子的一種；分別表示為含有兩個(gè)原子的基團(tuán)通過(guò)任意化學(xué)鍵相連成環(huán)。所述空穴傳輸層的材料為含有三芳基胺基團(tuán)的化合物，該化合物的結(jié)構(gòu)式通式如通式(13)所示：通式(13)中，d1-d3各自獨(dú)立表示取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；d1-d3可以相同或者不同。所述電子傳輸層的材料為下列通式(14)、(15)、(16)、(17)或(18)所示材料中的一種：通式(14)、通式(15)、通式(16)、通式(17)、通式(18)中e1-e10選擇為氫、c1-30直鏈或支鏈烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；e1-e10不同時(shí)為氫。所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，還包括空穴注入層；所述空穴注入層材料為下列結(jié)構(gòu)通式(19)、(20)、(21)所示材料中的一種：通式(19)中，f1-f3各自獨(dú)立表示取代或未取代的c6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；f1-f3可以相同或者不同；通式(20)、通式(21)中，g1-g6各自獨(dú)立的表示h原子、腈基、鹵素、酰胺基、烷氧基、酯基、硝基、c1-30直鏈或支鏈烷基取代的碳原子、取代或未取代的c6-30芳基、3元至30元雜芳基；g1-g6不同時(shí)為氫。所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，還包括電子注入層；所述電子注入層材料為鋰、鋰鹽或銫鹽中的一種；所述鋰鹽為8-羥基喹啉鋰、氟化鋰、碳酸鋰、疊氮化鋰；所述銫鹽為氟化銫、碳酸銫、疊氮化銫。所述發(fā)光層的摻雜材料與發(fā)光層的主體材料的質(zhì)量比為0.005～0.2:1。所述通式(1)所示化合物還可以做為發(fā)光層的摻雜材料使用。一種所述有機(jī)電致發(fā)光器件的應(yīng)用，用于制備頂發(fā)光oled發(fā)光器件。一種所述有機(jī)電致發(fā)光器件的應(yīng)用，應(yīng)用于am-oled顯示器。本發(fā)明有益的技術(shù)效果在于：組成本發(fā)明所述oled發(fā)光器件的三嗪類化合物具有tadf的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，容易實(shí)現(xiàn)非常小的s1-t1態(tài)能隙差，在激發(fā)情況下，容易實(shí)現(xiàn)三線態(tài)到單線態(tài)的反系間竄越，使原本不能發(fā)光，以熱的形式散失的熱量轉(zhuǎn)化為可產(chǎn)生光能的能量，并有望獲得極高的效率。基于以上原理分析，本發(fā)明所述oled發(fā)光器件，既可以選擇熒光材料作為摻雜材料，也可以選擇磷光材料作為摻雜材料，亦可以將本發(fā)明所述tadf材料直接作為摻雜材料使用。所述三嗪類化合物作為oled發(fā)光器件的主體材料搭配銥，鉑類磷光材料或蒽類熒光材料使用時(shí)，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時(shí)，對(duì)于器件壽命提升非常明顯。進(jìn)一步的，在oled器件層結(jié)構(gòu)搭配上，引入空穴和電子注入層后，使透明陽(yáng)極、金屬陰極和有機(jī)材料接觸界面更穩(wěn)定，空穴、電子注入效果提升；空穴傳輸層又可疊層為兩層或多層，鄰接發(fā)光層一側(cè)的空穴傳輸層又可以命名為電子阻擋層(ebl)，提供電子阻擋作用，使發(fā)光層內(nèi)激子復(fù)合效率提升，鄰接空穴注入層一側(cè)的空穴傳輸層則起到空穴傳輸及降低激子傳遞壁壘的作用；電子傳輸層又可疊層為兩層或多層，鄰接發(fā)光層一側(cè)的電子傳輸層又可以命名為空穴阻擋層(hbl)，提供空穴阻擋作用，使發(fā)光層內(nèi)激子復(fù)合效率提升，鄰接電子注入層一側(cè)的電子傳輸層則起到電子傳輸及降低激子傳遞壁壘的作用。然而，應(yīng)當(dāng)指出，這些層中的每個(gè)都并非必須存在。本發(fā)明所述oled器件化合物的組合效果：使得器件的驅(qū)動(dòng)電壓降低，電流效率、功率效率、外量子效率得到進(jìn)一步提高，器件壽命提升效果明顯。在oled發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。令人預(yù)料不到地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在下文中更詳細(xì)描述的化合物組合實(shí)現(xiàn)了這個(gè)目的，并且導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件的改進(jìn)，特別是電壓、效率和壽命的改進(jìn)。這特別適用于紅色或綠色磷光的電致發(fā)光器件，尤其是在使用本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)及材料組合時(shí)，情況如此。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明實(shí)施例疊層oled器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1中：1為透明襯底、2為ito陽(yáng)極層、3為空穴注入層(hil)、4為空穴傳輸層(htl)、5為電子阻擋層(ebl)、6為發(fā)光層(eml)、7為空穴阻擋層(hbl)、8為電子傳輸層(etl)、9為電子注入層(eil)、10為陰極反射電極層。圖2為本發(fā)明器件實(shí)施例所用關(guān)鍵原料的結(jié)構(gòu)式。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體描述。實(shí)施例1化合物1的合成500ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-氯-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.03mol6,6-二甲基-11-對(duì)苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molna2co3水溶液(2m)，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加熱回流10-24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全。自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，hplc純度98.2％，收率64.00％。元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c42h30n4o)：理論值c,83.14；h,4.98；n,9.23；o,2.64；測(cè)試值：c,83.21；h,4.92；n,9.20；o,2.67。hplc-ms：材料分子量為606.24，實(shí)測(cè)分子量606.31。實(shí)施例2化合物2的合成500ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-氯-4-苯基-6-[1,1'；3',1″]三苯基-5'-yl-[1,3,5]三嗪，0.03mol6,6-二甲基-11-間苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molna2co3水溶液(2m)，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加熱回流10-24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全。自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，hplc純度99.6％，收率64.00％。元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c54h38n4o)：理論值c,85.46；h,5.05；n,7.38；o,2.11；測(cè)試值：c,85.52；h,5.09；n,7.32；o,2.07。hplc-ms：材料分子量為758.30，實(shí)測(cè)分子量758.52。實(shí)施例3化合物3的合成化合物3的制備方法同實(shí)施例2，不同之處在于原料2-氯-4-(3,5-二甲基苯)-6-苯基-[1,3,5]三嗪替換2-氯-4-苯基-6-[1,1'；3',1”]三苯基-5'-yl-[1,3,5]三嗪。實(shí)施例4化合物5的合成化合物5的制備方法同實(shí)施例2，不同之處在于原料6,6-二甲基-11-間聯(lián)苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽替換6,6-二甲基-11-間苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例5化合物6的合成500ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-氯-4-(5-甲基聯(lián)苯-3-基)-6-苯基-[1,3,5]三嗪，0.03mol6,6-二甲基-11-間苯硼酸-6,11-二氫-13-硫雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molna2co3水溶液(2m)，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加熱回流10-24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全。自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，hplc純度99.80％，收率52.00％。元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c50h38n4s)：理論值c,82.61；h,5.27；n,7.71；s,4.41；測(cè)試值：c,82.70；h,5.25；n,7.65；s,4.4。hplc-ms：材料分子量為726.28，實(shí)測(cè)分子量726.29。實(shí)施例6化合物7的合成500ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-聯(lián)苯-3-基-4-氯-6-苯基-[1,3,5]三嗪，0.03mol6,6-二甲基-11-萘-1-基-8-間苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molna2co3水溶液(2m)，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加熱回流10-24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全。自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，hplc純度99.5％，收率63.00％。元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c58h40n4o)：理論值c,86.11；h,4.98；n,6.93；o,1.98；測(cè)試值：c,86.20；h,4.91；n,6.98；o,1.91。hplc-ms：材料分子量為808.32，實(shí)測(cè)分子量808.63。實(shí)施例7化合物8的合成500ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-氯-4-(3,5-二甲基苯基)-6-苯基-[1,3,5]三嗪，0.03mol6,6-二甲基-11-(3'-甲基聯(lián)苯-4-基)-13,13-二苯基-11,13-二氫-6h-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molna2co3水溶液(2m)，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加熱回流10-24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全。自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，hplc純度99.1％，收率65.00％。元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c63h48n4)：理論值c,87.87；h,5.62；n,6.51；測(cè)試值：c,87.92；h,5.61；n,6.47。hplc-ms：材料分子量為860.39，實(shí)測(cè)分子量860.66。實(shí)施例8化合物11的合成500ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-聯(lián)苯-2-基-4-氯-6-苯基-[1,3,5]三嗪，0.03mol3-苯硼酸6,6-二甲基-11,13-二苯基-11,13-二氫-6h-11,13-二氮雜-吲哚[1,2-b]蒽，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molna2co3水溶液(2m)，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加熱回流10-24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全。自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，hplc純度99.0％，收率52.00％。元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c54h39n5)：理論值c,85.57；h,5.19；n,9.24；測(cè)試值：c,85.62；h,5.16；n,9.22。hplc-ms：材料分子量為757.32，實(shí)測(cè)分子量757.62。實(shí)施例9化合物13的合成500ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-氯-4-苯基-6-苯并菲-2-基-[1,3,5]三嗪，0.03mol13,13-二甲基-5-(4'-甲基聯(lián)苯-3-基)-5,13-二氫-8-氧雜5-氮雜-吲哚[1,2-a]蒽，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molna2co3水溶液(2m)，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加熱回流10-24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全。自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，hplc純度99.1％，收率49.00％。元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c60h40n4o)：理論值c,86.51；h,4.84；n,6.73；o,1.92；測(cè)試值：c,86.60；h,4.75；n,6.78；o,1.87。hplc-ms：材料分子量為832.32，實(shí)測(cè)分子量832.64。實(shí)施例10化合物15的合成化合物15的制備方法同實(shí)施例7，不同之處在于原料6-聯(lián)苯-4-基-11,11-二甲基-1-苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-6-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽替換6,6-二甲基-11-(3'-甲基聯(lián)苯-4-基)-13,13-二苯基-11,13-二氫-6h-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例11化合物17的合成化合物17的制備方法同實(shí)施例6，不同之處在于原料11-苯硼酸-11h-6,13-二氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽替換6,6-二甲基-11-萘-1-基-8-間苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例12化合物18的合成化合物18的制備方法同實(shí)施例2，不同之處在于原料13,13-二甲基-11-m-苯硼酸-11,13-二氫-6-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽替換6,6-二甲基-11-間苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例13化合物21的合成化合物21的制備方法同實(shí)施例7，不同之處在于原料11-(3'-甲基聯(lián)苯-4-基)-6-苯基-6,11-二氫-13-氧雜-6,11-二氮雜-吲哚[1,2-b]蒽替換6,6-二甲基-11-(3'-甲基聯(lián)苯-4-基)-13,13-二苯基-11,13-二氫-6h-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例14化合物24的合成化合物24的制備方法同實(shí)施例6，不同之處在于原料6-苯基-1-苯硼酸-6h-11,13-二氧雜-6-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽替換6,6-二甲基-11-萘-1-基-8-間苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例15化合物27的合成化合物27的制備方法同實(shí)施例6，不同之處在于原料14,14-二甲基-5-苯基-5,14-二氫-7,12-二氧雜-5-氮雜-并五苯2-硼酸替換6,6-二甲基-11-萘-1-基-8-間苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例16化合物33的合成化合物33的制備方法同實(shí)施例8，不同之處在于原料7,14-二苯基-3-硼酸-7,14-二氫-苯并[5,6][1,4]噁嗪[2,3-b]吩噁嗪替換3-苯硼酸6,6-二甲基-11,13-二苯基-11,13-二氫-6h-11,13-二氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例17化合物35的合成化合物35的制備方法同實(shí)施例6，不同之處在于原料9,9-二甲基-5-p-苯硼酸-5h,9h-5,13b-二氮雜-萘[3,2,1-de]蒽替換6,6-二甲基-11-萘-1-基-8-間苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例18化合物36的合成化合物36的制備方法同實(shí)施例2，不同之處在于原料9-p-苯硼酸-9h-5-氧雜-9,13b-二氮雜-萘[3,2,1-de]蒽替換6,6-二甲基-11-間苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例19化合物38的合成化合物38的制備方法同實(shí)施例7，不同之處在于原料9-p-萘硼酸-9h-5-氧雜-9,13b-二氮雜-萘[3,2,1-de]蒽替換6,6-二甲基-11-(3'-甲基聯(lián)苯-4-基)-13,13-二苯基-11,13-二氫-6h-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例20化合物39的合成化合物39的制備方法同實(shí)施例1，不同之處在于原料9,9-二甲基-5-(3'-甲基聯(lián)苯-4-基)-5h,9h-5,13b-二氧雜-萘[3,2,1-de]蒽替換6,6-二甲基-11-對(duì)苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例21化合物41的合成化合物41的制備方法同實(shí)施例7，不同之處在于原料a替換6,6-二甲基-11-(3'-甲基聯(lián)苯-4-基)-13,13-二苯基-11,13-二氫-6h-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例22化合物44的合成化合物44的制備方法同實(shí)施例2，不同之處在于原料n-苯硼酸二甲基茚苯并呋喃并吖啶替換6,6-二甲基-11-間苯硼酸-6,11-二氫-13-氧雜-11-氮雜-吲哚[1,2-b]蒽。實(shí)施例23化合物46的合成化合物46的制備方法同實(shí)施例1，不同之處在于原料2,4-二氯-6-苯基-[1,3,5]三嗪替換2-氯-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪。實(shí)施例24化合物51的合成化合物46的制備方法同實(shí)施例8，不同之處在于原料2-聯(lián)苯-2-基-4,6-二氯-[1,3,5]三嗪替換2-聯(lián)苯-2-基-4-氯-6-苯基-[1,3,5]三嗪。實(shí)施例25化合物52的合成化合物52的制備方法同實(shí)施例15，不同之處在于原料2,4-二氯-6-苯基-[1,3,5]三嗪替換2-聯(lián)苯-3-基-4-氯-6-苯基-[1,3,5]三嗪。實(shí)施例26化合物54的合成化合物54的制備方法同實(shí)施例16，不同之處在于原料2,4-二氯-6-苯基-[1,3,5]三嗪替換2-聯(lián)苯-2-基-4-氯-6-苯基-[1,3,5]三嗪。實(shí)施例27化合物56的合成化合物56的制備方法同實(shí)施例21，不同之處在于原料2-聯(lián)苯-3-基-4,6-二氯-[1,3,5]三嗪替換2-氯-4-(3,5-二甲基苯基)-6-苯基-[1,3,5]三嗪。實(shí)施例28化合物59的合成化合物59的制備方法同實(shí)施例17，不同之處在于原料2-聯(lián)苯-3-基-4,6-二氯-[1,3,5]三嗪替換2-聯(lián)苯-3-基-4-氯-6-苯基-[1,3,5]三嗪。本發(fā)明化合物可以作為發(fā)光層材料使用，對(duì)本發(fā)明化合物2、化合物59和現(xiàn)有材料cbp分別進(jìn)行熱性能、發(fā)光光譜、熒光量子效率以及循環(huán)伏安穩(wěn)定性的測(cè)定，檢測(cè)結(jié)果如表1所示。表1化合物td(℃)λpl(nm)φf(shuō)循環(huán)伏安穩(wěn)定性化合物241351292.3優(yōu)化合物5947652881.9優(yōu)材料cbp35336926.1差注：熱失重溫度td是在氮?dú)鈿夥罩惺е?％的溫度，在日本島津公司的tga-50h熱重分析儀上進(jìn)行測(cè)定，氮?dú)饬髁繛?0ml/min；λpl是樣品溶液熒光發(fā)射波長(zhǎng)，利用日本拓普康sr-3分光輻射度計(jì)測(cè)定；φf(shuō)是固體粉末熒光量子效率(利用美國(guó)海洋光學(xué)的maya2000pro光纖光譜儀，美國(guó)藍(lán)菲公司的c-701積分球和海洋光學(xué)lls-led光源組成的測(cè)試固體熒光量子效率測(cè)試系統(tǒng)，參照文獻(xiàn)adv.mater.1997，9，230-232的方法進(jìn)行測(cè)定)；循環(huán)伏安穩(wěn)定性是通過(guò)循環(huán)伏安法觀測(cè)材料的氧化還原特性來(lái)進(jìn)行鑒定；測(cè)試條件：測(cè)試樣品溶于體積比為2:1的二氯甲烷和乙腈混合溶劑，濃度1mg/ml，電解液是0.1m的四氟硼酸四丁基銨或六氟磷酸四丁基銨的有機(jī)溶液。參比電極是ag/ag+電極，對(duì)電極為鈦板，工作電極為ito電極，循環(huán)次數(shù)為20次。由上表數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明化合物具有較好的氧化還原穩(wěn)定性，較高的熱穩(wěn)定性，適合作為發(fā)光層的主體材料；同時(shí)，本發(fā)明化合物具有合適的發(fā)光光譜，較高的φf(shuō)，使得應(yīng)用本發(fā)明化合物作為摻雜材料的oled器件效率和壽命得到提升。以下通過(guò)器件實(shí)施例1～16和器件比較例1詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明化合物組合在器件中應(yīng)用效果。本發(fā)明所述器件實(shí)施例2～16、器件比較例1與器件實(shí)施例1相比所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，所不同的是，器件測(cè)層疊結(jié)構(gòu)、搭配材料及膜層厚度有所不同。器件疊層結(jié)構(gòu)如表2所示。各器件的性能測(cè)試結(jié)果如表3所示。器件實(shí)施例1器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包含空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：ht6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物1和gd1按重量比90：10混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。具體制備過(guò)程如下：對(duì)ito陽(yáng)極層2(膜厚為150nm)洗滌，依次進(jìn)行堿洗滌、純水洗滌、干燥后進(jìn)行紫外線-臭氧洗滌以清除透明ito表面的有機(jī)殘留物。在所述洗滌后的ito陽(yáng)極層2上，利用真空蒸鍍裝置，蒸鍍空穴傳輸層4，空穴傳輸層材料使用ht6，膜厚為120nm，此層作為器件結(jié)構(gòu)中的空穴傳輸層4；在空穴傳輸層4上，通過(guò)真空蒸鍍方式，蒸鍍發(fā)光層6，發(fā)光層材料使用化合物1作為主體材料，gd1作為摻雜材料，摻雜質(zhì)量比例為9：1，發(fā)光層膜厚為40nm，此層作為器件結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層6；在發(fā)光層6上，通過(guò)真空蒸鍍方式，蒸鍍電子傳輸層8，電子傳輸層材料使用et2和ei1混合摻雜，摻雜質(zhì)量比為1:1，膜厚為35nm，此層作為器件結(jié)構(gòu)中的電子傳輸層8；在電子傳輸層8上，通過(guò)真空蒸鍍方式，蒸鍍陰極鋁(al)層，膜厚為100nm，此層為陰極反射電極層10使用。如上所述地完成oled發(fā)光器件制作后，用公知的驅(qū)動(dòng)電路將陽(yáng)極和陰極連接起來(lái)，測(cè)量器件的發(fā)光效率，發(fā)光光譜以及器件的電流-電壓特性。器件實(shí)施例2器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包含空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6和電子傳輸層8。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：110nm，材料：ht2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物2和gd2按重量比88：12混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et02和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例3器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包含空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi2)/空穴傳輸層4(厚度：110nm，材料：ht4)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物3和gd2按重量比88：12混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3和ei1，質(zhì)量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lin3)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例4器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6和電子傳輸層8。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht3)/電子阻擋層5(厚度：60nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物5和gd3按重量比89：11混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例5器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi3和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：ht3)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物6和gd3按重量比89：11混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et3)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：li)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例6器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi4和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：ht6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物11和gd4按重量比92：8混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et4和ei1，質(zhì)量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lif)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例7器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7和電子傳輸層8。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：60nm，材料：eb1)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物15和gd4按重量比92：8混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：20nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：15nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1:1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例8器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：60nm，材料：ht5)/電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：eb3)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物24和gd5按重量比92：8混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：cs2co3)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例9器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi6和ht4，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：60nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物35和gd6按重量比95：5混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：ei1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例10器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：hi1)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht3)/電子阻擋層5(厚度：60nm，材料：eb1)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物38和gd5按重量比92：8混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：25nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：10nm，材料：et5)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：ei1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例11器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht6，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：60nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物44和gd4按重量比92：8混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：li2co3)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例12器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：ht6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物51和gd6按重量比95：5混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et6)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：csf)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例13器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：60nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物54和gd2按重量比88：12混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：csn3)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例14器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7和電子傳輸層8。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：60nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物56、gh2和gd2按重量比60：30：10混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度15nm，材料：eb2)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例15器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7和電子傳輸層8。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi5和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：ht6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：eb2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物11、gh4和gd2按重量比60：30：10混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度15nm，材料：hb1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：et2和ei1，質(zhì)量比1：1)/al(厚度：100nm)。器件實(shí)施例16器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：hi4和ht3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：ht6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：gh3和化合物54按重量比92：8混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et4和ei1，質(zhì)量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lif)/al(厚度：100nm)。器件比較例1器件疊層結(jié)構(gòu)如器件結(jié)構(gòu)示意圖1所示：包括空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。ito陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：hti)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：gh1和gd1按重量比90：10混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：et1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：lif)/al(厚度：100nm)。通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)方法表征所述oled，從呈現(xiàn)朗伯發(fā)射特性的電流/電壓/發(fā)光密度特性線計(jì)算，和測(cè)量壽命。確定在1000cd/m2亮度下的電致發(fā)光光譜，計(jì)算ciex和y顏色坐標(biāo)，器件測(cè)試數(shù)據(jù)如表3所示。表2表3注：器件測(cè)試性能以比較例1作為參照，比較例1器件各項(xiàng)性能指標(biāo)設(shè)為1.0。比較例1的電流效率為32.6cd/a(@1000cd/m2)；驅(qū)動(dòng)電壓為5.6v(@1000cd/m2)；cie色坐標(biāo)為(0.34,0.63)；5000亮度下lt95壽命衰減為3.5hr。表3總結(jié)了所述oled器件在1000cd/m2亮度所需的電壓、達(dá)到的電流效率，以及在5000cd/m2亮度下lt95衰減壽命。器件實(shí)施例1對(duì)比器件比較例1，更換本發(fā)明的發(fā)光層材料，并按本發(fā)明的材料組合成疊層器件后，器件電壓降低，電流效率提升54％，壽命提升3倍；器件實(shí)施例2～16按本發(fā)明設(shè)計(jì)的材料搭配和器件疊層組合，使得器件數(shù)據(jù)進(jìn)一步提升；如器件實(shí)施例14、15所示，本發(fā)明的三嗪類材料作為混合主體材料時(shí)，進(jìn)一步的獲得了非常好的性能數(shù)據(jù)；如器件實(shí)施例16所示，本發(fā)明三嗪類材料作為發(fā)光層摻雜材料使用時(shí)，同樣獲得了非常好的性能數(shù)據(jù)。綜上，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)12