本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置。

背景技術(shù)：

隨著對(duì)于高容量的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置需求的日益增加，這些半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的集成密度受到人們的更多關(guān)注，為了增加半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的集成密度，現(xiàn)有技術(shù)中采用了許多不同的方法，例如通過(guò)減小存儲(chǔ)單元尺寸和/或改變結(jié)構(gòu)單元而在單一晶圓上形成更多個(gè)存儲(chǔ)單元，對(duì)于通過(guò)改變單元結(jié)構(gòu)增加集成密度的方法來(lái)說(shuō)，已經(jīng)嘗試過(guò)通過(guò)改變有源區(qū)的平面布置或改變單元布局來(lái)減小單元面積。

nand閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，由于nand閃存以頁(yè)為單位讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，所以適合于存儲(chǔ)連續(xù)的數(shù)據(jù)，如圖片、音頻或其他文件數(shù)據(jù)；同時(shí)因其成本低、容量大且寫(xiě)入速度快、擦除時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)在移動(dòng)通訊裝置及便攜式多媒體裝置的存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。目前，為了提高nand閃存的容量，需要在制備過(guò)程中提高nand閃存的集成密度。

隨著器件尺寸的縮小，nand閃存的尺寸也不斷縮小，使nand閃存在制備過(guò)程中產(chǎn)生很多問(wèn)題，例如在浮柵之間控制柵的填充，由于器件尺寸減小導(dǎo)致在控制柵的填充過(guò)程中通常會(huì)形成孔洞，造成電損耗的增加，從而最終使器件的性能降低。

因此，在nand閃存的制備過(guò)程中如何克服控制柵填充過(guò)程中形成孔洞的問(wèn)題成為目前需要亟需解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，所述方法包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干浮柵結(jié)構(gòu)，在相鄰的所述浮柵結(jié)構(gòu)之間形成有向下延伸至所述半導(dǎo)體襯底中的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

回蝕刻去除所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮柵結(jié)構(gòu)；

氧化露出的所述浮柵結(jié)構(gòu)，以在所述浮柵結(jié)構(gòu)的表面形成氧化物層；

去除所述氧化物層，以增加所述浮柵結(jié)構(gòu)之間的所述凹槽的寬度。

可選地，所述方法還進(jìn)一步包括：

在所述凹槽中以及所述浮柵結(jié)構(gòu)的表面上沉積隔離層；

沉積覆蓋層，以填充所述凹槽并覆蓋所述浮柵結(jié)構(gòu)；

在所述覆蓋層上形成控制柵。

可選地，所述氧化包括o2退火的快速熱氧化、解耦等離子體氧化或生成氧等離子體微波。

可選地，所述氧化物層的厚度為10～60埃。

可選地，去除所述氧化物層的步驟包括預(yù)清洗步驟。

可選地，在覆蓋層上形成所述控制柵之前還進(jìn)一步包括回蝕刻所述覆蓋層的步驟。

可選地，在所述半導(dǎo)體襯底和所述浮柵之間還形成有隧道氧化物層。

可選地，所述浮柵結(jié)構(gòu)包括多晶硅。

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件通過(guò)上述的方法制備得到。

本發(fā)明還提供了一種電子裝置，所述電子裝置包括上述的半導(dǎo)體器件。

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，所述方法在核心區(qū)存儲(chǔ)單元打開(kāi)(copen)步驟之后對(duì)所述浮柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行氧化，以在浮柵結(jié)構(gòu)的表面形成氧化物層并去除，去除所述氧化物層之后可以使所述浮柵結(jié)構(gòu)之間的凹槽開(kāi)口進(jìn)一步擴(kuò)大，從而更加有利于控制柵的填充，而且可以避免填充過(guò)程中產(chǎn)生孔洞，同時(shí)還可以保持更寬的有源區(qū)關(guān)鍵尺寸，以獲得更大的單元電流，從而使半導(dǎo)體器件的性能和良率得到進(jìn)一步提高。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，

圖1為本發(fā)明中所述半導(dǎo)體器件的制備工藝流程圖；

圖2a-2f為本發(fā)明中所述半導(dǎo)體器件的制備過(guò)程示意圖；

圖3為本發(fā)明中移動(dòng)電話手機(jī)的示例的外部視圖。

具體實(shí)施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。

應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由稀⑴c之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。

空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。

在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù) 形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，所述方法包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干浮柵結(jié)構(gòu)，在相鄰的所述浮柵結(jié)構(gòu)之間形成有向下延伸至所述半導(dǎo)體襯底中的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

回蝕刻去除所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮柵結(jié)構(gòu)；

氧化露出的所述浮柵結(jié)構(gòu)，以在所述浮柵結(jié)構(gòu)的表面形成氧化物層；

去除所述氧化物層，以增加所述浮柵結(jié)構(gòu)之間的所述凹槽的寬度；

在所述凹槽中沉積隔離層，以覆蓋所述浮柵結(jié)構(gòu)的表面；

沉積覆蓋層，以填充所述凹槽并覆蓋所述浮柵結(jié)構(gòu)；

在所述覆蓋層上形成控制柵。

其中，所述氧化包括選用o2退火的快速熱氧化、解耦等離子體氧化和生成氧等離子體微波。

其中，所述氧化物層的厚度為10～60埃。

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，所述方法在copen步驟之后對(duì)所述浮柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行氧化，以在浮柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的表面形成氧化物層并去除，去除所述氧化物層之后可以使所述浮柵結(jié)構(gòu)之間的凹槽開(kāi)口進(jìn)一步擴(kuò)大，從而更加有利于控制柵的填充，而且可以避免填充過(guò)程中產(chǎn)生孔洞，同時(shí)還可以保持更寬的有源區(qū)關(guān)鍵尺寸，以獲得更大的單元電流，從而使半導(dǎo)體器件的性能和良率得到進(jìn)一步提高。

實(shí)施例一

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，下面結(jié)合附圖對(duì)所述方法作進(jìn)一步的說(shuō)明。

其中，圖2a-2f為本發(fā)明中所述半導(dǎo)體器件的制備過(guò)程示意圖；圖3為本發(fā)明中移動(dòng)電話手機(jī)的示例的外部視圖。

圖1為本發(fā)明中所述半導(dǎo)體器件的制備工藝流程圖，具體包括以下步驟：

步驟s1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干浮柵結(jié)構(gòu)，在相鄰的所述浮柵結(jié)構(gòu)之間形成有向下延伸至所述半導(dǎo)體襯底中的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

步驟s2：回蝕刻去除所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮柵結(jié)構(gòu)；

步驟s3：氧化露出的所述浮柵結(jié)構(gòu)，以在所述浮柵結(jié)構(gòu)的表面形成氧化物層；

步驟s4：去除所述氧化物層，以增加所述浮柵結(jié)構(gòu)之間的所述凹槽的寬度。

下面以附圖1中的工藝流程圖為基礎(chǔ)，對(duì)所述方法展開(kāi)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

執(zhí)行步驟一，提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干浮柵結(jié)構(gòu)，在相鄰的所述浮柵結(jié)構(gòu)之間形成有向下延伸至所述半導(dǎo)體襯底中的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

具體地，如圖2a所示，所述半導(dǎo)體襯底201可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。

在所述半導(dǎo)體襯底上形成若干浮柵結(jié)構(gòu)，具體地包括以下步驟：

在所述半導(dǎo)體襯底上形成浮柵層、掩膜層，并且圖案化，以形成浮柵結(jié)構(gòu)204和淺溝槽。具體地，在所述半導(dǎo)體襯底上形成浮柵層，所述浮柵層可以選用多晶硅層，以在后續(xù)的步驟中形成浮柵結(jié)構(gòu)。

其中所述掩膜層可以選用硬掩膜層，例如sin，以在形成淺溝槽的過(guò)程中保護(hù)所述浮柵層不受到損壞。

接著，執(zhí)行干法刻蝕工藝，依次對(duì)硬掩膜層、浮柵層和半導(dǎo)體襯底201進(jìn)行刻蝕以形成淺溝槽。具體地，可以在硬掩膜層上形成具有圖案的光刻膠層，以該光刻膠層為掩膜對(duì)硬掩膜層進(jìn)行干法刻蝕，以將圖案轉(zhuǎn)移至硬掩膜層，并以光刻膠層和硬掩膜層為掩膜對(duì)浮柵層和半導(dǎo)體襯底201進(jìn)行刻蝕，以形成溝槽，并在所述浮柵層中形成通過(guò)所述溝槽相互隔離的浮柵結(jié)構(gòu)204。

其中，所述浮柵結(jié)構(gòu)的數(shù)目并不局限與某一數(shù)值范圍。

接著在溝槽內(nèi)填充淺溝槽隔離材料，以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)202。具體地，可以在硬掩膜層上和溝槽內(nèi)形成淺溝槽隔離材料，所述淺溝槽隔離材料可以為氧化硅、氮氧化硅和/或其它現(xiàn)有的低介電常數(shù)材料；執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝并停止在硬掩膜層上，以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

最后，去除硬掩膜層。去除剩余的硬掩膜層的方法可以為濕法蝕刻工藝，由于去除硬掩膜層的刻蝕劑以為本領(lǐng)域所公知，因此不再詳述。

去除硬掩膜層后便得到具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的圖案，可選地，該步驟還包括對(duì)該圖案進(jìn)行阱和閾值電壓調(diào)整。

可選地，在所述半導(dǎo)體襯底和所述浮柵結(jié)構(gòu)之間還可以形成隧道氧化物層203。所述隧道氧化物的制備包括首先在襯底上進(jìn)行氮離子注入或者摻雜，形成氮化物層，然后對(duì)所述氮化物層進(jìn)行高溫氧化，得到氧化物層，最近進(jìn)行氮化處理，使所述氧化物最上層氮化，得到頂部和底部富含氮的sion結(jié)構(gòu)，所述方法更加容易控制，效率更高，能更好的滿足半導(dǎo)體器件往更小尺寸發(fā)展的需求。

執(zhí)行步驟二，回蝕刻去除所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)202中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮柵結(jié)構(gòu)204的側(cè)壁。

具體地，如圖2a所示，在該步驟中通過(guò)地毯式干法蝕刻(blanketch)去除所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)202中的部分氧化物，形成凹槽，以露出所述浮柵結(jié)構(gòu)204的部分側(cè)壁，以使所述浮柵結(jié)構(gòu)204在后續(xù)的步驟中能和控制柵結(jié)構(gòu)具有更大的接觸面積，該步驟稱為存儲(chǔ)單元打開(kāi)的步驟(cellopen,copen)的步驟，即通過(guò)去除部分所述浮柵之間的淺溝槽隔離氧化物，以露出部分所述浮柵結(jié)構(gòu)，以便在沉積多晶硅層之后能和所述浮柵結(jié)構(gòu)形成穩(wěn)定的接觸，避免由于器件尺寸減小引起接觸不穩(wěn)定的問(wèn)題。

其中，所述copen工藝可以選用本領(lǐng)域常用的工藝方法，在此不再贅述。

在該步驟中為了防止對(duì)所述浮柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁造成損壞，選用和所述浮柵結(jié)構(gòu)具有較大蝕刻選擇比的蝕刻方法，可選地，在該步驟中選用至少包含o2的刻蝕氣氛，選用包含o2的刻蝕氣氛不僅可以提高所述氧化物和所述浮柵結(jié)構(gòu)的蝕刻選擇比，而且可以使露出所述側(cè)壁具有更加圓滑的輪廓(roundingprofile)，以提高所述浮柵結(jié)構(gòu)和控制柵結(jié)構(gòu)的耦合效果。

進(jìn)一步，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述蝕刻氣氛除了包含o2以外，還可以進(jìn)一步包含c4f6，c4f8或c5f8或類似富含c的蝕刻氣體，以進(jìn)一步提高所 述浮柵結(jié)構(gòu)和氧化物的蝕刻選擇比，以降低對(duì)所述浮柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的損壞。其中所述浮柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁更加圓滑，而且沒(méi)有缺陷，相對(duì)于其他方法制備的半導(dǎo)體器件性能得到極大提高。

可選地，在露出所述浮柵結(jié)構(gòu)204之后，所述方法還進(jìn)一步包括執(zhí)行濕法清洗的步驟。所述濕法清洗步驟中選用dhf，通過(guò)所述濕法清洗不僅可以減小淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中氧化物的孔洞，而且可以降低所述氧化物表面的粗糙度，以提高器件的性能和良率。

執(zhí)行步驟三，氧化露出的所述浮柵結(jié)構(gòu)，以在所述浮柵結(jié)構(gòu)的表面形成氧化物層205。

具體地，如圖2b所示，在該步驟中所述氧化包括選用o2退火的快速熱氧化、解耦等離子體氧化和生成氧等離子體微波。

其中，在本發(fā)明的一具體實(shí)施方式中選用o2或者含有o2的氣氛對(duì)所述浮柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱處理，所述熱處理溫度在800-1500℃，優(yōu)選為1100-1200℃，處理時(shí)間為2-30min，經(jīng)過(guò)所述處理在所述浮柵結(jié)構(gòu)上形成一層厚度為10～60埃的氧化物層205。

在本發(fā)明的一具體實(shí)施方式中，所述浮柵結(jié)構(gòu)選用多晶硅，因此在所述浮柵結(jié)構(gòu)的表面形成氧化硅層。

執(zhí)行步驟四，去除所述氧化物層，以增加所述浮柵結(jié)構(gòu)之間的所述凹槽的寬度。

具體地，如圖2c所示，在該步驟中通過(guò)預(yù)清洗的方法去除所述氧化物層205，以增加所述凹槽的開(kāi)口。

可選地，在該步驟中以稀釋的氫氟酸dhf(其中包含hf、h2o2以及h2o)對(duì)所述底部晶圓301的表面進(jìn)行預(yù)清洗，以去除所述氧化物層205。

其中，所述dhf的濃度并沒(méi)嚴(yán)格限制，在本發(fā)明中優(yōu)選hf:h2o2:h2o＝0.1-1.5:1:5。

作為替代性實(shí)施例，在該步驟中還可以選擇和所述浮柵結(jié)構(gòu)204具有較大蝕刻選擇比的方法，例如選用siconi制程去除所述氧化物層205，所述siconi制程對(duì)所述氧化物層205具有高度選擇性，所述siconi制程中具體參數(shù)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)工藝需要進(jìn)行選擇，并不局限于某一數(shù)值。

本發(fā)明所述方法在copen步驟之后對(duì)所述浮柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行氧化，以在浮柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的表面形成氧化物層并去除，去除所述氧化物層之后可以 使所述浮柵結(jié)構(gòu)之間的凹槽開(kāi)口進(jìn)一步擴(kuò)大，從而更加有利于控制柵的填充，而且可以避免填充過(guò)程中產(chǎn)生孔洞，同時(shí)還可以保持更寬的有源區(qū)關(guān)鍵尺寸，以獲得更大的單元電流，從而使半導(dǎo)體器件的性能和良率得到進(jìn)一步提高。

執(zhí)行步驟五，在所述凹槽中沉積隔離層206，以覆蓋所述浮柵結(jié)構(gòu)的表面。

具體地，如圖2d所示，在該步驟中所述隔離層206可以選用本領(lǐng)域常用的絕緣材料，例如ono(氧化物-氮化物-氧化物的結(jié)構(gòu)絕緣隔離層)，但是并不局限于所述材料。

其中，所述隔離層206的厚度并不局限于某一數(shù)值范圍。

執(zhí)行步驟六，沉積覆蓋層207，以填充所述凹槽并覆蓋所述浮柵結(jié)構(gòu)，最后在所述覆蓋層上形成控制柵。

具體地，如圖2e所示，在該步驟中沉積覆蓋層207，由于所述浮柵結(jié)構(gòu)之間的凹槽具有較大的開(kāi)口，因此在填充所述覆蓋層的過(guò)程中可以避免形成孔洞的問(wèn)題，很好的解決了隨著器件尺寸減小難以填充的問(wèn)題。

可選地，所述覆蓋層207選用半導(dǎo)體材料層，例如多晶硅，但并不局限于該材料。

在覆蓋層上形成所述控制柵208之前還進(jìn)一步包括回蝕刻所述覆蓋層的步驟。

然后在所述覆蓋層上方形成控制柵材料層，如圖2f所示，其中所述控制柵材料層可以選用和所述浮柵材料層相同的材料，也可以選用不同的材料，例如可以在形成金屬柵極作為控制柵208。

至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制備的相關(guān)步驟的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實(shí)施例的制備方法還可以在上述各個(gè)步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。

實(shí)施例二

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件選用實(shí)施例一所述的方法制備。

所述半導(dǎo)體器體器件包括：

所述半導(dǎo)體襯底201；

淺溝槽隔離，位于所述半導(dǎo)體襯底中，

浮柵結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體襯底上，所述淺溝槽隔離之間；

隔離層，位于所述浮柵上方；

控制柵208，位于所述隔離層上。

其中，所述半導(dǎo)體襯底201可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。

在所述半導(dǎo)體襯底上形成若干浮柵結(jié)構(gòu)，具體地包括以下步驟：

可選地，在所述半導(dǎo)體襯底和所述浮柵結(jié)構(gòu)之間還形成有隧道氧化物層203。所述隧道氧化物的制備包括首先在襯底上進(jìn)行氮離子注入或者摻雜，形成氮化物層，然后對(duì)所述氮化物層進(jìn)行高溫氧化，得到氧化物層，最近進(jìn)行氮化處理，使所述氧化物最上層氮化，得到頂部和底部富含氮的sion結(jié)構(gòu)，所述方法更加容易控制，效率更高，能更好的滿足半導(dǎo)體器件往更小尺寸發(fā)展的需求。

其中，所述半導(dǎo)體器件的浮柵結(jié)構(gòu)的制備過(guò)程中，對(duì)所述浮柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化，以在浮柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的表面形成氧化物層并去除，去除所述氧化物層之后可以使所述浮柵結(jié)構(gòu)之間的凹槽開(kāi)口進(jìn)一步擴(kuò)大，從而更加有利于控制柵的填充，而且可以避免填充過(guò)程中產(chǎn)生孔洞，同時(shí)還可以保持更寬的有源區(qū)關(guān)鍵尺寸，以獲得更大的單元電流，從而使半導(dǎo)體器件的性能和良率得到進(jìn)一步提高。

隔離層206可以選用本領(lǐng)域常用的絕緣材料，例如ono(氧化物-氮化物-氧化物的結(jié)構(gòu)絕緣隔離層)，但是并不局限于所述材料。

其中，所述隔離層206的厚度并不局限于某一數(shù)值范圍。

可選地，所述器件還進(jìn)一步包括覆蓋層207，位于所述所述浮柵結(jié)構(gòu)上方。

可選地，所述覆蓋層207選用半導(dǎo)體材料層，例如多晶硅，但并不局限于該材料。

在覆蓋層上形成所述控制柵之前還進(jìn)一步包括回蝕刻所述覆蓋層的步驟。

然后在所述覆蓋層上方形成控制柵材料層，其中所述控制柵材料層可以選用和所述浮柵材料層相同的材料，也可以選用不同的材料，例如可以在形成金屬柵極作為控制柵。

所述半導(dǎo)體器件在制備過(guò)程中在copen步驟之后對(duì)所述浮柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行氧化，以在浮柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的表面形成氧化物層并去除，去除所述氧化物之后可以使所述浮柵結(jié)構(gòu)之間的凹槽開(kāi)口進(jìn)一步擴(kuò)大，從而更加有利于控制柵的填充，而且可以避免填充過(guò)程中產(chǎn)生孔洞，同時(shí)還可以保持更寬的有源區(qū)關(guān)鍵尺寸，以獲得更大的單元電流，從而使半導(dǎo)體器件的性能和良率得到進(jìn)一步提高。

實(shí)施例三

本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括實(shí)施例二所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件根據(jù)實(shí)施例一所述方法制備得到。

本實(shí)施例的電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、vcd、dvd、導(dǎo)航儀、數(shù)碼相框、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、mp3、mp4、psp等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括電路的中間產(chǎn)品。本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置，由于使用了上述的電路，因而具有更好的性能。

其中，圖3示出移動(dòng)電話手機(jī)的示例。移動(dòng)電話手機(jī)300被設(shè)置有包括在外殼301中的顯示部分302、操作按鈕303、外部連接端口304、揚(yáng)聲器305、話筒306等。

其中所述移動(dòng)電話手機(jī)包括實(shí)施例二所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件copen步驟之后對(duì)所述浮柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行氧化，以在浮柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的表面形成氧化物層并去除，去除所述氧化物之后可以使所述浮柵結(jié)構(gòu)之間的凹槽開(kāi)口進(jìn)一步擴(kuò)大，從而更加有利于控制柵的填充，而且可以避免填充過(guò)程中產(chǎn)生孔洞，同時(shí)還可以保持更寬的有源區(qū)關(guān)鍵尺寸，以獲得更大的單元電流，從而使半導(dǎo)體器件的性能和良率得到進(jìn)一步提高。

本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。