1.一種超結(jié)半導(dǎo)體器件，包括：
結(jié)終端區(qū)域（102），其在半導(dǎo)體主體（106）的第一表面（104）處并至少部分地圍繞有源單元區(qū)域（108），其中所述結(jié)終端區(qū)域（102）的內(nèi)部分（110）布置在所述結(jié)終端區(qū)域（102）的外部分（112）和所述有源單元區(qū)域（108）之間；
電荷補(bǔ)償器件結(jié)構(gòu)，其包括沿著第一橫向方向（x）交替地布置的第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)（114）和第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)（116），第一表面區(qū)域（118）對(duì)應(yīng)于所述第一區(qū)（114）到所述第一表面（104）上的投影，而第二表面區(qū)域（120）對(duì)應(yīng)于所述第二區(qū)（116）到所述第一表面（104）上的投影；以及還包括：
第一結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)（122）和第二結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)（124）中的至少一個(gè)，其中所述第一導(dǎo)電類型的第一摻雜劑構(gòu)成所述第一結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)（122），其中在所述結(jié)終端區(qū)域（102）的所述外部分（112）中，所述第一結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)（122）到所述第一表面（104）上的投影區(qū)域至少部分地被包括在所述第二表面區(qū)域（120）中并至少部分地從所述第一表面區(qū)域（118）排除，以及所述第二導(dǎo)電類型的第二摻雜劑構(gòu)成所述第二結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)（124），其中在所述結(jié)終端區(qū)域（102）的所述內(nèi)部分（110）中，所述第二結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)（124）到所述第一表面（104）上的投影區(qū)域至少部分地被包括在所述第一表面區(qū)域（118）中并至少部分地從所述第二表面區(qū)域（120）排除。
2.如權(quán)利要求1所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，其中所述第二摻雜劑在所述結(jié)終端區(qū)域（102）的所述外部分（112）中缺乏。
3.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，其中所述第一摻雜劑在所述結(jié)終端區(qū)域（102）的所述內(nèi)部分（110）中缺乏。
4.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，其中所述電荷補(bǔ)償器件結(jié)構(gòu)和所述第一結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)（122）在所述結(jié)終端區(qū)域（102）的所述外部分（112）中缺乏。
5.如權(quán)利要求1-3中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，其中所述電荷補(bǔ)償器件結(jié)構(gòu)和所述第二結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)（124）在所述結(jié)終端區(qū)域（102）的所述內(nèi)部分（110）中缺乏。
6.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，還包括所述結(jié)終端區(qū)域（102）的中間部分（111），所述中間部分（111）布置在所述結(jié)終端區(qū)域（102）的所述外部分和內(nèi)部分（112、110）之間，以及其中在所述結(jié)終端區(qū)域（102）的所述中間部分（102）中，所述第一結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)（122）到所述第一表面（104）上的投影區(qū)域至少部分地被包括在所述第二表面區(qū)域（120）中并至少部分地從所述第一表面區(qū)域（118）排除，且所述第二結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)（124）到所述第一表面（104）上的投影區(qū)域至少部分地被包括在所述第一表面區(qū)域（118）中并至少部分地從所述第二表面區(qū)域（120）排除。
7.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，其中所述第一摻雜劑的元素和構(gòu)成所述第一區(qū)（114）的摻雜劑的元素是不同的。
8.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，其中所述第二摻雜劑的元素和構(gòu)成所述第二區(qū)（116）的摻雜劑的元素是不同的。
9.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，其中由在所述有源單元區(qū)域（108）中的所述第一表面（104）處的接觸（138）電連接的源極區(qū)（142）在所述結(jié)終端區(qū)域（102）中缺乏。
10.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，還包括在電連接到所述半導(dǎo)體主體（106）中的源極區(qū)（142）的所述第一表面（104）處的源極接觸（138）以及在與所述第一表面（104）相對(duì)的所述半導(dǎo)體主體（106）的第二表面（148）處的漏極接觸（146），所述漏極接觸（146）電連接到在所述半導(dǎo)體主體（106）中的漏極區(qū)（135）。
11.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，其中所述有源單元區(qū)域（108）由所述結(jié)終端區(qū)域（102）完全圍繞。
12.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，其中所述有源單元區(qū)域（108）包括并聯(lián)連接的多個(gè)晶體管單元。
13.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，其中所述結(jié)終端區(qū)域（102）的延伸部分沿著所述橫向方向（x）在30 μm和1000 μm之間變動(dòng)。
14.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，其中所述第二摻雜劑的劑量在5 x 1011 cm-2和5 x 1012 cm-2之間變動(dòng)。
15.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的超結(jié)半導(dǎo)體器件，還包括所述結(jié)終端區(qū)域（102）的最外面部分（113），其中所述外部分（112）布置在所述最外面部分（113）和所述內(nèi)部分（110）之間，以及其中在所述結(jié)終端區(qū)域（102）的所述最外面部分（113）中，所述第一結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)（122）到所述第一表面（104）上的投影區(qū)域至少部分地被包括在所述第二表面區(qū)域（120）中并至少部分地被包括在所述第一表面區(qū)域（118）中。
16.一種制造超結(jié)半導(dǎo)體器件的方法，包括：
形成在半導(dǎo)體主體（106）中的電荷補(bǔ)償器件結(jié)構(gòu)，所述電荷補(bǔ)償器件結(jié)構(gòu)包括沿著第一橫向方向（x）交替地布置的第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)（114）和第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)（116），第一表面區(qū)域（118）對(duì)應(yīng)于所述第一區(qū)（114）到所述第一表面（104）上的投影，以及第二表面區(qū)域（120）對(duì)應(yīng)于所述第二區(qū)（116）到所述第一表面（104）上的投影，
在所述第一表面（104）上形成第一掩模（170），所述第一掩模（170）至少部分地暴露所述第二表面區(qū)域（120）并至少部分地覆蓋在至少部分地圍繞有源單元區(qū)域（108）的結(jié)終端區(qū)域（102）的外部分（112）中的所述第一表面區(qū)域（118）；
將所述第一導(dǎo)電類型的摻雜劑穿過至少部分地暴露的第二表面區(qū)域（120）引入到所述半導(dǎo)體主體（106）內(nèi)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括：
在所述第一表面（104）上形成第二掩模（171），所述第二掩模（171）至少部分地暴露所述第一表面區(qū)域（118）并至少部分地覆蓋在所述外部分（112）和所述有源單元區(qū)域（108）之間的所述結(jié)終端區(qū)域（102）的內(nèi)部分（110）中的所述第二表面區(qū)域（120）；
將所述第二導(dǎo)電類型的摻雜劑穿過至少部分地暴露的第一表面區(qū)域（118）引入到所述半導(dǎo)體主體（106）內(nèi)。
18.一種制造超結(jié)半導(dǎo)體器件的方法，包括：
形成在半導(dǎo)體主體（106）中的電荷補(bǔ)償器件結(jié)構(gòu)，所述電荷補(bǔ)償器件結(jié)構(gòu)包括沿著第一橫向方向（x）交替地布置的第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)（114）和第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)(116)，第一表面區(qū)域（118）對(duì)應(yīng)于所述第一區(qū)（114）到所述第一表面（104）上的投影，以及第二表面區(qū)域（120）對(duì)應(yīng)于所述第二區(qū)（116）到所述第一表面（104）上的投影，
在所述第一表面（104）上形成第二掩模（171），所述第二掩模（171）至少部分地暴露所述第一表面區(qū)域（118）并至少部分地覆蓋在所述外部分（112）和有源單元區(qū)域（108）之間的結(jié)終端區(qū)域（102）的內(nèi)部分（110）中的所述第二表面區(qū)域（120）；
將所述第二導(dǎo)電類型的摻雜劑穿過至少部分地暴露的第一表面區(qū)域（118）引入到所述半導(dǎo)體主體（106）內(nèi)。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括：
在所述第一表面（104）上形成第一掩模（170），所述第一掩模（170）至少部分地暴露所述第二表面區(qū)域（120）并至少部分地覆蓋在至少部分地圍繞有源單元區(qū)域（108）的結(jié)終端區(qū)域（102）的外部分（112）中的所述第一表面區(qū)域（118）；
將所述第一導(dǎo)電類型的摻雜劑穿過至少部分地暴露的第二表面區(qū)域（120）引入到所述半導(dǎo)體主體（106）內(nèi)。
20.如權(quán)利要求16到19中的任一項(xiàng)所述的方法，其中所述電荷補(bǔ)償器件結(jié)構(gòu)通過多外延生長(zhǎng)技術(shù)來形成。
21.如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成在所述結(jié)終端區(qū)域的內(nèi)部分中的結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)和形成所述電荷補(bǔ)償器件結(jié)構(gòu)包括：
在所述結(jié)終端區(qū)域（102）的所述內(nèi)部分（110）中將所述第二導(dǎo)電類型的摻雜劑引入到所述半導(dǎo)體主體（106）內(nèi)；
從所述第一表面（104）將溝槽形成到所述半導(dǎo)體主體（106）內(nèi)，其中所述溝槽的一部分位于所述內(nèi)部分（110）中，從而移除所述第二導(dǎo)電類型的所述摻雜劑的部分；以及
在所述溝槽中形成第二區(qū)（116）。
22.如權(quán)利要求16到21中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括在所述第一表面處形成源極區(qū)、主體區(qū)和柵極區(qū)以及在與所述第一表面相對(duì)的所述半導(dǎo)體的第二表面處形成漏極區(qū)。