本發(fā)明實施例涉及半導體器件制造技術領域，尤其涉及一種vdmos器件的制作方法。

背景技術：

垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件(verticaldouble-diffusedmetaloxidesemiconductor，簡稱vdmos)由于具有高輸入阻抗、低驅動功率、以及優(yōu)越的頻率特性和熱穩(wěn)定性等特點，廣泛地被應用于開關電源，汽車電子，馬達驅動，高頻振蕩器等多個領域。

在制作vdmos器件的過程中，涉及到源區(qū)的制作工藝，現(xiàn)有技術中一般采用的源區(qū)制作工藝是：通過光刻膠的光刻工藝定義源區(qū)位置，進而進行源區(qū)離子的注入和驅入，以形成源區(qū)。由于vdmos器件的制作過程中，諸如有源區(qū)、體區(qū)等制作過程中大多也涉及到光刻工藝，過多的光刻工藝不但影響器件的制作效率，還提高了器件的制作成本。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種vdmos器件的制作方法，以提高器件的制作效率，降低器件的制作成本。

本發(fā)明實施例提供一種vdmos器件的制作方法，包括：

在基底上形成初始氧化層，所述基底包括自下而上依次形成的襯底和外延層；

對所述初始氧化層進行光刻、刻蝕，生成由相距預設間距、具有預設寬度的多塊初始氧化層定義的有源區(qū)窗口，所述預設間距和所述預設寬度小于預設倍數(shù)的體區(qū)橫向寬度；

進行有源區(qū)離子注入，形成所述器件的有源區(qū)；

在所述器件表面依次生長柵氧層和多晶硅層；

對所述多晶硅層進行光刻、刻蝕；

以所述多晶硅層和所述初始氧化層為阻擋層，依次制作所述器件的體區(qū)和源區(qū)。

具體地，所述預設倍數(shù)為2倍。

具體地，所述以所述多晶硅層和所述初始氧化層為阻擋層，依次制作所述器件的體區(qū)和源區(qū)，包括：

以所述多晶硅層和所述初始氧化層為阻擋層，進行體區(qū)離子的自對準注入和驅入，以形成連續(xù)的體區(qū)。

具體地，所述以所述多晶硅層和所述初始氧化層為阻擋層，依次制作所述器件的體區(qū)和源區(qū)，包括：

以所述多晶硅層和所述初始氧化層為阻擋層，進行源區(qū)離子的自對準注入和驅入，以形成位于所述體區(qū)中的源區(qū)。

進一步地，所述進行有源區(qū)離子注入，形成所述器件的有源區(qū)之后，還包括：

制作所述器件的環(huán)區(qū)。

進一步地，所述以所述多晶硅層和所述初始氧化層為阻擋層，依次制作所述器件的體區(qū)和源區(qū)之后，所述方法還包括：

進行阱區(qū)離子注入，在所述體區(qū)中形成阱區(qū)。

進一步地，所述在所述體區(qū)中形成阱區(qū)之后，所述方法還包括：

在所述器件表面依次生成介質層、接觸孔和金屬層。

本發(fā)明實施例提供的vdmos器件的制作方法，在基底上形成初始氧化層后，對初始氧化層進行光刻、刻蝕，以生成由相距預設間距、具有預設寬度的多塊初始氧化層定義的有源區(qū)窗口，形成器件的有源區(qū)，其中，預設間距和預設寬度小于預設倍數(shù)的體區(qū)橫向寬度，進而在器件表面依次生長柵氧層和多晶硅層，對多晶硅層進行光刻、刻蝕，之后以保留的多晶硅層和具有一定形狀的初始氧化層為阻擋層，依次制作器件的體區(qū)和源區(qū)。通過更改有源區(qū)的光刻圖形，在有源區(qū)內保留一定形狀的初始氧化層，以采用該初始氧化層作為源區(qū)的阻擋層，無需采用光刻的工藝定義源區(qū)位置，節(jié)省了光刻工藝，提高了器件制作效率，節(jié)省了成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明vdmos器件的制作方法實施例一的流程圖；

圖2為執(zhí)行步驟101后的vdmos器件的剖面示意圖；

圖3為執(zhí)行步驟102后的vdmos器件的剖面示意圖；

圖4為執(zhí)行步驟102后的vdmos器件的俯視示意圖；

圖5為執(zhí)行步驟104后的vdmos器件的剖面示意圖；

圖6為執(zhí)行步驟105后的vdmos器件的剖面示意圖；

圖7為執(zhí)行步驟106后的vdmos器件的剖面示意圖；

圖8為執(zhí)行步驟107后的vdmos器件的剖面示意圖；

圖9為本發(fā)明vdmos器件的制作方法實施例二的流程圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

圖1為本發(fā)明vdmos器件的制作方法實施例一的流程圖，如圖1所示，該方法包括以下步驟：

步驟101、在基底上形成初始氧化層，基底包括自下而上依次形成的襯底和外延層。

圖2為執(zhí)行步驟101后的vdmos器件的剖面示意圖，如圖2所示，圖中由n型襯底11和n型外延層12共同構成該器件的基底。在n型外延層12上可以通過熱氧化方式生長一層氧化層，稱為初始氧化層，以13表示。該初始 氧化層的厚度視器件的耐壓要求而定。

步驟102、對初始氧化層進行光刻、刻蝕，生成由相距預設間距、具有預設寬度的多塊初始氧化層定義的有源區(qū)窗口，該預設間距和該預設寬度小于預設倍數(shù)的體區(qū)橫向寬度。

其中，該預設倍數(shù)比如為2倍。

圖3為執(zhí)行步驟102后的vdmos器件的剖面示意圖，如圖3所示，可以在光刻膠的阻擋下，通常采用濕法刻蝕來對初始氧化層13進行光刻、刻蝕，刻蝕掉部分初始氧化層，保留的初始氧化層在基底表面上生成由相距預設間距、具有預設寬度的多塊初始氧化層，從而由這多塊初始氧化層定義出有源區(qū)窗口，如圖4所示，圖4為執(zhí)行步驟102后的vdmos器件的俯視示意圖。

步驟103、進行有源區(qū)離子注入，形成器件的有源區(qū)。

在初始氧化層13的阻擋下，在對器件基底進行有源區(qū)離子注入后，形成有源區(qū)，由于離子擴散作用，有源區(qū)不但對應在有源區(qū)窗口下方，還會擴散至初始氧化層13的下方。由于保留的初始氧化層13的寬度、間距比較窄，因此，由于有源區(qū)離子的擴展作用，可以認為生成了位于基底的整個上部區(qū)域的有源區(qū)。

一般地，有源區(qū)離子注入的能量為50kev-150kev，注入劑量為1e12左右。由于有源區(qū)的濃度很淡，在工藝過程中不單獨顯示。

步驟104、在器件表面依次生長柵氧層和多晶硅層。

圖5為執(zhí)行步驟104后的vdmos器件的剖面示意圖，如圖5所示，在器件的表面上生長一層柵氧化層14，厚度可以在100埃至1500埃之間，視器件的設計而定。

之后，可以采用化學氣相沉積的方式沉積一層多晶硅層15，以作為后續(xù)的導電柵極。一般來說，vdmos器件的柵極材料多為n型多晶硅。

步驟105、對多晶硅層進行光刻、刻蝕。

圖6為執(zhí)行步驟105后的vdmos器件的剖面示意圖，如圖6所示，可以在光刻膠的阻擋下，對多晶硅層進行刻蝕，以形成體區(qū)窗口，之后去除光刻膠。

其中，在對多晶硅層進行刻蝕的過程中，可以僅刻蝕掉多晶硅層，也可 以將多晶硅層和其下面的柵氧層都刻蝕掉。

步驟106、以多晶硅層和初始氧化層為阻擋層，制作器件的體區(qū)。

圖7為執(zhí)行步驟106后的vdmos器件的剖面示意圖，如圖7所示，本實施例中，以保留的多晶硅層15和初始氧化層13為阻擋層，進行體區(qū)離子的自對準注入和驅入，以形成連續(xù)的體區(qū)16。

本實施例中，由于多晶硅層15和初始氧化層13的阻擋，進行體區(qū)離子注入和驅入的過程中，可以采用自對準注入工藝。由于保留的各塊初始氧化層13的間距和寬度都小于2倍的體區(qū)驅入的橫向寬度，由于體區(qū)離子的擴散作用，在相對設置的兩多晶硅層15之間的基底區(qū)域中，可以形成連續(xù)的體區(qū)16。一般來說，體區(qū)離子多采用磷，因此形成了p-體區(qū)。

步驟107、以多晶硅層和初始氧化層為阻擋層，制作器件的源區(qū)。

圖8為執(zhí)行步驟107后的vdmos器件的剖面示意圖，如圖8所示，本實施例中，以保留的多晶硅層15和初始氧化層13為阻擋層，進行源區(qū)離子(n+型離子)的自對準注入和驅入，以形成位于體區(qū)16中的源區(qū)17。

本實施例中，由于多晶硅層15和初始氧化層13的阻擋，進行源區(qū)離子注入和驅入的過程中，可以采用自對準注入工藝。

本實施例中，在基底上形成初始氧化層后，對初始氧化層進行光刻、刻蝕，以生成由相距預設間距、具有預設寬度的多塊初始氧化層定義的有源區(qū)窗口，形成器件的有源區(qū)，其中，預設間距和預設寬度小于預設倍數(shù)的體區(qū)橫向寬度，進而在器件表面依次生長柵氧層和多晶硅層，對多晶硅層進行光刻、刻蝕，之后以保留的多晶硅層和具有一定形狀的初始氧化層為阻擋層，依次制作器件的體區(qū)和源區(qū)。通過更改有源區(qū)的光刻圖形，在有源區(qū)內保留一定形狀的初始氧化層，以采用該初始氧化層作為源區(qū)的阻擋層，無需采用光刻的工藝定義源區(qū)位置，節(jié)省了光刻工藝，提高了器件制作效率，節(jié)省了成本。

圖9為本發(fā)明vdmos器件的制作方法實施例二的流程圖，如圖9所示，在圖1所示實施例的基礎上，在步驟103之后，還可以包括如下步驟201：

步驟201、制作器件的環(huán)區(qū)。

該環(huán)區(qū)的制作工藝可以采用現(xiàn)有工藝實現(xiàn)，本實施例不贅述。

在步驟107之后，還可以包括如下步驟202和203：

步驟202、進行阱區(qū)離子注入，在體區(qū)中形成阱區(qū)。

本實施例中，為了調節(jié)體區(qū)電阻，改善器件的eas能力，在形成源區(qū)17后，進一步在體區(qū)16中通過離子注入，注入p型離子，以形成阱區(qū)。

步驟203、在器件表面依次生成介質層、接觸孔和金屬層。

對于介質層、接觸孔、金屬層的制作工藝，可以參考現(xiàn)有工藝執(zhí)行，本實施例不贅述。

最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。