技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置。所述方法包括：提供第一襯底，在所述第一襯底的第一表面一側(cè)形成包括晶體管和第一互連結(jié)構(gòu)的前端器件，以及位于所述晶體管外側(cè)的第二互連結(jié)構(gòu)，在所述第一表面上還形成有接合材料層；提供第二襯底，在所述第二襯底的表面上形成有捕獲層；通過鍵合工藝將所述捕獲層與所述接合材料層鍵合，以使所述第二襯底與所述第一襯底相接合。其中所述捕獲層和所述接合材料層之間具有良好的接合性能，從而使所述第一襯底和所述第二襯底的鍵合性能進一步提高，因此提高了器件的性能和良率。

技術(shù)研發(fā)人員：李海艇;葛洪濤;孫曉;房蘇陽
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.05
技術(shù)公布日：2017.11.14