本申請涉及集成電路，特別是涉及包括電感器的集成電路。

背景技術(shù)：

通常，電子振蕩電路用于生成重復(fù)振蕩電子信號。常規(guī)的儲能電路(即，LC振蕩器電路)是包括耦合到電容器的電感器的調(diào)諧電路。電荷流通過電感器從電容器極板來回流動，因此調(diào)諧電路可以儲存在其諧振頻率振蕩的電能。放大器電路補償了儲能電路中小的損耗從而維持振蕩。通常，品質(zhì)因數(shù)Q代表相對于其中心頻率的諧振器帶寬。參照圖1，一個典型的并聯(lián)儲能電路的品質(zhì)因數(shù)可以表示為Q＝1/(ω_oL_TANKG_loss)，其中ω_o是儲能電路的諧振角頻率，L_TANK是電感系數(shù)，并且G_loss表示由電感器、電容器、和放大器負載產(chǎn)生的導(dǎo)電損耗。高Q值表示相對于諧振器所存儲能量的、較低的能量損失率，即振蕩消失較慢。通過提供一個與導(dǎo)電損耗(G_loss)相等和相反的跨導(dǎo)-G_m，放大器能夠以儲能器的諧振頻率以及由放大器確定的振幅來無限地維持振蕩。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

已公開了一種用于減小電感器系統(tǒng)串聯(lián)電阻的技術(shù)，其可以增加電感器系統(tǒng)的品質(zhì)因數(shù)。在本發(fā)明的至少一個實施例中，一種裝置包括了從第一導(dǎo)電層形成的導(dǎo)電回路。導(dǎo)電回路包括第一端子和第二端子。第一端子包括在第一導(dǎo)電層中的至少一個第一導(dǎo)電指。第二端子包括在第一導(dǎo)電層中的至少一個第二導(dǎo)電指。至少一個第二導(dǎo)電指與至少一個第一導(dǎo)電指叉指(interdigitated)但兩者沒有直接接觸。該裝置可以包括在第一導(dǎo)電層的蛇形(serpentine)間隙。蛇形間隙可以設(shè)置在第一端子和第二端子之間，并且可以具有恒定的寬度。該裝置可包括至少一個第一導(dǎo)電通孔，其分別耦合到第二導(dǎo)電層和至少一個第一導(dǎo)電指。該裝置可以包括至少一個第二導(dǎo)電通孔，其分別耦合到第二導(dǎo)電層和至少一個第二導(dǎo)電指。第一導(dǎo)電層可以比第二導(dǎo)電層厚。第一導(dǎo)電層可以具有比第二導(dǎo)電層低的電阻率。裝置可以包括形成在第二導(dǎo)電層中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的至少一個實施例中，一種制造集成電路的方法包括形成在襯底上的第一導(dǎo)電層。該方法包括從第一導(dǎo)電層形成導(dǎo)電回路。導(dǎo)電回路包括第一端子和第二端子。第一端子包括至少一個第一導(dǎo)電指。第二端子包括至少一個第二導(dǎo)電指。至少一個第二導(dǎo)電指與所述至少一個第一導(dǎo)電指叉指，但兩者沒有直接接觸。形成導(dǎo)電回路可以包括在第一導(dǎo)電層中形成具有恒定寬度的蛇形間隙，并且蛇形間隙可以設(shè)置在第一端子和第二端子之間。該方法可以包括形成在襯底上的第二導(dǎo)電層。第二導(dǎo)電層可以設(shè)置在襯底和第一導(dǎo)電層之間。該方法可以包括形成至少一個第一導(dǎo)電通孔，其分別耦合到第二導(dǎo)電層以及至少一個第一導(dǎo)電指。該方法可包括形成至少一個第二導(dǎo)電通孔，其分別耦合到第二導(dǎo)電層以及至少一個第二導(dǎo)電指。第一導(dǎo)電層可以具有比第二導(dǎo)電層低的電阻率。

在本發(fā)明的至少一個實施例中，一種裝置包括從襯底上的第一導(dǎo)電層形成的導(dǎo)電回路。導(dǎo)電回路包括第一端子和第二端子。導(dǎo)電回路包括在第一導(dǎo)電層中的蛇形間隙。蛇形間隙形成于第一端子和第二端子之間。該裝置可包括至少一個第一導(dǎo)電通孔，其分別耦合到第二導(dǎo)電層和第一端子。該裝置可以包括至少一個第二導(dǎo)電通孔，其分別耦合到第二導(dǎo)電層和第二端子。第一導(dǎo)電層可以具有比第二導(dǎo)電層低的電阻率。

附圖說明

通過參考附圖，本發(fā)明可以更好地被理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員能清楚地了解本發(fā)明的多個目的、特征和優(yōu)點。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的示例性LC振蕩電路的示例性原理圖/框圖。

圖2示出了示例性平面電感器結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖3示出了與本發(fā)明的至少一個實施例一致的、在襯底上形成的電感器結(jié)構(gòu)的一部分的橫截面圖。

圖4示出了與本發(fā)明的至少一個實施例一致的示例性平面電感器結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖5示出了與本發(fā)明的至少一個實施例一致的示例性雙回路電感器結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖6示出了與本發(fā)明的至少一個實施例一致的、圖5中的示例性雙回路電感器結(jié)構(gòu)的端子的詳細視圖。

圖7示出了一種示例性并聯(lián)雙回路電感器結(jié)構(gòu)，其根據(jù)與本發(fā)明的至少一個實施例一致的集成電路制造過程的設(shè)計規(guī)則來制造。

圖8示出了一種示例性并聯(lián)雙回路電感器結(jié)構(gòu)，其根據(jù)與本發(fā)明的至少一個實施例一致的集成電路制造過程的設(shè)計規(guī)則來制造。

圖9示出了一種示例性串聯(lián)雙回路電感器結(jié)構(gòu)，其根據(jù)與本發(fā)明的至少一個實施例一致的集成電路制造過程的設(shè)計規(guī)則來制造。

圖10示出了一種示例性多回路電感器結(jié)構(gòu)，其根據(jù)與本發(fā)明的至少一個實施例一致的集成電路制造過程的設(shè)計規(guī)則來制造。

在不同附圖中使用相同的參考符號表示相似的或相同的項目。

具體實施方式

參照圖1，集成電路管芯包括LC振蕩器電路，如電路100，其包括形成儲能電路102的電感器104和電容器106，以及增益級108。與諧振電路相關(guān)聯(lián)的品質(zhì)因數(shù)(即Q_RESONANT)描述了電路以諧振頻率產(chǎn)生大輸出功率的能力以及描述了電路的選擇性。Q_RESONANT可以受到被包括在諧振電路中的電感器的品質(zhì)因數(shù)(即Q_L)嚴(yán)重影響。通常，電感器(其被模型為與電阻串聯(lián)的電感)的品質(zhì)因數(shù)Q_L為：

$Q_L=\frac{\mathrm{\ω}L}{R}$

其中ω是振動的角頻率，是L電感器的電感，R是電感器的有效串聯(lián)電阻。隨著導(dǎo)電回路電阻的增加，Q_L減小。在便攜式應(yīng)用中，與較低Q值的系統(tǒng)相比，較高Q值的系統(tǒng)消耗較少的電能，并因此延長可電池壽命。

通常，電感器包括輸入端、輸出端、和線圈，該線圈設(shè)置在輸入端與輸出端之間并有電流在其中旋轉(zhuǎn)流過。線圈將電感引入電路，以產(chǎn)生磁通量。如在本文中所指出的，線圈是至少具有圍繞芯區(qū)空間的分數(shù)量匝數(shù)的導(dǎo)體。示例性線圈的單獨一匝可以通過用位置矢量尖端跟蹤的曲線來定義，例如R(t)＝x(t)i+y(t)i+z(t)k，從t＝a至t＝b。如在本文中所指出的，線圈的一整匝由曲線的一部分來定義，曲線的這一部分為t從0至2π。然而，示例性線圈可以有任意數(shù)量的整數(shù)匝或分數(shù)匝。例如，小于一整匝，即R(t)，其中0＜t＜2π，可以形成線圈。鑒于現(xiàn)代集成電路設(shè)計的限制，具有良好的品質(zhì)因數(shù)(Q_L)的小型電感器很難設(shè)計。傳統(tǒng)上，集成電路的電感器被設(shè)計為形成平面回路的金屬跡線(例如，螺旋電感器)。

參照圖2，示例性集成電路電感器包括導(dǎo)電回路200，其是從設(shè)置在半導(dǎo)體襯底212上的導(dǎo)電層形成的平面回路。通常，因為電感是面積的函數(shù)，并且等效串聯(lián)電阻趨近于在低襯底損耗條件下(例如，電感器以下的高襯底電阻率)的周長的函數(shù)，環(huán)狀導(dǎo)體被用于實現(xiàn)電感器，從而最大化電感與電阻的比率。導(dǎo)體的回路形狀導(dǎo)致電感器的橫截面積與周長的比率最大，并因此最大化了電感器的Q值。

參照圖2和圖3，導(dǎo)電回路200形成于導(dǎo)電層802中。導(dǎo)電層802具有低電阻率，并且可以是在集成電路制造過程中最上面的金屬層。在至少一個實施例中，導(dǎo)電層802是形成在半導(dǎo)體襯底816上的超厚層。通常，超厚層可以包括在集成電路襯底上形成的介電層和導(dǎo)電層，所述集成電路襯底在(如果有的話)任何鈍化層以下并且在(如果有的話)任何集成電路的接合墊以下。然而，在沒有鈍化層或接合墊情況下，超厚層可以形成在集成電路管芯上。典型地，超厚層的厚度比形成在集成電路棧下層的典型的介電層和導(dǎo)電層的厚度要大得多。例如，集成電路的典型的導(dǎo)電層814的厚度小于1μm。然而，示例性超厚導(dǎo)電層中的導(dǎo)電層802的厚度為至少3.3μm，與其相對應(yīng)的介電層的厚度是至少0.65μm。超厚的介電層可以包括氮化硅、氧氮化合物、氧化硅、或其它合適的材料。超厚的導(dǎo)電層可以包括鋁、銅、多晶硅、或其它合適的導(dǎo)電材料。

在本發(fā)明的至少一個實施例中，超厚導(dǎo)電層通過過渡層或改善可制造性的層與傳統(tǒng)集成電路層間隔開(例如，典型的導(dǎo)體層814和813)。過渡導(dǎo)電層810的厚度小于超厚導(dǎo)電層的厚度，但是大于傳統(tǒng)導(dǎo)電層813或傳統(tǒng)導(dǎo)電層814的厚度。過渡層可以包括厚的導(dǎo)電層和厚的介電層，并且可以由任何合適的材料(例如，氮化硅、氧氮化合物、氧化硅、鋁、銅、多晶硅)制成。典型的制造技術(shù)極少采用超厚導(dǎo)電層，并限制這些層作為頂部的金屬化層。典型的超厚導(dǎo)電層由具有導(dǎo)電率比形成下導(dǎo)電層的導(dǎo)電材料(例如，由鋁形成的1μm厚的過渡層)高的導(dǎo)電材料制成(例如，3μm厚的銅)。

通常，由于可制造性的原因(例如，應(yīng)力導(dǎo)致脫層)，典型的集成電路制造過程中不疊加多個超厚的導(dǎo)電層。因此，在超厚的導(dǎo)電層以下的下一個相鄰導(dǎo)電層通常具有較小的厚度和/或由不同的材料制成，這導(dǎo)致下一個相鄰導(dǎo)電層的電阻率比用于形成導(dǎo)電回路200的導(dǎo)電層的電阻率高。然而，導(dǎo)電回路200的物理設(shè)計和相關(guān)聯(lián)的連接結(jié)構(gòu)導(dǎo)致在下一個相鄰導(dǎo)電層中大量的電荷流路由，這將增加與導(dǎo)電回路200串聯(lián)的電阻并影響(比如，降低)所得系統(tǒng)的Q值。

形成在過渡導(dǎo)電層810的導(dǎo)體可以用于形成一個或多個電容器。該一個或多個電容器可以包括晶體管電容器，并且可以與一個或多個放大器一起在集成電路的有源區(qū)域中形成。一個或多個電容器可以是其它集成電路電容器，例如，“手指”電容器，由多個密集間隔的、大體平行的金屬線形成，即“手指”。手指交替耦合形成電容器極板。耦合到電感器的電容器或其它集成電路元件可以形成在集成電路的導(dǎo)電層的任意組合中，并且通過導(dǎo)電通孔耦合到電感器200的任何適當(dāng)部分以提供合適的電流通路。

理想情況是，導(dǎo)電回路202不與任何電阻串聯(lián)耦合。然而，由于超厚導(dǎo)電層的材料具有有限的導(dǎo)電性，并且集成電路的下導(dǎo)電層具有比超厚層低的導(dǎo)電性(例如，由于較小的厚度和/或低導(dǎo)電性材料的使用造成的)，使用這些下導(dǎo)電層將電感器電耦合到其它集成電路元件可以大大增加與導(dǎo)電回路200串聯(lián)的電阻，并因此降低了相關(guān)聯(lián)電感器系統(tǒng)的Q值。

仍然參照圖2，導(dǎo)電回路200包括導(dǎo)電材料的間隙，以方便在導(dǎo)電回路200中產(chǎn)生電流，例如：利用導(dǎo)電回路200的端子從而將導(dǎo)電回路200耦合到典型地形成在電感器以下的、相關(guān)聯(lián)的電路。例如，一個或多個電容器和/或一個或多個放大器并聯(lián)耦合到導(dǎo)電回路200。在導(dǎo)電回路200的至少一個實施例中，間隙206具有大致恒定的寬度，并且導(dǎo)體202和204形成在導(dǎo)電回路200下方的導(dǎo)電層中，并且分別通過導(dǎo)電通孔210和導(dǎo)電通孔208耦合到導(dǎo)電回路200。雖然導(dǎo)電通孔210和導(dǎo)電通孔208中的每一個都被示意為單獨的導(dǎo)電通孔，但是多個導(dǎo)電通孔可以用來減小每個相應(yīng)導(dǎo)電通孔的串聯(lián)電阻。在至少一個實施例中，導(dǎo)體202和導(dǎo)體204形成平行板電容器的極板。導(dǎo)體202通過導(dǎo)電通孔210耦合到導(dǎo)電回路200的第一端子(例如，正端子)，導(dǎo)體204通過導(dǎo)電通孔208耦合到導(dǎo)電回路200的第二端子(例如，負端子)。

在電感系統(tǒng)的至少一個實施例中，導(dǎo)體202和導(dǎo)體204具有梳狀幾何構(gòu)造，該梳狀幾何構(gòu)造形成手指電容器，而不是平行板電容器。例如，導(dǎo)體202包括一梳狀結(jié)構(gòu)，該梳狀結(jié)構(gòu)包括的導(dǎo)電指與導(dǎo)體204的梳狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電指相互叉指的、但是沒有物理接觸。導(dǎo)體202和導(dǎo)體204形成在導(dǎo)電回路200的超厚導(dǎo)電層下方的過渡層或傳統(tǒng)集成電路層(如上所述)中。

一種用于更有效地分配電感系統(tǒng)的電流和減小電感系統(tǒng)的串聯(lián)電阻的技術(shù)包括在導(dǎo)電層中增加的電荷流路由，所述導(dǎo)電層包括導(dǎo)電回路。在電感器的超厚導(dǎo)電層中形成兩個或更多個導(dǎo)電指，這增加了導(dǎo)電回路的邊緣，從而減少電流擁擠的影響。導(dǎo)電指可以形成梳狀的導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)。形成在電感器以下的導(dǎo)體可以在與電感器端子的超厚導(dǎo)電指正交的方向上延伸，并在一個或多個電容器和導(dǎo)電線回路形成的電感器之間形成更強大的電連接。例如，參考圖4，導(dǎo)電回路300包括端子301，其包括的第一導(dǎo)電指大致沿導(dǎo)電回路的內(nèi)圓周切向地延伸，并與端子303的第二導(dǎo)電指平行延伸。因而，端子301和端子303在導(dǎo)電回路300中形成不規(guī)則的間隙。端子301和303的幾何形狀在端子301和303之間形成間隙306。例如，間隙306可以具有鋸齒形或蛇形的形狀。這樣的幾何形狀增加導(dǎo)電回路的導(dǎo)電層(例如，超厚導(dǎo)電層)中的電荷流路由，并減少在導(dǎo)電回路以下的其它較高電阻率的導(dǎo)電層(例如，在超厚的導(dǎo)電層下方的過渡導(dǎo)電層或其它較高電阻率的導(dǎo)電層)中的電荷流路由。端子301和303分別耦合到導(dǎo)電通孔310和308，該導(dǎo)電通孔310和308分別將端子301和303耦合到下導(dǎo)電層中的導(dǎo)體304和302。導(dǎo)體304和302形成在包括導(dǎo)電回路300的導(dǎo)電層下方的導(dǎo)電層中。導(dǎo)體304和302可以形成平行板電容器或手指電容器，并且相比圖2中的導(dǎo)體202和204，所述導(dǎo)體304和302可以要求電荷流在較高電阻率材料中行進更短的距離。導(dǎo)體304和302相對于導(dǎo)電回路的中心大致徑向地設(shè)置，并且相比于圖2中的大致切向設(shè)置的導(dǎo)體，其可以相應(yīng)地減少電流干擾。

在至少一個實施例中包括附加的導(dǎo)體302和導(dǎo)體304，并且導(dǎo)體302和導(dǎo)體304可以按交替的位置設(shè)置，并使用多個導(dǎo)電通孔308和310連接到導(dǎo)電回路300的各個端子上。電流擁擠是通過導(dǎo)體的電流密度的非均勻分配。電流傾向于在導(dǎo)體的邊緣，如內(nèi)周和外周，以及在接觸點的附近聚集。這種電流擁擠限制了導(dǎo)體的可用橫截面面積，增加了串聯(lián)電阻，并且是依賴于頻率的。

因此，相比于包括圖2的導(dǎo)電回路200的系統(tǒng)的串聯(lián)電阻，端子301和303的幾何形狀和與導(dǎo)體302和304的相互連接減小了包括導(dǎo)電回路300的系統(tǒng)的串聯(lián)電阻。例如，導(dǎo)電回路200下方的導(dǎo)體中的100μm的電荷流路由僅在導(dǎo)電回路300下方的導(dǎo)體中的10μm電荷流上路由，這導(dǎo)致了串聯(lián)電阻減小大約一個數(shù)量級。要注意的是，雖然利用叉指的導(dǎo)電指可能降低電感器的Q_L，并且不會是制作單單一個高Q值電感器的設(shè)計選擇，但是整體電感系統(tǒng)的串聯(lián)電阻的相應(yīng)減小對系統(tǒng)的Q值的影響大于對Q_L的影響，并且導(dǎo)致包括導(dǎo)電回路200的系統(tǒng)的Q值凈增加。

通常，諧振電路的Q_RESONANT與來自外部源的干擾成反比。一種用于減少對電感器結(jié)構(gòu)的電磁干擾的影響的技術(shù)，其包括使用雙回路布置實現(xiàn)電感器結(jié)構(gòu)。參照圖5，在至少一個實施例中，電感器使用兩個并聯(lián)的導(dǎo)電回路(例如，導(dǎo)電回路401和導(dǎo)電回路403)形成。雙回路布置不易受到外部電磁干擾(例如，特別是遠場干擾源)，因為在一個這樣的線圈(例如，導(dǎo)電回路401或?qū)щ娀芈?03)中的感應(yīng)電流被其它線圈(例如，分別為導(dǎo)電回路403或?qū)щ娀芈?01)中反方向的感應(yīng)電流所抵消。在至少一個實施例中，導(dǎo)電回路的端子(例如，圖4中示出的導(dǎo)電回路300或圖4中示出的導(dǎo)電回路400的雙回路布置的端子)包括導(dǎo)電梳狀結(jié)構(gòu)，其具有至少兩個導(dǎo)電指(例如，導(dǎo)電指402和導(dǎo)電指406)與第二端子的導(dǎo)電梳狀結(jié)構(gòu)相應(yīng)的導(dǎo)電指(例如，導(dǎo)電指404和導(dǎo)電指408)叉指，但沒有直接的物理接觸。叉指的導(dǎo)電指被間隔開，以形成可以具有恒定的寬度和蛇形或鋸齒形形狀的間隙。叉指的導(dǎo)電指可以被間隔開，以形成具有變化的寬度和蛇形或鋸齒形形狀的間隙。在至少一個實施例中，叉指的導(dǎo)電指本身具有不同的寬度，并且可以形成具有變化的寬度的間隙。該間隙可以填充介電材料(例如，氧化物、氮化物或其它合適的電絕緣材料)或氣體(例如，空氣)。該間隙可以小到與制造設(shè)計規(guī)則所允許的一樣小，例如，在其中形成間隙的導(dǎo)電層的厚度級別，或可以是達到制造設(shè)計規(guī)則所允許的最小間隔的十倍。

圖6示出圖5的導(dǎo)電雙回路布置的區(qū)域410的詳細視圖。該詳細視圖還示出形成在包括導(dǎo)電回路的導(dǎo)電層下方的導(dǎo)電層中的導(dǎo)體。導(dǎo)體520和524由導(dǎo)電通孔526、528、534和536耦合到導(dǎo)電回路的第一端子的導(dǎo)電指。導(dǎo)體522通過導(dǎo)電通孔530和532耦合到第二端子的導(dǎo)電指。要注意的是，其它實施例包括導(dǎo)電回路的其它數(shù)量的導(dǎo)電指、導(dǎo)電通孔和具有比所述導(dǎo)電回路層的導(dǎo)電性低的層中的導(dǎo)體。其它數(shù)量的導(dǎo)電指可以相對于所述導(dǎo)電回路成不同的角度，并且可以具有不同的寬度。此外，其它數(shù)量的導(dǎo)電回路可以并聯(lián)或串聯(lián)耦合以形成具有目標(biāo)電感的電感器結(jié)構(gòu)。

雖然圓環(huán)形導(dǎo)電回路具有目標(biāo)的面積周長比，但是圓環(huán)形回路的制造可能在典型的集成電路制造技術(shù)中并不可行。因此，圓環(huán)形導(dǎo)電回路可以近似于具有其它幾何形狀的導(dǎo)電回路的物理設(shè)計。例如，參考圖7和8，導(dǎo)電回路600和導(dǎo)電回路700分別具有八邊形形狀和矩形形狀，其可以通過允許形成多個45度的角度的導(dǎo)電線的制造技術(shù)和形成只有90度的角度的導(dǎo)電線的制造技術(shù)分別實現(xiàn)。然而，要注意的是，也可以使用其它幾何形狀。

在導(dǎo)電回路的至少一個實施例中，與圖7和8所示的形成將兩個導(dǎo)電回路并聯(lián)耦合的并聯(lián)導(dǎo)電雙回路布置不同，兩個導(dǎo)電回路是串聯(lián)耦合的。參照圖9，導(dǎo)電雙回路布置900包括導(dǎo)電回路902，其與導(dǎo)電回路904串聯(lián)耦合。導(dǎo)電回路902和導(dǎo)電回路904可以在最頂層的導(dǎo)電層(例如，超厚的導(dǎo)電層)上形成，并且導(dǎo)體部分906可以在包括導(dǎo)電回路902和導(dǎo)電回路904的導(dǎo)電層下方的導(dǎo)電層(例如，過渡導(dǎo)電層)中形成。導(dǎo)電回路的端子設(shè)置在雙回路布置的一端。例如，雖然導(dǎo)電指908和910可以設(shè)置在導(dǎo)電回路902或?qū)щ娀芈?04上的不同位置，但是導(dǎo)電指908和910設(shè)置在距離導(dǎo)體部分906最遠的一端。示例性串聯(lián)雙回路布置可以增加大約四倍于與圖7類似的并聯(lián)雙回路布置電感的電感。

在至少一個實施例中，導(dǎo)電回路的端子(例如，圖4示出的導(dǎo)電回路300或圖4示出的導(dǎo)電回路400的雙回路布置的端子)包括具有至少兩個導(dǎo)電指的導(dǎo)電梳狀結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)電指402和導(dǎo)電指406)，與第二端子的導(dǎo)電梳狀結(jié)構(gòu)的相對應(yīng)導(dǎo)電指(例如，導(dǎo)電指404和導(dǎo)電指408)叉指，但是沒有直接的物理接觸。

在導(dǎo)電回路的至少一個實施例中，附加的導(dǎo)電回路可被用于實現(xiàn)特定應(yīng)用的目標(biāo)電感。例如，參考圖10，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1000包括彼此并聯(lián)耦合的兩個雙回路導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。共享的部分1010和1012將導(dǎo)電回路1002和1008以及導(dǎo)電回路1004和1006的電流分別組合。導(dǎo)電回路1002和導(dǎo)電回路1008中流動的電流在相反方向上轉(zhuǎn)動，導(dǎo)電回路1004和導(dǎo)電回路1006中流動的電流在相反方向上轉(zhuǎn)動，從而減少了電磁干擾的敏感性。

因此，減小電感電路的串聯(lián)電阻的導(dǎo)電回路的多種實施例已經(jīng)被公開。在描述本發(fā)明的實施例時，已經(jīng)對電路和物理結(jié)構(gòu)進行了通常情況下的假定，已廣為公認的是，在現(xiàn)代半導(dǎo)體設(shè)計和制造中，物理結(jié)構(gòu)和電路可以按計算機可讀的描述性形式實現(xiàn)，以適合于在隨后的設(shè)計、模擬、測試或制造階段使用。在示例性配置中，被表現(xiàn)為離散組件的結(jié)構(gòu)和功能可實現(xiàn)為組合的結(jié)構(gòu)或組件。本發(fā)明的多種實施例被考慮為包括電路、電路系統(tǒng)、相關(guān)的方法和有形的計算機可讀介質(zhì)，該有形的計算機可讀介質(zhì)具有關(guān)于所有如本文所述的并如在所附的權(quán)利要求中定義的此類電路、系統(tǒng)和方法的編碼(例如，VHSIC硬件描述語言(VHDL)、Verilog、GDSII數(shù)據(jù)、電子設(shè)計交換格式(EDIF)和/或Gerber文件)。此外，計算機可讀介質(zhì)可以存儲可用于實現(xiàn)本發(fā)明的指令以及數(shù)據(jù)。所述指令/數(shù)據(jù)可以關(guān)于硬件、軟件、固件或其組合。

此處所闡述的本發(fā)明的說明書是說明性的，并且無意于限制以下權(quán)利要求書中闡述的本發(fā)明的范圍。例如，雖然本發(fā)明已經(jīng)在實施例中進行了描述，其中集成電路電感器被包括在一個振蕩器電路中，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，本文的教導(dǎo)可以用于集成傳感器，該集成傳感器形成為濾波電路、低噪放大器電路、用于傳感器應(yīng)用的集成換能器、用于隔離應(yīng)用的集成換能器、或其它被包括在集成電路上的電感器的電路的一部分。本文所公開的實施例的變化和修改，可以基于此處所闡述的說明書作出，而不脫離以下權(quán)利要求書中闡述的本發(fā)明的范圍和核心思想。