本文中描述的實(shí)施例大體上涉及磁阻設(shè)備和用于制造磁阻設(shè)備的方法，包括磁阻傳感器和制造這樣的傳感器的方法。

背景技術(shù)：

磁阻設(shè)備可以基于一個(gè)或多個(gè)磁阻技術(shù)——例如包括隧道磁阻（TMR）、巨磁阻（GMR）、各向異性磁阻（AMR）和/或如（一個(gè)或多個(gè)）相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它磁阻技術(shù)——所述一個(gè)或多個(gè)磁阻技術(shù)可以被統(tǒng)稱為xMR技術(shù)?？梢允褂酶鞣N電氣觸點(diǎn)配置例如電流在平面內(nèi)（CIP）配置或者電流垂直于平面（CPP）配置來配置磁阻技術(shù)。在CIP配置中，電流在設(shè)置于設(shè)備的同一側(cè)上的電氣觸點(diǎn)之間與磁阻設(shè)備的層系統(tǒng)平行流動(dòng)，而在CPP配置中，電流在設(shè)置于設(shè)備的相對(duì)側(cè)上的電氣觸點(diǎn)之間與層系統(tǒng)垂直流動(dòng)。

附圖說明

被合并在本文中并且形成說明書的一部分的附圖圖示出本公開的實(shí)施例，并且與描述一起進(jìn)一步用于解釋實(shí)施例的原理以及使相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠做出和使用所述實(shí)施例。

圖1A和1B圖示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的磁阻層結(jié)構(gòu)的示意性橫截面圖。

圖2A-2D圖示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的用于制造磁阻設(shè)備的方法的橫截面圖。

圖3A-3D圖示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的用于制造磁阻設(shè)備的方法的橫截面圖。

將參考附圖描述本公開的示例性實(shí)施例。其中元素首次出現(xiàn)的附圖通常由對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)中的（一個(gè)或多個(gè)）最左數(shù)位指示。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中，闡述了大量特定的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本公開的實(shí)施例的透徹理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見的是，可以在沒有這些特定的細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐包括結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)和方法的實(shí)施例。本文中的描述和表示是被本領(lǐng)域的技術(shù)人員或有經(jīng)驗(yàn)人員使用來向本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員最有效地傳達(dá)他們的工作的實(shí)質(zhì)的常見手段。在其它實(shí)例中，未詳細(xì)描述公知的方法、規(guī)程、部件和電路，以避免不必要地使本公開的實(shí)施例模糊不清。

圖1A和1B分別圖示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的磁阻層結(jié)構(gòu)100A和100B的示意性橫截面圖。出于本公開的目的，磁阻層結(jié)構(gòu)也可以被稱為“磁阻堆疊”或者“xMR堆疊”。

圖1A圖示出具有底部自旋值（BSV）配置的磁阻層結(jié)構(gòu)的示意性橫截面圖。在BSV配置中，自由層70被設(shè)置在釘扎層30之上，如圖1A中所圖示的那樣。圖1B圖示出具有頂部自旋值（TSV）配置的磁阻層結(jié)構(gòu)的示意性橫截面圖。在TSV配置中，釘扎層30被設(shè)置在自由層70之上，如圖1B中所圖示的那樣。

在示例性實(shí)施例中，磁阻層結(jié)構(gòu)100A和100B可以每個(gè)包括種子層10、反鐵磁層20、釘扎層30、耦接層40、參考層50、間隔層60、自由層70和覆蓋層80。在另一示例性實(shí)施例中，磁阻層結(jié)構(gòu)100A和/或磁阻層結(jié)構(gòu)100B可以省略覆蓋層80。例如，磁阻層結(jié)構(gòu)100A和/或磁阻層結(jié)構(gòu)100B可以包括種子層10、反鐵磁層20、釘扎層30、耦接層40、參考層50、間隔層60和自由層70。

在如圖1A中所圖示的BSV配置中，反鐵磁層20被設(shè)置在種子層10上，釘扎層30被設(shè)置在反鐵磁層20上，耦接層40被設(shè)置在釘扎層30上，參考層50被設(shè)置在耦接層40上，間隔層60被設(shè)置在參考層50上，以及自由層70被設(shè)置在間隔層60上。在包括覆蓋層80的示例性實(shí)施例中，覆蓋層80被設(shè)置在自由層70上。

在如圖1B中所圖示的TSV配置中，自由層70被設(shè)置在種子層10上，間隔層60被設(shè)置在自由層70上，參考層50被設(shè)置在間隔層60上，耦接層40被設(shè)置在參考層50上，以及釘扎層30被設(shè)置在耦接層40上，反鐵磁層20被設(shè)置在釘扎層30上。在包括覆蓋層80的示例性實(shí)施例中，覆蓋層80被設(shè)置在反鐵磁層20上。

在示例性實(shí)施例中，對(duì)于TSV和BSV配置類似地，各種層中的兩層或更多層可以與彼此平行或者基本上平行。例如，自由層70可以與種子層10、間隔層60、參考層50、耦接層40、釘扎層30、反鐵磁層20和/或覆蓋層80平行或者基本上平行。

種子層10可以包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：例如，Cu、CuN、Ru、Ta、TaN、NiFe、NiCr、NiFeCr和/或如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。種子層10可以具有例如5 nm的厚度。

反鐵磁層20可以包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：例如，PtMn、NiMn、IrMn和/或如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。反鐵磁層20可以具有范圍例如從3到50 nm的厚度或者范圍例如從10到30 nm的厚度。在示例性實(shí)施例中，反鐵磁層20具有例如15 nm的厚度。

釘扎層30可以包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：例如，CoFe、CoFeB、CoFeNi、NiFe和/或如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。釘扎層30可以具有范圍例如從1到5 nm的厚度或者范圍例如從2到3 nm的厚度。在示例性實(shí)施例中，釘扎層30具有例如2 nm的厚度。

耦接層40可以包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：例如，Ru、Ta、Ti、TiN、Cu、Cr、CuN和/或如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。耦接層40可以具有范圍例如從0.5到3 nm的厚度。在示例性實(shí)施例中，耦接層40具有例如1 nm的厚度。

參考層50可以包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：例如，CoFe、CoFeB、NiFe、CoFeNi和/或如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。參考層50可以具有范圍例如從1到5 nm的厚度或者范圍例如從2到3 nm的厚度。在示例性實(shí)施例中，參考層50具有例如2 nm的厚度。

間隔層60可以包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：例如，氧化鎂（MgO）、氧化鋁（Al₂O₃）、氧化鉿（HfO）和/或如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。在GMR技術(shù)中，間隔層60可以是例如銅（Cu）和/或如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。間隔層60可以具有范圍例如從0.5到4 nm的厚度。在示例性實(shí)施例中，間隔層60具有例如 1nm的厚度。

自由層70可以包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：例如，CoFe、CoFeB、CoFeNi、NiFe、這些層中的一層或多層的組合——諸如例如CoFe/Ru/NiFe——和/或如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。自由層70可以具有范圍例如從1到5 nm的厚度或者范圍例如從2到3 nm的厚度。在示例性實(shí)施例中，自由層70具有例如3 nm的厚度。

覆蓋層80可以包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：例如，Ru、Ta、TaN和/或如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。覆蓋層80可以具有范圍例如從3-50 nm的厚度。在示例性實(shí)施例中，覆蓋層80具有例如5 nm的厚度。

各種層的材料和/或復(fù)合物不限于本文中討論的示例性材料和/或復(fù)合物，以及所述層中的一層或多層可以包括如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它復(fù)合物和/或材料。類似地，各種層的厚度和厚度范圍不限于本文中討論的示例性厚度值，以及所述層中的一層或多層可以具有如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的不同厚度。

圖2A-2D示意地圖示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的用于制造磁阻設(shè)備的方法200的橫截面圖。

在圖2A中，提供了基底205?；?05可以包括電絕緣材料或者由電絕緣材料制成，所述電絕緣材料例如包括二氧化硅（SiO₂）、氮化硅（Si₃N₄）和/或如相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。在其它實(shí)施例中，基底205可以包括電介質(zhì)材料或者由電介質(zhì)材料制成。

繼續(xù)參考圖2A，磁阻層結(jié)構(gòu)210被提供和設(shè)置在基底205上，硬掩模215被提供和設(shè)置在磁阻層結(jié)構(gòu)210上，以及光致抗蝕劑220被提供和設(shè)置在硬掩模215上。在一些示例中，磁阻層結(jié)構(gòu)100A或者磁阻層結(jié)構(gòu)100B可以是磁阻層結(jié)構(gòu)210的實(shí)施例。

可以使用一個(gè)或多個(gè)沉積過程來沉積磁阻層結(jié)構(gòu)210和/或硬掩模215，所述一個(gè)或多個(gè)沉積過程例如包括物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和/或如相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它沉積過程。

在圖2B中，硬掩模215的部分被去除。在示例性實(shí)施例中，可以使用一個(gè)或多個(gè)蝕刻過程來去除硬掩模215的部分，所述一個(gè)或多個(gè)蝕刻過程例如包括反應(yīng)離子蝕刻（RIE）、深層RIE、離子束蝕刻、一個(gè)或多個(gè)其它等離子體蝕刻過程、一個(gè)或多個(gè)化學(xué)蝕刻過程和/或如相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它蝕刻過程。在一些示例中，在暴露磁阻層結(jié)構(gòu)210之前停止去除/蝕刻過程，由此在磁阻層結(jié)構(gòu)210的頂部上留下硬掩模215的部分216。通過在適當(dāng)?shù)奈恢昧粝掠惭谀?15的部分216，磁阻層結(jié)構(gòu)210不被暴露到去除/蝕刻過程。因此，可以保護(hù)磁阻層結(jié)構(gòu)210免于可能由去除/蝕刻處理引入/引起的例如腐蝕、其它破壞性反應(yīng)和/或雜質(zhì)。

圖2C圖示出去除光致抗蝕劑220之后的磁阻設(shè)備的形成。在本示例中，已在如圖2B中所圖示的硬掩模215的部分的去除之后去除光致抗蝕劑220。

在圖2D中，磁阻設(shè)備的形成經(jīng)受可以去除以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)的去除過程：（1）先前由光致抗蝕劑220保護(hù)的硬掩模215的至少部分；（2）硬掩模215的部分216；以及（3）底層磁阻層結(jié)構(gòu)210（例如在部分216之下的磁阻層結(jié)構(gòu)210的部分）。對(duì)底層磁阻層結(jié)構(gòu)210的去除可以暴露基底205的部分。在一些示例中，在去除底層磁阻層結(jié)構(gòu)210期間所暴露的基底205的部分中的至少一些也可以在去除過程期間被去除。

在示例性實(shí)施例中，去除過程可以包括蝕刻過程，所述蝕刻過程例如包括濺射蝕刻、氣相蝕刻、一個(gè)或多個(gè)化學(xué)蝕刻過程和/或如相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它蝕刻過程。在一些實(shí)施例中，如圖2B中所圖示的硬掩模215的蝕刻過程可以與如圖2D中所圖示的硬掩模215、磁阻層結(jié)構(gòu)210和基底205的蝕刻過程不同。例如，如圖2B中所圖示的硬掩模215的蝕刻過程可以是反應(yīng)蝕刻過程（例如RIE、離子束蝕刻等），以及硬掩模215、磁阻層結(jié)構(gòu)210和基底205的蝕刻可以是非反應(yīng)蝕刻過程（例如濺射蝕刻、氣相蝕刻等）。

在示例性實(shí)施例中，如圖2D中所示出的硬掩模215、磁阻層結(jié)構(gòu)210和基底205的蝕刻可以在單獨(dú)的蝕刻過程中被執(zhí)行。然而，所述層中的兩層或更多層的蝕刻可以在同一蝕刻過程中被執(zhí)行，或者所有這些層的蝕刻可以在單個(gè)蝕刻過程中被執(zhí)行。

在去除硬掩模215和磁阻層結(jié)構(gòu)210的對(duì)應(yīng)部分之后，形成了磁阻設(shè)備。在一些實(shí)施例中，磁阻設(shè)備包括作為磁阻層結(jié)構(gòu)210的磁阻層結(jié)構(gòu)100A或者磁阻層結(jié)構(gòu)100B。

在本示例中，并且如圖2D中所圖示的，與在圖2D中的去除處理之前的硬掩模215的厚度（H1）（例如圖2C中）相比，硬掩模215的厚度（H2）已被減小（即，H2 < H1）。還可以去除硬掩模215的邊緣，從而創(chuàng)建一個(gè)或多個(gè)刻面（facet）230。此外，圖2D中的去除處理可以導(dǎo)致位于被去除的磁阻層結(jié)構(gòu)210下面的基底的部分也被去除。在本示例中，刻面的程度可以受在圖2B中所圖示的蝕刻過程之后留下的硬掩模215的量（例如部分216）的影響。例如，隨著部分216的厚度增加，由圖2D中所圖示的蝕刻過程引起的（一個(gè)或多個(gè)）刻面230可以也增加。即，部分216的增加可能需要用于去除剩余的硬掩模215（部分216）和底層磁阻層結(jié)構(gòu)210的蝕刻過程的增加，由此增加（一個(gè)或多個(gè)）刻面230。在一些情況下，過度刻面可能將磁阻層結(jié)構(gòu)210暴露于可能由蝕刻硬掩模215引入/引起的潛在腐蝕性或其它破壞性的反應(yīng)和/或雜質(zhì)。相反地，通過去除硬掩模210的更大厚度（例如減少剩余的部分216），將底層磁阻層結(jié)構(gòu)210暴露于腐蝕性或其它破壞性反應(yīng)和/或雜質(zhì)的可能性可能也增加。

圖3A-3D示意地圖示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的用于制造磁阻設(shè)備的方法300的橫截面圖。

在圖3A中，提供了基底305?；?05可以包括電絕緣材料或者由電絕緣材料制成，所述電絕緣材料例如包括二氧化硅（SiO₂）、氮化硅（Si₃N₄）和/或如相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。在其它實(shí)施例中，基底305可以包括電介質(zhì)材料或者由電介質(zhì)材料制成。

繼續(xù)參考圖3A，磁阻層結(jié)構(gòu)310被提供和設(shè)置在基底305上，蝕刻停止層（ESL）350被提供和設(shè)置在磁阻層結(jié)構(gòu)310上，硬掩模315被提供和設(shè)置在ESL 350上，以及光致抗蝕劑320被提供和設(shè)置在硬掩模315上。在一些示例中，磁阻層結(jié)構(gòu)100A或者磁阻層結(jié)構(gòu)100B可以是磁阻層結(jié)構(gòu)310的實(shí)施例。

在示例性實(shí)施例中，ESL 350可以包括以下各項(xiàng)或者由以下各項(xiàng)制成：例如，氧化鎂（MgO）、氧化鋁（Al₂O₃）、氮化鋁（AlN）、氧化鈦（TiO₂）、氧化鋯（ZrO₂）、氧化鉿（HfO₂）和/或如相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。在其它實(shí)施例中，ESL 350可以包括以下各項(xiàng)或者由以下各項(xiàng)制成：例如，銅（Cu）、鋁（Al）和/或如相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它材料和/或復(fù)合物。例如，在TMR技術(shù)中，ESL 350可以是金屬的，并且包括Cu、Al等或者由Cu、Al等制成。在GMR技術(shù)中，ESL 350可以包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)或者由以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)制成：MgO、Al₂O₃、AlN、TiO₂、ZrO₂、HfO₂等。

ESL 350的組成可以被選擇為使得ESL 350對(duì)一種類型的去除過程有抵抗力，同時(shí)對(duì)另一個(gè)去除過程有較小抵抗力。例如，ESL 350可以被配置為，對(duì)例如反應(yīng)蝕刻過程（例如反應(yīng)離子蝕刻（RIE）、離子束蝕刻等）具有高抵抗力，同時(shí)對(duì)非反應(yīng)蝕刻過程（例如濺射蝕刻、氣相蝕刻等）具有低抵抗力。在一些實(shí)施例中，與硬掩模315相比，ESL 350可以對(duì)于去除/蝕刻過程具有更低的抵抗力。

ESL 350可以具有例如1-5 nm、2-4 nm、1-3 nm、2-3 nm的厚度和/或如相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的另一厚度。相比之下，硬掩模315可以具有例如100-300 nm的厚度，以及磁阻層結(jié)構(gòu)310可以具有例如50 nm的厚度。即，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，硬掩模315和磁阻層結(jié)構(gòu)310可以具有例如是ESL 350的厚度至少10倍的厚度。

在示例性實(shí)施例中，ESL 350被設(shè)置在例如磁阻層結(jié)構(gòu)100A或者磁阻層結(jié)構(gòu)100B的覆蓋層80上。在其它實(shí)施例中，ESL 350可以被設(shè)置在磁阻層結(jié)構(gòu)100A、100B中的覆蓋層80與底層自由層70/反鐵磁層20之間。在其它實(shí)施例中，磁阻層結(jié)構(gòu)100A或者磁阻層結(jié)構(gòu)100B可以省略覆蓋層80，以及ESL 350可以分別被設(shè)置在自由層70或者反鐵磁層20上。在本示例中，ESL 350除了起蝕刻停止層的作用之外可以起覆蓋層80的作用。

可以使用一個(gè)或多個(gè)沉積過程來沉積磁阻層結(jié)構(gòu)310、ESL 350和/或硬掩模315，所述一個(gè)或多個(gè)沉積過程例如包括物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和/或如相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它沉積過程。

在圖3B中，硬掩模315的部分被去除以暴露ESL 350的底層部分。在本示例中，硬掩模315的整個(gè)厚度可以被去除，這與其中硬掩模215的部分216不被去除的圖2B中所圖示的去除過程不同。在本示例中，對(duì)ESL 350的包括允許去除硬掩模315的整個(gè)厚度，同時(shí)保護(hù)磁阻層結(jié)構(gòu)310免于去除過程。例如，可以保護(hù)磁阻層結(jié)構(gòu)310免于可能由去除/蝕刻處理引入/引起的例如腐蝕、其它破壞性反應(yīng)和/或雜質(zhì)。

在示例性實(shí)施例中，可以使用一個(gè)或多個(gè)蝕刻過程來去除硬掩模315的部分，所述一個(gè)或多個(gè)蝕刻過程例如包括反應(yīng)離子蝕刻（RIE）、深層RIE、離子束蝕刻、一個(gè)或多個(gè)其它等離子體蝕刻過程、一個(gè)或多個(gè)化學(xué)蝕刻過程和/或如相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它蝕刻過程。

圖3C圖示出在完成對(duì)硬掩模315的部分的去除之后的磁阻設(shè)備的形成。在本示例中，光致抗蝕劑320也已在對(duì)硬掩模315的部分的去除之后被去除。

在圖3D中，磁阻設(shè)備的形成經(jīng)受可以去除以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)的去除過程：（1）先前受光致抗蝕劑320保護(hù)的硬掩模315的至少部分；（2）ESL 350；以及（3）底層磁阻層結(jié)構(gòu)310。對(duì)ESL 350和底層磁阻層結(jié)構(gòu)310的去除可以暴露基底305的部分。在一些示例中，在去除過程期間還可以去除在去除底層磁阻層結(jié)構(gòu)310期間所暴露的基底305的部分中的至少一些。

通過包括包含比剩余的硬掩模部分（例如圖2B中的216）更小的厚度和/或與硬掩模315相比具有減小的對(duì)去除/蝕刻過程的抵抗力的ESL 350，當(dāng)與圖2D中所圖示的類似去除處理相比時(shí)，圖3D中所圖示的去除處理的程度可以被減小。例如，與圖2D中所圖示的去除處理相比，圖3D中所圖示的去除處理可以在更短的時(shí)間段內(nèi)和/或以減小的強(qiáng)度被實(shí)施。

在示例性實(shí)施例中，去除過程可以包括一個(gè)或多個(gè)蝕刻過程，所述一個(gè)或多個(gè)蝕刻過程例如包括濺射蝕刻、氣相蝕刻、一個(gè)或多個(gè)化學(xué)蝕刻過程和/或如相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的一個(gè)或多個(gè)其它蝕刻過程。在一些實(shí)施例中，如圖3B中所圖示的硬掩模315的蝕刻過程可以與如圖3D中所圖示的蝕刻ESL 350、磁阻層結(jié)構(gòu)310和基底305的蝕刻過程不同。例如，如圖3B中所圖示的硬掩模315的蝕刻過程可以是反應(yīng)蝕刻過程（例如RIE、離子束蝕刻等），以及ESL 350、磁阻層結(jié)構(gòu)310和基底305的蝕刻可以是非反應(yīng)蝕刻過程（例如濺射蝕刻、氣相蝕刻等）。

在示例性實(shí)施例中，可以在單獨(dú)的蝕刻過程中執(zhí)行如圖3D中所示出的硬掩模315、磁阻層結(jié)構(gòu)310、ESL 350和基底305的蝕刻。然而，可以在同一蝕刻過程中執(zhí)行所述層中的兩層或更多層的蝕刻，或者可以在單個(gè)蝕刻過程中執(zhí)行所有這些層的蝕刻。

在去除ESL 350和磁阻層結(jié)構(gòu)310之后，形成磁阻設(shè)備。在一些實(shí)施例中，磁阻設(shè)備包括作為磁阻層結(jié)構(gòu)310的磁阻層結(jié)構(gòu)100A或者磁阻層結(jié)構(gòu)100B。

在本示例中，并且如圖3D中所圖示的，去除處理將硬掩模315的厚度（H3）減小到硬掩模315的厚度（H4）。然而，因?yàn)閳D3D中所圖示的去除處理的程度作為所包括的ESL 350的結(jié)果而與圖2D中所圖示的類似處理相比可以被降低，所以剩余的硬掩模315的厚度（H4）比圖2D中所圖示的硬掩模215的厚度（H2）更大。即，因?yàn)閳D3B中所圖示的去除處理去除硬掩模315的整個(gè)厚度并且暴露ESL 350，以及因?yàn)镋SL 350可以被配置為具有比硬掩模215/315更小的厚度（例如部分216的厚度）和/或比硬掩模215/315更低的對(duì)去除處理的抵抗力，所以用于去除磁阻層結(jié)構(gòu)310的隨后去除處理（例如圖3D）的程度可以比圖2D中所圖示的類似去除處理更小。

因此，硬掩模315的比圖2D中所圖示的對(duì)應(yīng)硬掩模215的更多剩余并且形成磁阻設(shè)備的一部分。即，硬掩模315的厚度（H4）比圖2D中所圖示的對(duì)應(yīng)硬掩模215的厚度（H2）更大。此外，還可以去除硬掩模315的邊緣，從而創(chuàng)建一個(gè)或多個(gè)刻面330。然而，如圖3D中所圖示的，由于用在圖3D中所圖示的磁阻設(shè)備的形成中的去除處理的減少，刻面330可以比圖2D中所圖示的實(shí)施例的刻面230更小。在本示例中，對(duì)ESL 350的包括可以允許如圖3B中所圖示的硬掩模315的完全去除，同時(shí)減少和/或消除將底層磁阻層結(jié)構(gòu)310向可能由硬掩模315的蝕刻引入/引起的潛在腐蝕性或其它破壞性的反應(yīng)和/或雜質(zhì)的暴露。此外，通過如完全去除圖3B中所示出的硬掩模315的（一個(gè)或多個(gè)）部分，由于如圖3D中所示出的用于去除ESL 350和底層磁阻層結(jié)構(gòu)310的隨后蝕刻過程的減少，結(jié)果產(chǎn)生的刻面330可以被減少。

結(jié)論

特定實(shí)施例的前述描述將如此充分地展現(xiàn)本公開的一般性質(zhì)，以至于其他人可以在沒有過度試驗(yàn)和不脫離本公開的一般概念的情況下，通過應(yīng)用本領(lǐng)域技能內(nèi)的知識(shí)容易地修改這樣的特定實(shí)施例和/或使這樣的特定實(shí)施例適應(yīng)各種應(yīng)用。因此，基于本文中提出的教導(dǎo)和指導(dǎo)，這樣的適應(yīng)和修改旨在在所公開的實(shí)施例的等價(jià)物的意義和范圍內(nèi)。應(yīng)當(dāng)理解，本文中的措辭或者術(shù)語出于描述而非限制的目的，使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)按照所述教導(dǎo)和指導(dǎo)解釋本說明書的術(shù)語或者措辭。

在本說明書中對(duì)“一個(gè)實(shí)施例（one embodiment）”、“實(shí)施例（an embodiment）”、“一個(gè)示例性實(shí)施例”等的參考指示所描述的實(shí)施例可以包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或者特性，但是每個(gè)實(shí)施例可以不必包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或者特性。此外，這樣的短語不必指代同一實(shí)施例。另外，當(dāng)結(jié)合實(shí)施例描述特定的特征、結(jié)構(gòu)或者特性時(shí)，主張其在本領(lǐng)域的技術(shù)人員的知識(shí)內(nèi)以結(jié)合其它實(shí)施例（不論是否被明確描述）對(duì)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或者特性起作用。

本文中描述的示例性實(shí)施例被提供用于說明性目的并且不是限制性的。其它示例性實(shí)施例是可能的，并且可以對(duì)示例性實(shí)施例做出修改。因此，本說明書將不意在限制本公開。替代地，僅根據(jù)所附權(quán)利要求及其等價(jià)物來定義本公開的范圍。

上文已借助于圖示出指定的功能及其關(guān)系的實(shí)施方式的功能構(gòu)建塊描述了本公開。為了描述的方便，在本文中已任意地定義了這些功能構(gòu)建塊的邊界。只要指定的功能及其關(guān)系被適當(dāng)?shù)貓?zhí)行，則可以定義可替換的邊界。