技術(shù)總結(jié)
提供了制造半導(dǎo)體襯底的方法以及用于半導(dǎo)體生長(zhǎng)的襯底。所述制造半導(dǎo)體襯底的方法可以包括：在生長(zhǎng)襯底上形成緩沖層；在所述緩沖層中形成多個(gè)開口，所述多個(gè)開口穿過所述緩沖層并且彼此分隔開；在所述生長(zhǎng)襯底上形成多個(gè)腔，所述多個(gè)腔排列為分別對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)開口；在所述緩沖層上生長(zhǎng)半導(dǎo)體層，生長(zhǎng)所述半導(dǎo)體層包括用所述半導(dǎo)體層填充所述多個(gè)開口；以及將所述緩沖層和所述半導(dǎo)體層從所述生長(zhǎng)襯底分離，其中所述生長(zhǎng)襯底與所述緩沖層之間的分界處的所述多個(gè)開口中的每一個(gè)的直徑小于所述分界處的所述多個(gè)腔中的每一個(gè)的直徑。

技術(shù)研發(fā)人員：樸永煥;姜三默;金峻淵;金美賢;金柱成;卓泳助
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201610364734
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.27
技術(shù)公布日：2016.12.07