本申請要求2015年5月29日提交的韓國專利申請第10-2015-0076674號(hào)的權(quán)益，其通過引用并入本文中如在本文中完全陳述一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置，并且更具體地涉及頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光裝置并且具有低功耗、快速響應(yīng)時(shí)間、高的發(fā)光效率、高亮度以及寬視角。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置根據(jù)從有機(jī)發(fā)光器件發(fā)射的光的傳輸方向分為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。在底部發(fā)光型中，電路元件設(shè)置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間，并且為此，開口率降低。另一方面，在頂部發(fā)光型中，電路元件不設(shè)置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間，并且因此提高了開口率。

圖1是相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖。

如圖1所示，在基板10上的有源區(qū)AA中形成有包括有源層11、柵極絕緣層12、柵電極13、層間電介質(zhì)14、源電極15和漏電極16的薄膜晶體管(TFT)層T，并且在TFT層T上依次形成有鈍化層20和平坦化層30。

在平坦化層30上形成有陽極電極40和輔助電極50。輔助電極50降低了以下將描述的陰極電極80的電阻。

在陽極電極40和輔助電極50上形成有堤部60并且堤部60限定像素區(qū)。在由堤部60限定的像素區(qū)中形成有有機(jī)發(fā)光層70，并且在有機(jī)發(fā)光層70上形成有陰極電極80。

在頂部發(fā)光型中，從有機(jī)發(fā)光層70發(fā)射的光通過陰極電極80傳播。 因此，陰極電極80由透明導(dǎo)電材料形成，并且為此，陰極電極80的電阻增加。為了降低陰極電極80的電阻，將陰極電極80連接至輔助電極50。

在基板10上的焊盤區(qū)PA中形成有柵極絕緣層12和層間電介質(zhì)14，在層間電介質(zhì)14上形成有信號(hào)焊盤90，并且在信號(hào)焊盤90上形成有鈍化層20。在鈍化層20中形成有孔，并且通過該孔將信號(hào)焊盤90暴露于外部。因?yàn)樾盘?hào)焊盤90應(yīng)連接至外部驅(qū)動(dòng)電路，所以在鈍化層20中形成孔，并且通過孔將信號(hào)焊盤90暴露于外部。

相關(guān)技術(shù)頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有以下問題。

因?yàn)樾盘?hào)焊盤90應(yīng)連接至外部驅(qū)動(dòng)電路，所以信號(hào)焊盤90的頂部暴露于外部。因此，信號(hào)焊盤90的頂部被腐蝕，并且腐蝕被擴(kuò)展到另一區(qū)域。為了防止信號(hào)焊盤90的頂部被腐蝕，可以在信號(hào)焊盤90的頂部上進(jìn)一步形成耐腐蝕性良好的金屬層，但是在這種情況下，要另外地執(zhí)行單獨(dú)的工藝。另外，為了防止信號(hào)焊盤90的頂部被腐蝕而不需要另外地執(zhí)行單獨(dú)的工藝，可以通過同一工藝在信號(hào)焊盤90上形成與陽極電極40相同的電極層，但是在這種情況下，不能防止通過電極層的一側(cè)進(jìn)行的腐蝕。

另外，為了將信號(hào)焊盤90連接至外部驅(qū)動(dòng)電路，在鈍化層20中形成孔，并且通過孔將信號(hào)焊盤90的頂部露出。然而，如果孔預(yù)先形成在鈍化層20中，則用于形成陽極電極40的蝕刻劑流入孔中損傷信號(hào)焊盤90。為了防止損傷，鈍化層20的用于露出信號(hào)焊盤90的頂部的孔可以在形成陽極電極40的圖案的工藝完成之后執(zhí)行，但是在這種情況下，要另外地執(zhí)行單獨(dú)的掩模工藝。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明旨在提供一種基本上消除由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或更多個(gè)問題的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明的一個(gè)方面旨在提供一種使附加的工藝的數(shù)目最小化并且防止信號(hào)焊盤被腐蝕的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

除了本發(fā)明的前述目的之外，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在以下描述，并且根據(jù)下面的描述將被本領(lǐng)域技術(shù)人員所清楚地理解。

本發(fā)明的另外的優(yōu)點(diǎn)和特征將部分地在隨后的描述中闡述，將在本領(lǐng)域技術(shù)人員研究下面的內(nèi)容時(shí)部分地變得明顯，或者可以通過本發(fā)明的實(shí) 踐而獲知這些優(yōu)點(diǎn)和特征。通過在書面描述及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。

如在本文中所實(shí)施和寬泛描述的那樣，為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：基板，其包括有源區(qū)和焊盤區(qū)；在基板的有源區(qū)中的薄膜晶體管(TFT)，TFT包括柵電極；在TFT上的陽極電極；在陽極電極上的有機(jī)發(fā)光層；在有機(jī)發(fā)光層上的陰極電極；輔助電極，其連接至陰極電極并且設(shè)置在與陽極電極的層相同的層上；在基板的焊盤區(qū)中的信號(hào)焊盤，信號(hào)焊盤設(shè)置在與柵電極的層相同的層上；以及焊盤電極，其連接至信號(hào)焊盤以覆蓋信號(hào)焊盤的頂部來用于防止信號(hào)焊盤的頂部被腐蝕。

在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，包括：在基板的有源區(qū)中形成薄膜晶體管(TFT)并且在基板的焊盤區(qū)中形成信號(hào)焊盤和連接至信號(hào)焊盤的第一焊盤電極；在TFT和第一焊盤電極上形成鈍化層；在鈍化層上形成平坦化層；去除鈍化層的某些區(qū)域以同時(shí)形成通過其將TFT暴露于外部的區(qū)域以及形成通過其將第一焊盤電極暴露于外部的區(qū)域；形成連接至TFT的第一陽極電極、與第一陽極電極隔開的第一輔助電極以及連接至第一焊盤電極并且覆蓋所露出的第一焊盤電極的第二焊盤電極；以及形成覆蓋第一陽極電極的頂表面和側(cè)表面的第二陽極電極以及覆蓋第一輔助電極的頂表面和側(cè)表面的第二輔助電極。

應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的前述一般描述和下面的詳細(xì)描述均是示例性和說明性的并且旨在提供對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步理解。

附圖說明

本申請包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且附圖被并入本申請并構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方案并且與描述一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是相關(guān)技術(shù)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖；以及

圖3A至圖3J是示出制造根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的過程截面圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施方案，其實(shí)例在附圖中示出。只要有可能，貫穿附圖將使用相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)記相同或相似的部分。

根據(jù)參照附圖所描述的以下的實(shí)施方案，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征，以及其實(shí)現(xiàn)方法將是清楚的。然而，可以以不同的形式實(shí)施本發(fā)明并且本發(fā)明不應(yīng)該被理解為限于本文所陳述的實(shí)施方案。而是，提供這些實(shí)施方案使得本公開內(nèi)容變得全面和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。另外，本發(fā)明僅通過權(quán)利要的范圍進(jìn)行限定。

在附圖中的用于描述本發(fā)明的實(shí)施方案的形狀、尺寸、比例、角度以及數(shù)目僅是示例，因而，本發(fā)明不限于所示出的細(xì)節(jié)。貫穿說明書相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。在下面的描述中，在確定相關(guān)公知功能和配置的詳細(xì)描述會(huì)不必要地混淆本發(fā)明要點(diǎn)的情況下，將省略詳細(xì)描述。在使用在本說明書中描述的“包括”、“具有”以及“包含”的情況下，除非使用“僅”，否則可以添加有另一部分。單數(shù)形式的術(shù)語可以包括復(fù)數(shù)形式，除非提到相反。

在理解元件時(shí)，盡管沒有明確地說明，但是元件應(yīng)該為理解為包括誤差范圍。

在描述位置關(guān)系時(shí)，例如，在兩個(gè)部分之間的位置關(guān)系描述為“在…上”、“在…上方”、“在…下”以及“緊鄰”的情況下，除非使用“只是”或“直接”，否則可以在這兩個(gè)部分之間設(shè)置有一個(gè)或更多個(gè)其他部分。

在描述時(shí)間關(guān)系時(shí)，例如，在時(shí)間順序被描述為“在…之后”、“隨后”、“然后”以及“在…之前”的情況下，除非使用“只是”或“直接”，否則可以包括不連續(xù)的情況。

應(yīng)該理解的是，盡管在本文中可以使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個(gè)元件與另一個(gè)元件。例如，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，并且類似地，第二元件可以被稱為第一元件。

本發(fā)明的各種實(shí)施方案的特征可以部分或者完全地彼此組合或彼此結(jié)合，并且彼此可以進(jìn)行各種相互操作以及技術(shù)地驅(qū)動(dòng)，如本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠充分理解的那樣。本發(fā)明的實(shí)施方案可以彼此獨(dú)立地執(zhí)行或者可以以相互依存的關(guān)系一起執(zhí)行。

下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方案。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的截面圖。

如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100可以包括設(shè)置在基板100上的有源區(qū)AA和焊盤區(qū)PA。

在基板100上的有源區(qū)AA中可以形成有薄膜晶體管(TFT)層T、鈍化層165、平坦化層170、第一陽極電極180、第二陽極電極200、第一輔助電極190、第二輔助電極210、堤部220、隔壁230、有機(jī)發(fā)光層240以及陰極電極250。

TFT層T可以包括有源層110、柵極絕緣層120、柵電極130、層間電介質(zhì)140、源電極150以及漏電極160。

在基板100上可以形成有源層110以與柵電極130交疊。有源層110可以由基于硅的半導(dǎo)體材料形成，或者可以由基于氧化物的半導(dǎo)體材料形成。盡管未示出，但是可以在基板100與有源層110之間進(jìn)一步形成遮光層，并且在這種情況下，通過基板100的底部入射的外部光被遮光層阻擋，從而防止有源層110被外部光損傷。

在有源層110上可以形成有柵極絕緣層120。柵極絕緣層120可以將有源層110與柵電極130絕緣。柵極絕緣層120可以由無機(jī)絕緣材料例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多層形成，但是不限于此。柵極絕緣層120可以延伸至焊盤區(qū)PA。

在柵極絕緣層120上可以形成有柵電極130。柵電極130可以形成為與有源層110交疊，在柵電極130與有源層110之間具有柵極絕緣層120。柵電極130可以由包含鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)以及銅(Cu)或其合金之一的單層或多層形成，但是不限于此。

柵電極130可以包括下柵電極131和上柵電極132。

下柵電極131可以形成在柵極絕緣層120與上柵電極132之間以增強(qiáng)柵極絕緣層120與上柵電極132之間的粘合力。另外，下柵電極131防止上柵電極132的底部被腐蝕。因此，下柵電極131的氧化速率可以小于上柵電極132的氧化速率。也就是說，下柵電極131可以由比包含在上柵電極132中的材料更耐腐蝕的材料形成。如上所述，下柵電極131可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

上柵電極132可以形成在下柵電極131的頂部上并且可以由銅(Cu)形成，但是不限于此。為了降低柵電極130的總電阻，上柵電極132的厚度可以形成為比下柵電極131的厚度厚。

在柵電極130上可以形成有層間電介質(zhì)140。層間電介質(zhì)140可以由與柵極絕緣層120的材料相同的無機(jī)絕緣材料形成，例如層間電介質(zhì)140可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多層形成，但是不限于此。層間電介質(zhì)140可以延伸至焊盤區(qū)PA。

在層間電介質(zhì)140上可以形成有彼此面對(duì)的源電極150和漏電極160。在柵極絕緣層120和層間電介質(zhì)140中可以包括露出有源層110的一個(gè)端部區(qū)域的第一接觸孔CH1和露出有源層110的另一端部區(qū)域的第二接觸孔CH2。源電極150可以通過第二接觸孔CH2連接至有源層110的另一端部區(qū)域，漏電極160可以通過第一接觸孔CH1連接至有源層110的一個(gè)端部區(qū)域。

源電極150可以包括下源電極151和上源電極152。

下源電極151可以形成在層間電介質(zhì)140與上源電極152之間以增強(qiáng)層間電介質(zhì)140與上源電極152之間的粘合力。另外，下源電極151保護(hù)上源電極152的底部，從而防止上源電極152的底部被腐蝕。因此，下源電極151的氧化速率可以小于上源電極152的氧化速率。也就是說，下源電極151可以由比包含在上源電極152中的材料更耐腐蝕的材料形成。如上所述，下源電極151可以用作粘合力增強(qiáng)層或防腐蝕層并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

上源電極152可以形成在下源電極151的頂部上。上源電極152可以由具有低電阻的金屬Cu形成，但是不限于此。上源電極152可以由比下源電極151的電阻相對(duì)較低的金屬形成。為了降低源電極150的總電阻，上源電極152的厚度可以形成為比下源電極151的厚度厚。

與以上所描述的源電極150類似，漏電極160可以包括下漏電極161和上漏電極162。

下漏電極161可以形成在層間電介質(zhì)140與上漏電極162之間以增強(qiáng)層間電介質(zhì)140與上漏電極162之間的粘合力并且防止上漏電極162的底部被腐蝕。因此，下漏電極161的氧化速率可以小于上漏電極162的氧化速率。也就是說，下漏電極161可以由比包含在上漏電極162中的材料更耐腐蝕的材料形成。如上所述，下漏電極161可以由與以上所描述的下源 電極151的材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

上漏電極162可以形成在下漏電極161的頂部上并且可以由與以上所描述的上源電極152的材料相同的材料Cu形成，但是不限于此。上漏電極162的厚度可以形成為比下漏電極161的厚度厚，從而降低漏電極160的總電阻。

上漏電極162可以由與上源電極152的材料相同的材料形成，以具有與上源電極152的厚度相同的厚度，下漏電極161可以由與下源電極151的材料相同的材料形成，以具有與下源電極151的厚度相同的厚度。在這種情況下，漏電極160和源電極150可以通過同一工藝同時(shí)形成。

TFT T的結(jié)構(gòu)不限于所示出的結(jié)構(gòu)，并且可以以各種方式被更改為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的結(jié)構(gòu)。例如，在附圖中示出了其中柵電極130形成在有源層110上的頂柵極結(jié)構(gòu)，但是TFT T可以形成在其中柵電極130形成在有源層110下方的底柵極結(jié)構(gòu)中。

在TFT層T上并且更具體地在源電極150和漏電極160的頂部上可以形成有鈍化層165。鈍化層165保護(hù)TFT層T。鈍化層165可以由無機(jī)絕緣材料例如SiOx和SiNx形成，但是不限于此。鈍化層165可以延伸至焊盤區(qū)PA。

在鈍化層165上可以形成有平坦化層170。平坦化層170可以使包括TFT層T的基板100的上表面平坦化。平坦化層170可以由有機(jī)絕緣材料例如丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等形成，但是不限于此。平坦化層170可以不延伸至焊盤區(qū)PA。

在平坦化層170上可以形成有第一陽極電極180和第一輔助電極190。也就是說，第一陽極電極180和第一輔助電極190可以形成在同一層上。在鈍化層165和平坦化層170中可以包括露出源電極150的第四接觸孔CH4，源電極150可以通過第四接觸孔CH4連接至第一陽極電極180。

第一陽極電極180可以包括第一下陽極電極181和第一上陽極電極182。

第一下陽極電極181可以形成在平坦化層170與第一上陽極電極182之間以增強(qiáng)平坦化層170與第一上陽極電極182之間的粘合力。另外，第一下陽極電極181保護(hù)第一上陽極電極182的底部，從而防止第一上陽極電極182的底部被腐蝕。因此，第一下陽極電極181的氧化速率小于第一 上陽極電極182的氧化速率。也就是說，第一下陽極電極181可以由比包含在第一上陽極電極182中的材料更耐腐蝕的材料形成。另外，第一下陽極電極181保護(hù)上源電極152的頂部，從而防止上源電極152的頂部被腐蝕。因此，第一下陽極電極181的氧化速率小于上源電極152的氧化速率。也就是說，第一下陽極電極181可以由比包含在上源電極152中的材料更耐腐蝕的材料形成。如上所述，第一下陽極電極181防止上源電極152的頂部被腐蝕，因而，源電極150可以以以上所描述的雙層結(jié)構(gòu)形成。第一下陽極電極181可以用作粘合增強(qiáng)層或防腐蝕層并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

第一上陽極電極182可以形成在第一下陽極電極181的頂部上。第一上陽極電極182可以由具有低電阻的金屬Cu形成，但是不限于此。第一上陽極電極182可以由比第一下陽極電極181的電阻相對(duì)較低的金屬形成。為了降低第一陽極電極180的總電阻，第一上陽極電極182的厚度可以形成為比第一下陽極電極181的厚度厚。

與以上所描述的第一陽極電極180類似，第一輔助電極190可以包括第一下輔助電極191和第一上輔助電極192。

第一下輔助電極191可以形成在平坦化層170與第一上輔助電極192之間以增強(qiáng)平坦化層170與第一上輔助電極192之間的粘合力并且防止第一上輔助電極192的底部被腐蝕。因此，第一下輔助電極191的氧化速率小于第一上輔助電極192的氧化速率。也就是說，第一下輔助電極191可以由比包含在第一上輔助電極192中的材料更耐腐蝕的材料形成。如上所述，第一下輔助電極191可以由與以上所描述的第一下陽極電極181的材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

第一上輔助電極192可以形成在第一下輔助電極191的頂部上并且可以由與以上所描述的第一上陽極電極182的材料相同的材料Cu形成，但是不限于此。電阻相對(duì)較低的第一上輔助電極192的厚度可以大于電阻相對(duì)較高的第一下輔助電極191的厚度，從而降低第一輔助電極190的總電阻。

第一上輔助電極192可以由與第一上陽極電極182的材料相同的材料形成以具有與第一上陽極電極182的厚度相同的厚度，第一下輔助電極191可以由與第一下陽極電極181的材料相同的材料形成以具有與第一下陽極電極181的厚度相同的厚度。在這種情況下，第一輔助電極190和第一陽極電極180可以通過同一工藝同時(shí)地形成。

在第一陽極電極180的頂部上可以形成有第二陽極電極200。第二陽極電極200可以形成為接觸第一陽極電極180的整個(gè)頂表面和整個(gè)側(cè)表面。也就是說，在第二陽極電極200與第一陽極電極180之間可以不形成單獨(dú)的絕緣層，從而可以省略形成絕緣層和接觸孔的工藝。第二陽極電極200可以將從有機(jī)發(fā)光層240發(fā)射的光朝著向上的方向反射并且因而可以包括具有良好的反射率的材料。另外，可以形成第二陽極電極200以覆蓋第一陽極電極180的頂表面和側(cè)表面，從而防止第一陽極電極180的頂表面和側(cè)表面被腐蝕。

第二陽極電極200可以包括第二下陽極電極201、第二中心陽極電極202和第二上陽極電極203。

第二下陽極電極201可以形成在第一陽極電極180與第二中心陽極電極202之間。第二下陽極電極201可以形成為覆蓋第一陽極電極180的頂表面和側(cè)表面，從而防止第一陽極電極180被腐蝕。為此，第二下陽極電極201的氧化速率可以小于構(gòu)成第一陽極電極180的第一下陽極電極181和第一上陽極電極182中的每一個(gè)的氧化速率。也就是說，第二下陽極電極201可以由比包含在第一下陽極電極181和第一上陽極電極182中的每一個(gè)中的材料更耐腐蝕的材料形成。另外，第二下陽極電極201保護(hù)第二中心陽極電極202的底部，從而防止第二中心陽極電極202的底部被腐蝕。因此，第二下陽極電極201的氧化速率可以小于第二中心陽極電極202的氧化速率。也就是說，第二下陽極電極201可以由比包含在第二中心陽極電極202中的材料更耐腐蝕的材料形成。第二下陽極電極201可以由透明導(dǎo)電材料如銦錫氧化物(ITO)等形成，但是不限于此。

第二中心陽極電極202可以形成在第二下陽極電極201與第二上陽極電極203之間。第二中心陽極電極202可以由電阻比第二下陽極電極201和第二上陽極電極203小并且反射率比第二下陽極電極201和第二上陽極電極203好的材料形成，并且例如可以由銀(Ag)等形成。然而，本實(shí)施方案不限于此。具有相對(duì)較低電阻的第二中心陽極電極202的厚度可以形成為比具有相對(duì)較高電阻的第二下陽極電極201和第二上陽極電極203中的每一個(gè)的厚度厚，從而降低第二陽極電極200的總電阻。

在第二中心陽極電極202的頂部上可以形成有第二上陽極電極203，從而防止第二中心陽極電極202的頂部被腐蝕。為此，第二上陽極電極203的氧化速率小于第二中心陽極電極202的氧化速率。也就是說，第二上陽極電極203可以由比包含在第二中心陽極電極202中的材料更耐腐蝕 的材料形成。第二上陽極電極203可以由透明導(dǎo)電材料如ITO等形成，但是不限于此。

在第一輔助電極190的頂部上可以形成有第二輔助電極210。第二輔助電極210可以形成在與第二陽極電極200的層相同的層上。第二輔助電極210可以形成為接觸第一輔助電極190的整個(gè)頂表面和整個(gè)側(cè)表面。也就是說，在第二輔助電極210和第一輔助電極190之間可以不形成單獨(dú)的絕緣層，因而可以省略形成絕緣層和接觸孔的工藝。第二輔助電極210可以與第一輔助電極190一起降低陰極電極250的電阻。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，為了降低陰極電極250的電阻，可以堆疊兩個(gè)輔助電極例如第一輔助電極190和第二輔助電極210，因而更加容易地調(diào)節(jié)輔助電極的期望的電阻特征。另外，第二輔助電極210可以形成為覆蓋第一輔助電極190的頂表面和側(cè)表面，從而防止第一輔助電極190的頂表面和側(cè)表面被腐蝕。

第二輔助電極210可以包括第二下輔助電極211、第二中心輔助電極212和第二上輔助電極213。

第二下輔助電極211可以形成在第一輔助電極190與第二中心輔助電極212之間。第二下輔助電極211可以形成為覆蓋第一輔助電極190的頂表面和側(cè)表面，從而防止第一輔助電極190被腐蝕。為此，第二下輔助電極211的氧化速率可以小于構(gòu)成第一輔助電極190的第一下輔助電極191和第一上輔助電極192中的每一個(gè)的氧化速率。也就是說，第二下輔助電極211可以由比包含在第一下輔助電極191和第一上輔助電極192中的每一個(gè)中的材料更耐腐蝕的材料形成。另外，第二下輔助電極211保護(hù)第二中心輔助電極212的底部，從而防止第二中心輔助電極212的底部被腐蝕。因此，第二下輔助電極211的氧化速率可以小于第二中心輔助電極212的氧化速率。也就是說，第二下輔助電極211可以由比包含在第二中心輔助電極212中的材料更耐腐蝕的材料形成。第二下輔助電極211可以由透明導(dǎo)電材料如銦錫氧化物(ITO)等形成，但是不限于此。

第二中心輔助電極212可以形成在第二下輔助電極211與第二上輔助電極213之間。第二中心輔助電極212可以由電阻比第二下輔助電極211和第二上輔助電極213低并且反射率比第二下輔助電極211和第二上輔助電極213好的材料形成，并且例如可以由銀(Ag)等形成。然而，本實(shí)施方案不限于此。相對(duì)低電阻的第二中心輔助電極212的厚度可以形成為比相對(duì)高電阻的第二下輔助電極211和第二上輔助電極213中的每一個(gè)的 厚度厚，從而降低第二輔助電極210的總電阻。

第二上輔助電極213可以形成在第二中心輔助電極212的頂部上，從而防止第二中心輔助電極212的頂部被腐蝕。為此，第二上輔助電極213的氧化速率可以小于第二中心輔助電極212的氧化速率。也就是說，第二上輔助電極213可以由比包含在第二中心輔助電極212中的材料更耐腐蝕的材料形成。第二上輔助電極213可以由透明導(dǎo)電材料如ITO形成，但是不限于此。

第二上輔助電極213可以由與第二上陽極電極203的材料相同的材料形成，以具有與第二上陽極電極203的厚度相同的厚度，第二中心輔助電極212可以由第二中心陽極電極202的材料相同的材料形成，以具有與第二中心陽極電極202的厚度相同的厚度，并且第二下輔助電極211可以由與第二下陽極電極201的材料相同的材料形成，以具有與第二下陽極電極201的厚度相同的厚度。在這種情況下，可以通過同一工藝同時(shí)地形成第二輔助電極210和第二陽極電極200。

在第二陽極電極200和第二輔助電極210上可以形成有堤部220。

堤部220可以形成在第二陽極電極200的一側(cè)和另一側(cè)中的每一個(gè)上，以露出第二陽極電極200的頂部。因?yàn)榈滩?20形成為露出第二陽極電極200的頂部，所以其中顯示圖像的面積得到確保。另外，因?yàn)榈滩?20形成在第二陽極電極200的一側(cè)和另一側(cè)中的每一個(gè)上，所以防止了第二中心陽極電極202的容易被腐蝕的側(cè)表面暴露于外部，從而防止了第二中心陽極電極202的側(cè)表面被腐蝕。

堤部220可以形成在第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)中的每一個(gè)上以露出第二輔助電極210的頂部。因?yàn)榈滩?20形成為露出第二輔助電極210的頂部，所以第二輔助電極210與陰極電極250之間的電連接空間得到確保。另外，因?yàn)榈滩?20形成在第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)中的每一個(gè)上，所以防止了第二中心輔助電極212的容易被腐蝕的側(cè)表面暴露于外部，從而防止第二中心輔助電極212的側(cè)表面被腐蝕。

另外，堤部220可以形成在第二陽極電極200與第二輔助電極210之間以使第二陽極電極200與第二輔助電極210絕緣。堤部220可以由有機(jī)絕緣材料例如聚酰亞胺樹脂、丙烯酸類樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)等形成，但是不限于此。

在第二輔助電極210上可以形成有隔壁230。隔壁230可以與堤部220 隔開一定的距離，并且第二輔助電極210可以通過隔壁230與堤部220之間的間隔空間電連接至陰極電極250。第二輔助電極210可以在不形成隔壁230的情況下電連接至陰極電極250。然而，如果形成隔壁230，則更加容易地沉積形成有機(jī)發(fā)光層240。這將在以下更加詳細(xì)地描述。

如果不形成隔壁230，則在沉積有機(jī)發(fā)光層240時(shí)需要有覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模圖案，以使第二輔助電極210的頂部不被有機(jī)發(fā)光層240覆蓋。然而，如果形成隔壁230，則在沉積有機(jī)發(fā)光層240時(shí)隔壁230的頂部可以表現(xiàn)得用作檐，因而，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光層240不沉積在檐的下方，所以不需要覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模圖案。也就是說，對(duì)于從其正面觀看的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況，在表現(xiàn)得用作檐的隔壁230的頂部形成為覆蓋在隔壁230與堤部220之間的間隔空間的情況下，有機(jī)發(fā)光層240不能穿入到隔壁230與堤部220之間的間隔空間中，因而，第二輔助電極210可以暴露于隔壁230與堤部220之間的間隔空間中。特別是，有機(jī)發(fā)光層240可以由沉積工藝如蒸發(fā)工藝形成，蒸發(fā)工藝在沉積材料的直線性方面優(yōu)異，因而，在沉積有機(jī)發(fā)光層240的過程中，有機(jī)發(fā)光層240不沉積在隔壁230與堤部220之間的間隔空間中。

如上所述，隔壁230的頂部的寬度可以形成為大于隔壁230的底部的寬度，以使隔壁230的頂部用作檐。隔壁230可以包括下部的第一隔壁231和上部的第二隔壁232。第一隔壁231可以形成在第二輔助電極210的頂部上并且可以通過與堤部220的工藝相同的工藝以與堤部220的材料相同的材料形成。第二隔壁232可以形成在第一隔壁231的頂部上。第二隔壁232的頂部的寬度可以形成為大于第二隔壁232的底部的寬度，并且特別是，第二隔壁232的頂部可以形成為覆蓋在隔壁230與堤部220之間的間隔空間并且可以用作檐。

在第二陽極電極200上可以形成有機(jī)發(fā)光層240。有機(jī)發(fā)光層240可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層。有機(jī)發(fā)光層240可以更改為具有本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的各種結(jié)構(gòu)。

有機(jī)發(fā)光層240可以延伸至堤部220的頂部。然而，有機(jī)發(fā)光層240可以以覆蓋第二輔助電極210的頂部的狀態(tài)不延伸至第二輔助電極210的頂部。這是因?yàn)樵谟袡C(jī)發(fā)光層240覆蓋第二輔助電極210的頂部的情況下，難以將第二輔助電極210電連接至陰極電極250。如上所述，有機(jī)發(fā)光層240可以在不具有覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模的情況下通過沉積工藝形成，并且在這種情況下，有機(jī)發(fā)光層240可以形成在隔壁230 的頂部上。

在有機(jī)發(fā)光層240上可以形成有陰極電極250。陰極電極250可以形成在發(fā)射光的表面上，因而可以由透明導(dǎo)電材料形成。因?yàn)殛帢O電極250由透明導(dǎo)電材料形成，所以陰極電極250的電阻高，為此，為了降低陰極電極250的電阻，可以將陰極電極250連接至第二輔助電極210。也就是說，可以通過隔壁230與堤部220之間的間隔空間將陰極電極250連接至第二輔助電極210?？梢酝ㄟ^沉積工藝如濺射工藝形成陰極電極250，濺射工藝在沉積的材料的直線性方面不好，因而在沉積陰極電極250的過程中，會(huì)將陰極電極250沉積在隔壁230與堤部220之間的間隔空間中。

盡管未示出，但是還可以在陰極電極250上形成封裝層并且防止水滲入。可以利用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的各種材料形成封裝層。另外，盡管未示出，但是還可以針對(duì)每個(gè)像素并且在陰極電極250上形成濾色器，并且在這種情況下，可以從有機(jī)發(fā)光層240發(fā)射白光。

在基板100的焊盤區(qū)PA中可以形成柵極絕緣層120、層間電介質(zhì)140、信號(hào)焊盤300以及焊盤電極400。

在基板100上可以形成有柵極絕緣層120。層間電介質(zhì)140從有源區(qū)AA延伸并且可以形成為完全覆蓋焊盤區(qū)PA。

在柵極絕緣層120上可以形成有信號(hào)焊盤300。信號(hào)焊盤300可以形成在與設(shè)置在有源區(qū)AA中的柵電極130的層相同的層上。

信號(hào)焊盤300可以包括下信號(hào)焊盤301和上信號(hào)焊盤302。

下信號(hào)焊盤301可以形成在柵極絕緣層120與上信號(hào)焊盤302之間以增強(qiáng)柵極絕緣層120與上信號(hào)焊盤302之間的粘合力。另外，下信號(hào)焊盤301防止上信號(hào)焊盤302的底部被腐蝕。因此，下信號(hào)焊盤301的氧化速率可以小于上信號(hào)焊盤302的氧化速率。也就是說，下信號(hào)焊盤301可以由比包含在上信號(hào)焊盤302中的材料更耐腐蝕的材料形成。如上所述，下信號(hào)焊盤301可以由與以上所描述的下柵電極131的材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

上信號(hào)焊盤302可以形成在下信號(hào)焊盤301的頂部上。上信號(hào)焊盤302可以由具有低電阻的金屬Cu形成，但是不限于此。上信號(hào)焊盤302可以由比下信號(hào)焊盤301的電阻相對(duì)較低的金屬形成。為了降低信號(hào)焊盤300的總電阻，上信號(hào)焊盤302的厚度可以形成為比下信號(hào)焊盤301的厚度厚。

上信號(hào)焊盤302可以由與上柵電極132的材料相同的材料形成，以具有與上柵電極132的厚度相同的厚度，并且下信號(hào)焊盤301可以由與下柵電極131的材料相同的材料形成，以具有與下柵電極131的厚度相同的厚度。在這種情況下，可以通過同一工藝同時(shí)地形成信號(hào)焊盤300和柵電極130和/或漏電極160。

在信號(hào)焊盤300上可以形成層間電介質(zhì)140。層間電介質(zhì)140可以從有源區(qū)AA延伸。在層間電介質(zhì)140中可以包括露出信號(hào)焊盤300的一部分的第三接觸孔CH3。

層間電介質(zhì)140可以形成為露出信號(hào)焊盤300的頂部并且覆蓋信號(hào)焊盤300的側(cè)表面。因?yàn)閷娱g電介質(zhì)140形成為露出信號(hào)焊盤300的頂部，所以層間電介質(zhì)140可以連接至以下描述的焊盤電極400。另外，層間電介質(zhì)140可以形成在信號(hào)焊盤300的一側(cè)和另一側(cè)中的每一個(gè)上，因而，上信號(hào)焊盤302的容易被腐蝕的側(cè)表面不暴露于外部，從而防止了上信號(hào)焊盤302的側(cè)表面被腐蝕。

在層間電介質(zhì)140上可以形成有焊盤電極400。焊盤電極400可以通過第三接觸孔CH3連接到信號(hào)焊盤300。焊盤電極400可以暴露于外部，并且連接至外部驅(qū)動(dòng)器。

焊盤電極400可以包括下焊盤電極401、上電極焊盤402和蓋焊盤電極403。

下焊盤電極401可以形成為通過第三接觸孔CH3覆蓋上信號(hào)焊盤302的頂部，從而防止上信號(hào)焊盤302被腐蝕。為此，下焊盤電極401的氧化速率可以小于上信號(hào)焊盤302的氧化速率。也就是說，下焊盤電極401可以由比包含在上信號(hào)焊盤302中的材料更耐腐蝕的材料形成。如上所述，下焊盤電極401防止上信號(hào)焊盤302的頂部被腐蝕，因而，信號(hào)焊盤300可以形成為上述兩層結(jié)構(gòu)。下焊盤電極401的氧化速率可以小于上焊盤電極402的氧化速率。下焊盤電極401可以由與上述下源電極151和/或下漏電極161的材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。下焊盤電極401可以由與下源電極151和/或下漏電極161的材料相同的材料形成，以具有與下源電極151和/或下漏電極161的厚度相同的厚度，并且在這種情況下，下電極焊盤401和下源電極151和/或下漏電極161可以通過同一掩模工藝圖案化形成。

在下焊盤電極401與蓋焊盤電極403之間可以形成有上焊盤電極 402。上焊盤電極402可以由具有低電阻的金屬Cu來形成，但并不限于此。上焊盤電極402可以由具有比下焊盤電極401和蓋焊盤電極403的電阻相對(duì)較低的電阻的金屬來形成。為了降低焊盤電極400的總電阻，上焊盤電極402的厚度可以形成為比下焊盤電極401和蓋焊盤電極403中的每一個(gè)的厚度較厚。上焊盤電極402可以由與上源電極152和/或上漏電極162的材料相同的材料形成，以具有與第一上陽極電極182和/或第一上輔助電極192的厚度相同的厚度，并且在這種情況下，上焊盤電極402與上源電極152和/或上漏電極162可以通過同一掩模工藝圖案化形成。

在上焊盤電極402上可以形成有蓋焊盤電極403。蓋焊盤電極403可以形成為覆蓋上焊盤電極402的頂表面和側(cè)表面，從而防止上焊盤電極402被腐蝕。也就是說，蓋焊盤電極403防止上焊盤電極402暴露于外部。為此，蓋焊盤電極403的氧化速率可以小于上焊盤電極402的氧化速率。也就是說，蓋焊盤電極403可以由比形成上焊盤電極402的材料更耐腐蝕的材料形成。

蓋焊盤電極403可以覆蓋直至下焊盤電極401的側(cè)表面。在這種情況下，蓋焊盤電極403的氧化速率可以小于下焊盤電極401的氧化速率。也就是說，蓋焊盤電極403可以由比包含在下焊盤電極401中的材料更耐腐蝕的材料形成。蓋焊盤電極403可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。蓋焊盤電極403可以由與第一下陽極電極181和/或第一下輔助電極191的材料相同的材料形成，以具有與第一下陽極電極181和/或第一下輔助電極191的厚度相同的厚度，并且在這種情況下，蓋焊盤電極403與第一下陽極電極181和/或第一下輔助電極191可以通過同一掩模工藝圖案化形成。

圖3A至圖3J是示出制造根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的過程截面圖并且涉及制造上述圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。因此，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件，并且在材料和每個(gè)元件的結(jié)構(gòu)中，相同或相似的描述不再重復(fù)。

首先，如圖3A所示，在基板100上可以依次形成有源層110、柵極絕緣層120、柵電極130、以及信號(hào)焊盤300。

為了提供更詳細(xì)的說明，在基板100上可以形成有源層110，在有源層110上可以形成柵極絕緣層120，在柵絕緣層120上可以形成柵電極130，并且可以形成信號(hào)焊盤300。

此處，有源層110和柵電極130可以形成在有源區(qū)AA中，柵極絕緣層120可以形成為從有源區(qū)AA延伸至焊盤區(qū)PA，并且可以形成信號(hào)焊盤300。

柵電極130可以配置為具有下柵電極131和上柵電極132，并且信號(hào)焊盤300可以配置為具有下信號(hào)焊盤301和上信號(hào)焊盤302。柵電極130和信號(hào)焊盤300可以由相同的材料通過同一圖案化工藝同時(shí)形成。

隨后，如圖3B所示，在柵電極130上可以形成層間電介質(zhì)140，并且在柵極絕緣層120和層間電介質(zhì)140中可以形成第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2。隨后，第三接觸孔CH3可以在：通過第一接觸孔CH1連接至有源層110的一個(gè)端區(qū)的漏電極中、通過第二接觸孔CH2連接至有源層110的另一端區(qū)的源電極150中、以及層間電介質(zhì)140中，并且第一焊盤電極400a可以形成為通過第三接觸孔CH3連接至信號(hào)焊盤300。

此處，源電極150和漏電極160可以形成在有源區(qū)AA中，層間電介質(zhì)140可以形成為從有源區(qū)AA延伸至焊盤區(qū)PA，第一焊盤電極400a可以形成在焊盤區(qū)PA中。通過這樣的工藝，TFT層T可以形成在有源區(qū)AA中。

源電極150可以包括下源電極151和上源電極152，漏電極160可以包括下漏電極161和上漏電極162，第一焊盤電極400a可以包括第一下焊盤電極401和第一上焊盤電極402。源電極150、漏電極160和第一焊盤電極400a可以由相同的材料通過同一圖案化工藝同時(shí)形成。

隨后，如圖3C所示，在源電極150、漏電極160和第一焊盤電極400a上可以形成鈍化層165，并且在鈍化層165上可以形成平坦化層170。平坦化層170可以包括第四接觸孔CH4。

鈍化層165可以形成為從有源區(qū)AA延伸至焊盤區(qū)PA，并且平坦化層170可以形成在有源區(qū)AA中。由于TFT未形成在焊盤區(qū)PA中，所以使其表面平坦化的必要性小，因而，在焊盤區(qū)PA中未形成平坦化層170。

隨后，如圖3D所示，在鈍化層165中可以形成第四接觸孔CH4，并且通過去除鈍化層165的在焊盤區(qū)PA中的某些區(qū)域，第一焊盤電極400a可以暴露于外部。源電極150可以通過包括在鈍化層165和平坦化層170中的第四接觸孔CH4暴露于外部。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，可以同時(shí)進(jìn)行形成用于使源電極150 暴露于外部的鈍化層165中的第四接觸孔CH4的工藝、以及去除用于使第一焊盤電極400a暴露于外部的鈍化層165的焊盤區(qū)PA中的某些區(qū)域的工藝，因而，通過使用一個(gè)掩模工藝，可以形成第四接觸孔CH4并且可以去除鈍化層165的某些區(qū)域，由此掩模工藝的數(shù)目不會(huì)增加。為了提供關(guān)于此更詳細(xì)的描述，由于第一上焊盤電極402易受腐蝕，所以蝕刻劑不應(yīng)與第一上焊盤電極402接觸。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，所暴露的第一上焊盤電極402可以在以下將要描述的圖3E的工藝中被第二焊盤電極400b覆蓋。因而，蝕刻劑不能與第一上焊盤電極402接觸。出于與此同樣的原因，形成第四接觸孔CH4的工藝和去除鈍化層165的某些區(qū)域的工藝可以同時(shí)進(jìn)行。

隨后，如圖3E所示，第一陽極電極180和第一輔助電極190可以形成為在有源區(qū)AA中的平坦化層170上彼此隔開，并且第二焊盤電極400b可以形成在焊盤區(qū)PA中的第一焊盤電極400a上。

第一陽極電極180可以形成為通過第四接觸孔CH4連接至源電極150，并且第二焊盤電極400b可以形成為覆蓋第一焊盤電極400a的頂表面和側(cè)表面。

第一陽極電極180可以配置為具有第一下陽極電極181和第一上陽極電極182。第一輔助電極190可以配置為具有第一下輔助電極191和第一上輔助電極192。第二焊盤電極400b可以配置為具有第二下焊盤電極403和第二上焊盤電極404。

第一陽極電極180、第一輔助電極190和第二焊盤電極400b可以由相同的材料通過同一圖案化工藝同時(shí)形成。

隨后，如圖3F所示，在有源區(qū)AA中的第一陽極電極180上可以形成第二陽極電極200，在有源區(qū)AA中的第一輔助電極190上可以形成第二輔助電極210，并且在第二焊盤電極400b上可以形成第三焊盤電極400c。

第二陽極電極200可以圖案化形成以覆蓋第一陽極電極180的頂表面和側(cè)表面，并且第二輔助電極210可以圖案化形成以覆蓋第一輔助電極190頂表面和側(cè)表面。第三焊盤電極400c可以圖案化形成以覆蓋第二焊盤電極400b的頂表面和側(cè)表面。

第二陽極電極200、第二輔助電極210和第三焊盤電極400c可以由相同的材料通過同一圖案化工藝同時(shí)形成。

第二陽極電極200可以包括第二下陽極電極201、第二中心陽極電極202和第二上陽極電極203。第二輔助電極210可以包括第二下輔助電極211、第二中心輔助電極212和第二上輔助電極213。第三焊盤電極400c可以包括第三下焊盤電極405、第三中心焊盤電極406和第三上焊盤電極407。

隨后，如圖3G所示，圖案化形成第二陽極電極200和第二輔助電極210的工藝可以包括基于蝕刻劑的蝕刻工藝，并且在該蝕刻工藝中，可以一起蝕刻設(shè)置在焊盤區(qū)PA中的第二上焊盤電極404和第三焊盤電極400c。也就是說，在圖案化形成第二陽極電極200和第二輔助電極210的工藝中，通過去除第二上焊盤電極404和第三焊盤電極400c，可以完成僅包括第一焊盤電極400a和第二下焊盤電極403的焊盤電極400。

通過半色調(diào)掩模工藝在第三焊盤電極400c、平坦化層170、第二陽極電極200和第二輔助電極210上可以形成光致抗蝕劑圖案，并且通過灰化光致抗蝕劑圖案，在沒有進(jìn)行圖3F中所示的工藝的情況下可以同時(shí)進(jìn)行去除第三焊盤電極400c和第二上焊盤電極404的工藝以及圖案化形成第二陽極電極200和第二輔助電極210的工藝。在這種情況下，形成在第三焊盤電極400c和第二上焊盤電極404上的光致抗蝕劑圖案可以是薄的，并且形成在第二陽極電極200和第二輔助電極210上的光致抗蝕劑圖案可以是厚的，由此可以去除第三焊盤電極400c和第二上焊盤電極404，并且可以保留第二陽極電極200和第二輔助電極210。去除第三焊盤電極400c和第二上焊盤電極404的工藝不限于此，并且可以進(jìn)行各種制造方法。

隨后，如圖3H所示，在第二陽極電極200的一側(cè)和另一側(cè)中的每一個(gè)上可以形成堤部220以露出第二陽極電極200的頂部，此外，在第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)中的每一個(gè)上可以形成堤部220以露出第二輔助電極210的頂部。

此外，在第二輔助電極210上可以依次形成第一隔壁231和第二隔壁232。第一隔壁231和堤部220可以由相同的材料通過同一圖案化工藝同時(shí)形成。隔壁230可以設(shè)置成與堤部220隔開一定的距離，因而，在隔壁230與堤部220之間可以設(shè)置有間隔空間。

為了使隔壁230的頂部用作檐，第二隔壁232的頂部的寬度可以調(diào)節(jié)成大于第二隔壁232的底部的寬度。具體地，相對(duì)于從前面觀看有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況下，第二隔壁232的頂部可以覆蓋隔壁230與堤部220之 間的間隔空間，因而，在以下將要描述的沉積有機(jī)發(fā)光層240的工藝中，有機(jī)發(fā)光層240不會(huì)沉積在隔壁230與堤部220之間的間隔空間中。

隨后，如圖3I所示，在第二陽極電極200上可以形成有機(jī)發(fā)光層240。有機(jī)發(fā)光層240可以通過沉積工藝?yán)缯舭l(fā)工藝形成，蒸發(fā)工藝在沉積的材料的直線性方面優(yōu)異，因而，盡管有機(jī)發(fā)光層240沒有沉積在隔壁230與堤部220之間的間隔空間中，但是有機(jī)發(fā)光層240沉積在隔壁230的頂部和堤部220上，也就是說，在沉積有機(jī)發(fā)光層240過程中，由于隔壁230的頂部可以用作檐，所以即使有機(jī)發(fā)光層240在沒有覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模圖案的情況下沉積，有機(jī)發(fā)光層240也不會(huì)沉積在隔壁230與堤部220之間的間隔空間中。

隨后，如圖3J所示，在有機(jī)發(fā)光層240上可以形成陰極電極250。

陰極電極250可以形成為通過隔壁230與堤部220之間的間隔空間連接至第二輔助電極210。陰極電極250可以通過沉積工藝如濺射工藝形成，濺射工藝在沉積的材料的直線性方面不好，因而，在沉積陰極電極250的工藝中，陰極電極250可以沉積在隔壁230于堤部220之間的間隔空間中。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，由于焊盤電極形成為覆蓋信號(hào)焊盤的頂部，所以防止了信號(hào)焊盤被腐蝕。因此，信號(hào)焊盤可以以包括易受腐蝕的上信號(hào)焊盤和下信號(hào)焊盤的兩層結(jié)構(gòu)形成。

此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，可以同時(shí)形成用于使源電極暴露于外部的接觸孔和使焊盤電極暴露于外部的區(qū)域，因而，沒有另外進(jìn)行一個(gè)掩模工藝。

另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，可以堆疊兩個(gè)輔助電極例如第一輔助電極和第二輔助電極以減小陰極電極的電阻，因而，更容易調(diào)節(jié)所期望的輔助電極的電阻特性。

對(duì)本領(lǐng)域的那些技術(shù)人員明顯的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明做出各種修改方案和變化方案。因此，本發(fā)明旨在覆蓋所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的該發(fā)明的修改方案和變化方案。