本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造。更具體而言，本發(fā)明涉及在制造半導(dǎo)體器件中使用的耐等離子體的部件。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體晶片處理期間，等離子體處理室被用于處理半導(dǎo)體器件。
在這樣的背景下討論的描述和實(shí)施方式并不假定為現(xiàn)有技術(shù)。這些描述并非承認(rèn)為現(xiàn)有技術(shù)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為了實(shí)現(xiàn)上述并按照本公開的目的，提供了一種用于處理襯底的裝置。提供了一種處理室。用于支撐襯底的襯底支撐件是在處理室內(nèi)。邊緣環(huán)是在襯底支撐件上，其中邊緣環(huán)包括具有摻雜劑AlO和YO或者摻雜劑LaO的無氮的摻雜石英。用于提供氣體到處理室中的氣體入口是在襯底的表面之上。至少一個電極提供射頻功率到處理室中。
在另一實(shí)施方式中，提供了一種用于在等離子體處理室中使用的邊緣環(huán)。邊緣環(huán)包括具有摻雜劑AlO和YO或摻雜劑LaO的無氮的摻雜石英環(huán)。
本公開的這些和其它特征將在本公開的具體描述中且結(jié)合附圖更詳細(xì)地進(jìn)行描述。
具體而言，本發(fā)明的一些方面可以描述如下:
1.一種用于處理襯底的裝置，其包括：
處理室；
襯底支撐件，其用于在所述處理室內(nèi)支撐所述襯底；
在所述襯底支撐件上的邊緣環(huán)，其中所述邊緣環(huán)包括具有摻雜劑AlO和YO或者摻雜劑LaO的無氮的摻雜石英；
氣體入口，其用于提供氣體到在所述襯底的表面之上的所述處理室內(nèi)；以及
至少一個電極，其用于提供射頻功率到所述處理室中。
2.根據(jù)條款1所述的裝置，其中摻雜劑的比例是介于6％(含)至20％(含)之間。
3.根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述摻雜劑為氧化鋁和氧化釔，其中氧化鋁與氧化釔的比例介于1:3(含)到1:1(含)之間。
4.根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述摻雜劑包括氧化鑭。
5.根據(jù)條款4所述的裝置，其中所述摻雜劑還包括氧化鋁。
6.根據(jù)條款5所述的裝置，其中氧化鋁與氧化鑭的比率是介于5:13(含)到15:13(含)之間。
7.根據(jù)條款1所述的裝置，其中摻雜劑的比例是介于10％(含)到15％(含)之間。
8.一種用于等離子體處理室中使用的邊緣環(huán)，其包括具有摻雜劑AlO和YO或摻雜劑LaO的無氮的摻雜石英環(huán)。
9.如條款8所述的邊緣環(huán)，其中摻雜劑的比例是介于6％(含)至20％(含)之間。
10.如條款8所述的邊緣環(huán)，其中所述摻雜劑為氧化鋁和氧化釔，其中氧化鋁與氧化釔的比率介于1:3(含)到1:1(含)之間。
11.根據(jù)條款8所述的邊緣環(huán)，其中所述摻雜劑包括氧化鑭。
12.根據(jù)條款11所述的邊緣環(huán)，其中所述摻雜劑還包括氧化鋁。
13.一種用于在等離子體處理室使用的邊緣環(huán)，其包括摻雜石英環(huán)。
14.根據(jù)條款13所述的邊緣環(huán)，其中所述摻雜石英環(huán)為無氮的摻雜石英環(huán)。
15.根據(jù)條款13所述的邊緣環(huán)，其中所述摻雜石英環(huán)是用包括AlO和YO的摻雜劑或LaO的摻雜劑進(jìn)行摻雜。
16.一種用于處理襯底的裝置，其包括：
處理室；
襯底支撐件，其用于在所述處理室內(nèi)支撐所述襯底；
在所述襯底支撐件上的邊緣環(huán)，其中所述邊緣環(huán)包括摻雜石英；
氣體入口，其用于提供氣體到在所述襯底的表面之上的所述處理室中；以及
至少一個電極，其用于提供射頻功率到所述處理室中。
17.根據(jù)條款16所述的裝置，其中所述摻雜石英環(huán)是無氮的摻雜石英環(huán)。
18.根據(jù)條款16所述的裝置，其中所述摻雜石英環(huán)是用包括AlO和YO的摻雜劑或LaO的摻雜劑進(jìn)行摻雜。
附圖說明
本公開在附圖中的圖中通過示例的方式示出，而不是通過限制的方式，其中類似的參考標(biāo)號指代相似的元件，并且其中：
圖1示意地示出了等離子體處理室的一個示例。
具體實(shí)施方式
本公開現(xiàn)在將參考如在附圖中示出的幾個實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述。在下面的描述中，闡述了許多具體細(xì)節(jié)，以便提供對本公開的透徹理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，將顯而易見的是本發(fā)明可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的一些或全部的情況下實(shí)施。在其他情況下，眾所周知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)沒有詳細(xì)描述以免不必要地模糊本公開。
為了便于理解，圖1示意性地示出了可在一個實(shí)施方式中使用的等離子體處理室100的一個例子。等離子體處理室100包括在其中具有等離子體處理約束室104的等離子體反應(yīng)器102。通過匹配網(wǎng)絡(luò)108調(diào)諧的等離子體電源106供電到位于靠近功率窗112的TCP線圈110，以通過提供感應(yīng)耦合功率而在等離子體處理約束室104生成等離子體114。TCP線圈(上電源)110可配置為在等離子體處理約束室104內(nèi)產(chǎn)生均勻擴(kuò)散分布。例如，TCP線圈110可以被配置為在等離子體114產(chǎn)生環(huán)形功率分布。功率窗112被提供以將TCP線圈110從等離子體處理約束室104分開，同時允許能量從TCP線圈110傳到等離子體處理約束室104。通過匹配網(wǎng)絡(luò)118調(diào)節(jié)的晶片偏壓電源116提供功率到電極120來在由電極120支撐的襯底164上設(shè)置偏壓?？刂破?24為等離子體電源106、氣體源/氣體供應(yīng)機(jī)制130和晶片偏壓電源116設(shè)置點(diǎn)。
等離子體電源106和晶片偏壓電源116可被配置成操作在特定的射頻，諸如，例如13.56兆赫、27兆赫、2兆赫、60兆赫、400千赫、2.54千兆赫或它們的組合。等離子體電源106和晶片偏壓電源116可被適當(dāng)?shù)卦O(shè)置尺寸以提供一系列的功率，以達(dá)到期望的處理性能。例如，在一個實(shí)施方式中，等離子體電源106可供應(yīng)介于50瓦到5000瓦的范圍內(nèi)的功率，晶片偏壓電源116可供應(yīng)介于20V到2000V的范圍內(nèi)的偏壓。另外，TCP線圈110和/或電極120可以包含兩個或兩個以上的子線圈或子電極，其可以由單一的電源供電或者由多個電源供電。
如圖1中所示，等離子體處理室100還包括氣體源/氣體供給機(jī)制130。氣體源130通過氣體入口(例如氣體噴射器140)與等離子體處理約束室104流體連接。氣體噴射器140可以位于等離子體處理約束室104的任何有利的位置，并且可以采取任何形式用于注入氣體。然而，優(yōu)選地，氣體入口可被配置為產(chǎn)生“可調(diào)的”氣體注入分布，其允許獨(dú)立調(diào)節(jié)氣體到等離子體處理約束室104中的多個區(qū)域的各氣體流。處理氣體和副產(chǎn)物通過壓力控制閥142和泵144被從等離子體處理約束室104除去，這也起到在等離子體處理約束室104內(nèi)維持特定壓強(qiáng)的作用。壓力控制閥142可在處理期間維持低于1托(torr)的壓強(qiáng)。邊緣環(huán)160被置于晶片164周圍。氣體源/氣體供應(yīng)機(jī)制130由控制器124控制?？墒褂糜杉永Ｄ醽喼莞ダ锩商氐睦誓费芯抗?Lam Research Corp.of Fremont,CA)提供的Kiyo實(shí)施一個實(shí)施方式。
優(yōu)選地，邊緣環(huán)160包括耐等離子體的玻璃，例如摻雜石英。更優(yōu)選地，邊緣環(huán)160包括無氮摻雜石英。最優(yōu)選地，邊緣環(huán)160包括具有摻雜劑氧化鋁和氧化釔或摻雜劑氧化鑭的無氮摻雜石英。在一個實(shí)施方式中，摻雜劑的分子數(shù)比例是介于6％到20％之間。更優(yōu)選地，摻雜劑的比例是介于10％和15％之間。優(yōu)選地，鋁與釔的分子數(shù)比例是介于1：3到1：1的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，具有摻雜劑氧化鑭的摻雜石英也具有摻雜劑氧化鋁。優(yōu)選地，鋁與鑭的比例為5:13到15:13的范圍內(nèi)。
盡管本公開已根據(jù)幾個實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但是存在落入本發(fā)明的范圍之內(nèi)的變更、置換、修改和各種替代等同實(shí)施例。還應(yīng)當(dāng)注意，存在實(shí)現(xiàn)本公開的方法和裝置的許多替代方式。因此，意圖是下面所附的權(quán)利要求被解釋為包括落入本發(fā)明的真正精神和范圍之內(nèi)的所有這些變更、置換和各種替代等同實(shí)施例。