技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種MOSFET器件及端接結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種橫向超級(jí)結(jié)MOSFET器件及端接結(jié)構(gòu)，一種橫向超級(jí)結(jié)MOSFET器件包括一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)、一個(gè)連接到橫向超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的第一立柱以及一個(gè)緊靠第一立柱的第二立柱。該橫向超級(jí)結(jié)MOSFET器件包括第一立柱，當(dāng)MOSFET接通時(shí)接收來自通道的電流，并將電流分配至橫向超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，用作漏極漂流區(qū)。位于第一立柱附近的第二立柱用于當(dāng)MOSFET器件斷開時(shí)，夾斷第一立柱，防止MOSFET器件在漏極端承受的高電壓接觸柵極結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，橫向超級(jí)結(jié)MOSFET器件還包括用于漏極、源極以及本體接觸摻雜區(qū)梳的端接結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：馬督兒·博德;管靈鵬;卡西克·帕德馬納班;哈姆扎·耶爾馬茲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：萬國(guó)半導(dǎo)體股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610420569
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.13
技術(shù)公布日：2017.01.04