1.一種半導(dǎo)體裝置，其中，
所述半導(dǎo)體裝置具有存儲單元，該存儲單元具有：
柵極電極部，配置在半導(dǎo)體基板的上方；及
絕緣膜，形成在所述柵極電極部與所述半導(dǎo)體基板之間，且在其內(nèi)部具有電荷蓄積部，
向所述柵極電極部的第一端施加第一電位，向所述柵極電極部的第二端施加比所述第一電位低的第二電位，由此使電流沿所述柵極電極部的延伸方向流動，
從所述柵極電極部向所述電荷蓄積部注入空穴，由此將蓄積于所述電荷蓄積部的電子消去。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
從所述柵極電極部向所述電荷蓄積部的所述空穴的注入通過向所述柵極電極部施加第三電位以上的消去電位來進行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述第一電位及所述第二電位的施加在第一期間進行，
所述第三電位以上的消去電位的施加在所述第一期間后的第二期間進行。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述第一電位及所述第二電位是所述第三電位以上的電位，
使電流沿所述柵極電極部的延伸方向流動，并從所述柵極電極部向所述電荷蓄積部注入空穴，由此將蓄積于所述電荷蓄積部的電子消去。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述第一電位及所述第二電位的施加在第一期間進行，
在所述第一期間后的第二期間中，向所述柵極電極部的所述第一端施加所述第二電位，向所述柵極電極部的所述第二端施加所述第一電位，由此使電流向與所述第一期間的情況下相反的方向流動。
6.一種半導(dǎo)體裝置，其中，
所述半導(dǎo)體裝置具有存儲單元，該存儲單元具有：
半導(dǎo)體基板；
第一柵極電極部，配置在所述半導(dǎo)體基板的上方；
第二柵極電極部，以與所述第一柵極電極部相鄰的方式配置在所述半導(dǎo)體基板的上方；
第一絕緣膜，形成在所述第一柵極電極部與所述半導(dǎo)體基板之間；及
第二絕緣膜，形成在所述第二柵極電極部與所述半導(dǎo)體基板之間及所述第一柵極電極部與所述第二柵極電極部之間，且在其內(nèi)部具有電荷蓄積部，
向所述第二柵極電極部的第一端施加第一電位，向所述第二柵極電極部的第二端施加比所述第一電位低的第二電位，由此使電流沿所述第二柵極電極部的延伸方向流動，
從所述第二柵極電極部向所述電荷蓄積部注入空穴，由此將蓄積于所述電荷蓄積部的電子消去。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
從所述第二柵極電極部向所述電荷蓄積部的所述空穴的注入通過向所述第二柵極電極部施加第三電位以上的消去電位來進行。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述第二絕緣膜具有下層膜、作為所述電荷蓄積部的中層膜及上層膜，
所述上層膜具有含氮的膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述上層膜具有形成在所述中層膜上的氮氧化硅膜、形成在所述氮氧化硅膜上的氮化硅膜以及形成在所述氮化硅膜上的氧化硅膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述第一電位及所述第二電位的施加在第一期間進行，
所述第三電位以上的消去電位的施加在所述第一期間后的第二期間進行。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述第一電位及所述第二電位是所述第三電位以上的電位，
使電流沿所述第二柵極電極部的延伸方向流動，并從所述第二柵極電極部向所述電荷蓄積部注入空穴，由此將蓄積于所述電荷蓄積部的電子消去。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述第一電位及所述第二電位的施加在第一期間進行，
在所述第一期間后的第二期間中，向所述第二柵極電極部的所述第一端施加所述第二電位，向所述第二柵極電極部的所述第二端施加所述第一電位，由此使電流向與所述第一期間的情況下相反的方向流動。
13.一種半導(dǎo)體裝置，其中，
所述半導(dǎo)體裝置具有存儲單元，該存儲單元具有：
半導(dǎo)體基板；
第一柵極電極部，配置在所述半導(dǎo)體基板的上方；
第二柵極電極部，以與所述第一柵極電極部相鄰的方式配置在所述半導(dǎo)體基板的上方；
第一絕緣膜，形成在所述第一柵極電極部與所述半導(dǎo)體基板之間；及
第二絕緣膜，形成在所述第二柵極電極部與所述半導(dǎo)體基板之間及所述第一柵極電極部與所述第二柵極電極部之間，且在其內(nèi)部具有電荷蓄積部，
向所述第一柵極電極部的第一端施加第一電位，向所述第一柵極電極部的第二端施加比所述第一電位低的第二電位，由此使電流沿所述第一柵極電極部的延伸方向流動，
從所述第二柵極電極部向所述電荷蓄積部注入空穴，由此將蓄積于所述電荷蓄積部的電子消去。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
從所述第二柵極電極部向所述電荷蓄積部的所述空穴的注入通過向所述第二柵極電極部施加第三電位以上的消去電位來進行。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述第二絕緣膜具有下層膜、作為所述電荷蓄積部的中層膜及上層膜，
所述上層膜具有含氮的膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述上層膜具有形成在所述中層膜上的氮氧化硅膜、形成在所述氮氧化硅膜上的氮化硅膜以及形成在所述氮化硅膜上的氧化硅膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
向所述第二柵極電極部的所述第一端施加第四電位，向所述第二柵極電極部的所述第二端施加比所述第四電位低的第五電位，由此使電流沿所述第二柵極電極部的延伸方向流動，
所述第四電位及所述第五電位是所述第三電位以上的電位。
18.一種半導(dǎo)體裝置，其中，
所述半導(dǎo)體裝置具有多個存儲單元，該存儲單元具有：
柵極電極部，配置在半導(dǎo)體基板的上方；及
絕緣膜，形成在所述柵極電極部與所述半導(dǎo)體基板之間，且在其內(nèi)部具有電荷蓄積部，
在所述多個存儲單元中，第一存儲單元的所述柵極電極部與第二存儲單元的所述柵極電極部相鄰設(shè)置，
向所述第一存儲單元的所述柵極電極部的第一端施加第一電位，向第二端施加比所述第一電位低的第二電位，由此使電流沿所述第一存儲單元的所述柵極電極部的延伸方向流動，
從所述第二存儲單元的所述柵極電極部向所述電荷蓄積部注入空穴，由此將蓄積于所述電荷蓄積部的電子消去。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
從所述第二存儲單元的所述柵極電極部向所述電荷蓄積部的所述空穴的注入通過向所述第二存儲單元的所述柵極電極部施加第三電位以上的消去電位來進行。
20.一種半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動方法，該半導(dǎo)體裝置具有存儲單元，該存儲單元具有：
柵極電極部，配置在半導(dǎo)體基板的上方；及
絕緣膜，形成在所述柵極電極部與所述半導(dǎo)體基板之間，且在其內(nèi)部具有電荷蓄積部，
在所述半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動方法中，
(a)向所述柵極電極部的第一端施加第一電位，向所述柵極電極部的第二端施加比所述第一電位低的第二電位，由此使電流沿所述柵極電極部的延伸方向流動，
(b)從所述柵極電極部向所述電荷蓄積部注入空穴，由此將蓄積于所述電荷蓄積部的電子消去。