本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種全背電極接觸晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

自1954年第一塊太陽(yáng)能電池在貝爾實(shí)驗(yàn)室誕生以來(lái)，晶體硅太陽(yáng)能電池得到了廣泛的應(yīng)用，轉(zhuǎn)換效率不斷提升，生產(chǎn)成本持續(xù)下降。目前，晶體硅太陽(yáng)能電池占太陽(yáng)能電池全球市場(chǎng)總額的80％以上，晶體硅電池片的產(chǎn)線轉(zhuǎn)換效率目前已突破20％，全球年新增裝機(jī)容量約50GW且增速明顯，與火力發(fā)電的度電成本不斷縮小，在未來(lái)幾年有望與之持平。晶體硅太陽(yáng)能電池作為一種清潔能源在改變能源結(jié)構(gòu)、緩解環(huán)境壓力等方面的重要作用日益凸顯。

晶體硅太陽(yáng)能電池要想提升競(jìng)爭(zhēng)力、獲得更大的發(fā)展與應(yīng)用，必須進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)降低生產(chǎn)成本，尤其是要降低占電池生產(chǎn)成本約15％的銀電極的成本。目前晶體硅太陽(yáng)能電池的電極多采用銀漿絲網(wǎng)印刷的方式形成近百條細(xì)柵和若干條主柵，此工序使用的物料成本昂貴，且銀電極會(huì)造成電池片表面5％～7％的面積形成對(duì)光的遮擋，同時(shí)導(dǎo)致電阻損耗與復(fù)合損耗。

背面接觸電池由于將電池的金屬電極背繞到電池的背面，很好的解決了金屬柵線的光遮擋問(wèn)題，但是電極中銀或其他導(dǎo)電金屬的用量并沒(méi)有減少，反而比常規(guī)電池的用量有所增加。此外，P、N區(qū)的金屬電極接觸面積大，增加了少子在該區(qū)域復(fù)合的概率。為此，有必要針對(duì)背面接觸電池開(kāi)發(fā)一種新的電極結(jié)構(gòu)，使這種電池的效率獲得充分發(fā)揮，同時(shí)降低電極的物料成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供了一種全背電極接觸晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)及其制備方法，采用細(xì)金屬導(dǎo)線將背面的局部接觸金屬電極連接起來(lái)形成電池的正、負(fù)電極。本發(fā)明避免了柵線的光遮擋面積，進(jìn)而提高了電池的轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)通過(guò)減少金屬漿料的使用量使生產(chǎn)成本降低。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)手段：

一種全背電極接觸晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，自上而下依次包括：正面鈍化膜/減反射膜、正面N+摻雜層、N型硅基體、本征非晶硅層、背面摻雜層和電池電極；其中，所述的背面摻雜層由P型非晶或多晶硅層與N型非晶或多晶硅層間隔排列而成；

所述的電池電極包括局部接觸金屬電極、細(xì)金屬導(dǎo)線和電極引線，所述局部接觸金屬電極包括正極局部接觸金屬電極和負(fù)極局部接觸金屬電極；所述細(xì)金屬導(dǎo)線包括正極細(xì)金屬導(dǎo)線和負(fù)極細(xì)金屬導(dǎo)線；所述電極引線包括正電極引線和負(fù)電極引線；正極局部接觸金屬電極分布在P型非晶或多晶硅層之上，并形成歐姆接觸；負(fù)極局部接觸金屬電極分布在N型非晶或多晶硅層之上，并形成歐姆接觸；正極金屬導(dǎo)線通過(guò)導(dǎo)電結(jié)合材料將正極局部接觸金屬電極連接為電池正極的局部懸空細(xì)柵線電極，并通過(guò)正電極引線導(dǎo)出電流；負(fù)極金屬導(dǎo)線通過(guò)導(dǎo)電結(jié)合材料將負(fù)極局部接觸金屬電極連接為電池負(fù)極的局部懸空細(xì)柵線電極，并通過(guò)負(fù)電極引線導(dǎo)出電流。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的細(xì)金屬導(dǎo)線為銅線、銀線、鍍銀銅線、鍍鎳銅線、鍍錫銅線或合金線，直徑為20～100um。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的導(dǎo)電結(jié)合材料為錫膏、含錫合金、導(dǎo)電膠或?qū)щ姳∧ぁ?/p>

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的正極局部接觸金屬電極以陣列圖案排布在P型非晶或多晶硅層之上；所述的負(fù)極局部接觸金屬電極以陣列圖案排布在N型非晶或多晶硅層之上。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，陣列圖案為一維、二維幾何圖形或一維與二維幾何圖形的組合，一維幾何圖形選自：線段、虛線段、弧線或柵線狀；二維幾何圖形選自：圓形、橢圓形、紡錘形、環(huán)形、多邊形、多角形或扇形；

所述的一維圖形的線寬為30～200um，長(zhǎng)度為0.05～3mm，電池背面同一個(gè)摻雜非晶或多晶硅的區(qū)域內(nèi)相鄰兩個(gè)線形的間距為0.25～2.5mm；所述二維圖形的尺寸為30～200um，電池背面同一個(gè)摻雜非晶或多晶硅的區(qū)域內(nèi)相鄰兩個(gè)二維圖形的間距為0.25～2.5mm。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的本征非晶硅層的厚度為5～15nm；背面摻雜層的厚度為8～15nm，P型非晶或多晶硅層與N型非晶或多晶硅層的寬度為0.2～3mm，方阻為20～120Ω/□。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，電池的表面采用陷光織構(gòu)，所述的正面陷光織構(gòu)為金字塔、倒金字塔、納米/微米多孔結(jié)構(gòu)；所述N型硅基體的厚度為100～200um；所述的正面N+摻雜層方阻為40～120Ω/□。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的正電極引線和負(fù)電極引線分別連接所有正極細(xì)金屬導(dǎo)線、所有負(fù)極細(xì)金屬導(dǎo)線，且正電極引線和負(fù)電極引線分別設(shè)置在電池的兩端。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，正面鈍化膜為氧化鋁薄膜、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、非晶硅薄膜、氧化鈦薄膜、碳化硅薄膜中的一種或多種疊層構(gòu)成，鈍化膜的整體厚度為1～50nm；正面減反射膜為氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化鈦薄膜、碳化硅薄膜中的一種或多種疊層構(gòu)成，減反射膜整體厚度為50～100nm。

一種全背電極接觸晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

(1)對(duì)N型單晶硅片進(jìn)行表面織構(gòu)化處理；

(2)在N型單晶硅片的正面進(jìn)行摻雜處理，形成N+層；

(3)對(duì)摻雜后的硅片進(jìn)行清洗刻蝕；

(4)在硅片的正面依次沉積鈍化膜和減反射膜；

(5)在晶體硅片的背面沉積本征非晶硅層或隧穿氧化硅；

(6)在硅片背面的本征非晶硅層上制作P、N型非晶或多晶硅層，P、N型非晶或多晶硅層交替排布；

(7)在硅片背面的P、N型非晶或多晶硅層上制作陣列分布的局部接觸金屬電極；

(8)進(jìn)行低溫?zé)崽幚?，使局部接觸金屬電極與摻雜非晶或多晶硅層形成良好的歐姆接觸；

(9)在局部接觸金屬電極上制作導(dǎo)電結(jié)合材料；

(10)將細(xì)金屬導(dǎo)線分別沿P型與N型區(qū)的局部接觸金屬電極的行方向拉拔并緊貼在導(dǎo)電結(jié)合材料之上；

(11)進(jìn)行低溫?zé)崽幚?，使?xì)金屬導(dǎo)線通過(guò)導(dǎo)電結(jié)合材料與局部接觸金屬電極結(jié)合在一起，形成電池交替排布的正、負(fù)電極。

本發(fā)明的有益效果有以下幾個(gè)方面：第一、采用細(xì)金屬導(dǎo)線，替代了背面P型與N型區(qū)域的電極上的部分銀，降低了背面接觸晶硅電池的銀電極使用量，從而降低了背面接觸電池的制造成本；第二、細(xì)金屬導(dǎo)線具有更高的柵線高寬比，且為局部懸空結(jié)構(gòu)，這可以使金屬與硅基體的接觸面積減小，復(fù)合損耗降低，進(jìn)而提高了電池的轉(zhuǎn)換效率；第三、本專(zhuān)利所述的電極制作方法簡(jiǎn)單、可靠，適于工業(yè)化生產(chǎn)。本發(fā)明避免了柵線的光遮擋面積，進(jìn)而提高了電池的轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)通過(guò)減少金屬漿料的使用量使生產(chǎn)成本降低。

本發(fā)明的制備方法，按照電池的結(jié)構(gòu)進(jìn)行由內(nèi)向外的方式進(jìn)行，本部分可以采用多種方式制作，工藝簡(jiǎn)單，可操作性強(qiáng)。本發(fā)明所述的N型晶體硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)制作方法簡(jiǎn)單、可靠，適于工業(yè)化生產(chǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1是沿垂直于背面的P、N型摻雜區(qū)域長(zhǎng)度方向的局部剖面示意圖。

圖2是沿平行于背面N型區(qū)域長(zhǎng)度方向的局部剖面示意圖。

圖3是沿平行于背面P型區(qū)域長(zhǎng)度方向的局部剖面示意圖。

圖4是背面接觸電池背面的P、N型區(qū)域分布局部平面示意圖。

圖5是背面電極局部平面示意圖。

圖中，1為正面鈍化膜/減反射膜，2為正面N+摻雜層；3為本征非晶硅層；4為背面摻雜層；4-1為P型摻雜非晶或多晶硅層；4-2為N型摻雜非晶或多晶硅層；5為細(xì)金屬導(dǎo)線；5-1為正極金屬導(dǎo)線，5-2負(fù)極金屬導(dǎo)線，6為導(dǎo)電結(jié)合材料；7-1為正極局部接觸金屬電極；7-2為負(fù)極局部接觸金屬電極；8-1為正電極引線，8-2為負(fù)電極引線，9為N型硅基體。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

如圖1至5所示，本發(fā)明一種全背電極接觸晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，電池的結(jié)構(gòu)自上而下包括：減反射膜/鈍化膜1、正面N+摻雜層2、N型硅基體9、本征非晶硅層3、背面P、N交替摻雜非晶或多晶硅層(4)、電池電極。其中，電池的正、負(fù)電極交替排列在電池的背面，電極為局部接觸金屬電極7和細(xì)金屬導(dǎo)線5形成的局部懸空細(xì)柵線電極。局部接觸金屬電極7以一維圖形、二維圖形或一維和二維組合圖形陣列分布在電池背面的N型非晶或多晶硅層、P型非晶或多晶硅區(qū)域，并與摻雜非晶或多晶硅層形成良好的歐姆接觸；細(xì)金屬導(dǎo)線5(銅線、銀線、鍍銀銅線、鍍鎳銅線、鍍錫銅線或合金線)通過(guò)導(dǎo)電結(jié)合材料6(錫膏、含錫合金、導(dǎo)電膠或?qū)щ姳∧?與局部接觸金屬電極7(銀電極、鋁電極、鎳電極、銅電極、合金電極或金屬?gòu)?fù)合電極)結(jié)合在一起，形成一個(gè)可作為電池正、負(fù)極的導(dǎo)電組合體。電池背面的正、負(fù)電極各設(shè)有電極引線8-1和8-2，用于將匯集的電流導(dǎo)出。

所述的導(dǎo)電結(jié)合材料6為錫膏、含錫合金、導(dǎo)電膠或?qū)щ姳∧?，?dǎo)電結(jié)合材料6與局部接觸金屬電極連接的方法包括絲網(wǎng)印刷協(xié)同熱處理、噴墨協(xié)同熱處理、熱壓焊、超聲焊、點(diǎn)焊及粘貼。

本發(fā)明提供了一種全背電極接觸晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其制備方法可按如下步驟進(jìn)行：

(1)將N型單晶硅片進(jìn)行表面織構(gòu)化處理，織構(gòu)處理可以采用化學(xué)藥液腐蝕、等離子刻蝕、納米金屬催化、激光刻蝕等方法。

(2)對(duì)硅片的正面進(jìn)行摻雜處理，在硅片的正表層形成均勻的N+層。雜質(zhì)源可以是POCl₃、PH₃、磷酸、P₂O₅、含磷摻雜劑等，制作的方法有離子注入、低壓擴(kuò)散、常壓擴(kuò)散、雜質(zhì)漿料涂敷協(xié)同熱處理、摻雜介質(zhì)膜協(xié)同熱處理等，方阻為40～120Ω/□；

(3)對(duì)摻雜處理后的硅片進(jìn)行化學(xué)清洗刻蝕。

(4)在硅片的正面先后沉積1～20nm的鈍化膜和50～100nm的減反射膜。鈍化膜可以是氧化鋁薄膜、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、非晶硅薄膜、氧化鈦薄膜、碳化硅薄膜中的一種或多種疊層構(gòu)成；減反射膜可以是氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化鈦薄膜、碳化硅薄膜中的一種或多種疊層構(gòu)成。

(5)在硅片的背面沉積5～15nm的本征非晶硅層3。所述的本征非晶硅層3也可以由1～2nm的氧化硅膜代替，電池的其它結(jié)構(gòu)不發(fā)生變化。

(6)在本征非晶硅層之上采用掩膜、刻蝕等方法制備交替分布的P型非晶或多晶硅層4-1與N型非晶或多晶硅層4-2。P型非晶或多晶硅層4-1與N型非晶或多晶硅層4-2單個(gè)摻雜區(qū)域的寬度為0.2～3mm，方阻為20～120Ω/□。

(7)按特定的圖形在硅片背面的P型非晶或多晶硅4-1上制作陣列分布的正局部接觸金屬電極7-1；在硅片背面的N型非晶或多晶硅4-2上制作陣列分布的負(fù)局部接觸金屬電極7-2。局部接觸金屬電極可以是銀電極、鋁電極、鎳電極、銅電極、合金電極或金屬?gòu)?fù)合電極，制作方法可以采用絲網(wǎng)印刷、鋼板印刷、噴墨、3D打印、激光轉(zhuǎn)印、激光或化學(xué)腐蝕協(xié)同氣相沉積、電鍍、光誘導(dǎo)鍍等方法。正極局部接觸金屬電極7-1和負(fù)極局部接觸金屬電極7-2的陣列圖案為一維、二維幾何圖形或一維與二維幾何圖形的組合；一維幾何圖形選自：線段、虛線段或弧線；二維幾何圖形選自：圓形、橢圓形、紡錘形、環(huán)形、多邊形、多角形或扇形。所述的一維圖形的線寬為30～200um，長(zhǎng)度為0.05～3mm，電池背面同一個(gè)摻雜的區(qū)域內(nèi)相鄰兩個(gè)線形的間距為0.25～2.5mm；所述二維圖形的尺寸為30～200um，電池背面同一個(gè)摻雜的區(qū)域內(nèi)相鄰兩個(gè)二維圖形的間距為0.25～2.5mm。

(8)在150～300℃下進(jìn)行低溫?zé)崽幚恚咕植拷佑|金屬電極7與摻雜非晶或多晶硅層4形成良好的歐姆接觸；

(9)在局部接觸金屬電極7上制作導(dǎo)電結(jié)合材料6，導(dǎo)電結(jié)合材料6為錫膏、含錫合金、導(dǎo)電膠或?qū)щ姳∧さ?，制作的方法可以采用印刷、噴墨、點(diǎn)焊或粘貼等。

(10)將細(xì)金屬導(dǎo)線5沿P型非晶或多晶硅與N型非晶或多晶硅區(qū)域的局部接觸金屬電極的行方向拉拔并緊貼在錫膏之上，細(xì)金屬導(dǎo)線5為銅線、銀線、鍍銀銅線、鍍鎳銅線、鍍錫銅線或合金線，細(xì)金屬導(dǎo)線5的直徑為20～100um。

(11)在100～300℃下使細(xì)金屬導(dǎo)線5通過(guò)導(dǎo)電結(jié)合材料6與局部接觸金屬電極7結(jié)合在一起，形成電池的正、負(fù)電極。

所述的本征非晶硅層(3)也可以由1～2nm的氧化硅膜代替，電池的其它結(jié)構(gòu)不發(fā)生變化。

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明：

實(shí)施例1：

(1)將N型單晶硅片于80℃左右的KOH溶液中異向腐蝕，獲得表面金字塔結(jié)構(gòu)。

(2)在硅片的正面，以PClO₃作為雜質(zhì)，在700～850℃左右進(jìn)行低壓熱擴(kuò)散，形成80Ω/□的均勻N+層。

(3)采用濕法刻蝕的方法去掉正面的磷硅玻璃和背結(jié)。

(4)在硅片的正面先沉積20nm的氧化硅，之后再沉積50nm的氮化硅。

(5)在硅片的背面沉積10nm左右的本征非晶硅層。

(6)在硅片背面的本征非晶硅層上采用化學(xué)氣相沉積協(xié)同掩膜、光刻的方法制作10nm左右的P、N型非晶硅層，P、N型非晶硅在背面的本征非晶硅層上交替排列。背面單個(gè)P型非晶硅條形區(qū)域的寬度為1mm，背面單個(gè)N型非晶硅條形區(qū)域的寬度為0.3mm，

(7)采用絲網(wǎng)印刷的方法按特定的圖形在硅片背面的P型與N型非晶硅區(qū)域上制作陣列分布局部接觸金屬電極，印刷圖形采用點(diǎn)狀陣列，單個(gè)點(diǎn)的直徑為60um，電池背面同一個(gè)摻雜的條形區(qū)域內(nèi)相鄰兩個(gè)二維圖形的間距為250um。

(8)在150℃下進(jìn)行烘干。

(9)在200～250℃下進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)，使P型與N型區(qū)域陣列分布的局部接觸金屬電極與非晶硅形成良好的歐姆接觸。

(10)采用絲網(wǎng)印刷的方法在P型非晶硅與N型非晶硅區(qū)域的局部接觸金屬電極上制作錫膏。

(11)將細(xì)鍍銀銅線沿P型與N型區(qū)域的局部接觸金屬電極的行方向拉拔并緊貼在錫膏之上，細(xì)鍍銀銅線的直徑為40um。P型與N型區(qū)域的細(xì)鍍銀銅線的一側(cè)與硅片邊緣齊平，另一側(cè)比硅片邊緣長(zhǎng)出約3mm，分別作為正、負(fù)極引線。

(12)在100～250℃下使細(xì)鍍銀銅線通過(guò)錫膏與局部接觸金屬電極結(jié)合在一起，形成一個(gè)可作為背面接觸電池P型與N型區(qū)域金屬柵線的導(dǎo)電組合體。

實(shí)施例2：

(1)將N型單晶硅片于80℃左右的KOH溶液中異向腐蝕，獲得表面金字塔結(jié)構(gòu)。

(2)以PH₃作為雜質(zhì)，采用離子注入的方法在硅片的正面形成100Ω/□的均勻N+層。

(3)對(duì)離子注入后的硅片進(jìn)行退火處理。

(4)在硅片的正面先沉積20nm的氧化硅，之后再沉積70nm的氮化硅。

(5)在硅片的背面沉積1.5nm左右的隧穿氧化硅膜。

(6)在硅片背面的隧穿氧化硅膜上采用化學(xué)氣相沉積協(xié)同掩膜、光刻的方法制作12nm交替排布的P、N型非晶硅層。背面單個(gè)P型非晶硅條形區(qū)域的寬度為1.2mm，背面單個(gè)N型非晶硅條形區(qū)域的寬度為0.5mm。

(7)采用鋼板印刷的方法按特定的圖形在硅片背面的P型與N型非晶硅區(qū)域上制作陣列分布局部接觸金屬電極，印刷圖形采用線段狀陣列。電池背面同一個(gè)P型摻雜的條形區(qū)域內(nèi)，陣列線段的寬度為40um、長(zhǎng)度為1mm、相鄰兩個(gè)線段的間距為1mm；電池背面同一個(gè)N型摻雜的條形區(qū)域內(nèi)，陣列線段的寬度為40um、長(zhǎng)度為400um、相鄰兩個(gè)線段的間距為1mm。

(8)在150℃下進(jìn)行烘干。

(9)在200～250℃下進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)，使P型與N型區(qū)域陣列分布的局部接觸金屬電極與非晶硅形成良好的歐姆接觸。

(10)采用印刷的方法在P型非晶硅與N型非晶硅區(qū)域的局部接觸金屬電極上制作錫膏。

(11)將細(xì)鍍鎳銅線沿P型與N型區(qū)域的局部接觸金屬電極的行方向拉拔并緊貼在錫膏之上，細(xì)鍍鎳銅線的直徑為40um，長(zhǎng)度為160mm。P型與N型區(qū)域的細(xì)鍍鎳銅線的一側(cè)與硅片邊緣齊平，另一側(cè)比硅片邊緣長(zhǎng)出約3mm，分別作為正、負(fù)極引線。

(12)在100～250℃下使細(xì)鍍鎳銅線通過(guò)錫膏與局部接觸金屬電極結(jié)合在一起，形成一個(gè)可作為背面接觸電池P型與N型區(qū)域金屬柵線的導(dǎo)電組合體。

實(shí)施例3：

(1)將N型單晶硅片于80℃左右的KOH溶液中異向腐蝕，獲得表面金字塔結(jié)構(gòu)。

(2)以PH₃作為雜質(zhì)，采用離子注入的方法在硅片的正面形成100Ω/□的均勻N+層。

(3)對(duì)離子注入后的硅片進(jìn)行退火處理。

(4)對(duì)摻雜后的硅片進(jìn)行化學(xué)清洗。

(5)在硅片的正面沉積80nm的氮化硅。

(6)在硅片的背面沉積13nm左右的本征非晶硅層。

(7)在硅片背面的本征非晶硅層上采用化學(xué)氣相沉積協(xié)同掩膜、光刻的方法制作10nm左右的P、N型非晶硅層，P、N型非晶硅在背面的本征非晶硅層上交替排列。背面單個(gè)P型非晶硅條形區(qū)域的寬度為3mm，背面單個(gè)N型非晶硅條形區(qū)域的寬度為2mm。

(8)采用絲網(wǎng)印刷的方法按特定的圖形在硅片背面的P型與N型非晶硅區(qū)域上制作陣列分布局部接觸金屬電極，印刷圖形采用線段狀陣列。電池背面同一個(gè)P型摻雜的條形區(qū)域內(nèi)，陣列線段的寬度為60um、長(zhǎng)度為2.8mm、相鄰兩個(gè)線段的間距為2mm；電池背面同一個(gè)N型摻雜的條形區(qū)域內(nèi)，陣列線段的寬度為60um、長(zhǎng)度為1.8mm、相鄰兩個(gè)線段的間距為2mm。

(9)在150℃下進(jìn)行烘干。

(10)在200～250℃下進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)，使P型與N型區(qū)域陣列分布的局部接觸金屬電極與摻雜非晶硅形成良好的歐姆接觸。

(11)采用絲網(wǎng)印刷的方法在P型非晶硅與N型非晶硅區(qū)域的局部接觸金屬電極上制作錫膏。

(12)將細(xì)鍍錫銅線沿P型與N型區(qū)域的局部接觸金屬電極的行方向拉拔并緊貼在錫膏之上，細(xì)鍍錫銅線的直徑為60um。P型與N型區(qū)域的細(xì)鍍錫銅線一側(cè)與硅片邊緣齊平，另一側(cè)比硅片邊緣長(zhǎng)出約3mm，分別作為正、負(fù)極引線。

(13)在100～250℃下使細(xì)鍍錫銅線通過(guò)錫膏與局部接觸金屬電極結(jié)合在一起，形成一個(gè)可作為背面接觸電池P型與N型區(qū)域金屬柵線的導(dǎo)電組合體。

以上所述僅為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，不是全部或唯一的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通過(guò)閱讀本發(fā)明說(shuō)明書(shū)而對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案采取的任何等效的變換，均為本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。