技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別涉及一種絕緣柵雙極晶體管及其制造方法。本發(fā)明在傳統(tǒng)槽柵型絕緣柵雙極晶體管的基礎(chǔ)上，通過在P?base區(qū)內(nèi)引入了N型重?fù)诫s層，當(dāng)器件正向?qū)〞r，空穴電流在埋層下方橫向流動，經(jīng)Rb產(chǎn)生橫向壓降，當(dāng)電壓降大于0.7V時，N型重?fù)诫s層向漂移區(qū)和下P?base區(qū)注入電子，發(fā)生強(qiáng)烈的電導(dǎo)調(diào)制，使得器件具有極低的導(dǎo)通壓降，從而大大降低了器件導(dǎo)通損耗；在阻斷態(tài)下，由于在溝槽邊緣處沒有向CSTBT一樣的高濃度CS層且阻斷電壓主要由漂移區(qū)承受，因此器件的耐壓不會受到N型重?fù)诫s層的影響；在關(guān)斷期間，漂移區(qū)內(nèi)存儲的空穴經(jīng)過N型重?fù)诫s層的開口區(qū)域被發(fā)射極抽出，表現(xiàn)出和傳統(tǒng)器件一直的關(guān)斷特性。

技術(shù)研發(fā)人員：陳萬軍;婁倫飛;劉超;唐雪峰;胡官昊;陳楚雄;陶虹;劉亞偉;張波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
文檔號碼：201610490201
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.27
技術(shù)公布日：2017.02.15