本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法。

背景技術(shù)：

在大部分干法刻蝕設(shè)備中，晶圓要求在腔體中處于中心位置，以得到最好的面內(nèi)刻蝕均一性，并且防止與聚焦環(huán)相距離過近或者過遠(yuǎn)，產(chǎn)生異常放電或者生成物堆積形成缺陷。

為了確定晶圓位置是否偏移，現(xiàn)有方法是在開腔情況下用目測或者使用輔助定位工具的方法進(jìn)行校準(zhǔn)，在關(guān)閉腔體之后無法進(jìn)行持續(xù)監(jiān)測。

但是，現(xiàn)有技術(shù)的這種在對設(shè)備進(jìn)行開腔的情況下進(jìn)行目測檢查或輔助定位工具檢查的方案存在一些不便之處，因?yàn)殚_腔會影響工藝流程，為工藝流程帶來極大的不方便。

因此，希望提高一種能夠在不對設(shè)備進(jìn)行開腔的情況下實(shí)現(xiàn)晶圓位置偏移監(jiān)控的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，其能夠在不對設(shè)備進(jìn)行開腔的情況下實(shí)現(xiàn)晶圓位置偏移監(jiān)控。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，其特征在于包括：

第一步驟：將晶圓布置在干法刻蝕設(shè)備中；

第二步驟：對干法刻蝕設(shè)備中的晶圓進(jìn)行干法刻蝕；

第三步驟：檢測晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性；

第四步驟：根據(jù)檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性判斷晶圓位置的偏移情況。

優(yōu)選地，晶圓邊緣區(qū)域指的是晶圓邊緣的外環(huán)區(qū)域。

優(yōu)選地，在第四步驟中，通過根據(jù)檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性判斷晶圓相對于聚焦環(huán)的位置，從而判斷晶圓位置的偏移情況。

優(yōu)選地，在第四步驟中，根據(jù)比較檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的相對區(qū)間的刻蝕速率，判斷晶圓相對于聚焦環(huán)的位置偏移方向。

優(yōu)選地，相對區(qū)間指的是處于晶圓直徑兩端的兩個區(qū)間。

優(yōu)選地，區(qū)間的刻蝕速率是相應(yīng)區(qū)間的平均刻蝕速率。

優(yōu)選地，在第四步驟中，將刻蝕速率之差超過預(yù)定閾值的兩個相對區(qū)間所在的晶圓直徑所在的方向確定為晶圓位置的偏移方向。

優(yōu)選地，在第四步驟中，將晶圓位置的偏移方向被確定為從兩個相對區(qū)間中刻蝕速率較大的一個區(qū)間到兩個相對區(qū)間中刻蝕速率較小的一個區(qū)間的方向。

由此，本發(fā)明提供了一種能夠通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，從而能夠在不對設(shè)備進(jìn)行開腔的情況下實(shí)現(xiàn)對晶圓位置偏移的有效監(jiān)控。由此，本發(fā)明能夠通過對邊緣刻蝕速率的檢測，及時發(fā)現(xiàn)晶圓位置偏移的異常。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了晶圓在設(shè)備中的位置布置示意圖。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法的流程圖。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法的相對區(qū)間示意圖。

圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法建立的邊緣刻蝕速率趨勢圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

在干法刻蝕設(shè)備中，晶圓外部速率和其與聚焦環(huán)之間的距離有強(qiáng)相關(guān)性(晶圓在設(shè)備中的位置布置示意如圖1所示)。由此，本發(fā)明提出，通過監(jiān)控邊緣刻蝕速率的均一性，監(jiān)控晶圓位置相對于于聚焦環(huán)的偏移情況，并設(shè)定相應(yīng)規(guī)格，檢測過度偏移的情況。由此，在不開腔檢查的情況下，對晶圓相對于聚焦環(huán)的偏移進(jìn)行持續(xù)監(jiān)測，及時發(fā)現(xiàn)位置異常偏移的情況。

下面將描述本發(fā)明的具體實(shí)施例。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法的流程圖。

如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法包括：

第一步驟S1：將晶圓布置在干法刻蝕設(shè)備中；

第二步驟S2：對干法刻蝕設(shè)備中的晶圓進(jìn)行干法刻蝕；

第三步驟S3：檢測晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性；其中，晶圓邊緣區(qū)域指的是晶圓邊緣的外環(huán)區(qū)域。

第四步驟S4：根據(jù)檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性判斷晶圓位置的偏移情況。

具體地，在第四步驟S4中，通過根據(jù)檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性判斷晶圓相對于聚焦環(huán)的位置，從而判斷晶圓位置的偏移情況。

更具體地，在第四步驟S4中，根據(jù)比較檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的相對區(qū)間的刻蝕速率(該刻蝕速率指的是相應(yīng)區(qū)間的平均刻蝕速率)，判斷晶圓相對于聚焦環(huán)的位置偏移方向。

其中，相對區(qū)間指的是處于晶圓直徑兩端的兩個區(qū)間。具體地，如圖3所示，第一區(qū)間10和第二區(qū)間20處于晶圓直徑兩端，即相對區(qū)間。

進(jìn)一步地，在第四步驟S4中，將刻蝕速率之差超過預(yù)定閾值的兩個相對區(qū)間所在的晶圓直徑所在的方向確定為晶圓位置的偏移方向。

而且更進(jìn)一步地，將晶圓位置的偏移方向被確定為從兩個相對區(qū)間中刻蝕速率較大的一個區(qū)間到兩個相對區(qū)間中刻蝕速率較小的一個區(qū)間的方向。

而且，在本發(fā)明的具體實(shí)施過程中，可以持續(xù)監(jiān)測刻蝕設(shè)備內(nèi)部晶圓的邊緣刻蝕速率，并建立如圖4所示邊緣刻蝕速率趨勢圖。由此，可以在趨勢圖中發(fā)現(xiàn)問題，并且在發(fā)現(xiàn)問題之后及時進(jìn)行腔體維護(hù)。

由此，本發(fā)明提供了一種能夠通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，從而能夠在不對設(shè)備進(jìn)行開腔的情況下實(shí)現(xiàn)對晶圓位置偏移的有效監(jiān)控。由此，本發(fā)明能夠通過對邊緣刻蝕速率的檢測，及時發(fā)現(xiàn)晶圓位置偏移的異常。

此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。