技術(shù)特征：

1.一種提高閃存低溫?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)特性的方法，其特征在于包括：

第一步驟：在硅襯底上，利用N₂O退火進(jìn)行退火處理，生長(zhǎng)一層摻氮氧化層；

第二步驟：利用ISSG通入H₂和O₂，生長(zhǎng)氧化層作為隧道氧化層，由此摻氮氧化層與隧道氧化層形成總氧化層；

第三步驟：在總氧化層上生長(zhǎng)多晶硅作為浮柵層；

第四步驟：在浮柵層上生長(zhǎng)ONO結(jié)構(gòu)的多晶硅間電介質(zhì)層，用于保證浮柵中電子的存儲(chǔ)；

第五步驟：在多晶硅間電介質(zhì)層上形成控制柵多晶硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高閃存低溫?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)特性的方法，其特征在于，在第一步驟中在溫度900-1100℃下進(jìn)行退火處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高閃存低溫?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)特性的方法，其特征在于，在第一步驟中進(jìn)行1-60分鐘的退火處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高閃存低溫?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)特性的方法，其特征在于，第一步驟中的摻氮氧化層的厚度介于20-40A之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高閃存低溫?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)特性的方法，其特征在于，在溫度900-1100℃條件下執(zhí)行第二步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高閃存低溫?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)特性的方法，其特征在于，在第二步驟中，H₂和O₂的體積比介于0.1％-100％之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高閃存低溫?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)特性的方法，其特征在于，在第二步驟中，H₂和O₂的總氣體流量介于1-100slm/s之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高閃存低溫?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)特性的方法，其特征在于，在第二步驟中，生長(zhǎng)的氧化層的厚度介于60-100A之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高閃存低溫?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)特性的方法，其特征在于，在第三步驟中，多晶硅的摻雜濃度介于1E15-5E15之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高閃存低溫?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)特性的方法，其特征在于，在第三步驟中，多晶硅的摻雜元素為磷。