本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)電池及太陽(yáng)電池的制造方法，該太陽(yáng)電池為：在基板上制作有照射光線等時(shí)會(huì)產(chǎn)生高電子濃度的區(qū)域，并且在該區(qū)域上形成有透射光線等的絕緣膜，且具有從形成在絕緣膜的電子取出口取出電子的匯流電極的太陽(yáng)電池。

背景技術(shù)：

以往，利用可再生能源之一的太陽(yáng)電池，是以20世紀(jì)的主角的半導(dǎo)體技術(shù)作為基礎(chǔ)而進(jìn)行其開發(fā)。其為影響人類生存的全球級(jí)的重要開發(fā)。其開發(fā)課題不光只有將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)換成為電能的效率，亦須一邊面臨減低制造成本及無(wú)公害的課題而一邊持續(xù)進(jìn)展。就實(shí)現(xiàn)這些課題的努力而言，減少電極所使用的銀(Ag)和鉛(Pb)的使用量乃至不使用銀(Ag)和鉛(pb)特別重要。

一般而言，太陽(yáng)電池的構(gòu)造如圖10(a)的平面圖及圖10(b)的剖面圖所示，由下列各要素所構(gòu)成：N型/P型的硅基板43，將太陽(yáng)光能源轉(zhuǎn)換為電能；氮化硅膜45，防止硅基板43的表面反射且為絕緣體薄膜；指狀電極(finger electrode)42，取出在硅基板43中產(chǎn)生的電子；總線電極(bus bar electrode)41，收集指狀電極42所取出的電子；引出導(dǎo)線47，將收集至總線電極41的電子取出至外部。

其中，在總線電極(總線電極)41及指狀電極42使用銀及鉛(鉛玻璃)，理想為削除或減少該銀的使用量，而進(jìn)一步減少或削除鉛(鉛玻璃)的使用量，成為低成本且無(wú)公害。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

(發(fā)明欲解決的課題)

上述以往的圖10的太陽(yáng)電池的構(gòu)成要素中，是在指狀電極42等使用銀及鉛(作為黏結(jié)劑的鉛玻璃)，而有削除或減少該銀的使用量，及減少或削除鉛(鉛玻璃)的使用量，使太陽(yáng)電池的制造成本減低且成為無(wú)公害的課題。

(解決課題的手段)

本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，于膏使用后述的NTA玻璃100％而實(shí)驗(yàn)性地制成匯流電極等時(shí)，能夠制作出具有與使用上述傳統(tǒng)的銀膏來(lái)制作匯流電極等時(shí)相比為相當(dāng)或較優(yōu)異的特性的太陽(yáng)電池(后述)。

本發(fā)明基于這些發(fā)現(xiàn)，為了減少或削除銀的使用量，以及減少或削除鉛(鉛玻璃)的使用量，在形成太陽(yáng)電池的構(gòu)成要素的匯流電極(總線電極)等時(shí)，以釩酸鹽玻璃(以下稱為導(dǎo)電性的NTA玻璃，”NTA”為日本注冊(cè)商標(biāo)5009023號(hào))制作膏而進(jìn)行燒制，能夠削除或減少銀及鉛(鉛玻璃)的使用量。

因此，本發(fā)明設(shè)成：在基板上制作有照射光等時(shí)會(huì)產(chǎn)生高電子濃度的區(qū)域，并且在該區(qū)域上形成有透射光線等的絕緣膜，且具有從形成在絕緣膜的電子取出口取出電子的匯流電極的太陽(yáng)電池，其中，為了形成匯流電極，在導(dǎo)電性膏中以重量比100％的導(dǎo)電性玻璃作為玻璃料進(jìn)行燒制而形成匯流電極，而使用了導(dǎo)電性玻璃作為導(dǎo)電性膏。

此時(shí)，將導(dǎo)電性玻璃設(shè)為重量比100％至71％、將剩余設(shè)為銀，以取代重量比100％的導(dǎo)電性玻璃。

又，導(dǎo)電性玻璃設(shè)為至少含有釩、或釩及鋇的釩酸鹽玻璃。

又，混入導(dǎo)電性玻璃而進(jìn)行燒制的步驟的時(shí)間，最長(zhǎng)設(shè)為1分鐘以內(nèi)，且為1秒以上。

又，導(dǎo)電性玻璃設(shè)為無(wú)Pb。

又，在已燒制指狀電極時(shí)，指狀電極設(shè)為：具有一端位于高電子濃度區(qū)域，且在另一端形成與匯流電極的上表面為相同高度的部分、或穿出而于上表面突出的部分。

又，設(shè)為：在經(jīng)燒制而形成的匯流電極上設(shè)置導(dǎo)線電極。

又，設(shè)為：在經(jīng)燒制而形成的匯流電極上以超音波焊接形成導(dǎo)線電極，接合于與導(dǎo)線電極相接的匯流電極、指狀電極及其他部分，使導(dǎo)線電極的接著強(qiáng)度提升。

(發(fā)明的效果)

本發(fā)明如上所述，借由使用100％的導(dǎo)電性的NTA玻璃，甚至為71％左右(亦可更減少含量)取代傳統(tǒng)的銀膏而進(jìn)行燒制，能夠削除或減少在傳統(tǒng)的銀膏中銀的使用量，且能減少或削除鉛(鉛玻璃)的利用量。由此，而具有下述的特徴。

第1，是在形成太陽(yáng)電池的總線電極(匯流電極)時(shí)，使用為導(dǎo)電性的釩酸鹽玻璃的100％、甚至71％左右的NTA玻璃(日本注冊(cè)商標(biāo)第5009023號(hào)，日本專利第5333976號(hào))取代銀膏，能夠削除或減少Ag的使用量，且能減少或削除鉛(鉛玻璃)的使用量。

第2，借由于總線電極(總線電極)使用NTA玻璃100％至71％左右(亦可更減少含量)，于現(xiàn)階段得到的初期實(shí)驗(yàn)結(jié)果，能形成將太陽(yáng)光能源轉(zhuǎn)換為電子能量的效率為幾乎同等或者稍高、并發(fā)揮作為總線電極的效果的電極(參照?qǐng)D9)。公認(rèn)這是因?yàn)镹TA玻璃為如下者：(1)具有導(dǎo)電性；(2)借由使用NTA玻璃，指狀電極是形成與該總線電極(匯流電極)的上表面為相同高度的部分、或穿出而于上表面突出的部分，這些部分以導(dǎo)線的超音波焊接而接合，就結(jié)果而言，直接以指狀電極連接高電子濃度區(qū)域與導(dǎo)線；其他的要素(例如參照下述的“第3”)所造成。

第3，不同于以往之處在于，指狀電極的形成與總線電極的形成是使用含有不同的玻璃料的膏(paste)。以往，在指狀電極的形成，需產(chǎn)生被稱為鍛燒(firing)的現(xiàn)象。借由這是通過(guò)被用作為銀的燒結(jié)助劑的玻璃料中的成分分子，例如鉛玻璃中的鉛分子的作用，以突破形成于硅基板的表層的氮化硅膜的絕緣層而形成指狀電極的方式，而有效率地收集在硅基板所生成的電子。但是，關(guān)于總線電極的形成，鍛燒現(xiàn)象并非必需。以往，總線電極亦將含有鉛成分的鉛玻璃作為燒結(jié)助劑而進(jìn)行燒結(jié)，因此構(gòu)造雖然不同，但會(huì)形成總線電極與硅基板間的電性導(dǎo)通而降低轉(zhuǎn)換效率。借由在形成總線電極時(shí)使用不會(huì)產(chǎn)生鍛燒現(xiàn)象的NTA玻璃作為燒結(jié)助劑，可以削除轉(zhuǎn)換效率的降低。

第4，有使用銀粉末材料所導(dǎo)致的太陽(yáng)電池的成本高(原材料費(fèi)高)的問題。而且，亦浮現(xiàn)由于過(guò)度地需求銀材料所致的材料調(diào)度問題。公認(rèn)即使將導(dǎo)電玻璃的NTA玻璃的含有比率大幅地增加至100％至71％，并對(duì)應(yīng)該增加量而減少銀量，亦能夠制作出不會(huì)降低轉(zhuǎn)換效率太陽(yáng)電池一事，會(huì)對(duì)產(chǎn)業(yè)界產(chǎn)生重大的沖擊。

第5，不使用在以往的總線電極的形成所一直使用的鉛玻璃，亦即，能夠無(wú)鉛化。由此，能夠完全避免鉛公害的環(huán)境問題。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的1實(shí)施例構(gòu)造圖(步驟的完成圖:剖面圖)。

圖2為本發(fā)明的動(dòng)作說(shuō)明流程圖。

圖3為本發(fā)明的詳細(xì)步驟說(shuō)明圖(其1)。

圖4為本發(fā)明的詳細(xì)步驟說(shuō)明圖(其2)。

圖5為本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明圖(總線電極的燒制)。

圖6為本發(fā)明的說(shuō)明圖(總線電極)。

圖7為本發(fā)明的說(shuō)明圖(總線電極)。

圖8為本發(fā)明的說(shuō)明圖(超音波焊接)。

圖9為本發(fā)明的測(cè)定例(效率)。

圖10為現(xiàn)有技術(shù)的說(shuō)明圖。

[符號(hào)簡(jiǎn)單說(shuō)明]

11 硅基板

12 高電子濃度區(qū)域(擴(kuò)散摻雜)

13 絕緣膜(氮化硅膜)

14 電子取出口(指狀電極)

15 總線電極

16 背面電極

17 導(dǎo)線

具體實(shí)施方式

(實(shí)施例)

圖1顯示本發(fā)明的一實(shí)施例構(gòu)造圖(步驟的完成圖:剖面圖)。

于圖1中，硅基板11為公知的半導(dǎo)體硅基板。

高電子濃度區(qū)域(擴(kuò)散摻雜層)12是借由擴(kuò)散摻雜等于硅基板11上形成有所期望的p型/n型的層的公知的區(qū)域(層)，在圖中從上方向入射太陽(yáng)光時(shí)，會(huì)在硅基板11產(chǎn)生電子(發(fā)電)且積蓄該電子的區(qū)域。在此，所積蓄的電子借由電子取出口(指狀電極(銀))14朝上方向被取出(參照發(fā)明的效果)。

絕緣膜(氮化硅膜)13是使太陽(yáng)光通過(guò)(穿透)且使總線電極15與高電子濃度區(qū)域14電性絕緣的公知的膜。

電子取出口(指狀電極(銀))14是經(jīng)由形成在絕緣膜13的孔穴而將積蓄在高電子濃度區(qū)域12中的電子取出的口(指狀電極)。指狀電極14在本發(fā)明中如圖所示，當(dāng)以NTA玻璃100％(至71％左右)燒制總線電極15時(shí)，指狀電極14是形成(燒制成)與總線電極15的上表面為相同高度的部分、或穿出而于上表面突出的部分，而可經(jīng)由該指狀電極14使高電子濃度區(qū)域12中的電子直接流入至導(dǎo)線17(直接取出電子)。亦即，可用高電子濃度區(qū)域12、指狀電極14、總線電極15、導(dǎo)線17的路徑1(傳統(tǒng)的路徑1)，與高電子濃度區(qū)域12、指狀電極14、導(dǎo)線17的路徑2(本發(fā)明所追加的路徑2)這2條路徑將高電子濃度區(qū)域12中的電子(電流)經(jīng)由導(dǎo)線17取出至外部，就結(jié)果而言，可使高電子濃度區(qū)域12與導(dǎo)線17之間的電阻值為非常小，減低損失，就結(jié)果而言可提升太陽(yáng)電池的效率。

總線電極(電極1(NTA玻璃100％))15是電性連接復(fù)數(shù)個(gè)電子取出口(指狀電極)14的電極，為不使用到Ag或削減Ag的使用量的對(duì)象的電極(參照發(fā)明的效果)。

背面電極(電極2(鋁))16是形成在硅基板11的下面的公知的電極。

導(dǎo)線(焊接形成)17，是電性連接復(fù)數(shù)個(gè)總線電極15的將電子(電流I)取出至外部的導(dǎo)線；或更進(jìn)一步將該導(dǎo)線超音波焊接而接合在本發(fā)明中的指狀電極14與總線電極15的上表面為相同高度的部分或穿出總線電極15的上表面的部分，而將電子(電流)取出至外部的導(dǎo)線。

基于以上圖1的構(gòu)造，從上往下方向照射太陽(yáng)光時(shí)，太陽(yáng)光通過(guò)無(wú)導(dǎo)線17和無(wú)電子取出口14的部分及絕緣膜13，入射至硅基板11而產(chǎn)生電子。然后，積蓄于高電子濃度區(qū)域12的電子，經(jīng)由電子取出口(指狀電極)14、總線電極15、導(dǎo)線17的路徑1，以及電子取出口(指狀電極)14、導(dǎo)線17的路徑2這兩個(gè)路徑被取出至外部。此時(shí)，如后述圖2至圖9，在焊膏中混入100％至71％(亦可更少，參照?qǐng)D9)的NTA玻璃(導(dǎo)電性玻璃)作為玻璃料且進(jìn)行燒制而形成總線電極15，能夠不使用Ag或減低Ag的使用量。以下將依序詳細(xì)地說(shuō)明。

圖2表示本發(fā)明的動(dòng)作說(shuō)明流程圖，圖3及圖4表示各步驟的詳細(xì)構(gòu)造。

在圖2中，S1是準(zhǔn)備硅基板。

S2是進(jìn)行清洗。這些S1、S2如圖3(a)所示，將在S1所準(zhǔn)備的硅基板11的面(形成高電子濃度區(qū)域12的面)良好地清洗。

S3是進(jìn)行擴(kuò)散摻雜。如圖3(b)所示，在圖3(a)所清洗過(guò)的硅基板11上進(jìn)行公知的擴(kuò)散摻雜，形成高電子濃度區(qū)域12。

S4是形成抗反射膜(氮化硅膜)。如圖3(c)所示，在形成圖3(b)的高電子濃度區(qū)域12后，借由公知的手法形成例如氮化硅膜作為抗反射膜(使太陽(yáng)光通過(guò)，而且盡可能減少表面反射的膜)。

S5是網(wǎng)版印刷指狀電極。如圖3(d)所示，在形成圖3(c)的氮化硅膜13后，網(wǎng)版印刷形成的指狀電極14的圖案。印刷材料是例如使用在銀混入鉛玻璃作為玻璃料(frit)者。

S6是對(duì)指狀電極進(jìn)行燒制且使其燒穿(fire-through)。這是對(duì)圖3(d)的進(jìn)行網(wǎng)版印刷后的指狀電極14的圖案(混入銀與鉛玻璃的玻璃料而成者)進(jìn)行燒制，如圖3(e)所示，使氮化硅膜13燒穿而形成于其中形成有銀(導(dǎo)電性)的指狀電極14。

S7是網(wǎng)版印刷總線電極(電極1)。如圖4(f)所示，在形成圖3(e)的指狀電極14后，網(wǎng)版印刷形成總線電極15的圖案。印刷材料是例如使用NTA氣體(100％)作為玻璃料。

S8是燒制總線電極。這是對(duì)在圖3(f)的進(jìn)行網(wǎng)版印刷后的總線電極15的圖案(NTA玻璃(100％)的玻璃料)進(jìn)行燒制(燒制時(shí)間即便較長(zhǎng)亦為1分以內(nèi)，燒制1至3秒以上)，如圖4(g)所示，總線電極15形成于最上層，且為本發(fā)明的特征，指狀電極14是形成與形成于其最上層的總線電極15的上表面為相同高度的部分、或穿出總線電極15的上表面的部分。

此外，進(jìn)行S5及S7的印刷，亦可將兩者同時(shí)燒制。

S9是形成背面電極(電極2)。如圖4(h)所示，于硅基板11的下側(cè)(背面)形成例如鋁電極。

S10是以焊料形成導(dǎo)線。如圖4(i)所示，以焊料形成，例如以超音波焊接而形成電性連接圖4(g)的總線電極的導(dǎo)線并電性連接，則可以高電子濃度區(qū)域12、指狀電極14、總線電極16、導(dǎo)線17的路徑1(傳統(tǒng)的路徑1)，與高電子濃度區(qū)域12、指狀電極14、導(dǎo)線17的路徑2(本發(fā)明所追加的路徑2)這兩種路徑，將高電子濃度領(lǐng)域12中的電子(電流)經(jīng)由導(dǎo)線17取出至外部，可以使高電子濃度區(qū)域12與導(dǎo)線17的間的電阻值為非常小而減少損失，進(jìn)而提升太陽(yáng)電池的效率。亦即，本發(fā)明所追加的路徑2是指狀電極14的一端位于高電子濃度區(qū)域12中，且具有另一端與NTA玻璃100％的總線電極15的上表面為相同高度的部分或穿出總線電極15的上表面的部分，并于該部分直接接合(以超音波焊接直接接合)導(dǎo)線，因此形成高電子濃度區(qū)域12、指狀電極14、導(dǎo)線17的路徑2。又，路徑1為傳統(tǒng)的路徑。

借由以上的步驟，能夠于硅基板制作太陽(yáng)電池。

圖5表示本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明圖(總線電極的燒制)。

圖5(a)示意性表示以銀100％、NTA0％(重量比)燒制總線電極的例，圖5(b)示意性表示以銀50％、NTA50％(重量比)燒制總線電極的例，圖5(c)示意性表示以NTA100％(重量比)燒制總線電極的例。燒制時(shí)間即便較長(zhǎng)亦為1分以內(nèi)，且設(shè)為1至3秒以上。

如圖5(a)、圖5(b)及圖5(c)的圖示，以成為大致相同構(gòu)造的方式所形成的太陽(yáng)電池的試作實(shí)驗(yàn)，可得到如下述的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率

試作實(shí)驗(yàn)結(jié)果，就印刷總線電極的圖案的材料而言，在圖5(a)及圖5(b)制成太陽(yáng)電池時(shí)的轉(zhuǎn)換效率為平均約17.0％，得到大致相同的結(jié)果，再者，在圖5(c)得到轉(zhuǎn)換效率為平均約17.2％。由初期實(shí)驗(yàn)結(jié)果得知，圖5(a)至(c)均于大致相同的轉(zhuǎn)換效率的范圍內(nèi)，或者圖5(c)的NTA 100％為稍高的轉(zhuǎn)換效率。此外，NTA玻璃由釩、鋇、鐵所構(gòu)成，特別是鐵在內(nèi)部強(qiáng)力地鍵結(jié)且殘留于該內(nèi)部，具有即便與其他材料混合其結(jié)合性亦極小的性質(zhì)(參照日本專利第5333976號(hào)等)，更且推測(cè)是由所述的本發(fā)明的高電子濃度區(qū)域與導(dǎo)線的間的路徑(路徑1與路徑2并列)的改善所致。

圖6及圖7表示本發(fā)明的說(shuō)明圖(總線電極)。

圖6(a)及圖6(b)為NTA 50％、Ag50％者，其中，圖6(a)表示全體平面圖，圖6(b)表示放大圖。圖7(c)為NTA 100％、Ag 0％者，而圖7(c)表示放大圖。

于圖6(a)及圖6(b)中，總線電極15如圖6(a)的全體平面圖所示，為長(zhǎng)條狀的電極，將此以光學(xué)顯微鏡放大時(shí)，可觀察到如圖6(b)所示的構(gòu)造。

于圖6(b)中，總線電極15在使用傳統(tǒng)的Ag及鉛玻璃的玻璃料進(jìn)行燒制時(shí)，Ag均勻地分散，但在使用本發(fā)明的Ag及NTA玻璃的玻璃料進(jìn)行燒制(即便較長(zhǎng)亦為1分鐘以內(nèi)、1至3秒以上的燒制)時(shí)，如圖6(b)所示，清楚明白Ag聚集形成在總線電極15的中央部分。因此，如在發(fā)明的效果一段所說(shuō)明，于Ag混入NTA玻璃并進(jìn)行短時(shí)間燒制(即便較長(zhǎng)亦為1分鐘、1至3秒以上的燒制)時(shí)，Ag會(huì)聚集在中央部分而使導(dǎo)電性提升(相較于傳統(tǒng)Ag均勻地分散的情況，導(dǎo)電性會(huì)提升)，且因NTA玻璃本身亦具有導(dǎo)電性等總合性作用，即便減少Ag的比例而增加NTA玻璃，制造作為太陽(yáng)電池時(shí)的轉(zhuǎn)換效率如前述，為約16.9％，在實(shí)驗(yàn)中可得到大致相同的結(jié)果。

而且，燒制溫度為500℃至900℃，但需視實(shí)驗(yàn)而決定在制成作為太陽(yáng)電池時(shí)最適的溫度。過(guò)低或過(guò)高均無(wú)法得到如圖6(b)的構(gòu)造，需依實(shí)驗(yàn)而決定。

于圖7(c)中，總線電極15是圖標(biāo)的中央部分的橫向?qū)挾容^寬的條狀的電極，顯示本發(fā)明的NTA 100％的放大照片的1例。

能清楚明白，此圖7(c)的總線電極15是具有于縱向的寬度較窄的指狀電極14穿出該總線電極15而于上側(cè)稍微突出的部分，且該突出的部分的周圍較原本的指狀電極14的寬度更粗。然后，在圖標(biāo)的總線電極15上，以與該總線電極15的寬度相同、寬度稍小、或稍大的寬度，以如后述圖8所詳細(xì)說(shuō)明的方式進(jìn)行超音波焊接，由此可以前述的路徑1(光電子濃度區(qū)域12、指狀電極14、總線電極15、導(dǎo)線17的路徑1)及路徑2(光電子濃度區(qū)域12、指狀電極14、導(dǎo)線17的路徑2)的兩種路徑導(dǎo)電連接高濃度電子區(qū)域與該導(dǎo)線，減少電子(電流)的損失而有效率地取出至外部，得到與圖6(a)、(b)大致相同的轉(zhuǎn)換效率，或稍高的轉(zhuǎn)換效率(約17.2％)。

而且，燒制溫度為與圖6(a)、(b)大致相同的500℃至900℃，但需依實(shí)驗(yàn)而決定制成作為太陽(yáng)電池時(shí)最適的溫度。過(guò)低或過(guò)高均無(wú)法得到如圖7(c)的構(gòu)造，需依實(shí)驗(yàn)而決定。

圖8表示本發(fā)明的說(shuō)明圖(超音波焊接)。這是前述圖7(c)的NTA100％的情況者(而且，同樣可適用于圖6(a)、(b))。

圖8(a)表示指狀電極14經(jīng)燒制后的狀態(tài)。

圖8(b)表示傳統(tǒng)例，是在圖8(a)的總線電極15上，焊接以虛線表示的在此圖為稍大(亦可為相同或較小)的導(dǎo)線17。在此傳統(tǒng)例中，進(jìn)行一般的焊接，故指狀電極14所突出的部分(Ag)與導(dǎo)線17焊接接合，但指狀電極14的未突出的部分(NTA100％的部分)與導(dǎo)線17并未充分地焊接接合，機(jī)械強(qiáng)度并不充分。另一方面，在后述的圖8(c)的超音波焊接時(shí)焊接接合，機(jī)械強(qiáng)度會(huì)大幅提升。

圖8(c)表示本發(fā)明的例，是在圖8(a)的總線電極15(圖7(c)的總線電極15)上超音波焊接以虛線表示的稍大的導(dǎo)線17。此本發(fā)明的例中，進(jìn)行超音波焊接，故指狀電極14突出的部分(Ag)與導(dǎo)線17焊接接合，而且，無(wú)指狀電極14的部分(NTA100％的部分)與導(dǎo)線17亦焊接接合，故機(jī)械強(qiáng)度大幅提升，同時(shí)提升了前述的路徑2(高電子濃度區(qū)域12、指狀電極14、總線電極15、導(dǎo)線17的路徑2)的導(dǎo)電性。

圖9表示本發(fā)明的測(cè)定例(效率)。本圖9針對(duì)前述的總線電極15使NTA由100％變化至70％時(shí)的良好的測(cè)定例，圖9的橫軸表示樣本的編號(hào)，縱軸表示效率(％)。樣本設(shè)為：

·NTA 100％ Ag 0％

·NTA 90％ Ag 10％

·NTA 80％ Ag 20％

·NTA 70％ Ag 30％，

以這些制成太陽(yáng)電池，各測(cè)定結(jié)果(效率)如圖示所示。此外，由于是初期實(shí)驗(yàn)，故如圖所示，測(cè)定結(jié)果中呈現(xiàn)相當(dāng)?shù)碾x散，但均落在16.9至17.5的范圍內(nèi)，且即便在以NTA 100％制成總線電極15(亦即，不含Ag而制成)來(lái)制造太陽(yáng)電池時(shí)，仍可得到與NTA 70％(或進(jìn)一步為80％、90％)相比為相同程度或稍高的效率，而能清楚明白亦可使用NTA100％(發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)此事實(shí))。