技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

作為用于增加半導(dǎo)體器件密度的縮放技術(shù)之一，已經(jīng)提出了多柵極晶體管。多柵極晶體管通過在基底上形成鰭狀硅體并且在硅體的表面上形成柵極來獲得。

因?yàn)槎鄸艠O晶體管使用三維(3D)溝道，所以多柵極晶體管可被縮放。此外，能夠在不需要增加多柵極晶體管的柵極長度的情況下改善電流控制能力。此外，能夠有效限制和/或抑制溝道區(qū)的電位被漏極電壓影響的短溝道效應(yīng)(SCE)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件的性能可以通過鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)的溝道形狀的調(diào)整來增加寬度效應(yīng)而得到改善。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件包括：包括第一溝槽的基底；位于基底上的第一鰭圖案；位于基底上的柵電極；以及位于基底上圍繞第一鰭圖案的部分的場絕緣層。第一鰭圖案包括彼此面對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第一鰭圖案由第一溝槽來限定。第一鰭圖案包括在下部上的上部。第一分界線分開第一鰭圖案的下部和上部。第一鰭中心線與第一分界線正交且與第一鰭圖案的上部的最高部交會。在距離第一溝槽的下表面第一高度處測量第一側(cè)壁和第一鰭中心線之間的第一距離。在比第一高度低的第二高度處測量第一側(cè)壁和第一鰭中心線之間的第二距離。第一距離大于第二距離。柵電極與第一鰭圖案相交。第一鰭圖案的上部被柵電極圍繞。第一鰭圖案的下部被場絕緣層圍繞。

在示例實(shí)施例中，可以在第一高度處測量第二側(cè)壁和第一鰭中心線之間的第三距離，可以在第二高度處測量第二側(cè)壁和第一鰭中心線之間的第四距離，第三距離可以小于第四距離。

在示例實(shí)施例中，第一高度和第二高度可以低于從第一溝槽的下表面到第一分界線之間的高度，第一距離和第二距離可以小于在第一分界線上測量的第一側(cè)壁和第一鰭中心線之間的第三距離。

在示例實(shí)施例中，第一鰭中心線和第一鰭圖案的上部的第一側(cè)壁之間的距離可以隨著與第一分界線的距離增大而減小。

在示例實(shí)施例中，第一鰭中心線可以接觸第一側(cè)壁。

在示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可以包括：突起結(jié)構(gòu)，從與第一側(cè)壁相鄰的第一溝槽的底表面突起。

在示例實(shí)施例中，第一溝槽可以包括第一子溝槽和第二子溝槽。第一子溝槽可以接觸第一側(cè)壁。第二子溝槽可以接觸第二側(cè)壁。第一子溝槽的上表面可以在與第二子溝槽的上表面不同的平面內(nèi)。

在示例實(shí)施例中，從基底開始的第一子溝槽的高度可以低于第二子溝槽的高度。

在示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可以包括：襯層，圍繞第一鰭圖案的下部。

在示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可以包括：第二鰭圖案，位于基底上并與第一溝槽相鄰。第二鰭圖案可以包括彼此面對的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁?；卓梢园ǎ旱诙喜郏c第一鰭圖案的第一側(cè)壁和第二鰭圖案的第四側(cè)壁相鄰。場絕緣層可以填充第一溝槽的部分和第二溝槽的部分。第二鰭圖案可以包括在下部上的上部。第二鰭圖案的下部可以被場絕緣層圍繞。第二鰭圖案的上部可以被柵電極圍繞。第二鰭圖案可以包括分開第二鰭圖案的下部和上部的第二分界線。第二鰭圖案可以包括：第二鰭中心線，與第二分界線正交且與第二鰭圖案的上部的最高部交會?？梢栽诘谝桓叨忍帨y量第四側(cè)壁和第二鰭中心線之間的第三距離?？梢栽诘诙叨忍帨y量第四側(cè)壁和第二鰭中心線之間的第四距離。第三距離可以大于第四距離。

在示例實(shí)施例中，場中心線可以限定在第一鰭中心線和第二鰭中心線之間并且可以在與第一鰭中心線和第二鰭中心線分開相等距離的位置處，其中，第二側(cè)壁和第三側(cè)壁可以相對于場中心線彼此對稱。

在示例實(shí)施例中，第一鰭圖案和第二鰭圖案可以由第一溝槽限定，第一溝槽的第一深度可以小于或等于第二溝槽的第二深度。

在示例實(shí)施例中，第二溝槽可以限定有源區(qū)。

在示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可以包括：第三鰭圖案，位于基底上并且在第一鰭圖案和第二鰭圖案之間。第三鰭圖案可以由第一溝槽來限定。

在示例實(shí)施例中，第三鰭圖案可以包括彼此面對的第五側(cè)壁和第六側(cè)壁。第三鰭圖案可以包括在下部上的上部。第三鰭圖案的下部可以被場絕緣層圍繞。第三鰭圖案的上部可以被柵電極圍繞。第三鰭圖案可以包括分開第三鰭圖案的下部和上部的第三分界線。第三鰭圖案可以包括與第三分界線正交并且與第三鰭圖案的最高部交會的第三鰭中心線。第五側(cè)壁和第六側(cè)壁可以相對于第三鰭中心線彼此對稱。

在示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可以包括在基底上的第二鰭圖案。第二鰭圖案可以包括彼此面對的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁。第二鰭圖案可以包括在下部上的上部。第二鰭圖案的下部可以被場絕緣層圍繞。第二鰭圖案的上部可以被柵電極圍繞。第二鰭圖案可以包括在第二鰭圖案的下部和第二鰭圖案的上部之間的第二分界線。第二鰭圖案可以包括：第二鰭中心線，與第二分界線正交且與第一鰭圖案的上部的最高部交會。第三側(cè)壁和第四側(cè)壁可以相對于第二鰭中心線彼此對稱。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括：包括彼此面對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁的第一鰭圖案；位于第一鰭圖案上的柵電極；以及接觸第一鰭圖案的部分的場絕緣層。第一鰭圖案包括在下部上的上部。第一鰭圖案包括分開下部和上部的第一分界線。第一鰭圖案包括：第一鰭中心線，與第一分界線正交且與第一鰭圖案的上部的最高部交會。第一線平行于第一鰭中心線且接觸第一點(diǎn)。第二線平行于第一鰭中心線且接觸第二點(diǎn)。第二線比第一線靠近第一鰭中心線，第二點(diǎn)位于第一點(diǎn)下方。柵電極與第一鰭圖案相交。場絕緣層圍繞第一鰭圖案的下部。

在示例實(shí)施例中，第二線可以比第一線靠近第一鰭中心線。

在示例實(shí)施例中，第一鰭中心線和第一線可以彼此疊置。

在示例實(shí)施例中，第一鰭中心線可以比第一線和第二線進(jìn)一步位于第一鰭圖案的外側(cè)。

在示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可以包括：基底，包括限定第一鰭圖案的第一溝槽；突起結(jié)構(gòu)，從與第一側(cè)壁相鄰的第一溝槽的底表面突起。

在示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可以包括：基底，包含第一溝槽；和第二鰭圖案，包括彼此面對的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁。第一鰭圖案可以由第一溝槽來限定。第二鰭圖案可以與第一鰭圖案相鄰。第一溝槽可以在彼此面對的第一鰭圖案的第二側(cè)壁和第二鰭圖案的第三側(cè)壁之間。第二鰭圖案可以包括在下部上的上部。場絕緣層可以圍繞第二鰭圖案的下部。柵電極可以圍繞第二鰭圖案的上部。第二分界線可以分開第二鰭圖案的上部和下部。第二鰭中心線可以與第二分界線正交且可以與第二鰭圖案的上部的最高部交會。第三線可以平行于第二鰭中心線并且可以接觸第三點(diǎn)。第四線可以平行于第二鰭中心線并且可以接觸第四點(diǎn)。第四線可以比第三線靠近第二鰭中心線。第四點(diǎn)可以位于第三點(diǎn)下方。

在示例實(shí)施例中，第一鰭圖案的第二側(cè)壁和第二鰭圖案的第三側(cè)壁可以彼此面對，其間有場絕緣層。場中心線可以限定在第一鰭中心線和第二鰭中心線之間并且可以在與第一鰭中心線和第二鰭中心線分開相等距離的位置處。第二側(cè)壁和第三側(cè)壁可以相對于場中心線彼此對稱。

在示例實(shí)施例中，第二線和第四線可以位于與場中心線相等的距離處。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括：第一鰭圖案；第二鰭圖案，與第一鰭圖案相鄰；基底，包括在第一鰭圖案和第二鰭圖案之間的溝槽；第三鰭圖案，與第二鰭圖案相鄰；柵電極，位于第一鰭圖案至第三鰭圖案上；以及場絕緣層，接觸第一鰭圖案至第三鰭圖案中的每個(gè)的部分。第一鰭圖案包括彼此面對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第一鰭圖案包括：在下部上的上部；第一分界線，分開第一鰭圖案的下部和上部；以及第一鰭中心線，與第一分界線正交并且與第一鰭圖案的上部的最高部交會。在距離溝槽的下表面的第一高度處測量第一側(cè)壁和第一鰭中心線之間的第一距離。在比第一高度低的第二高度處測量第一側(cè)壁和第一鰭中心線之間的第二距離。第一距離大于第二距離。第二鰭中心線和第一鰭中心線之間的第一間隙不同于第三鰭中心線和第二鰭中心線之間的第二間隙，其中，所述第二鰭中心線平行于第一鰭中心線且與第二鰭圖案的最高部交會，所述第三鰭中心線平行于第一鰭中心線且與第三鰭中心線的最高部交會。柵電極與第一鰭圖案至第三鰭圖案相交。柵電極圍繞第一鰭圖案的上部。場絕緣層圍繞第一鰭圖案的下部。

在示例實(shí)施例中，第二鰭圖案可以包括在下部上的上部。場絕緣層可以圍繞第二鰭圖案的下部。柵電極可以圍繞第二鰭圖案的上部。第三鰭圖案可以包括被場絕緣層圍繞的下部和被柵電極圍繞的上部。第一鰭圖案的上部和第二鰭圖案的上部之間的第一區(qū)域可以不同于第二鰭圖案的上部和第三鰭圖案的上部之間的第二區(qū)域。

在示例實(shí)施例中，第一間隙可以大于第二間隙，第一區(qū)域可以大于第二區(qū)域。

在示例實(shí)施例中，第一間隙可以小于第二間隙，第一區(qū)域可以小于第二區(qū)域。

在示例實(shí)施例中，在第一側(cè)壁上的第一點(diǎn)和第二點(diǎn)可以與平行于第一鰭中心線的直線交會。第二點(diǎn)可以位于第一點(diǎn)的下方并且可以比第一點(diǎn)靠近第一鰭中心線。

在示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可以包括：第一線，可以穿過第一點(diǎn)且可以平行于第一鰭中心線；和第二線，可以穿過第二點(diǎn)且可以平行于第一鰭中心線。第二線可以比第一線靠近第一鰭中心線。

在示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可以包括：第一線，可以穿過第一點(diǎn)且可以平行于第一鰭中心線；和第二線，可以穿過第二點(diǎn)且可以平行于第一鰭中心線，其中，第一鰭中心線可以在第一線和第二線之間。

在示例實(shí)施例中，第一鰭圖案的高度可以不同于第二鰭圖案或第三鰭圖案的高度。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括基底、第一柵電極和場絕緣層。基底包括第一溝槽、第二溝槽和第三溝槽。第一溝槽具有第一深度。第一溝槽限定彼此分開的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)。第二溝槽在第一有源區(qū)中限定第一鰭圖案。第一鰭圖案包括彼此面對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第一鰭圖案包括在下部上的上部以及分開第一鰭圖案的上部和下部的第一分界線。第一鰭圖案由：第一鰭中心線，與第一分界線正交且與第一鰭圖案的上部的最高部交會；第一線，平行于第一鰭中心線且接觸第一點(diǎn)；以及第二線，平行于第一鰭中心線且接觸第二點(diǎn)來限定。第二線比第一線靠近第一鰭中心線。第二點(diǎn)位于第一點(diǎn)下方。第二溝槽具有小于第一深度的第二深度。第三溝槽在第二有源區(qū)中限定第二鰭圖案。第三溝槽具有小于第一深度的第三深度。第一柵電極位于第一鰭圖案和第二鰭圖案上。第一柵電極與第一鰭圖案和第二鰭圖案相交。第一柵電極圍繞第一鰭圖案的上部。場絕緣層填充第一溝槽的部分、第二溝槽的部分和第三溝槽的部分。場絕緣層圍繞第一鰭圖案的下部。

在示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可以包括位于基底上的第二柵電極?；卓梢园ǖ谒臏喜?、第五溝槽和第六溝槽。第四溝槽可以具有第四深度且可以限定彼此分開的第三有源區(qū)和第四有源區(qū)。第五溝槽可以在第三有源區(qū)中限定第三鰭圖案且可以具有小于第四深度的第五深度。第六溝槽可以在第四有源區(qū)中限定第四鰭圖案且可以具有小于第四深度的第六深度。第二柵電極可以與第三鰭圖案和第四鰭圖案相交。第三鰭圖案可以包括彼此面對的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁、可以被場絕緣層圍繞的下部、可以被第二柵電極圍繞的上部、可以分開第三鰭圖案的下部和上部的第三分界線、可以與第三分界線正交并且可以與第三鰭圖案的上部的最高部交會的第三鰭中心線、可以平行于第三鰭中心線且接觸第三點(diǎn)的第三線以及可以平行于第三鰭中心線且接觸第四點(diǎn)的第四線。第四鰭圖案可以相對于位于第四溝槽中心的第二場中心線與第三鰭圖案對稱。

在示例實(shí)施例中，第一線和第二線之間的第一間隙可以不同于第三線和第四線之間的第二間隙。

在示例實(shí)施例中，第一鰭圖案和第二鰭圖案之間的第三間隙可以大于第三鰭圖案和第四鰭圖案之間的第四間隙，第一間隙可以大于第二間隙。

在示例實(shí)施例中，第一鰭圖案和第二鰭圖案可以與第一溝槽最相鄰。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括：包括第一溝槽的基底、位于基底上并由第一溝槽限定的第一鰭圖案、位于基底上的場絕緣層以及位于基底上的柵電極。第一鰭圖案包括在下部上的上部。第一鰭圖案包括彼此相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第一側(cè)壁沿第一鰭圖案的下部為凹的。第二側(cè)壁沿第一鰭圖案的下部為傾斜的。場絕緣層圍繞第一鰭圖案的下部。柵電極圍繞第一鰭圖案的上部。

在示例實(shí)施例中，可以基于第一鰭中心線與第一鰭圖案的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之間的水平距離來限定第一鰭圖案的上部和下部，第一點(diǎn)沿第一側(cè)壁，第二點(diǎn)沿第一側(cè)壁。第一鰭中心線可以從第一鰭圖案的最高部豎直地延伸到第一鰭圖案的最低部。第一點(diǎn)可以在第一鰭圖案的最高部和第二點(diǎn)之間沿著第一側(cè)壁。第二點(diǎn)可以在第一點(diǎn)和第一鰭圖案最低部之間沿著第一側(cè)壁。第一鰭中心線和第一側(cè)壁之間的水平距離可以沿著第一側(cè)壁從第一點(diǎn)到第一鰭圖案的最高部減小。第一鰭中心線和第一側(cè)壁之間的水平距離可以沿著第一側(cè)壁從第二點(diǎn)到第一點(diǎn)增加。第一鰭中心線和第一側(cè)壁之間的水平距離可以沿著第一側(cè)壁從第二點(diǎn)到第一鰭圖案的最低部增加。

在示例實(shí)施例中，基底可以包括限定有源圖案的深溝槽。第一溝槽可以形成在有源圖案中使得第一溝槽可以在有源圖案上限定第一鰭圖案。位于第一溝槽的底部的有源圖案的上表面可以在深溝槽的底表面上方。

在示例實(shí)施例中，第一溝槽可以在有源圖案上限定彼此分開的多個(gè)鰭圖案。多個(gè)鰭圖案可以包括與第一鰭圖案分隔開的外側(cè)鰭圖案。多個(gè)鰭圖案可以包括第一鰭圖案。所述外側(cè)鰭圖案可以相對于分開有源圖案且豎直地延伸穿過有源圖案的第一場中心線與第一鰭圖案對稱。

在示例實(shí)施例中，多個(gè)鰭圖案可以包括在第一鰭圖案和外側(cè)鰭圖案之間的內(nèi)側(cè)鰭圖案。內(nèi)側(cè)鰭圖案可以包括在下部上的上部。內(nèi)側(cè)鰭圖案的上部可以在與第一鰭圖案的上部相同的高度處。內(nèi)側(cè)鰭圖案的側(cè)壁在內(nèi)側(cè)鰭圖案的下部可以為不凹的。

附圖說明

通過參照附圖對發(fā)明構(gòu)思的非限制性實(shí)施例進(jìn)行描述，發(fā)明構(gòu)思的上述和其它方面及特征將會變得更加明顯，在附圖中：

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；

圖2是沿著圖1的線A-A截取的剖視圖；

圖3是沿著圖1的線B-B截取的剖視圖。

圖4A是沒有柵電極的圖3；

圖4B是圖4A的部分的放大視圖；

圖5示出圖1的半導(dǎo)體器件的變型示例；

圖6示出圖1的半導(dǎo)體器件的另一變型示例；

圖7A至圖7C示出圖1的半導(dǎo)體器件的其它變型示例；

圖8A至圖8B是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖；

圖9是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；

圖10是沿著圖9的線B-B截取的剖視圖；

圖11是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；

圖12是沿著圖11的線B-B截取的剖視圖；

圖13是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；

圖14是沿著圖13的線C-C截取的剖視圖；

圖15示出圖13和圖14的半導(dǎo)體器件的變型示例；

圖16示出圖13和圖14的半導(dǎo)體器件的另一變型示例；

圖17是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；

圖18是沿著圖17的線B-B截取的剖視圖；

圖19是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；

圖20A是沿著圖19的線D-D截取的剖視圖；

圖20B是沿著圖19的線E-E截取的剖視圖；

圖21是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖；以及

圖22是包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的片上系統(tǒng)(SoC)系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將參照附圖更充分地描述示例實(shí)施例，在附圖中示出了一些示例實(shí)施例。然而，可按照許多不同形式實(shí)施示例實(shí)施例，并且不應(yīng)將示例實(shí)施例理解為限于在此闡述的實(shí)施例；相反，提供這些示例實(shí)施例使得本公開將是徹底且完全的，并將把發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的范圍全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見，夸大了層和區(qū)域的厚度。附圖中相同的參考符號和/或標(biāo)號表示相同的元件，因此可以不重復(fù)它們的描述。

將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作在另一元件或?qū)印吧稀?，或“連接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)又?，或直接連接到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件或?qū)颖环Q作“直接”在另一元件或?qū)又吧稀被蛘摺爸苯舆B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)?。用于描述元件或?qū)又g關(guān)系的其它詞語應(yīng)該以類似的方式進(jìn)行解釋(例如，“在……之間”與“直接在……之間”，“相鄰于”與“直接相鄰于”，“連接”與“直接連接”)。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)中的一個(gè)或多個(gè)的任意組合和全部組合。

為了便于描述，這里可以使用空間相對術(shù)語(諸如“在……之下”、“在……下面”、“下面的”、“在……上面”、“上面的”等)來描述附圖中示出的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對術(shù)語意圖包含除了在附圖中描述的方向之外裝置在使用或操作中的不同方向。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其它元件或特征“下面”或“之下”的元件將隨后被定位為“在”所述其它元件或特征“上面”。因此，術(shù)語“在……下面”可包括在……上面和在……下面兩種方位。可以另外定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)所述裝置，并且對在此使用的空間相對描述符做出相應(yīng)的解釋。

這里使用的術(shù)語僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而不意在限制示例實(shí)施例。在描述發(fā)明構(gòu)思的上下文中使用的術(shù)語“一個(gè)(種/者)”、“該/所述”和類似指稱(尤其是權(quán)利要求的上下文中)將被理解為包含單數(shù)和復(fù)數(shù)兩者，除非這里另有說明或明顯與上下文相矛盾。除非另有說明，否則術(shù)語“包括”、“具有”、“包含”和“含有”應(yīng)被理解為開放式術(shù)語(例如，意思是“包括，但不限于”)。當(dāng)諸如“……中的至少一個(gè)(種)”的表述位于一列元件(要素)之后時(shí)，修飾整列的元件(要素)，而不是修飾列中的個(gè)別元件(要素)。

將理解的是，雖然在這里可使用術(shù)語第一、第二等來描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個(gè)元件與另一個(gè)元件區(qū)分開來。因此，例如，在不脫離示例實(shí)施例的教導(dǎo)的情況下，以下討論的第一元件、第一組件或第一部分可被稱為第二元件、第二組件或第二部分。

參照作為示例實(shí)施例的理想化的實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性示意圖的剖視圖，在這里描述示例性實(shí)施例。如此，將預(yù)計(jì)由例如制造技術(shù)和/或公差導(dǎo)致的示出的形狀的變化。因此，示例實(shí)施例不應(yīng)被解釋為局限于這里示出的區(qū)域的具體形狀，而是應(yīng)包括因例如制造導(dǎo)致的形狀方面的偏差。例如，示出為矩形的蝕刻區(qū)域或注入?yún)^(qū)域可以具有倒圓或彎曲的特性。因此，在圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，也不意圖限制示例實(shí)施例的范圍。

除非另有定義，否則這里使用的全部技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語具有與示例實(shí)施例所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所理解的含義相同的含義。還將理解的是，除非這里明確如此定義，否則術(shù)語(諸如在通用字典中定義的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文中它們的意思一致的意思，并且將不以理想化或過于形式化的含義進(jìn)行解釋。

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1的布局圖。圖2是沿著圖1的線A-A截取的剖視圖。圖3是沿著圖1的線B-B截取的剖視圖。圖4A是沒有柵電極210的圖3。圖4B是圖4A的部分的放大視圖。

參照圖1至圖4B，根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1可以包括基底100、第一鰭圖案110和柵電極210。

第一鰭圖案110可以形成在基底100的第一有源區(qū)ACT1中。第一鰭圖案110可以沿第一方向X延伸。

基底100可以是半導(dǎo)體基底或絕緣體上半導(dǎo)體基底。例如，基底100可以是硅基底、體硅基底或絕緣體上硅(SOI)基底。另外，基底100可以包含諸如鍺的元素半導(dǎo)體或者諸如第IV-IV族化合物半導(dǎo)體或第III-V族化合物半導(dǎo)體的化合物半導(dǎo)體?？蛇x地，基底100可以由基礎(chǔ)基底和形成在基礎(chǔ)基底上的外延層構(gòu)成。

例如，第IV-IV族化合物半導(dǎo)體可以是包含碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和錫(Sn)中的兩種或更多種的二元化合物或三元化合物或者通過用第IV族元素?fù)诫s所述二元或三元化合物而獲得的化合物。

例如，第III-V族化合物半導(dǎo)體可以是將鋁(Al)、鎵(Ga)和銦(In)(例如，第III族元素)中的至少一種與磷(P)、砷(As)和銻(Sb)(例如，第V族元素)中的一種結(jié)合而構(gòu)成的二元化合物、三元化合物或四元化合物。

在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1中，將第一鰭圖案110描述為包含硅的硅鰭有源圖案。

在附圖中，第一鰭圖案110為矩形。然而，第一鰭圖案110的形狀不限于矩形形狀。當(dāng)?shù)谝祸拡D案110為矩形時(shí)，其可以包括長邊和短邊。

場絕緣層105可以形成在基底100上并可以設(shè)置在第一鰭圖案110的周圍。場絕緣層105可以圍繞第一鰭圖案110的部分。第一鰭圖案110可以由場絕緣層105來限定。

例如，場絕緣層105可以是氧化物層、氮化物層、氮氧化物層或這些層的組合。場絕緣層105可以具有淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)，但不限于此，其中，所述STI結(jié)構(gòu)具有優(yōu)良的器件隔離性能并且因其占據(jù)面積小而有利于高密度集成。

稍后將參照圖4B更詳細(xì)地描述第一鰭圖案110和場絕緣層105。

柵電極210可以沿第二方向Y延伸以與第一鰭圖案110交叉。柵電極210可以設(shè)置在第一鰭圖案110和場絕緣層105上。

柵電極210可以包括金屬層(MG1、MG2)。如附圖中所示，柵電極210可以通過堆疊兩個(gè)或更多個(gè)金屬層(MG1、MG2)來形成。第一金屬層MG1可以控制功函數(shù)，第二金屬層MG2可以填充由第一金屬層MG1形成的空間。例如，第一金屬層MG1可以包含TiN、WN、TiAl、TiAlN、TaN、TiC、TaC、TaCN和TaSiN中的至少一種及其組合，但不限于此。此外，第二金屬層MG2可以包含W、Al、Cu、Co、Ti、Ta、多晶硅、SiGe和金屬合金中的至少一種，但不限于此。柵電極210可以通過更換工藝(或后柵工藝)來形成，但不限于此。

柵極絕緣層(115、212)可以形成在第一鰭圖案110和柵電極210之間。柵極絕緣層(115、212)可以包括界面層115和高介電常數(shù)絕緣層212。

界面層115可以通過部分地氧化第一鰭圖案110來形成。界面層115可以沿著比場絕緣層105的上表面進(jìn)一步向上突出的第一鰭圖案110的輪廓來形成。當(dāng)?shù)谝祸拡D案110是包含硅的硅鰭圖案時(shí)，界面層115可以包括氧化硅層。

高介電常數(shù)絕緣層212可以形成在界面層115和柵電極之間210之間。高介電常數(shù)絕緣層212可以沿著比場絕緣層105的上表面進(jìn)一步向上突出的第一鰭圖案110的輪廓來形成。此外，高介電常數(shù)絕緣層212可以形成在柵電極210和場絕緣層105之間。

高介電常數(shù)絕緣層212可以包含氮氧化硅、氮化硅、氧化鉿、氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鑭鋁、氧化鋯、氧化鋯硅、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦、氧化釔、氧化鋁、氧化鉛鈧鉭和鋅鈮酸鉛中的一種或多種，但不限于此。

分隔件214可以設(shè)置在沿第二方向Y延伸的柵電極210的側(cè)壁上。分隔件214可以包含氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiO₂)和硅氧碳氮化物(SiOCN)中的至少一種以及它們的組合。在圖2中，每個(gè)分隔件214的一個(gè)側(cè)表面示出為直線。然而，每個(gè)分隔件214的形狀不限于圖2中示出的形狀并且可以改變?yōu)椴煌男螤?。例如，在示例?shí)施例中，分隔件214可以是彎曲的或是‘L’形。

源區(qū)或漏區(qū)117可以在柵電極210的兩側(cè)形成在第一鰭圖案110上。源區(qū)或漏區(qū)117可以通過外延工藝形成。例如，源區(qū)或漏區(qū)117可以是抬升的源區(qū)或漏區(qū)。這里，源區(qū)或漏區(qū)117的下部可以如圖2所示被倒圓，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。

在根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1為p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管時(shí)，源區(qū)或漏區(qū)117可以包含壓應(yīng)力材料。在示例中，壓應(yīng)力材料可以是具有比Si的晶格常數(shù)大的晶格常數(shù)的材料(例如，SiGe)。壓應(yīng)力材料可以通過將壓應(yīng)力施加到第一鰭圖案110來改善溝道區(qū)的載流子的遷移率。

另一方面，在根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件為n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管時(shí)，源區(qū)或漏區(qū)117可以包含拉應(yīng)力材料。在示例中，當(dāng)?shù)谝祸拡D案110為Si時(shí)，源區(qū)或漏區(qū)117可以是具有比Si的晶格常數(shù)小的晶格常數(shù)的材料(例如，SiC)。拉應(yīng)力材料可以通過將拉應(yīng)力施加到第一鰭圖案110來改善溝道區(qū)的載流子的遷移率。間隙填充絕緣層190可以形成在源區(qū)或漏區(qū)117上。間隙填充絕緣層190可以接觸分隔件214的側(cè)部。間隙填充絕緣層190可以由諸如氧化硅的氧化物形成，但發(fā)明構(gòu)思不限于此。

參照圖3，第一鰭圖案110可以包括上部112和下部111。第一鰭圖案110可以由第一深度的第一淺溝槽T1和比第一淺溝槽T1深的第二深度的第一深溝槽DT1來限定。

在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1中，第一淺溝槽T1和第一深溝槽DT1可以設(shè)置在第一鰭圖案110的兩側(cè)。

這里，第一淺溝槽T1和第一深溝槽DT1可以設(shè)置為彼此直接相鄰。這里，當(dāng)?shù)谝粶\溝槽T1和第一深溝槽DT1彼此直接相鄰時(shí)，在第一深溝槽DT1和第一淺溝槽T1之間不設(shè)置第一深度的淺溝槽。

場絕緣層105可以填充第一淺溝槽T1的部分及第一深溝槽DT1的部分。

在下文將要描述的圖中，為便于描述，排除了柵電極210和柵極絕緣層(115、212)。

參照圖4A，根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1的第一鰭圖案110可以包括彼此面對的第一側(cè)壁S11和第二側(cè)壁S12。第一鰭圖案110可以包括上部112和下部111。此外，第一鰭圖案110可以包括在第一鰭圖案110的上部112和第一鰭圖案110的下部111之間的第一分界線M1。第一鰭圖案110的下部111的側(cè)壁在點(diǎn)P2處沿第一側(cè)壁S11可以是傾斜的(和/或凹的)，沿第二側(cè)部S12可以是凸的。

場絕緣層105可以接觸第一鰭圖案110的部分。第一鰭圖案110的下部111可以被場絕緣層105圍繞，第一鰭圖案110的上部112可以被柵電極210圍繞。

第一分界線M1可以是在與場絕緣層105接觸的第一鰭圖案110的下部111和不與場絕緣層105接觸的第一鰭圖案110的上部112之間的邊界。此外，第一分界線M1可以是將場絕緣層105與第一側(cè)壁S11和第二側(cè)壁S12交會的點(diǎn)連接的線。

此外，第一鰭圖案110可以包括與第一分界線M1正交并且與第一鰭圖案110的最高部P0交會的第一鰭中心線C1。即，第一鰭中心線C1可以與第一鰭圖案110的上部112的最高部P0交會。

這里，第一鰭圖案110的最高部P0可以是在移動與第一分界線M1平行的線與第一鰭圖案110最后交會處的點(diǎn)。此外，當(dāng)?shù)谝祸拡D案110的最高部P0形成平面時(shí)，最高部P0可以是平面的中點(diǎn)。

第一鰭圖案110可以彎向一側(cè)。例如，第一鰭圖案110的第一側(cè)壁S11可以以‘S’形形狀彎曲，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。

第一鰭圖案110可以包括在第一側(cè)壁S11上與平行于第一鰭中心線C1的直線交會的第一點(diǎn)P1和第二點(diǎn)P2。具體地講，當(dāng)以平行方式向第一鰭圖案110之外移動第一鰭中心線C1時(shí)，第一鰭中心線C1與第一側(cè)壁S11交會的點(diǎn)可以是第一點(diǎn)P1和第二點(diǎn)P2。

第一點(diǎn)P1可以比第二點(diǎn)P2進(jìn)一步位于第一鰭圖案110的外側(cè)。此外，第二點(diǎn)P2可以位于第一點(diǎn)P1的下方并且比第一點(diǎn)P1靠近第一鰭中心線C1。

這里，可以繪制與第一鰭中心線C1平行的第一線L1和第二線L2。第一線L1可以穿過第一點(diǎn)P1，第二線L2可以穿過第二點(diǎn)P2。第一線L1和第二線L2可以垂直于第一分界線M1。

第二線L2可以比第一線L1靠近第一鰭中心線C1來定位。因此，第一鰭圖案110的第一側(cè)壁S11的下部可以比第一點(diǎn)P1靠近第一鰭中心線C1來定位，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。

此外，第一線L1和第二線L2可以分開距離D11。隨著第一線L1和第二線L2之間的距離D11增大，第一側(cè)壁S11可被彎曲得更多。

參照圖4B，在根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1中，相對于第一鰭中心線C1，第一鰭圖案110的第一側(cè)壁S11和第二側(cè)壁S12可以彼此不對稱。例如，相對于第一鰭中心線C1，第一鰭圖案110的上部112的第一側(cè)壁S11與第一鰭圖案110的上部112的第二側(cè)部S12可以不對稱。

這里，不對稱的第一鰭圖案110可以限定如下：

在距離第一淺溝槽T1的下表面第一高度h22處測量的第一側(cè)壁S11和第一鰭中心線C1之間的第一距離L12可以大于在比第一高度h22低的第二高度h23處測量的第一側(cè)壁S11和第一鰭中心線C1之間的第二距離L13。這里，第一高度h22和第二高度h23可以低于第一分界線M1的高度。

這里，第一距離L12和第二距離L13可以小于在第一分界線M1上測量的第一側(cè)壁S11和第一鰭中心線C1之間的距離L11。距離L21可以位于在第一分界線M1上測量的第一鰭中心線C1和第二側(cè)壁S12之間。

此外，在第一高度h22處測量的第二側(cè)壁S12和第一鰭中心線C1之間的距離L22可以小于在比第一高度h22低的第二高度h23處測量的第二側(cè)部S12和第一鰭中心線C1之間的距離L23。

此外，第一鰭中心線C1和第一鰭圖案110的上部112的第一側(cè)壁S11之間的距離可以隨著與第一分界線M1的距離增大而減小。即，在第一分界線M1上測量的第一側(cè)壁S11和第一鰭中心線C1之間的距離L11可以大于在線M0上測量的第一側(cè)壁S11和第一鰭中心線C1之間的距離L14，所述線M0平行于第一分界線M1并且穿過第一鰭圖案110的上部112。這里，在線M0上測量的第二側(cè)壁S12和第一鰭中心線C1之間的距離L24可以小于第一側(cè)壁S11和第一鰭中心線C1之間的距離L14，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。

此外，在第一高度h22處測量的第二側(cè)壁S12和第一鰭中心線C1之間的距離L22可以大于在第一高度h22處測量的第一側(cè)壁S11和第一鰭中心線C1之間的距離L12。同樣的，在第二高度h23處測量的第二側(cè)壁S12和第一鰭中心線C1之間的距離L23可以大于在第二高度h23處測量的第一側(cè)壁S11和第一鰭中心線C1之間的距離L13。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

另外，第一鰭圖案110的第二側(cè)壁S12可以包括第一拐點(diǎn)P3，第一鰭圖案110的第一側(cè)壁S11可以包括第二拐點(diǎn)P4。從第一分界線M1到第一拐點(diǎn)P3的距離可以是h31，從第一分界線M1到第二拐點(diǎn)P4的距離可以是h21-h22。

第一分界線M1和第二側(cè)壁S12的第一拐點(diǎn)P3之間的距離h31可以與第一分界線M1和第一側(cè)壁S11的第二拐點(diǎn)P4之間的距離h21-h22不同。

此外，第二側(cè)壁S12的第一拐點(diǎn)P3可以包括在第一鰭圖案110的上部112中，第二拐點(diǎn)P4可以包括在第一鰭圖案110的下部111中。即，第二側(cè)壁S12的第一拐點(diǎn)P3可以定位為高于場絕緣層105的上表面，第一側(cè)壁S11的第二拐點(diǎn)P4可以位于場絕緣層105中。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

圖5示出圖1的半導(dǎo)體器件1的變型示例2。為簡單起見，將省略與前面描述的元件相同元件的冗余描述并且描述將主要集中于與前面描述的元件相比的不同之處。

參照圖5，在圖1的半導(dǎo)體器件1的變型示例2中，第一鰭圖案110的上部112的輪廓可以比在半導(dǎo)體器件1中進(jìn)一步向右傾斜。

具體地講，與第一鰭中心線C1平行的直線可以與第一側(cè)壁S11上的第一點(diǎn)P1和第二點(diǎn)P2交會。當(dāng)以平行方式向第一鰭圖案110之外移動第一鰭中心線C1時(shí)，第一鰭中心線C1與第一側(cè)壁S11交會的點(diǎn)可以是第一點(diǎn)P1和第二點(diǎn)P2。第一點(diǎn)P1可以比第二點(diǎn)P2進(jìn)一步位于第一鰭圖案110的外側(cè)。第二點(diǎn)P2可以位于第一點(diǎn)P1的下方并且比第一點(diǎn)P1靠近第一鰭中心線C1。例如，第二點(diǎn)P2可以設(shè)置在第一鰭中心線C1上。

穿過第一點(diǎn)P1且平行于第一鰭中心線C1的直線可以定義為第一線L1，穿過第二點(diǎn)P2且平行于第一鰭中心線C1的直線可以定義為第二線L2。在這種情況下，第二線L2可以與第一鰭中心線C1重合。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此，第二線L2可以位于比第一線L1靠近第一鰭中心線C1來定位。

因此，第一鰭圖案110的第一側(cè)壁S11的下部的部分可以與第一鰭中心線C1接觸。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，第一鰭圖案110的上部112的輪廓可以向左傾斜而不是向右。

圖6示出圖1的半導(dǎo)體器件1的另一變型示例3。為簡單起見，將省略與前面描述的元件相同元件的冗余描述并且描述將主要集中于與前面描述的元件相比的不同之處。

參照圖6，在圖1的半導(dǎo)體器件1的變型示例3中，第一鰭圖案110的上部112的輪廓可以比在上述半導(dǎo)體器件1中進(jìn)一步向右傾斜。

具體地講，第一線L1可以比第二線L2靠近第一鰭中心線C1來定位。

這里，第一鰭中心線C1是與第一分界線M1正交且與第一鰭圖案110的最高部P0交會的直線。第一鰭中心線C1可以基本上不是第一鰭圖案110的重心。第一鰭中心線C1可以比第一線L1和第二線L2進(jìn)一步位于第一鰭圖案110的外側(cè)。

此外，第一鰭圖案110的第一側(cè)壁S11可以比第二側(cè)壁S12短。這里，第一側(cè)壁S11和第二側(cè)壁S12彼此交會的點(diǎn)可以是第一鰭圖案110的最高部P0。例如，位于最高部P0右側(cè)的側(cè)壁可以是第一側(cè)壁S11，位于最高部P0左側(cè)的側(cè)壁可以是第二側(cè)壁S12。

然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，第一鰭圖案110的上部112可以向左傾斜而不是向右。

圖7A至圖7C示出圖1的半導(dǎo)體器件1的其它變型示例4a至4c。為簡單起見，將省略與前面描述的元件相同元件的冗余描述并且描述將主要集中于與前面描述的元件相比的不同之處。

參照圖7A，圖1的半導(dǎo)體器件1的變型示例4a還可以包括突起結(jié)構(gòu)PRT。

突起結(jié)構(gòu)PRT可以從第一淺溝槽T1的底部突出并且可以形成為低于場絕緣層105的上表面。突起結(jié)構(gòu)PRT可以位于第一淺溝槽T1和第一深溝槽DT1之間的邊界處。

在圖7A中，突起結(jié)構(gòu)PRT可以形成在第一鰭圖案110的一側(cè)上。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。即，突起結(jié)構(gòu)PRT也可以形成在第一鰭圖案110的兩側(cè)上。下面將描述突起結(jié)構(gòu)PRT可以形成在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的全部半導(dǎo)體器件中(例如，淺溝槽和深溝槽之間)，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。

參照圖7B，在圖1的半導(dǎo)體器件1的變型示例4b中，第一鰭圖案110由第一淺溝槽T1來限定。這里，第一淺溝槽T1可以包括與第一側(cè)壁S11接觸的第一子溝槽T12和與第二側(cè)壁S12接觸的第二子溝槽T11。

第一子溝槽T12的上表面可以位于與第二子溝槽T11的上表面不同的平面內(nèi)。即，從基底的上表面開始的第一子溝槽T12的高度h11可以不同于從基底的上表面開始的第二子溝槽T11的高度h12。例如，第一子溝槽T12的高度h11可以低于第二子溝槽T11的高度h12。第一子溝槽T12的高度h11與第二子溝槽T11的高度h12可以相差h13。這里，第一子溝槽T12的上表面可以定位為高于第一深溝槽DT1的上表面，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。

參照圖7C，在圖1的半導(dǎo)體器件1的變型示例4c中，第一鰭圖案110由第一淺溝槽T1和第一深溝槽DT1來限定。

這里，第一鰭圖案110的第一側(cè)壁S11可以接觸第一深溝槽DT1，第二側(cè)壁S12可以接觸第一淺溝槽T1。即，第一側(cè)壁S11的最低端和第二側(cè)壁S12的最低端可以在不同的高度處，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。

圖8A和圖8B是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件5a和5b的剖視圖。為簡單起見，將省略與前面描述的元件相同元件的冗余描述并且描述將主要集中于與前面描述的元件相比的不同之處。

參照圖8A和圖8B，根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件5a和5b還可以分別包括襯層180和181。

具體地講，參照圖8A，襯層180可以形成在第一鰭圖案110的下部111的側(cè)表面和第一淺溝槽T1上。襯層180可以共形地形成在第一有源區(qū)ACT1的上表面和第一鰭圖案110的側(cè)表面上。襯層180可以包括多晶硅(poly-Si)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiO₂)。襯層180可以通過化學(xué)氧化工藝或回蝕工藝來形成。例如，襯層180可以通過原子層沉積(ALD)工藝或者原位蒸汽產(chǎn)生(ISSG)工藝來形成，但不限于此。

雖然在圖中沒有具體示出，但是襯層180可以包括多層。這里，襯層180可以包括包含不同材料的第一層和第二層。例如，第一層可以包含但不限于多晶硅，第二層可以包含但不限于SiN。

參照圖8B，除了襯層181可以形成在第一鰭圖案110的下部111的側(cè)表面、第一淺溝槽T1和第一深溝槽DT1上之外，襯層181可以與圖8A中的襯層180相同。這里，襯層181可以共形地形成至均勻厚度。形成在第一鰭圖案110的下部111的側(cè)表面、第一淺溝槽T1和第一深溝槽DT1上的襯層181可以是包含相同材料的單件。此外，雖然沒有在圖中具體示出，但是襯層181可以包括多層，但不限于此。

圖9是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件6的布局圖。圖10是沿著圖9的線B-B截取的剖視圖。為簡單起見，將省略與前面描述的元件相同元件的冗余描述并且描述將主要集中于與前面描述的元件相比的不同之處。此外，圖10僅示出第一鰭圖案110、第二鰭圖案120和場絕緣層105，不包括柵電極210。

參照圖9和圖10，根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件6還可以包括第二鰭圖案120。第二鰭圖案120可以形成為最鄰近于第一鰭圖案110。

第二鰭圖案120可以形成在基底100的第一有源區(qū)ACT1中。第二鰭圖案120可以沿第一方向X延伸。場絕緣層105可以接觸第二鰭圖案120的部分。

第二鰭圖案120可以由第一深度的第一淺溝槽T1來限定。第一淺溝槽T1可以設(shè)置在第一鰭圖案110和第二鰭圖案120之間以分開第一鰭圖案110和第二鰭圖案120。第一淺溝槽T1可以設(shè)置在第二鰭圖案120的兩側(cè)上。

第二鰭圖案120可以包括彼此面對的第三側(cè)壁S21和第四側(cè)壁S22。第二鰭圖案120可以包括上部122和下部121。此外，第二鰭圖案120可以包括第二鰭圖案120的上部122和第二鰭圖案120的下部121之間的第二分界線M2。第一鰭圖案110的下部111和第二鰭圖案120的下部121可以包括沿側(cè)壁S11和側(cè)壁S22凹的側(cè)壁以及沿側(cè)壁S12和側(cè)壁S22傾斜的(和/或凸的)側(cè)壁。

分開第一鰭圖案110和第二鰭圖案120的第一淺溝槽T1可以設(shè)置在第一鰭圖案110的第二側(cè)壁S12和第二鰭圖案120的第三側(cè)壁S21之間。限定第一有源區(qū)ACT1的第一深溝槽DT1可以形成為與第一鰭圖案110的第一側(cè)壁S11和第二鰭圖案120的第四側(cè)壁S22中的每個(gè)相鄰。這里，第一淺溝槽T1的深度可以但不限于小于或等于第一深溝槽DT1的深度。

此外，雖然沒有在圖中具體示出，但是突起PRT(見圖7A)可以位于第一淺溝槽T1和第一深溝槽DT1之間的邊界處。這里，突起結(jié)構(gòu)PRT(見圖7A)可以形成在第一鰭圖案110的一側(cè)或者第二鰭圖案120的另一側(cè)上，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。

場絕緣層105可以接觸第二鰭圖案120的部分。第二鰭圖案120的下部121可以被場絕緣層105圍繞，第二鰭圖案120的上部122可以被柵電極210圍繞。

此外，第二鰭圖案120可以包括與第二分界線M2正交并且與第二鰭圖案120的最高部P02交會的第二鰭中心線C2。即，第二鰭中心線C2可以與第二鰭圖案120的上部122的最高部P02交會。

在根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件6中，第一鰭圖案110的第一側(cè)壁S11和第二側(cè)壁S12相對于第一鰭中心線C1可以彼此不對稱，第二鰭圖案120的第三側(cè)壁S21和第四側(cè)壁S22相對于第二鰭中心線C2可以彼此不對稱。例如，第一鰭圖案110可以彎向一側(cè)，第二鰭圖案120可以彎向另一側(cè)。

更具體地，第二鰭圖案120可以包括在第四側(cè)壁S22上的與平行于第二鰭中心線C2的直線交會的第三點(diǎn)P5和第四點(diǎn)P6。具體地講，當(dāng)以平行方式向第二鰭圖案120之外移動第二鰭中心線C2時(shí)，第二鰭中心線C2與第四側(cè)壁S22交會的點(diǎn)可以是第三點(diǎn)P5和第四點(diǎn)P6。

第三點(diǎn)P5可以比第四點(diǎn)P6進(jìn)一步位于第二鰭圖案120的外側(cè)。此外，第四點(diǎn)P6可以位于第三點(diǎn)P5的下方并且比第三點(diǎn)P5靠近第二鰭中心線C2。

這里，第三線L3可以穿過第三點(diǎn)P5并且可以平行于第二鰭中心線C2。同樣，第四線L4可以穿過第四點(diǎn)P6并且可以平行于第二鰭中心線C2。因此，第三線L3和第四線L4可以垂直于第二分界線M2。

第四線L4可以比第三線L3靠近第二鰭中心線C2來定位。因此，第二鰭圖案120的第四側(cè)壁S22的下部可以比第三點(diǎn)P5靠近第二鰭中心線C2來定位，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。

此外，在距離第一淺溝槽T1的下表面第一高度處測量的第四側(cè)壁S22和第二鰭中心線C2之間的第三距離可以大于在距離從第一淺溝槽T1的下表面第二高度處測量的第四側(cè)壁S22和第二鰭中心線C2之間的第四距離，其中，第二高度低于第一高度。

此外，第一場中心線FC1可以限定在第一鰭中心線C1和第二鰭中心線C2之間并且在與第一鰭中心線C1和第二鰭中心線C2分開相等距離的位置處。

在根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件6中，相對于第一場中心線FC1，第一鰭圖案110和第二鰭圖案120可以彼此對稱。相對于第一場中心線FC1，第一鰭圖案110的第二側(cè)壁S12和第二鰭圖案120的第三側(cè)壁S21可以彼此對稱。此外，相對于第一場中心線FC1，第一鰭圖案110的第一側(cè)壁S11和第二鰭圖案120的第四側(cè)壁S22可以彼此對稱。

此外，在相同高度處，第三側(cè)壁S21的斜率可以基本上等于第二側(cè)壁S12的斜率，第四側(cè)壁S22的斜率可以基本上等于第一側(cè)壁S11的斜率。第一線L1和第二線L2之間的距離可以基本上等于第三線L3和第四線L4之間的距離。

此外，第一鰭圖案110的第二側(cè)壁S12可以包括第一拐點(diǎn)P3，第二鰭圖案120的第三側(cè)壁S21可以包括第三拐點(diǎn)P7。第一拐點(diǎn)P3可以與第一分界線M1分開第一間隙h31，第三拐點(diǎn)P7可以與第二分界線M2分開第二間隙h32。這里，第一間隙h31可以基本上等于第二間隙h32，第一拐點(diǎn)P3和第三拐點(diǎn)P7兩者可以不與場絕緣層105相接觸。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

圖11是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件7的布局圖。圖12是沿著圖11的線B-B截取的剖視圖。此外，圖12僅示出第一鰭圖案110至第三鰭圖案130及場絕緣層105，不包括柵電極210。為簡單起見，將省略與前面描述的元件相同元件的冗余描述并且描述將主要集中于與前面描述的元件相比的不同之處。

參照圖11和圖12，根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件7還可以包括第三鰭圖案130。第三鰭圖案130可以設(shè)置在第一鰭圖案110和第二鰭圖案120之間。第三鰭圖案130可以相對于第三鰭中心線C3對稱。

此外，位于第一鰭中心線C1和第二鰭中心線C2之間并且與第一鰭中心線C1和第二鰭中心線C2分開相等距離的場中心線FC1可以設(shè)置在第三鰭圖案130中。在圖12中，第三鰭中心線C3與第一場中心線FC1相同，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。

第三鰭圖案130可以形成在基底100的第一有源區(qū)ACT1中。第三鰭圖案130可以沿第一方向X延伸。場絕緣層105可以接觸第三鰭圖案130的部分。

第三鰭圖案130可以由第一深度的第一淺溝槽T1來限定。第一淺溝槽T1可以設(shè)置在第二鰭圖案120和第三鰭圖案130之間以及第一鰭圖案110和第三鰭圖案130之間以分開第一鰭圖案110、第二鰭圖案120和第三鰭圖案130。第一淺溝槽T1可以設(shè)置在第三鰭圖案130的兩側(cè)上。

第三鰭圖案130可以包括彼此面對的第五側(cè)壁S31和第六側(cè)壁S32。第三鰭圖案130可以包括上部132和下部131。此外，第三鰭圖案130可以包括第三鰭圖案130的上部132和第三鰭圖案130的下部131之間的第三分界線M3。

第三鰭圖案130的下部131可以與場絕緣層105接觸，第三鰭圖案130的上部132不與場絕緣層105接觸。

此外，第三鰭圖案130可以包括與第三分界線M3正交并且與第三鰭圖案130的最高部P03交會的第三鰭中心線C3。即，第三鰭中心線C3可以與第三鰭圖案130的上部132的最高部P03交會。這里，第三鰭圖案130的第五側(cè)壁和第六側(cè)壁可以相對于第三鰭中心線C3彼此對稱。

在半導(dǎo)體器件7中，相對于第一場中心線FC1，第一鰭圖案110和第二鰭圖案120可以彼此對稱。此外，第三鰭圖案130可以相對于第一場中心線FC1對稱。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。第一鰭圖案110的下部111的側(cè)壁S11和第二鰭圖案120的下部121的側(cè)壁S22可以是凹的。第一鰭圖案110的下部111和第二鰭圖案120的下部121的面對第三鰭圖案130的側(cè)壁可以是凹的。第三鰭圖案130的下部131的側(cè)壁可以是傾斜的(和/或凸的)。

圖13是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件8的布局圖。圖14是沿著圖13的線C-C截取的剖視圖。為簡單起見，將省略與前面描述的元件相同元件的冗余描述并且描述將主要集中于與前面描述的元件相比的不同之處。

參照圖13和圖14，根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件8可以包括第一鰭圖案110至第四鰭圖案140。第一鰭圖案110至第四鰭圖案140可以形成在基底100的第一有源區(qū)ACT1中。第一鰭圖案110至第四鰭圖案140可以沿第一方向X延伸。第一鰭圖案110至第四鰭圖案140可以彼此平行。第一鰭圖案110至第四鰭圖案140可以由第一淺溝槽T1來限定。

第一鰭圖案110至第四鰭圖案140可以以相等的間距P_1來布置。即，第一鰭圖案110至第四鰭圖案140可以以第一間距P_1的規(guī)則間隙來布置。

這里，第一鰭圖案110可以具有如上參照圖1至圖7C描述的不對稱的輪廓。由于已經(jīng)如上詳細(xì)描述了第一鰭圖案110的不對稱的輪廓，所以將省略其描述。另一方面，第二鰭圖案120至第四鰭圖案140可以具有對稱的輪廓。

具體地講，參照圖14，第一鰭圖案110可以彎向一側(cè)。例如，第一鰭圖案110的第一側(cè)壁S11可以以‘S’形形狀彎曲。

第一鰭圖案110包括被場絕緣層105圍繞的下部、被柵電極210圍繞的上部、分開第一鰭圖案110的上部和下部的第一分界線M1以及與第一分界線M1正交并且與第一鰭圖案110的上部的最高部交會的第一鰭中心線C1。

這里，第一鰭圖案110可以包括在第一側(cè)壁S11上與第一鰭中心線C1平行的直線交會的第一點(diǎn)P1和第二點(diǎn)P2。第二點(diǎn)P2可以位于第一點(diǎn)P1的下方并且比第一點(diǎn)P1靠近第一鰭中心線C1?？梢岳L制與第一鰭中心線C1平行的第一線L1和第二線L2。

第一線L1可以穿過第一點(diǎn)P1并且可以平行于第一鰭中心線C1。同樣，第二線L2可以穿過第二點(diǎn)P2并且可以平行于第一鰭中心線C1。第二線L2可以比第一線L1靠近第一鰭中心線C1來定位。因此，第一鰭圖案110的第一側(cè)壁S11的下部可以比第一點(diǎn)P1靠近第一鰭中心線C1來定位。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

第二鰭圖案120和第三鰭圖案130可以由第一深度的第一淺溝槽T1來限定。第一淺溝槽T1可以位于第一鰭圖案110和第二鰭圖案120之間以及第二鰭圖案120和第三鰭圖案130之間。此外，位于第一鰭圖案110和第二鰭圖案120之間的第一淺溝槽T1可以具有與第二鰭圖案120和第三鰭圖案130之間的第一淺溝槽T1相同的寬度。

第二鰭圖案120可以包括上部和下部。此外，第二鰭圖案120可以包括第二鰭圖案120的上部和第二鰭圖案120的下部之間的第二分界線M2。第二鰭圖案120的下部可以被場絕緣層105圍繞，第二鰭圖案120的上部可以被柵電極210圍繞。

此外，第二鰭圖案120可以包括與第二分界線M2正交并且與第二鰭圖案120的最高部交會的第二鰭中心線C2。即，第二鰭中心線C2可以與第二鰭圖案120的上部的最高部交會。

同樣，第三鰭圖案130可以包括上部和下部。此外，第三鰭圖案130可以包括第三鰭圖案130的上部和第三鰭圖案130的下部之間的第三分界線M3。第三鰭圖案130的下部可以被場絕緣層105圍繞，第三鰭圖案130的上部可以被柵電極210圍繞。

此外，第三鰭圖案130可以包括與第三分界線M3正交并且與第三鰭圖案130的最高部交會的第三鰭中心線C3。即，第三鰭中心線C3可以與第三鰭圖案130的上部的最高部交會。

第一分界線M1、第二分界線M2和第三分界線M3可以位于相同的線M11上。同樣，第一鰭圖案110的最高部、第二鰭圖案120的最高部和第三鰭圖案130的最高部可以位于相同的線M12上。

這里，第二鰭中心線C2和第一鰭中心線C1之間的第一間隙W11可以不同于第三鰭中心線C3和第二鰭中心線C2之間的第二間隙W12。例如，第一間隙W11可以大于第二間隙W12。這是因?yàn)榈谝祸拡D案110的第一側(cè)壁S11具有彎向第一有源區(qū)ACT1的外部的輪廓。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

此外，第一鰭圖案110的上部和第二鰭圖案120的上部之間的第一區(qū)域A1可以不同于第二鰭圖案120的上部和第三鰭圖案130的上部之間的第二區(qū)域B1。例如，第一區(qū)域A1可以大于第二區(qū)域B1，但不限于此。

圖15示出圖13和圖14的半導(dǎo)體器件8的變型示例9。為簡單起見，將省略與前面描述的元件相同元件的冗余描述并且描述將主要集中于與前面描述的元件相比的不同之處。

參照圖15，在圖13和圖14的半導(dǎo)體器件8的變型示例9中，第二鰭中心線C2和第一鰭中心線C1之間的第一間隙W21可以等于或小于第三鰭中心線C3和第二鰭中心線C2之間的第二間隙W22。例如，第一間隙W21可以等于第二間隙W22。這是因?yàn)榈谝祸拡D案110的上部具有彎向第一有源區(qū)ACT1的內(nèi)部的輪廓。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

此外，第一鰭圖案110的上部和第二鰭圖案120的上部之間的第一區(qū)域A2可以基本上等于或小于第二鰭圖案120的上部和第三鰭圖案130的上部之間的第二區(qū)域B2，但不限于此。

圖16示出圖13和圖14的半導(dǎo)體器件8的另一變型示例10。為簡單起見，將省略與前面描述的元件相同元件的冗余描述并且描述將主要集中于與前面描述的元件相比的不同之處。

參照圖16，在圖13和圖14的半導(dǎo)體器件8的變型示例10中，第一鰭圖案110的輪廓可以比以上參照圖14描述的第一鰭圖案110的輪廓進(jìn)一步彎向第一有源區(qū)ACT1的外部。

因此，第一鰭圖案110的第一鰭中心線C1可以比第二線L2進(jìn)一步設(shè)置在第一鰭圖案110的外側(cè)。例如，第一鰭圖案110的第一鰭中心線C1可以位于第一線L1和第二線L2之間。此外，雖然沒有在圖中具體示出，但是第一鰭中心線C1可以比第一線L1進(jìn)一步設(shè)置在第一鰭圖案110的外側(cè)。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

因此，第二鰭中心線C2和第一鰭中心線C1之間的第一間隙W31可以不同于第三鰭中心線C3和第二鰭中心線C2之間的第二間隙W32。例如，第一間隙W31可以大于第二間隙W32。這是因?yàn)榈谝祸拡D案110的第一側(cè)壁S11具有彎向第一有源區(qū)ACT1的外部的輪廓。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

此外，第一鰭圖案110的上部和第二鰭圖案120的上部之間的第一區(qū)域A3可以不同于第二鰭圖案120的上部和第三鰭圖案130的上部之間的第二區(qū)域B3。例如，第一區(qū)域A3可以大于第二區(qū)域B3。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

此外，第一鰭圖案110的高度可以不同于第二鰭圖案120或第三鰭圖案130的高度。此外，第一鰭圖案110的最高部可以不位于與第二鰭圖案120的最高部或第三鰭圖案130的最高部相同的線M12上。例如，第一鰭圖案110的高度和第二鰭圖案120的高度可以相差D13，但發(fā)明構(gòu)思不限于此。

圖17是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件11的布局圖。圖18是沿著圖17的線B-B截取的剖視圖。為簡單起見，將省略與前面描述的元件相同元件的冗余描述并且描述將主要集中于與前面描述的元件相比的不同之處。

參照圖17和圖18，根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件11可以包括第一鰭圖案110至第四鰭圖案140。第一鰭圖案110至第四鰭圖案140可以形成在基底100的第一有源區(qū)ACT1中。第一有源區(qū)ACT1可以由第一深溝槽DT1來限定。

第一鰭圖案110至第四鰭圖案140可以沿第一方向X延伸。第一鰭圖案110至第四鰭圖案140可以彼此平行。第一鰭圖案110至第四鰭圖案140可以由第一淺溝槽T1來限定。此外，第一鰭圖案110和第四鰭圖案140可以與第一深溝槽DT1相鄰。

第一鰭圖案110至第四鰭圖案140可以以相等的間距P_1來布置。即，第一鰭圖案110至第四鰭圖案140可以以第一間距P_1的規(guī)則間隙來布置。

這里，第一鰭圖案110和第四鰭圖案140中的每個(gè)可以具有如上參照圖1至圖7C描述的不對稱的輪廓。另一方面，第二鰭圖案120和第三鰭圖案130中的每個(gè)可以具有對稱的輪廓。由于已經(jīng)如上詳細(xì)描述了對稱的輪廓和不對稱的輪廓，所以將省略其描述。

具體地講，參照圖18，第一鰭圖案110可以彎向一側(cè)。另一方面，第四鰭圖案140可以彎向另一側(cè)。第一鰭圖案110和第四鰭圖案140的整體輪廓可以彼此對稱。

第一鰭圖案110可以包括第一鰭圖案110的上部和第一鰭圖案110的下部之間的第一分界線M1。此外，第一鰭圖案110可以包括與第一分界線M1正交并且與第一鰭圖案110的最高部P0交會的第一鰭中心線C1。

同樣，第二鰭圖案120可以包括與第一鰭中心線C1平行并且與第二鰭圖案120的最高部交會的第二鰭中心線C2。第三鰭圖案130可以包括與第一鰭中心線C1平行并且與第三鰭圖案130的最高部交會的第三鰭中心線C3。第四鰭圖案140可以包括與第一鰭中心線C1平行并且與第四鰭圖案140的最高部交會的第四鰭中心線C4。

第一場中心線FC1可以限定在第二鰭中心線C2和第三鰭中心線C3之間并且在與第二鰭中心線C2和第三鰭中心線C3分開相等距離的位置處。這里，相對于第一場中心線FC1，第一鰭圖案110和第四鰭圖案140可以彼此對稱，但發(fā)明構(gòu)思不限于此。

此外，第一鰭中心線C1和第二鰭中心線C2之間的第一間隙W41可以不同于第二鰭中心線C2和第三鰭中心線C3之間的第二間隙W42。另一方面，第一鰭中心線C1和第二鰭中心線C2之間的第一間隙W41可以等于第三鰭中心線C3和第四鰭中心線C4之間的第二間隙W43。這是因?yàn)榈谝祸拡D案110和第四鰭圖案140具有彎向第一有源區(qū)ACT1的外部的輪廓。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

此外，第一鰭圖案110的上部和第二鰭圖案120的上部之間的第一區(qū)域A4可以不同于第二鰭圖案120的上部和第三鰭圖案130的上部之間的第二區(qū)域B4。另一方面，第一鰭圖案110的上部和第二鰭圖案120的上部之間的第一區(qū)域A4可以基本上等于第三鰭圖案130的上部和第四鰭圖案140的上部之間的第三區(qū)域C4。例如，第一區(qū)域A4可以大于第二區(qū)域B4，但不限于此。

如圖18中所示，分別由點(diǎn)P2和P5表示的最遠(yuǎn)離第一場中心線FC1的第一鰭圖案110的下部的側(cè)壁和第四鰭圖案140的下部的側(cè)壁可以具有凹的側(cè)壁。較靠近第一場中心線FC1的第一鰭圖案110的下部的側(cè)壁和第四鰭圖案140的下部的側(cè)壁可以具有傾斜(和/或凸的)側(cè)壁。第二鰭圖案120和第三鰭圖案130的下部不包括凹的側(cè)壁。第三鰭圖案130的下部關(guān)于第三鰭中心線C3對稱。第二鰭圖案120的下部關(guān)于第二鰭中心線C2對稱。

圖19是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件12的布局圖。圖20A是沿著圖19的線D-D截取的剖視圖。圖20B是沿著圖19的線E-E截取的剖視圖。為簡單起見，將省略與前面描述的元件相同元件的冗余描述并且描述將主要集中于與前面描述的元件相比的不同之處。此外，圖20A和圖20B僅示出鰭圖案和場絕緣層105，不包括第一柵電極410和第二柵電極610。

參照圖19至圖20B，根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件12的基底包括第一區(qū)域I和第二區(qū)域II。第一區(qū)域I可以包括第一有源區(qū)ACT1、第二有源區(qū)ACT2、第一柵電極410、第一鰭圖案310、第二鰭圖案320、第三鰭圖案330和第四鰭圖案340。第二區(qū)域II可以包括第三有源區(qū)ACT3、第四有源區(qū)ACT4、第二柵電極610、第一鰭圖案510、第二鰭圖案520、第三鰭圖案530、第四鰭圖案540、第五鰭圖案550以及第六鰭圖案560。鰭中心線FC41從第二鰭圖案520的最高部延伸到第二鰭圖案520的底部。鰭中心線FC42從第五鰭圖案550的最高部延伸到第五鰭圖案550的底部。

第一柵電極410可以橫跨第一有源區(qū)ACT1和第二有源區(qū)ACT2。第二柵電極610可以橫跨第三有源區(qū)ACT3和第四有源區(qū)ACT4。這里，第一柵電極410和第二柵電極610可以彼此平行，但不限于此。

參照圖19和圖20A，第一有源區(qū)ACT1和第二有源區(qū)ACT2可以彼此分開并且可以由第三深度的第三溝槽DT3來限定。

第一有源區(qū)ACT1可以包括第一鰭圖案310、第二鰭圖案320和第一淺溝槽T1。第一淺溝槽T1可以在第一有源區(qū)ACT1中限定第一鰭圖案310和第二鰭圖案320并且可以形成為比第三深度小的第一深度。

同樣，第二有源區(qū)ACT2可以包括第三鰭圖案330、第四鰭圖案340和第二淺溝槽T2。第二淺溝槽T2可以在第二有源區(qū)ACT2中限定第二鰭圖案320和第三鰭圖案330并且可以形成為比第三深度小的第二深度。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此，第三溝槽DT3可以等于第一淺溝槽T1的第一深度和第二淺溝槽T2的第二深度。第二鰭圖案320和第三鰭圖案330可以最鄰近于第三溝槽DT3。

第一柵電極410可以與第一鰭圖案310、第二鰭圖案320、第三鰭圖案330和第四鰭圖案340相交。場絕緣層105可以填充第三溝槽DT3的部分、第一淺溝槽T1的部分和第二淺溝槽T2的部分。

第一鰭圖案310和第二鰭圖案320可以具有以上描述的不對稱的輪廓。具體地講，第二鰭圖案320包括被場絕緣層105圍繞的下部、被第一柵電極410圍繞的上部、分開第二鰭圖案320的下部和上部的第一分界線M1以及與第一分界線M1正交并且與第二鰭圖案320的上部的最高部交會的第一鰭中心線C11。這里，第二鰭圖案320可以包括在第一側(cè)壁S31上與第一鰭中心線C11平行的直線交會的第一點(diǎn)P11和第二點(diǎn)P12。第二點(diǎn)P12可以位于第一點(diǎn)P11的下方并且比第一點(diǎn)P11靠近第一鰭中心線C11?？梢岳L制與第一鰭中心線C11平行的第一線L11和第二線L12。這里，第二線L12可以比第一線L1靠近第一鰭中心線C11來設(shè)置。此外，第一線L11和第二線L12可以分開第一間隙S11。

同樣，第三鰭圖案330可以具有以上描述的不對稱的輪廓。第三鰭圖案330可以包括與第一鰭中心線C11平行并且與第三鰭圖案330的最高部交會的第二鰭中心線C21。

第一場中心線FC3可以限定在第一鰭中心線C11和第二鰭中心線C21之間并且在與第一鰭中心線C11和第二鰭中心線C21分開相等距離的位置處。第一場中心線FC3對應(yīng)于第三溝槽DT3的中心。

相對于第一場中心線FC3，第二鰭圖案320和第三鰭圖案330可以彼此對稱。

參照圖19和圖20B，第三有源區(qū)ACT3和第四有源區(qū)ACT4可以彼此分開并且可以由第四深度的第四溝槽DT4來限定。第四溝槽DT4的深度可以基本上等于第三溝槽DT3的深度，但是不限于此。

第三有源區(qū)ACT3可以包括第一鰭圖案510、第二鰭圖案520、第三鰭圖案530和第五淺溝槽T5。第五淺溝槽T5可以在第三有源區(qū)ACT3中限定第一鰭圖案510、第二鰭圖案520和第三鰭圖案530并且可以形成為比第四深度小的第五深度。

同樣，第四有源區(qū)ACT4可以包括第四鰭圖案540、第五鰭圖案550、第六鰭圖案560和第六淺溝槽T6。第六淺溝槽T6可以在第四有源區(qū)ACT4中限定第四鰭圖案540、第五鰭圖案550和第六鰭圖案560并且可以形成為比第四深度小的第六深度。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此，第四溝槽DT4可以等于第五深度和第六深度。

第三鰭圖案530和第四鰭圖案540可以最鄰近于第四溝槽DT4。

第二柵電極610可以與第三鰭圖案530和第四鰭圖案540相交。場絕緣層105可以填充第四溝槽DT4的部分、第五淺溝槽T5的部分和第六淺溝槽T6的部分。

第三鰭圖案530可以具有以上描述的不對稱的輪廓。具體地講，第三鰭圖案530包括被場絕緣層105圍繞的下部、被第二柵電極610圍繞的上部、分開第三鰭圖案530的下部和上部的第三分界線M3以及與第三分界線M3正交并且與第三鰭圖案530的上部的最高部交會的第三鰭中心線C31。這里，第三鰭圖案530可以包括在第三側(cè)壁S33上的與平行于第三鰭中心線C31的直線交會的第三點(diǎn)P31和第四點(diǎn)P32。第四點(diǎn)P32可以位于第三點(diǎn)P31的下方并且比第三點(diǎn)P31靠近第三鰭中心線C31?？梢岳L制與第三鰭中心線C31平行的第三線L31和第四線L32。這里，第四線L32可以比第三線L31靠近第三鰭中心線C31來設(shè)置。此外，第三線L31和第四線L32可以分開第二間隙S21。

同樣，第四鰭圖案540可以具有以上描述的不對稱的輪廓。第四鰭圖案540可以包括與第三鰭中心線C31平行并且與第四鰭圖案540的最高部交會的第四鰭中心線C41。

第二場中心線FC4可以限定在第三鰭中心線C31和第四鰭中心線C41之間并且可以在與第三鰭中心線C31和第四鰭中心線C41分開相等距離的位置處。第二場中心線FC4對應(yīng)于第四溝槽DT4的中心。

相對于第二場中心線FC4，第三鰭圖案530和第四鰭圖案540可以彼此對稱。

這里，第二鰭圖案320的第一線L11和第二線L12之間的第一間隙S11可以不同于第三鰭圖案530的第三線L31和第四線L32之間的第二間隙S21。例如，第一間隙S11可以大于第二間隙S21。這是因?yàn)榈诙拡D案320比第三鰭圖案530彎成更大的程度。同樣，第三鰭圖案330比第四鰭圖案540可以彎成更大的程度。

此外，第二鰭圖案320和第三鰭圖案330之間的第三間隙D3可以大于第三鰭圖案530和第四鰭圖案540之間的第四間隙D4。

第二鰭圖案320和第三鰭圖案330中的每個(gè)被彎曲的程度可以與設(shè)置在第二鰭圖案320和第三鰭圖案330之間的場絕緣層105的面積成比例地改變。同樣，第三鰭圖案530和第四鰭圖案540中的每個(gè)被彎曲的程度可以與設(shè)置在第三鰭圖案530和第四鰭圖案540之間的場絕緣層105的面積成比例地改變。

例如，如上參考圖20A和圖20B所述，當(dāng)?shù)诙拡D案320和第三鰭圖案330之間的第三間隙D3大于第三鰭圖案530和第四鰭圖案540之間的第四間隙D4時(shí)，第二鰭圖案320可以比第三鰭圖案530彎曲更大的程度。因此，第二鰭圖案320的第一線L11和第二線L12之間的第一間隙S11可以大于第三鰭圖案530的第三線L31和第四線L32之間的第二間隙S21。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

圖21是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件13的剖視圖。此外，圖21是沿著圖19的線D-D截取的剖視圖。為簡單起見，將省略與前面描述的元件相同元件的冗余描述并且描述將主要集中于與前面描述的元件相比的不同之處。參照圖21，根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件13還可以包括第一突起結(jié)構(gòu)PRT1和第二突起結(jié)構(gòu)PRT2。例如，第一突起結(jié)構(gòu)PRT1和第二突起結(jié)構(gòu)PRT2可以分別位于第二鰭圖案320的一側(cè)上和第三鰭圖案330的另一側(cè)上。

具體地講，第一突起結(jié)構(gòu)PRT1可以從第一淺溝槽T1的底部突出并且可以形成為低于場絕緣層105的上表面。第一突起結(jié)構(gòu)PRT1可以位于第三溝槽DT3和第一深溝槽T1之間的邊界處。

此外，第二突起結(jié)構(gòu)PRT2可以從第二淺溝槽T2的底部突出并且可以形成為低于場絕緣層105的上表面。第二突起結(jié)構(gòu)PRT2可以位于第三溝槽DT3和第二深溝槽T2之間的邊界處。

雖然沒有在圖中具體示出，但是突起結(jié)構(gòu)也可以形成在第四溝槽DT4和第五淺溝槽T5之間的邊界處以及第四溝槽DT4和第六淺溝槽T6之間的邊界處。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

圖22是包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的片上系統(tǒng)(SoC)系統(tǒng)1000的框圖。

參照圖22，SoC系統(tǒng)1000包括應(yīng)用處理器1001和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)1060。

應(yīng)用處理器1001可以包括中央處理單元(CPU)1010、多媒體系統(tǒng)1020、總線1030、存儲系統(tǒng)1040和外圍電路1050。

CPU 1010可以執(zhí)行用于驅(qū)動SoC系統(tǒng)1000的操作。在示例實(shí)施例中，CPU 1010可以配置為包括多個(gè)核的多核環(huán)境。

多媒體系統(tǒng)1020可以在SoC系統(tǒng)1000中用于執(zhí)行各種多媒體功能。多媒體系統(tǒng)1020可以包括3D引擎模塊、視頻編解碼器、顯示系統(tǒng)、相機(jī)系統(tǒng)和后處理器。

總線1030可以用于CPU 1010、多媒體系統(tǒng)1020、存儲系統(tǒng)1040和外圍電路1050之間的數(shù)據(jù)通信。在示例實(shí)施例中，總線1030可以具有多層結(jié)構(gòu)。具體地講，總線1030可以是多層高級高性能總線(AHB)或多層高級可擴(kuò)展接口(AXI)，但不限于此。

存儲系統(tǒng)1040可以為將要被連接到外部存儲器(例如，DRAM 1060)的應(yīng)用處理器1001提供所需的環(huán)境并且可以以高速操作。在示例實(shí)施例中，存儲系統(tǒng)1040可以包括用于控制外部存儲器(例如，DRAM 1060)的控制器(例如，DRAM控制器)。

外圍電路1050可以提供使SoC系統(tǒng)1000順利地連接到外部裝置(例如，主板)所需的環(huán)境。因此，外圍電路1050可以包括使連接到SoC系統(tǒng)1000的外部裝置與SoC系統(tǒng)1000兼容的各種接口。

DRAM 1060可以用作應(yīng)用處理器1001的操作所需的工作存儲器。在示例實(shí)施例中，如圖中所示，DRAM 1060可以置于應(yīng)用處理器1001的外部。具體地講，DRAM 1060可以以層疊封裝件(PoP)的形式與應(yīng)用處理器1001封裝。

SoC系統(tǒng)1000的元件中的至少一個(gè)可以采用根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的上述半導(dǎo)體器件中的任意一種。

此外，以上所述的SOC系統(tǒng)1000可以應(yīng)用于能夠在無線環(huán)境中發(fā)送和/或接收信息的幾乎全部類型的電子產(chǎn)品，諸如，個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)平板電腦、無線電話、移動電話、數(shù)字音樂播放器和存儲卡等。

應(yīng)該理解的是，在此描述的示例實(shí)施例應(yīng)僅被視為描述性的含義，而非出于限制的目的。在根據(jù)示例實(shí)施例的每個(gè)裝置或方法內(nèi)的特征或方面的描述通常應(yīng)當(dāng)被視為可適用于其它根據(jù)示例實(shí)施例的裝置或方法中的其它相似特征或方面。盡管已具體示出和描述了一些示例實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，可以對其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的改變。