本發(fā)明涉及集成電路封裝領(lǐng)域，具體涉及一種集成電路封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)：

在集成電路封裝中，由于本身電子器件的電磁輻射或外界的電磁輻射，往往會導(dǎo)致集成電路的信號不穩(wěn)定，電路失效，現(xiàn)有技術(shù)中，是將容易受電磁干擾或發(fā)出電磁波的半導(dǎo)體元件封裝在特定的集成電路中，在將該封裝體予以電子屏蔽，其屏蔽的構(gòu)件往往是一個金屬罩體，這樣的封裝體體積較大且封裝極為不靈便。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于解決上述封裝中的問題，本發(fā)明提供了一種集成電路封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下步驟：

（1）提供一大面積硬質(zhì)的臨時基板；

（2）將電磁元件固定于所述臨時基板上，該電磁元件是容易受電磁干擾或發(fā)出電磁波的半導(dǎo)體元件，其固定方式可通過固定膠固定；

（3）在所述臨時基板上設(shè)置第一封裝材料，并完全覆蓋電磁元件；

（4）固化所述封裝材料后，減薄所述封裝材料至合適的厚度但并不漏出所述電磁元件；

（5）在電磁芯片對應(yīng)于多個電極的位置形成第一通孔，在環(huán)繞電磁芯片的周圈形成第二通孔，所述第一通孔的截面積和所述電極的面積相同；

（6）在封裝材料上形成導(dǎo)電材料，并填充滿所述第一和第二通孔，然后僅刻蝕封裝材料上的第一導(dǎo)電材料，形成電連接第一和第二通孔的線路層。

（7）去除臨時基板1，通過激光沿著第二通孔的中心進(jìn)行單體化所述封裝體，并且切割后的所述第二通孔5的寬度大于第一通孔的寬度。

（8）得到封裝單體，其中，第二通孔包括分別與多個所述電極相連的、互相電隔離的多個部分；

（9）提供一個具有凹槽的散熱基板，在凹槽底部涂覆一層導(dǎo)熱絕緣膠，利用該導(dǎo)熱絕緣膠將封裝單體固定在凹槽底部，并利用第二封裝材料填充并密封所述封裝單體；

（10）在偏離所述電磁芯片中心位置處鉆孔形成暴露所述線路層的第三通孔并填充導(dǎo)電物質(zhì)以形成外連端子，并通過外連端子與其他電子元件相耦合，形成集成電路封裝結(jié)構(gòu)；

其特征在于：切割后的第二通孔的寬度為大于或等于1mm。

本發(fā)明還提供了另一種集成電路封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下步驟：

（1）提供一大面積硬質(zhì)的臨時基板；

（2）將電磁元件固定于所述臨時基板上，該電磁元件是容易受電磁干擾或發(fā)出電磁波的半導(dǎo)體元件，其固定方式通過固定膠固定；

（3）在所述臨時基板上設(shè)置第一封裝材料，并完全覆蓋電磁元件；

（4）固化所述封裝材料后，減薄所述封裝材料至合適的厚度但并不漏出所述電磁元件；

（5）在電磁芯片對應(yīng)于多個電極的位置形成第一通孔，在環(huán)繞電磁芯片的周圈形成第二通孔，所述第一通孔的截面積和所述電極的面積相同；

（6）在封裝材料上形成導(dǎo)電材料，并填充滿所述第一和第二通孔，然后僅刻蝕封裝材料上的第一導(dǎo)電材料，形成電連接第一和第二通孔的線路層；

（7）去除臨時基板1，通過激光沿著第二通孔的中心進(jìn)行單體化所述封裝體，并且切割后的所述第二通孔5的寬度大于第一通孔的寬度。

（8）得到封裝單體，其中，第二通孔包括分別與多個所述電極相連的、互相電隔離的多個部分；

（9）提供一個具有凹槽的散熱基板，在凹槽底部涂覆一層導(dǎo)熱絕緣膠，利用該導(dǎo)熱絕緣膠將封裝單體固定在凹槽底部，并利用第二封裝材料填充并密封所述封裝單體。

（10）在偏離所述電磁芯片中心位置處鉆孔形成暴露所述線路層的第三通孔并填充第二導(dǎo)電材料以形成外連端子，并通過外連端子與其他電子元件相耦合，形成集成電路封裝結(jié)構(gòu)；

其特征在于：所述第二通孔填充所述第一導(dǎo)電材料的側(cè)面部分的面積占所述封裝單體的側(cè)面積的50%-90%。

其中，固定膠包括壓敏固化膠、熱固化膠、光固化膠、硅脂、環(huán)氧樹脂等。

其中，所述臨時基板是陶瓷基板、硅基板或塑料基板。

其中，所述其他電子元件包括控制器、MOS晶體管、電阻等。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)如下：

本發(fā)明通過控制外圍電路層（第二通孔）的面積和厚度，形成電子屏蔽較好的封裝體，在后續(xù)集成電路封裝中無需再增加電磁屏蔽罩等構(gòu)件，減小了封裝體積，增強(qiáng)了封裝的靈活性。

附圖說明

圖1-8、10-11為本發(fā)明的集成電路封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的過程示意圖；

圖9為圖8封裝單體的俯視圖。

具體實(shí)施方式

參見圖1-11，本發(fā)明首先提供了一種集成電路的封裝方法，具體步驟將在如下進(jìn)行描述，描述中所出現(xiàn)的上下、左右、側(cè)面等位置名詞均相對于示意圖中的位置關(guān)系。

參見圖1，提供一臨時基板1，該基板為大面積硬質(zhì)基板，例如陶瓷基板、硅基板、塑料基板等。

參見圖2，將電磁元件2固定于臨時基板1上，該電磁元件是容易受電磁干擾或發(fā)出電磁波的半導(dǎo)體元件，例如RF元件、光電探測器、傳感器、光電接收器等，其固定方式可通過固定膠固定，該固定膠包括壓敏固化膠、熱固化膠、光固化膠、硅脂、環(huán)氧樹脂等。

參見圖3，在臨時基板1上設(shè)置封裝材料3，并完全覆蓋電磁元件2，該封裝材料可以是聚酰亞胺、熱固化樹脂或光固化樹脂等密封材料。

參見圖4，固化所述封裝材料3后，減薄所述封裝材料3至合適的厚度但并不漏出所述電磁元件2.

參見圖5，在電磁芯片2對應(yīng)于電極的位置形成第一通孔4，在環(huán)繞電磁芯片2的周圈形成第二通孔5，所述第一通孔4的截面積和所述電極的面積相同，所述第二通孔5的寬度大于第一通孔4的寬度，尺寸大于2mm寬，這樣能夠更好阻擋電磁波的干擾或電磁波干擾其他組件。

參見圖6，在封裝材料3上形成導(dǎo)電材料6，并填充滿所述第一和5第二通孔4、5，然后僅刻蝕封裝材料3上的導(dǎo)電材料6，形成電連接第一和第二通孔的線路層，所述導(dǎo)電材料是可以防止電磁波穿透的材料，例如金屬等。

參見圖7，去除臨時基板1，通過激光7沿著第二通孔5的中心進(jìn)行單體化所述封裝體，所述激光還可以替換為機(jī)械切割，并且切割后的所述第二通孔5的寬度仍大于第一通孔4的寬度，切割后的第二通孔5的寬度為大于或等于1mm。

參見圖8，得到封裝單體100，其俯視圖如圖9所示，四個電極分別對應(yīng)四個第一通孔4，四周的四個第二通孔5環(huán)繞所述電磁元件2的側(cè)面，并且，第二通孔5包括分別與所述四個電極相連的、互相電隔離的四個部分，當(dāng)然，其電磁元件的不同，電極個數(shù)、第一通孔4和第二通孔5的個數(shù)也不同，但是無論怎樣，所述第二通孔填充導(dǎo)電材料6的側(cè)面部分的面積占所述封裝單體100側(cè)面積的50%-90%，只有這樣才能更好的起到電磁屏蔽的作用。

參見圖10，提供一個具有凹槽的散熱基板8，該散熱基板8可以是陶瓷基板、高分子散熱基板等，在凹槽底部涂覆一層導(dǎo)熱絕緣膠9，利用該導(dǎo)熱絕緣膠9將封裝單體100固定在凹槽底部，并利用封裝材料10填充并密封所述封裝單體100。

參考圖11，在偏離芯片中心位置處鉆孔形成暴露所述線路層的通孔并填充導(dǎo)電物質(zhì)以形成外連端子11，并通過外連端子與其他電子元件相耦合，所述其他電子元件包括控制器、MOS晶體管、電阻等。

本發(fā)明通過控制外圍電路層（第二通孔）的面積和厚度，形成電子屏蔽較好的封裝體，在后續(xù)集成電路封裝中無需再增加電磁屏蔽罩等構(gòu)件，減小了封裝體積，增強(qiáng)了封裝的靈活性。

最后應(yīng)說明的是：顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非對實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。