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      在芯片制造過程中檢測晶圓破裂處的裝置的制作方法

      文檔序號:12369846閱讀:652來源:國知局
      在芯片制造過程中檢測晶圓破裂處的裝置的制作方法

      本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種在芯片制造過程中檢測晶圓破裂處的裝置。



      背景技術(shù):

      晶圓(wafer)為一硅制薄片,相對來說比較脆弱,在半導(dǎo)體制造過程中,某些工藝需要對晶圓施加一定的壓力,在工藝與工藝之間,需要將晶圓在設(shè)備之間移動,這些過程都容易造成晶圓損傷甚至斷裂。在現(xiàn)有技術(shù)中,如果晶圓有所損傷甚至破裂,整個晶圓即被作為損壞件而被拋棄。這樣顯而易見的增加生產(chǎn)成本。很多時候,晶圓的部分區(qū)域的破裂并不影響晶圓的其他區(qū)域。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上,本發(fā)明公開了一種在芯片制造過程中檢測晶圓破裂處的裝置。

      本發(fā)明的技術(shù)方案如下:

      一種在芯片制造過程中檢測晶圓破裂處的裝置,包括工作臺;所述工作臺之上設(shè)置有晶圓放置位;所述工作臺旁側(cè)安裝有滑軌;滑軌之上的滑軌軌道;還設(shè)置有支撐架,支撐架的下端連接有與滑軌軌道相匹配的滑動塊;支撐架之上、工作臺上方安裝有紅外線裝置;所述紅外線裝置的長度與晶圓放置位的直徑相同;紅外線裝置包括紅外線發(fā)射儀和紅外線接收儀;當滑動塊滑動至滑軌軌道一端時,紅外線裝置位于晶圓放置位的一個邊緣;當滑動塊滑動至滑軌軌道的另一端時,紅外線裝置位于晶圓放置位的另一個邊緣;

      滑動塊通過絲桿與步進電機相連接;單片機通過變頻器對步進電機進行控制;單片機之上還連接有儲存器;紅外線發(fā)射儀和紅外線接收儀也均與單片機相連接。

      本發(fā)明的有益技術(shù)效果是:

      本發(fā)明通過紅外線入射到晶圓完好表面和晶圓破損表面的發(fā)射率不同,可有效檢測晶圓的破損處,并對晶圓破損處的坐標進行檢測、記錄,則之后的制造流程中,只要跳過破損處坐標即可,無需拋棄整個晶圓,這樣增加了晶圓的利用率,降低了生產(chǎn)成本。

      而且,本發(fā)明所述的裝置,與現(xiàn)有技術(shù)中通過SEM顯微鏡之類的手段觀察晶圓破損處相比,裝置造價十分便宜,操作也更加簡單。

      附圖說明

      圖1是本發(fā)明的裝置圖。

      圖2是本發(fā)明的控制電路框圖。

      具體實施方式

      圖1是本發(fā)明的裝置圖。如圖1所示,本發(fā)明包括工作臺1。工作臺1之上設(shè)置有晶圓放置位2。工作臺1旁側(cè)安裝有滑軌3。滑軌3之上的滑軌軌道4。還設(shè)置有支撐架6,支撐架6的下端連接有與滑軌軌道4相匹配的滑動塊5。支撐架6之上、工作臺1上方安裝有紅外線裝置7。紅外線裝置7的長度與晶圓放置位2的直徑相同。紅外線裝置7包括紅外線發(fā)射儀71和紅外線接收儀72。當滑動塊5滑動至滑軌軌道4一端時,紅外線裝置7位于晶圓放置位2的一個邊緣。當滑動塊5滑動至滑軌軌道4的另一端時,紅外線裝置7位于晶圓放置位2的另一個邊緣。

      圖2是本發(fā)明的控制電路框圖。如圖2所示,滑動塊5通過絲桿8與步進電機9相連接。單片機11通過變頻器10對步進電機9進行控制。單片機11之上還連接有儲存器12。紅外線發(fā)射儀71和紅外線接收儀72也均與單片機11相連接。步進電機9與絲桿8配合工作,可以對滑動塊5的位移距離進行精度很高的控制,有利于控制支撐架6嚴格按照坐標間隔移動。

      本發(fā)明的工作方法為:

      步驟1、將系統(tǒng)歸為初始位置,即使得滑動塊5滑動至滑軌軌道4的一端;紅外線裝置7位于晶圓放置位2的一個邊緣;

      步驟2、將晶圓放置于晶圓放置位2;

      步驟3、將晶圓分割為多個間距相等的測量等分,作為測量坐標;單片機11通過變頻器10對步進電機9進行控制,步進電機9每轉(zhuǎn)動一次,絲桿8控制滑動塊5移動一個測量坐標的位移距離;

      步驟4、滑動塊5帶動支撐架6以及安裝在支撐架6的紅外線裝置7移動一個測量坐標的位移距離,單片機11控制紅外線發(fā)射儀71和紅外線接收儀72開始工作;

      步驟5、紅外線接收儀72將此測量坐標的紅外接收數(shù)據(jù)傳至單片機,單片機對此紅外接收數(shù)據(jù)進行判斷,如果數(shù)據(jù)異常,則將此測量坐標儲存于儲存器12。

      在進行之后的半導(dǎo)體制造流程時,需要先讀取儲存器12中的坐標數(shù)據(jù),并在之后的制造過程中,跳過此坐標,即對此坐標處的晶圓不做任何處理,即有效避開了晶圓的破損處。

      在特殊的情況下,如果通過判斷儲存器12中的數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)晶圓的破損處太大且無可挽回,也可以直接將晶圓丟棄,節(jié)省制造步驟,避免做無用功。

      以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,本發(fā)明不限于以上實施例??梢岳斫?,本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進和變化,均應(yīng)認為包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

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