本發(fā)明涉及電子元器件制作
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是涉及一種薄膜電容器的制備方法。
背景技術(shù)：
：電容器依著介質(zhì)的不同，它的種類很多，例如:電解質(zhì)電容、紙質(zhì)電容、薄膜電容、陶瓷電容、云母電容、空氣電容等。但是在音響器材中使用最頻繁的，當(dāng)屬電解電容器和薄膜(Film)電容器。電解電容大多被使用在需要電容量很大的地方，例如主電源部分的濾波電容，除了濾波之外，并兼做儲(chǔ)存電能之用。而薄膜電容則廣泛被使用在模擬信號(hào)的交連，電源噪聲的旁路(反交連)等地方。薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性，因此是一種性能優(yōu)秀的電容器。它的主要等性如下:無極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣)，而且介質(zhì)損失很小?；谝陨系膬?yōu)點(diǎn)，所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號(hào)交連的部份，必須使用頻率特性良好，介質(zhì)損失極低的電容器，方能確保信號(hào)在傳送時(shí)，不致有太大的失真情形發(fā)生。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了一種薄膜電容器的制備方法，包括配料、球磨、篩選、造粒、壓制成型、燒結(jié)和冷卻。一種薄膜電容器的制備方法，包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極和升溫/退火處理，薄膜電容器的制備方法如下：（1）蒸鍍金屬層：在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜，并繞卷為薄膜卷；（2）濺射法制備電極層：將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進(jìn)真空腔室，并對(duì)真空腔室進(jìn)行抽真空，采用離子濺射法制備電極層，并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層；（3）升溫/退火處理：將薄膜電容器放入電阻爐，在通入保護(hù)氣體的環(huán)境下進(jìn)行逐級(jí)升溫處理，然后，再進(jìn)行退火處理，待溫度達(dá)到常溫時(shí)，再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出，分切成薄膜電容所需的薄膜帶。優(yōu)選的，所述步驟（1）中金屬薄膜的金屬包括Ni、Ag、Cu、Ti、Au或Pt的純金屬或其復(fù)合金屬。優(yōu)選的，所述步驟（2）中真空腔室內(nèi)的真空度為105-100Pa。優(yōu)選的，所述步驟（2）中電極層厚度為10-30nm。優(yōu)選的，所述步驟（3）中升溫溫度為600-800℃，保溫時(shí)間為30-60min；退火溫度為90-100℃，時(shí)間為200-210min。優(yōu)選的，所述步驟（3）中保護(hù)氣體為Ne、Xe、Ar或者它們的混合氣體。有益效果：本發(fā)明提供了一種薄膜電容器的制備方法，涉及電子元器件制作
技術(shù)領(lǐng)域：
，包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極層和升溫/退火處理，在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜，并繞卷為薄膜卷；將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進(jìn)真空腔室，并對(duì)真空腔室進(jìn)行抽真空，采用離子濺射法制備電極層，并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層；將薄膜電容器放入電阻爐，在通入保護(hù)氣體的環(huán)境下進(jìn)行逐級(jí)升溫處理，然后，再進(jìn)行退火處理，待溫度達(dá)到常溫時(shí)，再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出，分切成薄膜電容所需的薄膜帶。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、易于工業(yè)化的特點(diǎn)，實(shí)際生產(chǎn)成本較小，這種方法制備的薄膜電容器具有較高的抗氧化性和延展性，同時(shí)還具有較大電容量，滿足產(chǎn)品輕量化的要求。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實(shí)施方式，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。實(shí)施例1：一種薄膜電容器的制備方法，包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極和升溫/退火處理，薄膜電容器的制備方法如下：（1）蒸鍍金屬層：在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜，并繞卷為薄膜卷；（2）濺射法制備電極層：將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進(jìn)真空腔室，并對(duì)真空腔室進(jìn)行抽真空，采用離子濺射法制備電極層，并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層；（3）升溫/退火處理：將薄膜電容器放入電阻爐，在通入保護(hù)氣體的環(huán)境下進(jìn)行逐級(jí)升溫處理，然后，再進(jìn)行退火處理，待溫度達(dá)到常溫時(shí)，再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出，分切成薄膜電容所需的薄膜帶。其中，所述步驟（1）中金屬薄膜的金屬包括Ni、Ag、Cu、Ti、Au或Pt的純金屬或其復(fù)合金屬；所述步驟（2）中真空腔室內(nèi)的真空度為10Pa；所述步驟（2）中電極層厚度為10nm；所述步驟（3）中升溫溫度為600℃，保溫時(shí)間為30min；退火溫度為90℃，時(shí)間為200min；所述步驟（3）中保護(hù)氣體為Ne。實(shí)施例2：一種薄膜電容器的制備方法，包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極和升溫/退火處理，薄膜電容器的制備方法如下：（1）蒸鍍金屬層：在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜，并繞卷為薄膜卷；（2）濺射法制備電極層：將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進(jìn)真空腔室，并對(duì)真空腔室進(jìn)行抽真空，采用離子濺射法制備電極層，并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層；（3）升溫/退火處理：將薄膜電容器放入電阻爐，在通入保護(hù)氣體的環(huán)境下進(jìn)行逐級(jí)升溫處理，然后，再進(jìn)行退火處理，待溫度達(dá)到常溫時(shí)，再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出，分切成薄膜電容所需的薄膜帶。其中，所述步驟（1）中金屬薄膜的金屬包括Ni、Ag、Cu、Ti、Au或Pt的純金屬或其復(fù)合金屬；所述步驟（2）中真空腔室內(nèi)的真空度為1000Pa；所述步驟（2）中電極層厚度為10nm；所述步驟（3）中升溫溫度為700℃，保溫時(shí)間為50min；退火溫度為95℃，時(shí)間為205min；所述步驟（3）中保護(hù)氣體為Xe。實(shí)施例3：一種薄膜電容器的制備方法，包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極和升溫/退火處理，薄膜電容器的制備方法如下：（1）蒸鍍金屬層：在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜，并繞卷為薄膜卷；（2）濺射法制備電極層：將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進(jìn)真空腔室，并對(duì)真空腔室進(jìn)行抽真空，采用離子濺射法制備電極層，并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層；（3）升溫/退火處理：將薄膜電容器放入電阻爐，在通入保護(hù)氣體的環(huán)境下進(jìn)行逐級(jí)升溫處理，然后，再進(jìn)行退火處理，待溫度達(dá)到常溫時(shí)，再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出，分切成薄膜電容所需的薄膜帶。其中，所述步驟（1）中金屬薄膜的金屬包括Ni、Ag、Cu、Ti、Au或Pt的純金屬或其復(fù)合金屬；所述步驟（2）中真空腔室內(nèi)的真空度為100Pa；所述步驟（2）中電極層厚度為30nm；所述步驟（3）中升溫溫度為800℃，保溫時(shí)間為60min；退火溫度為100℃，時(shí)間為210min；所述步驟（3）中保護(hù)氣體為Ne和Ar的混合氣體?？寡趸匝诱剐噪娙萘繉?shí)施例190%80%73%實(shí)施例298%95%88%實(shí)施例385%90%76%現(xiàn)有的技術(shù)參數(shù)75%78%66%根據(jù)上述表格數(shù)據(jù)可知，實(shí)施例2中采用本發(fā)明薄膜電容器的制備工藝和現(xiàn)有的技術(shù)參數(shù)比較，具有較高的抗氧化性和延展性，同時(shí)還具有較大電容量，滿足產(chǎn)品輕量化的要求。本發(fā)明提供了一種薄膜電容器的制備方法，涉及電子元器件制作
技術(shù)領(lǐng)域：
，包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極層和升溫/退火處理，在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜，并繞卷為薄膜卷；將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進(jìn)真空腔室，并對(duì)真空腔室進(jìn)行抽真空，采用離子濺射法制備電極層，并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層；將薄膜電容器放入電阻爐，在通入保護(hù)氣體的環(huán)境下進(jìn)行逐級(jí)升溫處理，然后，再進(jìn)行退火處理，待溫度達(dá)到常溫時(shí)，再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出，分切成薄膜電容所需的薄膜帶。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、易于工業(yè)化的特點(diǎn)，實(shí)際生產(chǎn)成本較小，這種方法制備的薄膜電容器具有較高的抗氧化性和延展性，同時(shí)還具有較大電容量，滿足產(chǎn)品輕量化的要求。以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的
技術(shù)領(lǐng)域：
，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3