本發(fā)明涉及被加工物的加工方法，將板狀的被加工物分割成多個(gè)器件芯片。

背景技術(shù)：

在以移動(dòng)電話或個(gè)人計(jì)算機(jī)為代表的電子設(shè)備中，具有電子電路(器件)的器件芯片成為必要的結(jié)構(gòu)要素。器件芯片例如是利用多條分割預(yù)定線(間隔道)劃分由硅等半導(dǎo)體材料形成的晶片的正面并在各區(qū)域中形成了電子電路之后沿著該分割預(yù)定線分割晶片從而制造出的。

關(guān)于分割晶片的方法之一，公知有使具有透過(guò)性的激光光線會(huì)聚在晶片的內(nèi)部而形成基于多光子吸收的改質(zhì)區(qū)域(改質(zhì)層)，并將該改質(zhì)區(qū)域作為分割的起點(diǎn)而將晶片分割成器件芯片的隱形切割(SD：Stealth Dicing)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

在隱形切割中，由于不需要通過(guò)切削等在晶片中形成槽，因此能夠縮小分割預(yù)定線的寬度而增加器件芯片的數(shù)量。另一方面，該隱形切割存在因殘留的改質(zhì)區(qū)域引起器件芯片的抗折強(qiáng)度容易降低的問(wèn)題。

為了解決該問(wèn)題，研究出當(dāng)在距晶片的背面?zhèn)任催_(dá)到器件芯片的完工厚度的深度的位置上形成改質(zhì)區(qū)域之后，對(duì)該晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削而去除改質(zhì)區(qū)域并且分割成器件芯片的SDBG(Stealth Dicing Before Grinding：研磨前的隱形切割)(例如，參照專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3)。

但是，當(dāng)對(duì)晶片進(jìn)行磨削時(shí)，在作為被磨削面的背面上會(huì)產(chǎn)生磨削畸變而導(dǎo)致器件芯片的抗折強(qiáng)度降低。因此，在對(duì)晶片進(jìn)行了磨削之后，利用CMP(Chemical Mechanical Polishing：化學(xué)機(jī)械研磨)等方法對(duì)晶片進(jìn)行研磨而去除磨削畸變。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2002-192370號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：國(guó)際公開(kāi)第2003/77295號(hào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)2006-12902號(hào)公報(bào)

然而，當(dāng)利用CMP對(duì)被上述的SDBG磨削、分割后的晶片進(jìn)行研磨時(shí)，包含在研磨液中的游離磨粒會(huì)侵入相鄰的器件芯片的間隙而附著于側(cè)面。當(dāng)磨粒附著于器件芯片的側(cè)面時(shí)，在之后的工序中會(huì)容易產(chǎn)生不良情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于該問(wèn)題點(diǎn)而完成的，其目的在于，提供一種被加工物的加工方法，防止磨粒對(duì)器件芯片的附著。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種被加工物的加工方法，將板狀的被加工物沿著分割預(yù)定線分割成多個(gè)器件芯片，其特征在于，該被加工物的加工方法具有如下的工序：改質(zhì)層形成工序，從該被加工物的背面?zhèn)妊刂摲指铑A(yù)定線照射對(duì)于該被加工物具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光光線，在比相當(dāng)于該器件芯片的完工厚度的位置靠背面?zhèn)鹊奈恢眯纬筛馁|(zhì)層；背面磨削工序，在實(shí)施了該改質(zhì)層形成工序之后，對(duì)該被加工物的該背面進(jìn)行磨削而將該被加工物加工成該器件芯片的完工厚度；分割工序，在實(shí)施了該改質(zhì)層形成工序之后，沿著形成了該改質(zhì)層的該分割預(yù)定線將該被加工物分割成一個(gè)個(gè)的該器件芯片；以及研磨工序，在實(shí)施了該背面磨削工序和該分割工序之后，一邊對(duì)該被加工物提供不包含磨粒的研磨液一邊使用包含磨粒的研磨墊對(duì)該被加工物的背面進(jìn)行研磨，由此將該被加工物的該背面的磨削畸變?nèi)コ?/p>

在本發(fā)明中，優(yōu)選該被加工物的加工方法還具有吸雜層形成工序，在實(shí)施了該研磨工序之后，在該被加工物的該背面形成吸雜層。

并且，在本發(fā)明中，優(yōu)選該研磨墊的Asker-C硬度為55度～90度，該研磨墊的壓縮率為2％～15％，包含在該研磨墊中的該磨粒的材質(zhì)為金剛石、綠色金剛砂、白剛玉、二氧化鈰或氧化鋯，該研磨墊中所包含的該磨粒的粒徑為0.01μm～10μm。

并且，在本發(fā)明中，優(yōu)選該研磨液為堿溶液。

在本發(fā)明的被加工物的加工方法中，在研磨工序中，由于一邊對(duì)被加工物提供不包含磨粒的研磨液一邊使用包含磨粒的研磨墊對(duì)被加工物進(jìn)行研磨，因此不會(huì)存在像使用包含磨粒的研磨液的以往的方法那樣、磨粒附著于器件芯片的側(cè)面的情況。

附圖說(shuō)明

圖1是示意性示出被加工物等的立體圖。

圖2是示意性示出改質(zhì)層形成工序的立體圖。

圖3的(A)和圖3的(B)是示意性示出背面磨削工序和分割工序的局部剖視側(cè)視圖。

圖4的(A)是示意性示出研磨工序的局部剖視側(cè)視圖，圖4的(B)是示意性示出研磨工序后的被加工物的剖視圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

11：被加工物；11a：正面；11b：背面；13：分割預(yù)定線(間隔道)；15：器件；17：改質(zhì)層；19：器件芯片；21：保護(hù)部件；21a：第1面；21b：第2面；L：激光光線；2：激光加工裝置；4：卡盤(pán)工作臺(tái)；6：激光加工單元；8：照相機(jī)；12：磨削裝置；14：卡盤(pán)工作臺(tái)；14a：保持面；16：磨削單元；18：主軸殼體；20：主軸；22：固定件；24：磨削輪；26：輪基座；28：磨削磨具；32：研磨裝置；34：卡盤(pán)工作臺(tái)；34a：保持面；36：研磨單元；38：主軸殼體；40：主軸；42：固定件；44：研磨墊。

具體實(shí)施方式

參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的被加工物的加工方法包含：改質(zhì)層形成工序(參照?qǐng)D2)、背面磨削工序(參照?qǐng)D3的(A)和圖3的(B))、分割工序(參照?qǐng)D3的(A)和圖3的(B))、研磨工序(參照?qǐng)D4的(A)和圖4的(B))以及吸雜層形成工序。

在改質(zhì)層形成工序中，對(duì)被加工物照射具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光光線而形成沿著分割預(yù)定線的改質(zhì)層。在背面磨削工序中，對(duì)被加工物的背面進(jìn)行磨削，而將被加工物加工成器件芯片的完工厚度。在分割工序中，沿著分割預(yù)定線將被加工物分割成器件芯片。

在研磨工序中，一邊對(duì)被加工物提供不包含磨粒的研磨液，一邊使用包含磨粒的研磨墊來(lái)對(duì)被加工物的背面進(jìn)行研磨。由此，去除被加工物的背面的磨削畸變。在吸雜層形成工序中，在被加工物的背面形成吸雜層。以下，對(duì)本實(shí)施方式的被加工物的加工方法進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖1是示意性示出由本實(shí)施方式加工的被加工物等的立體圖。如圖1所示，被加工物11例如是由硅等半導(dǎo)體材料形成的圓盤(pán)狀的晶片，其正面11a側(cè)被分成中央的器件區(qū)域和包圍器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域。器件區(qū)域被排列成格子狀的多條分割預(yù)定線(間隔道)13進(jìn)一步劃分成多個(gè)區(qū)域，在各區(qū)域中形成有IC、LSI等器件15。

另外，雖然在本實(shí)施方式中將由硅等半導(dǎo)體材料形成的晶片用作被加工物11，但被加工物11的材質(zhì)、形狀等不存在限制。例如，也可以將由陶瓷、樹(shù)脂、金屬等材料形成的基板用作被加工物11。同樣，分割預(yù)定線13的配置或器件15的種類等也不存在限制。

在本實(shí)施方式的被加工物的分割方法中，首先，在該被加工物11的正面11a側(cè)粘貼保護(hù)部件21。保護(hù)部件21例如是與被加工物11大致相同形狀的粘接帶、樹(shù)脂基板、與被加工物11同種或異種的晶片等，在其第1面21a側(cè)設(shè)置有由粘接劑等形成的粘接層。

由此，通過(guò)使保護(hù)部件21的第1面21a側(cè)與被加工物11的正面11a側(cè)接觸而能夠?qū)⒈Ｗo(hù)部件21粘貼于被加工物11。通過(guò)這樣在被加工物11上粘貼保護(hù)部件21而能夠防止因在磨削時(shí)施加的載荷等造成的器件15的破損。

當(dāng)在被加工物11上粘貼了保護(hù)部件21之后，實(shí)施改質(zhì)層形成工序，對(duì)被加工物11照射具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光光線而形成沿著分割預(yù)定線的改質(zhì)層。圖2是示意性示出改質(zhì)層形成工序的立體圖。改質(zhì)層形成工序例如由圖2所示的激光加工裝置2實(shí)施。

激光加工裝置2具有對(duì)被加工物11進(jìn)行吸引、保持的卡盤(pán)工作臺(tái)4?？ūP(pán)工作臺(tái)4與電動(dòng)機(jī)等旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)源(未圖示)連結(jié)，繞與鉛垂方向大致平行的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。并且，在卡盤(pán)工作臺(tái)4的下方設(shè)置有工作臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)，卡盤(pán)工作臺(tái)4通過(guò)該工作臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)而在水平方向上移動(dòng)。

卡盤(pán)工作臺(tái)4的上表面成為對(duì)粘貼于被加工物11的保護(hù)部件21的第2面21b側(cè)進(jìn)行吸引、保持的保持面。吸引源(未圖示)的負(fù)壓通過(guò)形成于卡盤(pán)工作臺(tái)4的內(nèi)部的流路(未圖示)等而作用于該保持面，產(chǎn)生用于吸引保護(hù)部件21的吸引力。

在卡盤(pán)工作臺(tái)4的上方配置有激光加工單元6。在與激光加工單元6相鄰的位置設(shè)置有用于拍攝被加工物11的照相機(jī)8。激光加工單元6對(duì)下方照射由激光振蕩器(未圖示)脈沖振蕩出的激光光線L。激光振蕩器構(gòu)成為能夠脈沖振蕩出難以由被加工物11吸收的波長(zhǎng)(具有透過(guò)性的波長(zhǎng))的激光光線L。

在改質(zhì)層形成工序中，首先使粘貼于被加工物11的保護(hù)部件21的第2面21b與卡盤(pán)工作臺(tái)4的保持面接觸，而作用吸引源的負(fù)壓。由此，被加工物11在背面11b側(cè)向上方露出的狀態(tài)下由卡盤(pán)工作臺(tái)4吸引、保持。

接著，使保持著被加工物11的卡盤(pán)工作臺(tái)4移動(dòng)、旋轉(zhuǎn)，而使激光加工單元6與加工對(duì)象的分割預(yù)定線15的端部對(duì)準(zhǔn)。然后，從激光加工單元6朝向被加工物11的背面11b照射激光光線L，并且使卡盤(pán)工作臺(tái)4在與加工對(duì)象的分割預(yù)定線13平行的方向上移動(dòng)。即，從被加工物11的背面11b側(cè)沿著分割預(yù)定線13照射激光光線L。

此時(shí)，激光光線L的聚光點(diǎn)的位置對(duì)準(zhǔn)被加工物11的內(nèi)部且比相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的位置靠背面11b側(cè)的位置。由此，能夠利用多光子吸收對(duì)激光光線L的聚光點(diǎn)附近進(jìn)行改質(zhì)，而形成沿著加工對(duì)象的分割預(yù)定線15的改質(zhì)層17。即，改質(zhì)層17形成在比相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的位置靠背面11b側(cè)的位置。當(dāng)沿著所有的分割預(yù)定線15形成了改質(zhì)層17時(shí)，改質(zhì)層形成工序結(jié)束。

在改質(zhì)層形成工序之后，實(shí)施對(duì)被加工物11的背面11b進(jìn)行磨削的背面磨削工序和將被加工物11分割成器件芯片的分割工序。圖3的(A)和圖3的(B)是示意性示出背面磨削工序和分割工序的局部剖視側(cè)視圖。背面磨削工序和分割工序例如由圖3的(A)和圖3的(B)所示的磨削裝置12實(shí)施。

磨削裝置12具有對(duì)被加工物11進(jìn)行吸引、保持的卡盤(pán)工作臺(tái)14?？ūP(pán)工作臺(tái)14與電動(dòng)機(jī)等旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)源(未圖示)連結(jié)，繞與鉛垂方向大致平行的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。并且，在卡盤(pán)工作臺(tái)14的下方設(shè)置有工作臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)，利用該工作臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)使卡盤(pán)工作臺(tái)14在水平方向上移動(dòng)。

卡盤(pán)工作臺(tái)14的上表面成為對(duì)粘貼于被加工物11的保護(hù)部件21的第2面21b側(cè)進(jìn)行吸引、保持的保持面14a。吸引源(未圖示)的負(fù)壓通過(guò)形成于卡盤(pán)工作臺(tái)14的內(nèi)部的流路(未圖示)等而作用于該保持面14a，產(chǎn)生用于吸引保護(hù)部件21的吸引力。

在卡盤(pán)工作臺(tái)14的上方配置有磨削單元16。磨削單元16具有支承于磨削單元升降機(jī)構(gòu)(未圖示)的主軸殼體18。在主軸殼體18中收納有主軸20，在主軸20的下端部固定有圓盤(pán)狀的固定件22。

在固定件22的下表面裝配有與固定件22大致相同直徑的磨削輪24。磨削輪24具有由不銹鋼、鋁等金屬材料形成的輪基座26。在輪基座26的下表面上呈環(huán)狀排列有多個(gè)磨削磨具28。

電動(dòng)機(jī)等旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)源(未圖示)與主軸20的上端側(cè)(基端側(cè))連結(jié)。磨削輪24借助從該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)源傳遞的旋轉(zhuǎn)力而繞與鉛垂方向大致平行的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。

在背面磨削工序和分割工序中，首先，使粘貼于被加工物11的保護(hù)部件21的第2面21b與卡盤(pán)工作臺(tái)14的保持面14a接觸，而作用吸引源的負(fù)壓。由此，被加工物11在背面11b側(cè)向上方露出的狀態(tài)下由卡盤(pán)工作臺(tái)14吸引、保持。

接著，使卡盤(pán)工作臺(tái)14移動(dòng)至磨削輪24的下方。并且，如圖3的(A)所示，使卡盤(pán)工作臺(tái)14和磨削輪24分別旋轉(zhuǎn)，提供純水等磨削液并且使主軸殼體18下降。將主軸殼體18的下降量調(diào)整為磨削磨具28的下表面推抵在被加工物11的背面11b上的程度。

由此，能夠?qū)Ρ患庸の?1的背面11b側(cè)進(jìn)行磨削。例如一邊測(cè)定被加工物11的厚度一邊進(jìn)行該磨削。在本實(shí)施方式中，由于沿著分割預(yù)定線13形成了改質(zhì)層17，因此利用磨削時(shí)施加的壓力以改質(zhì)層17為起點(diǎn)將被加工物11斷裂，沿著分割預(yù)定線進(jìn)行分割。

如圖3的(B)所示，當(dāng)被加工物11薄化到完工厚度，沿著所有的分割預(yù)定線13被分割成多個(gè)器件芯片19時(shí)，背面磨削工序和分割工序結(jié)束。

另外，在本實(shí)施方式中，由于在比相當(dāng)于器件芯片19的完工厚度的位置靠背面11b側(cè)的位置形成改質(zhì)層17，因此當(dāng)將被加工物11薄化到器件芯片的完工厚度時(shí)，從被加工物11完全地去除改質(zhì)層17。因此，不會(huì)因殘留的改質(zhì)層17引起器件芯片19的抗折強(qiáng)度降低。

在分割工序之后，實(shí)施對(duì)被加工物11的背面11b進(jìn)行研磨的研磨工序。圖4的(A)是示意性示出研磨工序的局部剖視側(cè)視圖。研磨工序例如由圖4的(A)所示的研磨裝置32實(shí)施。研磨裝置32具有對(duì)被加工物11進(jìn)行吸引、保持的卡盤(pán)工作臺(tái)34。

卡盤(pán)工作臺(tái)34與電動(dòng)機(jī)等旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)源(未圖示)連結(jié)，繞與鉛垂方向大致平行的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。并且，在卡盤(pán)工作臺(tái)34的下方設(shè)置有工作臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)，利用該工作臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)使卡盤(pán)工作臺(tái)34在水平方向上移動(dòng)。

卡盤(pán)工作臺(tái)34的上表面成為對(duì)粘貼于被加工物11的保護(hù)部件21的第2面21b側(cè)進(jìn)行吸引、保持的保持面34a。吸引源(未圖示)的負(fù)壓通過(guò)形成于卡盤(pán)工作臺(tái)34的內(nèi)部的流路(未圖示)等作用于該保持面34a，產(chǎn)生用于吸引保護(hù)部件21的吸引力。

在卡盤(pán)工作臺(tái)34的上方配置有研磨單元36。研磨單元36具有支承于研磨單元升降機(jī)構(gòu)(未圖示)的主軸殼體38。在主軸殼體38中收納有主軸40，在主軸40的下端部固定有圓盤(pán)狀的固定件42。

在固定件42的下表面上裝配有與固定件42大致相同直徑的研磨墊44。該研磨墊44例如由研磨布和固定于研磨布的磨粒構(gòu)成，該研磨布由無(wú)紡布或泡沫聚氨酯等形成。研磨墊44的厚度例如為3mm以上，在研磨墊44的下表面(研磨面)整體呈格子狀形成有深度為2.5mm以上的槽。

研磨墊44的硬度(Asker-C)優(yōu)選為55度～90度，研磨墊44的壓縮率優(yōu)選為2％～15％。另外，將施加了300g/cm²的載荷的情況下的研磨墊44的厚度設(shè)為t1、將施加了2000g/cm²的載荷的情況下的研磨墊44的厚度設(shè)為t2，而利用(t1-t2)/t1×100求出壓縮率。通過(guò)將研磨墊44的壓縮率設(shè)為2％～15％，而能夠維持較高的研磨速率并且抑制被加工物11的邊緣的缺口。

并且，磨粒的材質(zhì)例如是金剛石、綠色金剛砂、白剛玉、氧化鈰、氧化鋯等，磨粒的粒徑例如為0.01μm～10μm，優(yōu)選為0.1μm～2μm。但是，磨粒的材質(zhì)或磨粒的粒徑能夠根據(jù)被加工物11的材質(zhì)等而任意變更。

在主軸40的上端側(cè)(基端側(cè))連結(jié)有電動(dòng)機(jī)等旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)源(未圖示)。研磨墊44借助從該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)源傳遞的旋轉(zhuǎn)力而繞與鉛垂方向大致平行的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。

在對(duì)被加工物11的背面11b進(jìn)行研磨時(shí)，首先，使粘貼于被加工物11的保護(hù)部件21的第2面21b與卡盤(pán)工作臺(tái)34的保持面34a接觸，而作用吸引源的負(fù)壓。由此，被加工物11在背面11b側(cè)向上方露出的狀態(tài)下由卡盤(pán)工作臺(tái)34吸引、保持。

接著，使卡盤(pán)工作臺(tái)34移動(dòng)至研磨墊44的下方。并且，如圖4的(A)所示，使卡盤(pán)工作臺(tái)34和研磨墊44分別旋轉(zhuǎn)，提供研磨液并且使主軸殼體38下降。將主軸殼體38的下降量調(diào)整為研磨墊44的下表面(研磨面)推抵在被加工物11的背面11b上的程度。由此，能夠?qū)Ρ患庸の?1的背面11b進(jìn)行研磨而去除磨削畸變。

作為研磨液例如使用不包含磨粒的堿溶液。這是因?yàn)楫?dāng)研磨液包含磨粒時(shí)，容易在相鄰的器件芯片19的間隙中殘留磨粒。在本實(shí)施方式中，由于使用包含磨粒的研磨墊44，因此即使研磨液不包含磨粒也能夠適當(dāng)?shù)匮心ケ患庸の?1。另外，作為堿溶液可以使用氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化四甲基銨(TMAH)、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀等。

圖4的(B)是示意性示出研磨工序后的被加工物11的剖視圖。在本實(shí)施方式的研磨工序中，像上述那樣，由于使用不包含磨粒的研磨液來(lái)研磨被加工物11，因此磨粒不會(huì)附著于相當(dāng)于分割槽15的器件芯片19的側(cè)面。

在研磨工序之后，實(shí)施在被加工物11的背面形成吸雜層的吸雜層形成工序。吸雜層形成工序例如使用在研磨工序中使用的研磨裝置32而以與研磨工序相同的方法實(shí)施。但是，在該吸雜層形成工序中，使研磨墊44的下表面(研磨面)與被加工物11的背面11b以不推抵的方式接觸。即，不從研磨墊44對(duì)被加工物11施加壓力。

這樣，利用研磨墊44稍微擦拭被加工物11的背面11b，從而形成包含細(xì)微的畸變的吸雜層。能夠通過(guò)該吸雜層防止金屬元素等導(dǎo)致的器件15的污染。另外，也可以使在背面磨削工序中形成的磨削畸變稍微殘留，而成為吸雜層。在該情況下，不需要在研磨工序之后實(shí)施吸雜層形成工序。

如上所述，在本實(shí)施方式的被加工物的加工方法中，在研磨工序中，由于一邊對(duì)被加工物11提供不包含磨粒的研磨液一邊使用包含磨粒的研磨墊44對(duì)被加工物11進(jìn)行研磨，因此不存在像使用包含磨粒的研磨液的以往的方法那樣磨粒附著于器件芯片19的側(cè)面的情況。

另外，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式的記載，能夠進(jìn)行各種變更而實(shí)施。例如，在上述實(shí)施方式中，雖然同時(shí)實(shí)施背面磨削工序和分割工序，但也可以單獨(dú)地實(shí)施背面磨削工序和分割工序。

具體而言，例如能夠在實(shí)施了分割工序之后實(shí)施背面磨削工序。在該情況下，分割工序例如采用使粘貼于被加工物11的擴(kuò)張帶擴(kuò)展的方法或利用按壓刃沿著分割預(yù)定線13按壓被加工物11的方法等。

當(dāng)然，也可以在實(shí)施了上述實(shí)施方式的背面磨削工序和分割工序之后，根據(jù)需要而追加實(shí)施使擴(kuò)張帶擴(kuò)展的分割工序或利用按壓刃按壓的分割工序。

此外，上述實(shí)施方式的構(gòu)造、方法等在不脫離本發(fā)明的目的的范圍中可以適當(dāng)變更而實(shí)施。