本發(fā)明涉及一種一邊自噴嘴向旋轉的基板供給處理液一邊對該基板實施液處理的基板液處理裝置和基板液處理方法。

背景技術：

在半導體裝置的制造工序中包含使用光刻技術在半導體晶圓等基板的表面上形成電路圖案的工序。當以光致抗蝕劑為掩模進行干蝕刻時，會在基板的表面上不可避免地附著被稱作聚合物的反應生成物，因此，要在接下來的工序中去除該聚合物。

聚合物去除處理是通過例如一邊使基板繞鉛垂方向軸線旋轉一邊向基板的中心部供給聚合物去除液來進行的。為了提高反應性，以加熱了的狀態(tài)供給聚合物去除液。在聚合物去除液自基板的中心部向周緣部流動的過程中，聚合物去除液的熱被基板吸收，從而使聚合物去除液的溫度降低。另外，基板的周緣部因圓周速度較高而容易變冷。因此，與基板的中心部相比，在周緣部，去除聚合物要更花費時間。

為了提高基板的面內的熱條件的均勻性，有時以聚合物去除液的著液點在基板的中心部與周緣部之間移動的方式進行使正噴出聚合物去除液的噴嘴移動的掃描式噴出(日文：スキャン吐出)。但是，若進行該掃描式噴出，則在噴嘴位于基板周緣部的上方時，基板中心部沒有被聚合物去除液覆蓋，而是暴露在基板的周圍氣氛(大氣氣氛)中，在該情況下，容易在基板的表面上產(chǎn)生微粒等缺陷。

在專利文獻1中，公開了一種在1個噴嘴臂上設有兩個噴嘴的基板處理裝置。通過使噴嘴臂旋轉，從而使所述兩個噴嘴沿著俯視時通過基板的中心的圓弧軌道移動。兩個噴嘴以空開基板的直徑的1/3左右的距離的方式安裝在噴 嘴臂上。在專利文獻1中記載有：通過一邊自兩個噴嘴噴出處理液一邊使這兩個噴嘴移動，能夠對基板表面的整個區(qū)域均勻地進行處理且能夠防止基板中心部暴露在基板的周圍氣氛中。

但是，在專利文獻1的裝置中，會產(chǎn)生以下情況：自位于周緣部側的噴嘴噴出的處理液阻礙自位于中心部側的噴嘴噴出的、在離心力的作用下在基板表面上流向基板周緣部的處理液的流動。在這樣的情況下，被處理液自基板去除而向周緣部側流動的物質會返回中心部側或停滯下來，因此，該物質沒有被排出到外部，而容易再附著在基板上。

專利文獻1：日本特開2007－088381號公報

技術實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

本發(fā)明的目的在于，提供一種基板中心部不會暴露在基板的周圍氣氛中且自位于周緣部側的噴嘴噴出的處理液不會阻礙自位于中心部側的噴嘴噴出的、在基板表面上流向基板周緣部的處理液的流動的液處理技術。

用于解決問題的方案

本發(fā)明的一技術方案提供一種基板液處理裝置，其中，該基板液處理裝置包括：基板保持部，其用于保持基板；旋轉驅動部，其用于使所述基板保持部繞鉛垂軸線旋轉；第1噴嘴，其用于向由所述基板保持部保持著的所述基板的至少中心部供給處理液；第2噴嘴，其用于向由所述基板保持部保持著的所述基板供給所述處理液；第1處理液供給部，其用于向所述第1噴嘴供給所述處理液；第2處理液供給部，其用于向所述第2噴嘴供給所述處理液；第2噴嘴移動機構，其用于使所述第2噴嘴在所述基板的中心部與周緣部之間移動；控制部，其用于至少對所述第1處理液供給部、所述第2處理液供給部以及所述第2噴嘴移動機構的動作進行控制，所述控制部進行如下控制：在 正在自所述第1噴嘴向所述基板的中心部供給處理液時，使所述第2噴嘴自所述基板的中心部朝向周緣部移動，同時自所述第2噴嘴供給所述處理液，之后，在自所述第1噴嘴供給處理液的狀態(tài)下，停止自所述第2噴嘴噴出所述處理液，同時使所述第2噴嘴自所述基板的周緣部朝向中心部移動，之后，在自所述第1噴嘴供給處理液的狀態(tài)下，開始自所述第2噴嘴向所述基板供給所述處理液。

本發(fā)明的另一技術方案提供一種基板液處理方法，其是基板處理裝置的基板處理方法，該基板液處理裝置包括：基板保持部，其用于保持基板；旋轉驅動部，其用于使所述基板保持部繞鉛垂軸線旋轉；第1噴嘴，其用于向由所述基板保持部保持著的所述基板的至少中心部供給處理液；第2噴嘴，其用于向由所述基板保持部保持著的所述基板供給所述處理液；第1處理液供給部，其用于向所述第1噴嘴供給所述處理液；第2處理液供給部，其用于向所述第2噴嘴供給所述處理液；第2噴嘴移動機構，其用于使所述第2噴嘴在所述基板的中心部與周緣部之間移動；其中，該基板液處理方法包括：工序a，使基板繞鉛垂軸線旋轉；工序b，一邊自第1噴嘴向旋轉的所述基板的中心部供給處理液，一邊自第2噴嘴向旋轉的所述基板供給處理液，此時，使自所述第2噴嘴供給的處理液的著液點自所述基板的中心部朝向所述基板的周緣部移動；工序c，在所述工序b之后，一邊自所述第1噴嘴繼續(xù)向旋轉的所述基板的中心部供給處理液，一邊停止自所述第2噴嘴供給處理液并使所述第2噴嘴向所述旋轉的基板的中心部移動，工序d，在所述工序c之后，自所述第2噴嘴向旋轉的所述基板供給處理液。

發(fā)明的效果

采用所述本發(fā)明的技術方案，在一個噴嘴向基板的中心部供給處理液時，使自另一個噴嘴噴出的處理液的著液點自基板的中心部朝向周緣部移動，而不使自另一個噴嘴噴出的處理液的著液點自基板的周緣部朝向中心部 移動。因此，自所述一個噴嘴噴出而在基板表面上朝向基板周緣部流去的處理液的流動不會被自另一個噴嘴噴出的處理液阻擋或被自另一個噴嘴噴出的處理液朝向基板中心部擠回。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理系統(tǒng)的概略結構的俯視圖。

圖2是所述基板處理系統(tǒng)所具有的處理單元的概略俯視圖。

圖3是所述處理單元的概略縱剖視圖。

圖4是用于說明聚合物去除工序中的處理液噴嘴的動作的說明圖。

圖5是用于說明聚合物去除工序中的處理液噴嘴的動作的時序圖。

圖6是用于說明聚合物去除工序中的處理液噴嘴的其他動作的時序圖。

具體實施方式

圖1是表示本實施方式的基板處理系統(tǒng)的概略結構的圖。以下，為了使位置關系清楚，對互相正交的X軸、Y軸及Z軸進行規(guī)定，將Z軸正方向設為鉛垂朝上方向。

如圖1所示，基板處理系統(tǒng)1包括輸入輸出站2和處理站3。輸入輸出站2和處理站3相鄰地設置。

輸入輸出站2包括承載件載置部11和輸送部12。在承載件載置部11上載置有多個承載件C，該多個承載件C用于將多張晶圓W以水平狀態(tài)收納。

輸送部12與承載件載置部11相鄰地設置，在輸送部12的內部具有基板輸送裝置13和交接部14?；遢斔脱b置13具有用于保持晶圓W的基板保持機構。另外，基板輸送裝置13能夠在水平方向和鉛垂方向上移動并以鉛垂軸線為中心進行旋轉，其使用基板保持機構在承載件C與交接部14之間輸送晶圓W。

處理站3與輸送部12相鄰地設置。處理站3包括輸送部15和多個處理單元16。多個處理單元16以排列在輸送部15的兩側的方式設置。

輸送部15在內部具有基板輸送裝置17。基板輸送裝置17具有用于保持晶圓W的基板保持機構。另外，基板輸送裝置17能夠在水平方向和鉛垂方向上移動并以鉛垂軸線為中心進行旋轉，其使用基板保持機構在交接部14與處理單元16之間輸送晶圓W。

處理單元16用于對利用基板輸送裝置17輸送過來的晶圓W進行規(guī)定的基板處理。

另外，基板處理系統(tǒng)1包括控制裝置4?？刂蒲b置4例如是計算機，其包括控制部18和存儲部19。在存儲部19中存儲有用于對在基板處理系統(tǒng)1中執(zhí)行的各種處理進行控制的程序?？刂撇?8通過讀取并執(zhí)行被存儲在存儲部19中的程序來控制基板處理系統(tǒng)1的動作。

此外，該程序既可以是存儲在可由計算機讀取的存儲介質中的程序，也可以是從該存儲介質安裝到控制裝置4的存儲部19中的程序。作為可由計算機讀取的存儲介質，存在例如硬盤(HD)、軟盤(FD)、光盤(CD)、光磁盤(MO)以及存儲卡等。

在如此構成的基板處理系統(tǒng)1中，首先，輸入輸出站2的基板輸送裝置13從載置于承載件載置部11的承載件C取出晶圓W并將取出后的晶圓W載置于交接部14。利用處理站3的基板輸送裝置17將載置于交接部14的晶圓W自交接部14取出并向處理單元16輸入。

在利用處理單元16對被輸入到處理單元16中的晶圓W進行處理之后，利用基板輸送裝置17將該晶圓W自處理單元16輸出并將該晶圓W載置于交接部14。然后，利用基板輸送裝置13將載置于交接部14的處理完成后的晶圓W返回到承載件載置部11的承載件C。

接下來，參照圖2和圖3說明處理單元16的概略結構。

處理單元16具有腔室(處理單元殼體)20，在該腔室20內設有基板保持機構30、處理流體供給部40、以及杯50。

基板保持機構30包括保持部31、旋轉軸32、以及驅動部33。保持部31能夠水平保持晶圓W。驅動部33借助旋轉軸32使保持部31旋轉，由此，使由保持部31保持著的晶圓W繞鉛垂方向軸線旋轉。

處理流體供給部40具有第1噴嘴臂41(第1噴嘴移動機構)和第2噴嘴臂42(第2噴嘴移動機構)。

在第1噴嘴臂41的頂端部設有用于噴出作為處理液的聚合物去除液(藥液)的第1處理液噴嘴411、用于噴出作為沖洗液的DIW(純水)的沖洗液噴嘴412、以及溶劑噴嘴413。溶劑噴嘴413用于噴出與DIW具有相溶性的、表面張力低于DIW的表面張力且揮發(fā)性高于DIW的揮發(fā)性的有機溶劑、在此噴出IPA(異丙醇)。

在第2噴嘴臂42的頂端部設有用于噴出作為處理液的聚合物去除液(與第1處理液噴嘴411所噴出的聚合物去除液相同的聚合物去除液)的第2處理液噴嘴421和干燥氣體噴嘴422。干燥氣體噴嘴422噴出濕度比潔凈室內的空氣的濕度低的氣體(優(yōu)選為相比潔凈室內的空氣的濕度低濕度且低氧濃度的氣體)、在此噴出氮氣。

第1噴嘴臂41能夠利用臂驅動機構414繞鉛垂方向軸線旋轉(圖2的箭頭M1)，另外，第1噴嘴臂41能夠沿鉛垂方向升降。通過使第1噴嘴臂41旋轉，能夠使設于第1噴嘴臂41的噴嘴411、412、413位于晶圓W中心部的上方位置(或晶圓W中心的正上方的位置)與晶圓W周緣部的上方位置之間的任意的位置。

第2噴嘴臂42能夠利用臂驅動機構424繞鉛垂方向軸線旋轉(圖2的箭頭M2)，另外，第2噴嘴臂42能夠沿鉛垂方向升降。通過使第2噴嘴臂42旋轉，能夠使設于第2噴嘴臂42的噴嘴421、422位于晶圓W中心部的上方位置(或 晶圓W中心的正上方的位置)與晶圓W周緣部的上方位置之間的任意的位置。

第1噴嘴臂41和第2噴嘴臂42并不限于所述那樣的搖擺運動(旋轉運動)類型的噴嘴臂，也可以是用于使噴嘴沿水平方向直線地進行并進運動的線性運動(直線運動)類型的噴嘴臂。

液體接收杯50包圍基板保持機構30，用于回收自噴嘴411、412、413、421供給到旋轉的晶圓W上之后、自晶圓W甩出的液體。

自所對應的處理流體供給部(第1處理液供給部711、沖洗液供給部712、溶劑供給部713、第2處理液供給部721、干燥氣體供給部722)向各噴嘴(411、412、413、421、422)供給處理流體(液體或氣體)。各處理流體供給部由包括罐、儲氣罐、工廠動力(日文：用力)供給源等的處理流體供給源、用于將處理流體供給源和所對應的噴嘴連接起來的處理流體管線、以及夾設在處理流體管線上的開閉閥、流量調整閥等流量調整設備構成，對此省略圖示。

此外，由于以加熱了的狀態(tài)向晶圓W供給聚合物去除液，因此，在用于第1處理液噴嘴411和第2處理液噴嘴421的處理液供給部711、712和所對應的處理流體管線上設有加熱器或保溫材料(均未圖示)。

接下來，不僅參照圖2、圖3，而且還參照圖4、圖5來說明處理單元16的動作。通過參照存儲在存儲部19(參照圖1)中的工藝制程且執(zhí)行存儲在存儲部19中的控制程序，從而使控制裝置4的控制部18控制處理單元16的各種構成要件(噴嘴臂、處理流體供給部等)，由此自動地執(zhí)行以下說明的處理單元16的動作。

圖4是說明處理液噴嘴411、421的動作的示意圖，圖5是表示處理液噴嘴411、421的半徑方向位置(Pos(單位mm))、來自處理液噴嘴411、421的聚合物去除液的噴出流量(Q(單位ml/min))的隨時間變化的時序圖。在圖5中，利用距晶圓W的中心(Wc)的距離來表示處理液噴嘴411、421的位 置(Pos)。也就是說，位置0mm指的是噴嘴位于晶圓的中心的正上方，位置150mm指的是噴嘴位于晶圓W(12英寸晶圓)的周緣的正上方，位置200mm指的是噴嘴位于比晶圓的周緣靠半徑方向外側的原始位置(待機位置)(H)。在圖5中，利用實線來表示處理液噴嘴411的位置和噴出流量，利用虛線來表示處理液噴嘴421的位置和噴出流量。

首先，利用基板輸送裝置17(參照圖1)將晶圓W輸入處理單元16的腔室20內，利用基板保持機構30的保持部31來保持晶圓W。接著，利用基板保持機構30的驅動部33使由保持部31保持著的晶圓W繞鉛垂軸線旋轉。使該晶圓W持續(xù)旋轉，直到完成針對該晶圓W的一系列的處理工序。

使第1處理液噴嘴411自原始位置移動而位于晶圓W的中心的上方(正上方)的位置。另外，使第2處理液噴嘴421位于不與第1處理液噴嘴411沖突且與第1處理液噴嘴411相鄰的、晶圓W的中心部的上方位置(在水平方向上與晶圓W的中心的上方位置稍微分開的位置)(以上，參照圖4的(a)、圖5的14秒附近)。在此“晶圓W的中心部”指的是，包含作為晶圓W的旋轉中心點的“晶圓W的中心”的、具有某一程度擴展的區(qū)域。另外，在該作用的說明中，第1處理液噴嘴411和第2處理液噴嘴421的移動是通過使第1噴嘴臂41和第2噴嘴臂旋轉而實現(xiàn)的。

接著，使第1處理液噴嘴411開始以小流量(例如500ml/min)噴出聚合物去除液并使第1處理液噴嘴411開始朝向晶圓W的周緣部的上方位置移動。也就是說，第1處理液噴嘴411以使聚合物去除液的在晶圓表面上的著液點最初位于晶圓W的中心的方式噴出聚合物去除液，之后，第1處理液噴嘴411以使聚合物去除液的著液點朝向晶圓W的周緣部移動的方式移動。在第1處理液噴嘴411開始自晶圓W的中心的上方位置移動的同時，第2處理液噴嘴421向晶圓的中心的上方位置移動并在晶圓的中心的上方位置停止。在該停止的大致同時，第2處理液噴嘴421開始以大流量(例如1000ml/min)噴出聚合物 去除液。也就是說，此時，第2處理液噴嘴421以使著液點位于晶圓W的中心的方式噴出聚合物去除液(以上，參照圖4的(b)、圖5的15秒附近)。

自第1處理液噴嘴411和第2處理液噴嘴421供給到晶圓W的表面的聚合物去除液在離心力的作用下一邊朝向晶圓W的周緣部擴展一邊流動，晶圓W的表面的整個區(qū)域被聚合物去除液的液膜覆蓋。附著在晶圓W的表面上的聚合物被聚合物去除液去除，去除后的聚合物與聚合物去除液一起向晶圓W的周緣的外側飛散。

在第1處理液噴嘴411一到達晶圓W的周緣部的上方位置(也就是說，在來自第1處理液噴嘴411的聚合物去除液的著液點一位于晶圓W的周緣部)，就停止自第1處理液噴嘴411噴出聚合物去除液，之后使第1處理液噴嘴411立即朝向晶圓W的中心的上方位置移動(以上，參照圖4的(c)、圖5的18秒附近)。

在第1處理液噴嘴411即將到達晶圓W的中心的上方位置之前(也就是說，第1處理液噴嘴411即將與位于晶圓W的中心的上方的第2處理液噴嘴421沖突之前)，使第2處理液噴嘴421開始朝向晶圓W的周緣部的上方位置移動。在開始該移動的大致同時，使之前為大流量的、來自第2處理液噴嘴421的聚合物去除液的噴出流量減小為小流量。當?shù)?處理液噴嘴411到達晶圓W的中心的上方位置時，使第1處理液噴嘴411在該位置停止，在該停止的大致同時使第1處理液噴嘴411開始以大流量噴出聚合物去除液(以上，參照圖4的(d)、圖5的20秒附近)。

此外，也可以是，如圖6的時序圖所示，在自使第2處理液噴嘴421開始朝向晶圓W的周緣部的上方位置移動之后到第1處理液噴嘴411到達晶圓中心為止的期間(為了簡化記載而稱作“交替期間”)內，將來自第2處理液噴嘴421的聚合物去除液的噴出流量維持為大流量，在第1處理液噴嘴411一到達晶圓中心，就使來自第2處理液噴嘴421的聚合物去除液的噴出流量減小為 小流量。通過如此設置，能夠可靠地防止在所述交替期間內在晶圓中心附近不存在聚合物去除液的液膜的情況。也就是說，在所述交替期間內，第1處理液噴嘴411和第2處理液噴嘴421均不直接向晶圓W的中心供給聚合物去除液，而是通過使自第2處理液噴嘴421供給到晶圓W的中心的半徑方向外側的聚合物去除液朝向晶圓中心擴展來利用聚合物去除液的液膜覆蓋晶圓W的中心。若晶圓W的表面為疏水性，則聚合物去除液難以朝向晶圓中心擴展，因此，聚合物去除液的液膜難以存在于晶圓中心附近。通過增加第2處理液噴嘴421的噴出流量，從而利用液勢強制地使聚合物去除液朝向晶圓中心擴展，因此能夠利用聚合物去除液的液膜來覆蓋晶圓中心附近。

第2處理液噴嘴421一到達晶圓W的周緣部的上方位置，就停止自第2處理液噴嘴421噴出聚合物去除液，之后立即使第2處理液噴嘴421朝向晶圓W的中心的上方位置移動(以上，參照圖4的(e)、圖5的24秒附近)。

在第2處理液噴嘴421即將到達晶圓W的中心的上方位置之前(也就是說，第2處理液噴嘴421即將與位于晶圓W的中心的上方位置的第1處理液噴嘴411沖突之前)，使第1處理液噴嘴411開始朝向晶圓W的周緣部的上方位置移動，并在開始該移動的大致同時，使之前為大流量的、來自第1處理液噴嘴411的聚合物去除液的噴出流量減小為小流量。在略早于第1處理液噴嘴411到達晶圓W的中心的上方位置的時刻，使位于晶圓W的中心的上方位置的第2處理液噴嘴421開始朝向晶圓W的周緣部移動并使來自第2處理液噴嘴421的聚合物去除液的噴出流量減小為小流量(參照圖5的25秒附近)。

如通過所述說明能夠理解那樣，第1處理液噴嘴411和第2處理液噴嘴421一邊彼此交替其作用一邊向晶圓W供給聚合物去除液。

一以預先設定的時間自第1處理液噴嘴411和第2處理液噴嘴421供給聚合物去除液，接下來，就自沖洗液噴嘴412供給作為沖洗液的DIW而進行沖洗處理。

具體而言，例如，在自第1處理液噴嘴411向晶圓W的中心供給聚合物去除液的狀態(tài)下，正噴出聚合物去除液的第2處理液噴嘴421一到達晶圓W的周緣部，就停止自第2處理液噴嘴421噴出聚合物去除液。然后，并不使第2處理液噴嘴421朝向晶圓W的中心移動，而是使第2處理液噴嘴421退避到原始位置。然后，使沖洗液噴嘴412移動到晶圓W的中心的上方位置且將沖洗液噴嘴412固定在該位置處，并開始自沖洗液噴嘴412噴出DIW，緊接著之后，停止自第1處理液噴嘴411噴出聚合物去除液。利用自沖洗液噴嘴412供給的DIW來去除殘留在晶圓W上的聚合物去除液和反應生成物等。

此外，也可以是，如圖5的時序圖所示，在完成自第1處理液噴嘴411和第2處理液噴嘴421噴出最后的聚合物去除液時(參照圖5的68秒～70秒附近)，使兩噴嘴411、421暫時返回原始位置。在該情況下，為了不使晶圓W的表面變干，利用未圖示的另外的噴嘴向晶圓表面供給DIW。

在自沖洗液噴嘴412以預先設定的時間向晶圓W供給DIW之后，使溶劑噴嘴413移動到晶圓W的中心的上方位置且將溶劑噴嘴413固定在該位置處，并開始自溶劑噴嘴413噴出IPA，緊接著之后，停止自沖洗液噴嘴412噴出DIW。利用自溶劑噴嘴413供給的IPA來置換晶圓W上的DIW。

接下來，使第2噴嘴臂42旋轉而使干燥氣體噴嘴422朝向晶圓W的中心的上方位置移動。在略早于干燥氣體噴嘴422到達晶圓W的中心的上方位置的時刻，使第1噴嘴臂41旋轉而使位于晶圓W的中心的上方位置的溶劑噴嘴413朝向晶圓W的周緣部移動。干燥氣體噴嘴422一到達晶圓W的中心的上方位置，開始自干燥氣體噴嘴422噴出氮氣并使干燥氣體噴嘴422朝向晶圓W的周緣部移動。以自干燥氣體噴嘴422噴出的氮氣的沖突于晶圓W表面的沖突點被維持在比自溶劑噴嘴413噴出的IPA的接觸于晶圓W表面的著液點靠半徑方向內側的位置的方式使溶劑噴嘴413和干燥氣體噴嘴422朝向晶圓W的周緣部移動。由此，使晶圓W表面上的干燥區(qū)域逐漸擴展，最終使晶圓W的整 個表面干燥。通過以上方式，完成了用于去除聚合物的一系列的工序。

在所述實施方式中，設置了用于噴出被加熱了的聚合物去除液的、能夠彼此獨立地移動的兩個噴嘴(第1處理液噴嘴411和第2處理液噴嘴421)，將來自其中一個噴嘴(以下，為了簡化記載，還將在晶圓中央部上方靜止的噴嘴稱作“噴嘴1”)的聚合物去除液的接觸于晶圓表面的著液點固定于晶圓中心部，而使來自另一個噴嘴(以下，為了簡化記載，還將正移動的噴嘴稱作“噴嘴2”)的聚合物去除液的著液點自中心部向周緣部移動。

也就是說，由于自噴嘴1向晶圓中心部持續(xù)供給聚合物去除液，因此，不會在晶圓表面的中心部產(chǎn)生未被聚合物去除液覆蓋的區(qū)域(暴露在晶圓的周圍氣氛中的區(qū)域)。

另外，通過使自噴嘴2噴出的聚合物去除液的著液點朝向晶圓周緣部移動，從而將在晶圓表面上存在的聚合物朝向晶圓周緣部擠出。因此，能夠自晶圓表面高效地逐出自晶圓表面剝離了的聚合物。

并且，通過一邊使著液點自晶圓中心部向周緣部移動一邊自噴嘴2供給加熱了的聚合物去除液，能夠提高晶圓W表面的溫度和與晶圓表面相接觸的聚合物去除液的溫度的在晶圓徑向上的均勻性。因此，能夠提高聚合物去除處理的面內均勻性。

另外，自噴嘴2噴出的聚合物去除液對由自噴嘴1噴出到晶圓中心部之后朝向周緣部流動的聚合物去除液所形成的液膜施加朝下的力，因此發(fā)揮將形成液膜的聚合物去除液壓入圖案的凹部中的作用。因此，能夠更高效地去除在位于比晶圓的中心部靠半徑方向外側的位置的圖案的凹部內的聚合物。

此外，假設噴嘴2以使接觸于晶圓表面的著液點自周緣部向中心部移動的方式噴出聚合物去除液，則自噴嘴1供給到晶圓中心部之后在晶圓表面上形成膜且朝向周緣部流動的聚合物去除液會被朝向晶圓中心部擠回。此時，自晶圓表面暫時剝離后的聚合物再附著在晶圓上的可能性變高。并且，由于 自噴嘴1供給到晶圓中心部而朝向晶圓周緣部流動的聚合物去除液的流動和自噴嘴2噴出后的聚合物去除液激烈地沖突，因此會產(chǎn)生較大的液體飛濺(濺起)。然而，在所述實施方式中，由于在使噴嘴2返回晶圓中心部的上方位置時沒有自噴嘴2噴出聚合物去除液，因此不會產(chǎn)生這樣的情況。

另外，在所述實施方式中，將自噴嘴1、2同時噴出聚合物去除液時的噴嘴1、2的總噴出流量較多地分配給了噴嘴1。也就是說，使著液點自中心部向周緣部移動時的噴嘴2的噴出流量小于向中心部固定地供給處理液的噴嘴1的噴出流量。因此，不管來自噴嘴2的聚合物去除液的著液位置如何，均不會阻礙流向晶圓周緣部的處理液的流動。另外，能夠利用聚合物去除液可靠地覆蓋晶圓的整個表面。

在所述實施方式中，彼此交替兩個噴嘴(第1處理液噴嘴411和第2處理液噴嘴421)的作用，但并不限定于此。也就是說，也可以是，使一者例如第1處理液噴嘴411僅具有向晶圓中心部供給處理液的作用，使另一者例如第2處理液噴嘴421僅具有一邊使接觸于晶圓表面的著液點自中心部向周緣部移動一邊噴出處理液的作用。在該情況下，不必利用在處理液供給中被控制部18控制而動作的第1噴嘴臂41來保持所述一者的噴嘴411。具體而言，控制部18進行如下控制，在自第1噴嘴411向晶圓中心部供給處理液時，使第2噴嘴421自晶圓中心部朝向周緣部移動，同時自第2噴嘴421供給處理液，之后，在自第1噴嘴411供給處理液的狀態(tài)下，停止自第2噴嘴421噴出處理液，同時使第2噴嘴421自晶圓周緣部朝向中心部移動，之后，在自第1噴嘴411供給處理液的狀態(tài)，開始自第2噴嘴421向晶圓供給處理液，使第2噴嘴421自晶圓中心部朝向周緣部移動。另外，也可以將所述一者的噴嘴411固定于腔室20內的任意的位置、例如液體接收杯50的外側的位置。在該情況下，自該固定了的噴嘴噴出后的處理液橫穿晶圓W的上方的空間而到達晶圓W的中心。

在所述實施方式中，自兩個處理液噴嘴噴出的處理液是聚合物去除液， 但并不限定于此，自兩個處理液噴嘴噴出的處理液也可以是例如聚合物去除液以外的清洗液或蝕刻液等。在該情況下，也能夠防止由于晶圓中心部失去液膜而使晶圓中心部暴露在晶圓的周圍的氣氛中，并能夠防止通過清洗或蝕刻自晶圓表面暫時去除后的物質再附著在晶圓W表面上。并且，由于能夠提高晶圓面內的溫度條件的均勻性，因此能夠提高清洗處理或蝕刻處理的面內均勻性。

在所述實施方式中，自兩個處理液噴嘴噴出的處理液均已被加熱，但并不限定于此，自兩個處理液噴嘴噴出的處理液也可以為常溫。在該情況下，也能夠防止由于晶圓中心部失去液膜而使晶圓中心部暴露在晶圓的周圍氣氛中，并能夠防止自晶圓表面暫時去除后的物質再附著在晶圓表面上。

作為處理對象的基板并不限定于半導體晶圓W，也可以為玻璃基板、陶瓷基板等其他基板。

附圖標記說明

W、基板(半導體)；4、控制部(控制裝置)；31、基板保持部；33、旋轉驅動部；41、414、第1噴嘴移動機構(噴嘴臂和臂驅動機構)；42、424、第1噴嘴移動機構(噴嘴臂和臂驅動機構)；411、第1噴嘴(第1處理液噴嘴)；421、第2噴嘴(第2處理液噴嘴)；711、第1處理液供給部(處理液供給部)；721、第2處理液供給部(處理液供給部)。