1.一種納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)電容器，其特征在于，包括鈦基體、氮化鈦納米管陣列、氧化鈦電介質(zhì)膜、導(dǎo)電高分子薄膜，所述的氮化鈦納米管陣列設(shè)置在鈦基體上，所述的氧化鈦電介質(zhì)膜設(shè)置在氮化鈦納米管陣列上，所述的導(dǎo)電高分子薄膜設(shè)置在氧化鈦電介質(zhì)膜上。
2.如權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)電容器，其特征在于，導(dǎo)電高分子薄膜采用聚苯胺薄膜、聚吡咯薄膜或聚3,4-乙撐二氧噻吩薄膜。
3.一種納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)電容器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、在鈦基體上制備有序TiO2納米管陣列；
步驟2、將有序TiO2納米管陣列在NH3氣氛下煅燒，得到氮化鈦納米管陣列；
步驟3、對(duì)氮化鈦納米管陣列進(jìn)行陽極氧化，在其表面生成氧化鈦電介質(zhì)膜，得到氮化鈦/氧化鈦納米管陣列結(jié)構(gòu)；
步驟4、將氮化鈦/氧化鈦納米管陣列結(jié)構(gòu)浸入到導(dǎo)電高分子聚合溶液中，通過光引發(fā)電化學(xué)聚合反應(yīng)在氧化鈦電介質(zhì)膜表面生成導(dǎo)電高分子，即得到所述的氮化鈦/氧化鈦/導(dǎo)電高分子的納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)電容器。
4.如權(quán)利要求3所述的納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)電容器的制備方法，其特征在于，步驟1中，在鈦基體上利用恒流法以10mA cm-2電流密度陽極氧化制備有序TiO2納米管陣列，陽極氧化時(shí)間為45min~2h。
5.如權(quán)利要求3所述的納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)電容器的制備方法，其特征在于，步驟2中，煅燒溫度為780-820℃，煅燒時(shí)間為3-6h。
6.如權(quán)利要求3所述的納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)電容器的制備方法，其特征在于，步驟3中，陽極氧化采用的電解液為5wt%五硼酸銨和1wt%硼酸組成的混合水溶液；陽極氧化電壓不超過35V。
7.如權(quán)利要求3所述的納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)電容器的制備方法，其特征在于，步驟4中所述的導(dǎo)電高分子聚合溶液包括苯胺溶液、吡咯溶液和3,4-乙撐二氧噻吩溶液中的任意一種。