本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中廣泛應(yīng)用于液晶顯示領(lǐng)域的防靜電措施是在走線端子處設(shè)置ESD(Electro-Static discharge，靜電釋放)環(huán)，通過ESD環(huán)防止走線、器件靜電燒毀、擊穿等現(xiàn)象。但是在ESD環(huán)形成之前產(chǎn)生的靜電則無法消除，導(dǎo)致走線燒毀、擊穿，產(chǎn)生不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板，能夠在ESD環(huán)形成之前防止靜電，避免陣列基板受到靜電損壞。

基于上述目的本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的走線區(qū)域，包括：

在形成所述陣列基板的靜電釋放ESD環(huán)之前，在所述走線區(qū)域電連接所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形；

所述柵金屬層圖形和所述源漏金屬層圖形中至少有一個(gè)接地。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述方法還包括：

在所述走線區(qū)域外邊緣形成柵金屬電極，所述柵金屬電極接地；

將所述柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形中的至少一種與所述柵金屬電極連接。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述柵金屬電極設(shè)置于和陣列基板原有的液晶盒測(cè)試CT電極平行位置。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，在形成所述陣列基板的ESD環(huán)之后，所述制作方法還包括：

斷開走線區(qū)域所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形之間的電連接。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，形成所述陣列基板的源漏金屬層的圖形之前，所述制作方法包括：

提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成柵金屬層的圖形；

在所述柵金屬層的圖形上形成柵絕緣層和有源層；

對(duì)走線區(qū)域的所述柵絕緣層和所述有源層進(jìn)行構(gòu)圖，形成貫穿所述柵絕緣層和所述有源層的過孔，所述過孔處暴露出走線區(qū)域的柵金屬層的圖形。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，電連接所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形包括：

在對(duì)走線區(qū)域的所述柵絕緣層和所述有源層進(jìn)行刻蝕之后，形成源漏金屬層的圖形，所述源漏金屬層的圖形通過所述過孔與所述柵金屬層的圖形電連接。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述對(duì)走線區(qū)域的所述柵絕緣層和所述有源層進(jìn)行構(gòu)圖包括：

在有源層上涂覆光刻膠；

通過半色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)顯示區(qū)域有源層的圖形所在區(qū)域，所述光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)所述過孔所在區(qū)域，所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域；

對(duì)光刻膠未保留區(qū)域的有源層和柵絕緣層進(jìn)行刻蝕；

去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；

對(duì)光刻膠部分保留區(qū)域的有源層進(jìn)行刻蝕；

去除光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述過孔處的源漏金屬層的圖形為電連接所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形的導(dǎo)電連接線。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述斷開走線區(qū)域所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形之間的電連接包括：

利用激光切斷所述柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形之間的電連接。

同時(shí)，本發(fā)明提供一種陣列基板，采用本發(fā)明任意一項(xiàng)實(shí)施例所提供的制作方法制作得到。

同時(shí)，本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的走線區(qū)域，還包括設(shè)置于所述顯示區(qū)域和走線區(qū)域的柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形；所述柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形在所述走線區(qū)域電連接；

所述柵金屬層圖形和所述源漏金屬層圖形中至少有一個(gè)接地。

可選的，在所述走線區(qū)域外邊緣設(shè)置有柵金屬電極，所述柵金屬電極接地；

將所述柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形中的至少一種與所述柵金屬電極連接。

可選的，所述柵金屬電極位于和陣列基板原有的液晶盒測(cè)試CT電極平行位置。

可選的，所述陣列基板還包括襯底基板，所述源漏金屬層圖形設(shè)置于所述柵金屬層圖形遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；所述柵金屬層圖形和所述源漏金屬層圖形之間設(shè)置有柵絕緣層和有源層；所述柵金屬層圖形和所述源漏金屬層圖形通過貫穿所述柵絕緣層和所述有源層的過孔連接。

可選的，所述過孔處的源漏金屬層的圖形為電連接所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形的導(dǎo)電連接線。

進(jìn)一步，本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括本發(fā)明任意一項(xiàng)實(shí)施例所提供的陣列基板。

從上面所述可以看出，本發(fā)明提出一種可以防止在ESD環(huán)形成之前產(chǎn)生的TFT基板防靜電設(shè)計(jì)，通過將柵金屬層、源漏金屬層連接在一起的周邊走線設(shè)計(jì)，使柵金屬層和源漏金屬層走線上的靜電保持等電位，防止層間走線在ESD環(huán)形成之前發(fā)生靜電燒毀、擊穿，產(chǎn)生不良。同時(shí)操作簡(jiǎn)單，無需對(duì)制造設(shè)備或陣列基板本身進(jìn)行大程度的結(jié)構(gòu)改造，能夠節(jié)約工藝時(shí)間。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提供的陣列基板制作方法在ESD環(huán)形成之前的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2A-2G為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板上顯示區(qū)域的膜層結(jié)構(gòu)形成的過程示意圖；

圖3A-3G為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板上柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形連接處的膜層形成過程示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明首先提供一種陣列基板的制作方法，如圖1所示，所述陣列基板101包括顯示區(qū)域1011和位于顯示區(qū)域1011周邊的走線區(qū)域1012，在形成所述陣列基板101的靜電釋放ESD環(huán)之前，在所述走線區(qū)域1012電連接所述陣列基板101的柵金屬層的圖形102和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形103；

所述柵金屬層圖形102和所述源漏金屬層圖形103中至少有一個(gè)接地。

從上面所述可以看出，本發(fā)明在ESD環(huán)形成之前，將柵金屬層的圖形和源漏金屬層的圖形進(jìn)行電連接，從而柵線和數(shù)據(jù)線之間形成等電位，且將柵線和數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)接地，從而能夠起到消除靜電的作用，防止層間走線在ESD環(huán)形成之前發(fā)生靜電破壞，保證陣列基板的質(zhì)量；同時(shí)操作簡(jiǎn)單，無需對(duì)制造設(shè)備或陣列基板本身進(jìn)行大程度的結(jié)構(gòu)改造，能夠節(jié)約工藝時(shí)間。

在本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述方法包括：

在形成所述陣列基板的靜電釋放ESD環(huán)之前，將所述柵金屬層圖形或源漏金屬層圖形中的一個(gè)接地；

在所述走線區(qū)域電連接所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形。

在本發(fā)明另一種具體實(shí)施例中，所述方法包括：

在形成所述陣列基板的靜電釋放ESD環(huán)之前，在所述走線區(qū)域電連接所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形；

將所述柵金屬層圖形或源漏金屬層圖形中的一個(gè)接地。

在本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述電連接包括直接接觸連接或通過導(dǎo)線連接。

在本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述在所述走線區(qū)域電連接所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形的步驟之前，還包括：

將所述柵金屬層的圖形和/或所述源漏金屬層的圖形延長(zhǎng)至所述走線區(qū)域。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述方法還包括：

在所述走線區(qū)域外邊緣形成柵金屬電極；

將所述柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形中的至少一種與所述柵金屬電極連接；

所述柵金屬電極接地。

柵金屬電極的形成步驟、柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形連接的步驟之間的先后順序可以按照任意順序執(zhí)行。

在本發(fā)明其他實(shí)施例中，柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形除了可以通過額外設(shè)置的柵金屬電極接地之外，還可以直接接地。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述柵金屬電極設(shè)置于和陣列基板原有的液晶盒測(cè)試CT電極平行位置。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，在形成所述陣列基板的ESD環(huán)之后，所述制作方法還包括：

斷開走線區(qū)域所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形之間的電連接。

當(dāng)所述ESD環(huán)形成之后，陣列基板的靜電可以由所述ESD環(huán)進(jìn)行釋放，無需將柵金屬層圖形或源漏金屬層圖形接地；因此將走線區(qū)域的柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形之間的電連接斷開，使得陣列基板能夠正常使用。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，形成所述陣列基板的源漏金屬層的圖形之前，所述制作方法包括：

提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成柵金屬層的圖形；

在所述柵金屬層的圖形上形成柵絕緣層和有源層；

對(duì)走線區(qū)域的所述柵絕緣層和所述有源層進(jìn)行構(gòu)圖，形成貫穿所述柵絕緣層和所述有源層的過孔，所述過孔處暴露出走線區(qū)域的柵金屬層的圖形。

可以看出，柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形在走線區(qū)域的連接操作可以在制作陣列基板的過程中執(zhí)行。

在本發(fā)明具體實(shí)施例中，當(dāng)柵金屬層圖形或源漏金屬層圖形中的一個(gè)通過柵金屬電極接地時(shí)，在執(zhí)行上述在所述襯底基板上形成柵金屬層圖形的步驟時(shí)，同時(shí)形成所述柵金屬電極，并將柵金屬層圖形相應(yīng)的至少一個(gè)延長(zhǎng)線與所述柵金屬電極連接。

在一種優(yōu)選實(shí)施例中，仍然參照?qǐng)D1，可將柵金屬層圖形102延長(zhǎng)至陣列基板周邊一側(cè)的走線區(qū)域，額外設(shè)置一個(gè)接地連接線104，將所有柵金屬層圖形102進(jìn)行連接，所述接地連接線104與源漏金屬層圖形103同層設(shè)置；

將延長(zhǎng)后的柵金屬層圖形102與走線區(qū)域的一個(gè)源漏金屬層圖形103連接；由于源漏金屬層圖形103之間存在電連接，柵金屬層圖形102之間也存在電連接，只需要在柵金屬層圖形102和源漏金屬層圖形103之間形成至少一個(gè)連接點(diǎn)即可；

將柵金屬層圖形102、源漏金屬層圖形103、接地連接線104中的任意一個(gè)與用于接地的柵金屬電極105連接；

為了防止Rubbing Mura(摩擦不良)，柵金屬電極105設(shè)置于和陣列基板原有的CT(Cell Test，液晶盒測(cè)試)電極平行的位置，如圖1所示，CT電極包括柵線CT檢測(cè)電極106和數(shù)據(jù)線CT檢測(cè)電極107，多個(gè)柵線CT檢測(cè)電極106沿著與柵線平行的方向排列，多個(gè)數(shù)據(jù)線CT檢測(cè)電極107沿著與數(shù)據(jù)線平行的方向排列，柵金屬電極105設(shè)置于多個(gè)柵線CT檢測(cè)電極106連線的延長(zhǎng)線和多個(gè)數(shù)據(jù)線CT檢測(cè)電極107連線的延長(zhǎng)線的交點(diǎn)處。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，電連接所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形包括：

在對(duì)走線區(qū)域的所述柵絕緣層和所述有源層進(jìn)行刻蝕之后，形成源漏金屬層的圖形，所述源漏金屬層的圖形通過所述過孔與所述柵金屬層的圖形電連接。

源漏金屬層圖形與柵金屬層圖形的電連接可以在形成源漏金屬圖形的同時(shí)執(zhí)行，從而無需消耗多余的工序，節(jié)省了整個(gè)工藝的時(shí)間，實(shí)現(xiàn)了既能夠形成防靜電結(jié)構(gòu)、又不會(huì)影響陣列基板加工效率的技術(shù)效果。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述對(duì)走線區(qū)域的所述柵絕緣層和所述有源層進(jìn)行構(gòu)圖包括：

在有源層上涂覆光刻膠；

通過半色調(diào)掩膜板(Half Tone Mask)對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)顯示區(qū)域有源層的圖形所在區(qū)域，所述光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)所述過孔所在區(qū)域，所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域；

對(duì)光刻膠未保留區(qū)域的有源層和柵絕緣層進(jìn)行刻蝕；

去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；

對(duì)光刻膠部分保留區(qū)域的有源層進(jìn)行刻蝕；

去除光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述過孔處的源漏金屬層的圖形為電連接所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形的導(dǎo)電連接線。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述斷開走線區(qū)域所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形之間的電連接包括：

利用激光切斷所述導(dǎo)電連接線。在具體實(shí)施例中，在AT(Array Test，陣列基板檢測(cè))檢測(cè)之前通過激光將走線區(qū)域的柵金屬層圖形延長(zhǎng)線切除，或?qū)沤饘匐姌O切除，或?qū)沤饘賹訄D形和源漏金屬層圖形連接處的源漏金屬層圖形切除，使得柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形之間的電連接斷開，避免柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形之間的連接影響陣列基板測(cè)試。

陣列基板在正常使用狀態(tài)下，源漏金屬層圖形和柵金屬層圖形之間需要進(jìn)行電絕緣，因此，為了保證陣列基板成品的正常使用，需要在ESD環(huán)形成之后，將原先在陣列基板上形成的源漏金屬層圖形和柵金屬層圖形的延長(zhǎng)、連接部位進(jìn)行燒除，保證陣列基板能夠正常使用。

在本發(fā)明一種具體實(shí)施例中，陣列基板原有周邊走線的外圍設(shè)計(jì)成柵金屬層圖形連接在一起，形成柵金屬電極。在ESD環(huán)形成之前通過柵金屬電極使柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形走線連接形成等電位,防止層間ESD發(fā)生。采用5Mask(5次成膜)技術(shù)(柵金屬膜層→柵絕緣層/有源層膜層→源漏金屬膜層→鈍化層膜層→氧化銦錫膜層)，柵金屬膜層形成后通過刻蝕進(jìn)一步形成柵金屬層圖形，因?yàn)闁沤^緣層沒有單獨(dú)成膜工序，若需要刻蝕掉外圍金屬線上的柵絕緣層則需要多加一層成膜工序，生產(chǎn)成本大大提高。

在本發(fā)明實(shí)施例中，圖2A-2G分別為陣列基板上顯示區(qū)域的膜層結(jié)構(gòu)形成的過程示意圖，圖3A-3G為陣列基板上柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形連接處的膜層形成過程示意圖。如圖2A、3A所示，在襯底基板200上形成了柵金屬層圖形201、柵絕緣層202、有源層203之后，在有源層203上涂覆光刻膠(Photo Resist，PR)204，采用半色調(diào)掩膜板205對(duì)陣列基板進(jìn)行曝光，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于半色調(diào)掩膜板205的不透光區(qū)域2051、光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于半色調(diào)掩膜板205的部分透光區(qū)域2052、光刻膠全部保留區(qū)域?qū)?yīng)于半色調(diào)掩膜板205的完全透光區(qū)域2053。

如圖2B、3B所示，對(duì)PR204進(jìn)行顯影，去除光刻膠部分保留區(qū)域、光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠；

如圖2C、3C所示，對(duì)光刻膠未保留區(qū)域的有源層進(jìn)行刻蝕，去除柵金屬層圖形201和源漏金屬層圖形206接觸區(qū)域的柵金屬層圖形201正上方的有源層203；所述柵金屬層圖形201和源漏金屬層圖形206接觸區(qū)域?yàn)闁沤饘賹訄D形201和源漏金屬層圖形206電連接接觸的位置；

如圖2D、3D所示，對(duì)光刻膠未保留區(qū)域的柵絕緣層進(jìn)行刻蝕，去除柵金屬層圖形201和源漏金屬層圖形206接觸區(qū)域的柵金屬層圖形201正上方的柵絕緣層202，使得所述接觸區(qū)域的柵金屬層圖形201暴露；

如圖2E、3E所示，對(duì)光刻膠204進(jìn)行灰化，去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠204；

如圖2F、3F所示，對(duì)顯示區(qū)域的有源層203進(jìn)行刻蝕，保留光刻膠完全保留區(qū)域的有源層203，去除光刻膠部分保留區(qū)域的有源層203；

如圖2G、3G所示，在陣列基板上形成源漏金屬層圖形206，由于所述接觸區(qū)域的柵金屬層圖形201暴露，在陣列基板上形成源漏金屬層圖形206之后，源漏金屬層圖形206會(huì)與柵金屬層圖形201直接接觸，產(chǎn)生電連接。

將柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形中的至少一個(gè)接地，在ESD環(huán)形成之前防止ESD的發(fā)生。后續(xù)按照常規(guī)制作繼續(xù)進(jìn)行溝道N+刻蝕、鈍化層成膜、氧化銦錫成膜。

同時(shí)，本發(fā)明還提供一種陣列基板，采用本發(fā)明任意一項(xiàng)實(shí)施例所提供的的制作方法制作得到。

同時(shí)，本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的走線區(qū)域，還包括設(shè)置于所述顯示區(qū)域和走線區(qū)域的柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形；所述柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形在所述走線區(qū)域電連接；

所述柵金屬層圖形和所述源漏金屬層圖形中至少有一個(gè)接地。

可選的，在所述走線區(qū)域外邊緣設(shè)置有柵金屬電極，所述柵金屬電極接地；

將所述柵金屬層圖形和源漏金屬層圖形中的至少一種與所述柵金屬電極連接。

可選的，所述柵金屬電極位于和陣列基板原有的液晶盒測(cè)試CT電極平行位置。

可選的，所述陣列基板還包括襯底基板，所述源漏金屬層圖形設(shè)置于所述柵金屬層圖形遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；所述柵金屬層圖形和所述源漏金屬層圖形之間設(shè)置有柵絕緣層和有源層；所述柵金屬層圖形和所述源漏金屬層圖形通過貫穿所述柵絕緣層和所述有源層的過孔連接。

可選的，所述過孔處的源漏金屬層的圖形為電連接所述陣列基板的柵金屬層的圖形和所述陣列基板的源漏金屬層的圖形的導(dǎo)電連接線。

進(jìn)一步，本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括本發(fā)明任意一項(xiàng)實(shí)施例所提供的陣列基板。

從上面所述可以看出，本發(fā)明提出一種可以防止在ESD環(huán)形成之前產(chǎn)生的TFT基板防靜電設(shè)計(jì)，通過將柵金屬層、源漏金屬層連接在一起的周邊走線設(shè)計(jì)，使柵金屬層和源漏金屬層走線上的靜電保持等電位，防止層間走線在ESD環(huán)形成之前發(fā)生靜電燒毀、擊穿，產(chǎn)生不良。同時(shí)操作簡(jiǎn)單，無需對(duì)制造設(shè)備或陣列基板本身進(jìn)行大程度的結(jié)構(gòu)改造，能夠節(jié)約工藝時(shí)間。

應(yīng)當(dāng)理解，本說明書所描述的多個(gè)實(shí)施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。并且在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。