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      帶有磷酸基團(tuán)材料的合成及其在氧化物表面上自組裝膜的制備的制作方法

      文檔序號(hào):12370655閱讀:934來(lái)源:國(guó)知局
      帶有磷酸基團(tuán)材料的合成及其在氧化物表面上自組裝膜的制備的制作方法與工藝

      有機(jī)電子器件包括有機(jī)電致發(fā)光、有機(jī)薄膜晶體管、有機(jī)太陽(yáng)能電池等,科研工作者在制備高效率、高穩(wěn)定性的器件研究中發(fā)現(xiàn),決定器件性能的各種因素中,有機(jī)層與無(wú)機(jī)層之間的界面起著決定性的作用。本發(fā)明利用化學(xué)自組裝工藝對(duì)氧化物表面(ITO、Al2O3、鈣鈦礦、TiO2等)進(jìn)行表面修飾,改變氧化物表面的性質(zhì),用于高性能有機(jī)電子器件的制備。



      背景技術(shù):

      有機(jī)電子器件發(fā)展過(guò)程中,利用有機(jī)材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)半導(dǎo)體材料制備有機(jī)電子器件是現(xiàn)代電子工業(yè)發(fā)展的一個(gè)巨大變革;利用有機(jī)材料制備的有機(jī)電子器件在曲面顯示、無(wú)線射頻識(shí)別、光檢測(cè)等新領(lǐng)域有巨大潛在應(yīng)用。

      二十世紀(jì)九十年代Tsumura A等人報(bào)道了基于聚噻吩的薄膜晶體管,展示了有機(jī)材料在晶體管制備的巨大優(yōu)勢(shì)。在有機(jī)電子器件結(jié)構(gòu)中,影響器件性能的因素很多,其中無(wú)機(jī)氧化物層和有機(jī)半導(dǎo)體層之間的界面特性決定了載流子的傳輸能力和載流子密度。使用能級(jí)匹配、相容性好的界面修飾材料修飾無(wú)機(jī)氧化物層的界面,可促使沉積在上面的有機(jī)半導(dǎo)體材料排列有序、缺陷少、晶粒大(D.Knipp,R.A.Street andA.R.Appl.Phys.Lett.2003 93 347),同時(shí)可調(diào)整氧化物層和有機(jī)層之間的接觸從而獲得良好的載流子傳輸(Danqing Liu,Zikai He,Yaorong Su,Ying Diao,Stefan C.B.Mannsfeld,Zhenan Bao,Jianbin Xu,and Qian Miao,Adv.Mater.2014,26,7190),最終獲得高效率的有機(jī)電子器件。

      通常用作表面修飾的官能團(tuán)有巰基(-SH),胺基(-NH2),羧基(-COOH)等,相比之下,磷酸基團(tuán)(-PO(OH)2)具有抗氧化性、穩(wěn)定性的特點(diǎn)。在有機(jī)電子器件制備中,端基為大芳香環(huán)結(jié)構(gòu)的自組裝膜可降低無(wú)機(jī)氧化物的表面能,改善沉積在上面的有機(jī)半導(dǎo)體材料的界面接觸。本發(fā)明以端基為芘單元、通過(guò)烷基鏈鏈接到磷酸基團(tuán)(-PO(OH)2)從而形成一類新的界面材料,對(duì)氧化物表面(ITO、Al2O3、TiO2、鈣鈦礦等)進(jìn)行修飾,以獲得高性能的電子器件。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的特征是合成一系列端基為芘單元的磷酸材料。

      根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種用于在形成單層自組裝膜的方法,步驟包括:

      (a)合成一系列芘磷酸化合物(結(jié)構(gòu)式1);

      結(jié)構(gòu)式1

      (b)對(duì)氧化物表面進(jìn)行預(yù)處理;

      (c)在處理完的氧化物表面上形成芘磷酸材料的自組裝膜。

      本發(fā)明的另一特征是利用合成的磷酸材料,通過(guò)化學(xué)鍵合在氧化物表面制備一層單分子膜的應(yīng)用。

      附圖說(shuō)明

      結(jié)合如下附圖及詳細(xì)描述將會(huì)更清楚地理解本發(fā)明的上述和其他特征及優(yōu)點(diǎn),其中:

      圖1自組裝流程示意圖;

      圖2空白硅片水接觸角(左圖)和磷酸材料4-(1-芘基)-丁基磷酸自組裝單分子層膜水接觸角示意圖(右圖);

      圖3 P 2P的XPS示意圖;

      圖4 4-(1-芘基)-丁基磷酸核磁共振氫譜圖。

      優(yōu)選實(shí)施方案的詳細(xì)說(shuō)明

      下面對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述,以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解。下面以結(jié)構(gòu)式1中n=2的為例說(shuō)明材料的化學(xué)合成。

      實(shí)施例1:

      (1)自組裝材料4-(1-芘基)-丁基磷酸的合成。

      1-溴芘的制備:

      在50ml燒瓶中,將芘(2g,10mmol)加入,再加入二氯甲烷20ml,將NBS(1.87g,10.5mmol)加入其中,避光攪拌12h;用二氯甲烷進(jìn)行萃取,有機(jī)部分用無(wú)水硫酸鎂干燥后,用石油醚做洗脫劑進(jìn)行柱分離,得到產(chǎn)物,產(chǎn)率為95%。1H NMR(300MHz;CDCl3):δ6.66(2H,s),3.77(6H,m),3.48(2H,t),1.65(2H,m),1.19(9H,t),0.56(2H,t).

      1-(4-溴-丁基)芘的制備:

      在250ml燒瓶中,將0.01mol 1-溴芘原料溶解于100ml的THF中,冷卻到-50℃,再將正丁基鋰滴入其中,攪拌十分鐘;將6-8ml的THF滴入其中,直到鋰鹽沉淀,反應(yīng)攪拌一小時(shí);將反應(yīng)溫度升到-10℃,再將0.288mmol的1,6-二溴己烷加入其中,室溫?cái)嚢鑳尚r(shí);反應(yīng)結(jié)束后用氯仿萃取,水洗(3×100ml),無(wú)水硫酸鎂干燥有機(jī)相,將有機(jī)相過(guò)濾蒸干,柱分離,得到產(chǎn)物,產(chǎn)率為78%。1H NMR(300MHz;CDCl3):δ8.27(1H,d),8.18(1H,d),8.16(1H,d),8.12(2H,d),8.0(3H,m),3.47(2H,t),3.38(2H,t),2.03(4H,t),1.55(1H,s).

      4-(1-芘基)-丁基磷酸二乙酯的制備:

      將1-(4-溴-丁基)芘(800mg,2.37mmol)和亞磷酸三乙酯(500mg,3mmol)加入到10ml史萊克管中,反應(yīng)加熱到150°,回流12h;反應(yīng)完成后,旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去多余的亞磷酸三乙酯,柱分離(乙酸乙酯∶石油醚=2∶1)得到產(chǎn)物,產(chǎn)率為90%。1H NMR(300MHz;CDCl3):δ8.25(1H,d),8.16(2H,m),8.11(1H,s),8.10(1H,s),8.02(2H,m),7.85(1H,d),4.08(4H,m),3.37(2H,t),1.97(2H,t),1.82(4H,d),1.30(6H,d).

      4-(1-芘基)-丁基磷酸的制備:

      在25ml燒瓶中,將4-(1-芘基)-丁基磷酸二乙酯(1mmol)溶解在15ml的二氯甲烷中,再將三甲基溴硅烷(52mg,3.44mmol)加入,常溫?cái)嚢?4h;反應(yīng)完成后將溶劑二氯甲烷蒸干,再加入甲醇40ml,室溫?cái)嚢?2h;反應(yīng)完成后將溶劑甲醇蒸干,產(chǎn)品用乙腈重結(jié)晶,收集產(chǎn)物為白色固體,產(chǎn)率為95%。1H NMR(300MHz;CDCl3):δ8.36(1H,d),8.23(4H,m),8.12(1H,s),8.05(2H,m),7.95(1H,d),3.34(2H,t),1.86(2H,t),1.63(4H,s).(見(jiàn)圖4)

      (2)自組裝膜制備(圖1)

      a.Al2O3前驅(qū)液的制備:將4.5g九水合硝酸鋁溶解在20ml的乙醇溶液中,常溫?cái)嚢?2h

      b.將硅片用中性洗滌劑洗滌并用大量超純水清洗,然后依次用丙酮、乙醇、超純水超聲振蕩10min并用N2吹干

      c.將清洗好的Si/SiO2基底用Plasma照射10min

      d.取出硅片,4000r/min,40s旋涂Al2O3前驅(qū)液,350℃退火30min

      e.將制備好的片子放入4-(1-芘基)-丁基磷酸的THF溶液(10-3M)中,常溫自組裝48h,再將樣品取出,120℃退火0.5h,以制備單分子層膜

      (3)材料的表征

      a.水接觸角

      通過(guò)接觸角測(cè)定,系統(tǒng)地表征了表面修飾引起的SiO2表面潤(rùn)濕性的變化。圖2中SiO2表面的接觸角為49.77°,4-(1-芘基)-丁基磷酸自組裝膜的表面接觸角為73.4°,由于4-(1-芘基)-丁基磷酸的端基為疏水的芘單元,水接觸角的增大證明了自組裝分子的成功。

      b.X-射線光電子能譜(XP5)

      圖3為P 2p的XPS示意圖,圖中結(jié)合能為132ev的峰為4-(1-芘基)-丁基磷酸所含P元素的特征峰位置,這表明4-(1-芘基)-丁基磷酸在氧化物表面自組裝成功。

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