本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板的制備方法。

背景技術(shù)：

低溫多晶硅(LTPS)技術(shù)是新一代TFT基板的制造技術(shù)，與傳統(tǒng)非晶硅(a-Si)技術(shù)的最大差異在于，低溫多晶硅顯示器反應(yīng)速度較快，且有高亮度、高解析度與低耗電量等優(yōu)點(diǎn)。多晶硅(Poly-Si)具有優(yōu)異的電學(xué)性能，對(duì)于主動(dòng)式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管具有較好的驅(qū)動(dòng)能力。因此，基于低溫多晶硅季度的AMOLED顯示背板目前被廣泛使用。

基于單純的LTPS技術(shù)或者oxide技術(shù)的AMOLED顯示背板是目前廣為應(yīng)用的背板制作方法，兩者均有較好的電學(xué)性能可以有很好的AMOLED驅(qū)動(dòng)能力。另外新的SPC結(jié)晶方式有較好的均一性和低的漏電，以及較好的穩(wěn)定性，也成為AMOLED的背板制作較好的方式。

LTPS目前由ELA(excimer laser annealing)技術(shù)結(jié)晶，利用激光的瞬間脈沖照射到非晶硅表面，使其溶化并重新結(jié)晶。但是ELA結(jié)晶技術(shù)對(duì)于晶格的均一性和晶格結(jié)晶方向不能做到有效控制，所以結(jié)晶狀況在整個(gè)基板的分布上很不均勻，造成顯示效果畫面的長(zhǎng)程不均一，有mura出現(xiàn)，且漏電較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本申請(qǐng)一種TFT基板的制備方法。

本發(fā)明提供一種TFT基板的制備方法，包括：

步驟101：提供基板，所述基板包括驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域和顯示TFT區(qū)域，在所述基板上沉積緩沖層；

步驟102：在所述緩沖層上沉積第一非晶硅層，并對(duì)所述第一非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理(ELA scan)，使所述第一非晶硅層結(jié)晶轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝欢嗑Ч鑼樱?/p>

對(duì)所述第一多晶硅層進(jìn)行圖案化處理，得到位于所述驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域的第一有源層；

步驟103：在所述第一有源層及緩沖層上沉積柵極絕緣層，

在所述柵極絕緣層上沉積并圖案化第一金屬層(M1層)，分別對(duì)應(yīng)第一有源層的位置處形成第一柵電極，作為頂柵結(jié)構(gòu)；對(duì)應(yīng)未設(shè)置第一有源層的位置處形成第二柵電極，作為底柵結(jié)構(gòu)；

步驟104：利用第一柵電極和第二柵電極作為遮擋層，對(duì)柵極絕緣層進(jìn)行離子植入；

步驟105：然后在柵極絕緣層、第一柵電極和第二柵電極上沉積層間絕緣層，并在所述層間絕緣層上沉積第二非晶硅層，然后對(duì)第二非晶硅層進(jìn)行離子植入，接著對(duì)所述第二非晶硅層進(jìn)行固相晶化(SPC)，使所述第二非晶硅層結(jié)晶轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙嗑Ч鑼樱?/p>

對(duì)所述第二多晶硅層進(jìn)行圖案化處理，形成第二有源層，第二有源層位于與第二柵電極相對(duì)應(yīng)的位置處；

步驟106：在所述柵極絕緣層和層間絕緣層上對(duì)應(yīng)所述第一有源層形成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，在所述層間絕緣層上對(duì)應(yīng)所述第二柵電極形成第三過(guò)孔；

步驟107：沉積源漏電極層(M2層)，并對(duì)源漏電極層進(jìn)行圖案化，同時(shí)在第二有源層表面形成溝道；

步驟108：沉浸鈍化層，并對(duì)鈍化層圖案化，然后在鈍化層上沉積平坦層，在所述平坦層上位于所述顯示TFT區(qū)域的位置處形成第四過(guò)孔，所述第四過(guò)孔延伸至源漏電極層表面；

步驟109：在所述平坦層上沉積陽(yáng)極電極，陽(yáng)極電極經(jīng)由第四過(guò)孔與所述源漏電極層相接觸，然后沉積像素定義層，并進(jìn)行圖形定義，即完成TFT基板的制備。

進(jìn)一步的，所述基板為玻璃基板。

進(jìn)一步的，所述緩沖層的材料為氧化硅、氮化硅或二者的組合。

進(jìn)一步的，所述柵極絕緣層的厚度為50nm～500nm。

優(yōu)選的柵極絕緣層的厚度為100nm～200nm。

進(jìn)一步的，所述層間絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅或二者的組合。

進(jìn)一步的，所述層間絕緣層的厚度為100nm～300nm。

優(yōu)選的層間絕緣層的厚度為200nm。

進(jìn)一步的，對(duì)第二非晶硅層進(jìn)行離子植入，植入的為B離子。

進(jìn)一步的，所述鈍化層的厚度為50nm～300nm。

優(yōu)選的鈍化層的厚度為100nm～200nm。

進(jìn)一步的，所述平坦層的厚度為100nm～500nm。

優(yōu)選的平坦層的厚度為200nm～300nm。

進(jìn)一步的，所述像素定義層的厚度為300nm～900nm。

優(yōu)選的像素定義層的厚度為400nm～500nm。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明將TFT基板中驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域和顯示TFT區(qū)域的主動(dòng)層用不同的技術(shù)制造，以滿足不同TFT的需求。其中顯示TFT區(qū)域需要較短的開關(guān)時(shí)間和漏電流，而驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域需要足夠的電子遷移率和電流輸出均一性，以提高發(fā)光均一程度。本發(fā)明針對(duì)驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域的非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，獲得LTPS TFT，同時(shí)對(duì)顯示TFT區(qū)域的非晶硅層進(jìn)行固相晶化(SPC)，獲得SPC poly TFT，來(lái)滿足顯示面板對(duì)不同TFT的特性要求。顯示TFT區(qū)域采用LTPS的TFT，發(fā)揮其相應(yīng)快速，器件較小的優(yōu)勢(shì)；而驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域采用SPC poly TFT，可以做成電流恒定型的OLED器件，并且遷移率高，可靠性好，寄生電容小。二者配合，可以有效解決畫面不均和降低功耗的要求。既可以節(jié)省制程支出，又可以提高OLED發(fā)光均一性。

上述技術(shù)特征可以各種適合的方式組合或由等效的技術(shù)特征來(lái)替代，只要能夠達(dá)到本發(fā)明的目的。

附圖說(shuō)明

在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。其中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的方法流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中在基板上沉積緩沖層的示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中在緩沖層上沉積第一非晶硅層的示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例中位于驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域形成第一有源層的示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例中在第一有源層及緩沖層上沉積柵極絕緣層和第一金屬層的示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)柵極絕緣層進(jìn)行離子植入的示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例中在柵極絕緣層、第一柵電極和第二柵電極上沉積層間絕緣層及第二非晶硅層的示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例中在第二柵電極相對(duì)應(yīng)的位置處形成第二有源層的示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例中在第一有源層和第二柵電極形成過(guò)孔的示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例中沉積源漏電極層的示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例中沉浸鈍化層和平坦層的示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例中制備的TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記。附圖并未按照實(shí)際的比例。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的方法流程圖，以下參考圖1來(lái)對(duì)本發(fā)明所述的TFT基板的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

在步驟101中，提供基板1，所述基板包括驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域和顯示TFT區(qū)域，在所述基板上沉積緩沖層2。

具體的，所述基板為玻璃基板。

具體的，通過(guò)物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法或是電漿輔助化學(xué)氣相沉積法沉積緩沖層。

如圖2所示，圖2為本發(fā)明實(shí)施例中在基板上沉積緩沖層的示意圖，1為基板，2為緩沖層。

具體的，所述緩沖層2的材料為氧化硅、氮化硅或二者的組合。

本實(shí)施例優(yōu)選的是氧化硅。

接下來(lái)在步驟102中，在所述緩沖層2上沉積第一非晶硅層21，并對(duì)所述第一非晶硅層21進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理(ELAscan)，使所述第一非晶硅層結(jié)晶轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝欢嗑Ч鑼樱?/p>

如圖3所示，圖3為本發(fā)明實(shí)施例中在緩沖層上沉積第一非晶硅層的示意圖，1為基板，2為緩沖層，21為第一非晶硅層。

對(duì)所述第一多晶硅層進(jìn)行圖案化處理，得到位于所述驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域的第一有源層3。

如圖4所示，圖4為本發(fā)明實(shí)施例中位于驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域形成第一有源層的示意圖，1為基板，2為緩沖層，3為第一有源層。

具體的，通過(guò)旋涂或者打印等方式沉積第一非晶硅層。

對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理(ELAscan)以形成所述多晶硅層，以將所述非晶硅層熔融使所述非晶硅層內(nèi)的硅分子再結(jié)晶，以形成所述多晶硅層，以作為有源層的材質(zhì)層。

在步驟103中，在所述第一有源層3及緩沖層2上沉積柵極絕緣層4，

在所述柵極絕緣層4上沉積并圖案化第一金屬層(M1層)，分別對(duì)應(yīng)第一有源層3的位置處形成第一柵電極51，作為頂柵結(jié)構(gòu)；對(duì)應(yīng)未設(shè)置第一有源層3的位置處形成第二柵電極52，作為底柵結(jié)構(gòu)。

如圖5所示，圖5為本發(fā)明實(shí)施例中在第一有源層及緩沖層上沉積柵極絕緣層和第一金屬層的示意圖，1為基板，2為緩沖層，3為第一有源層，4為柵極絕緣層，51為第一柵電極，52為第二柵電極。

具體的，通過(guò)旋涂或者打印等方式沉積柵極絕緣層。

所述柵極絕緣層為無(wú)機(jī)絕緣層或者有機(jī)絕緣層，無(wú)機(jī)絕緣層為二氧化硅、氮化硅等，有機(jī)絕緣層為聚乙烯吡咯烷酮、聚酰亞胺、丙烯等。

具體的，還可以對(duì)柵極絕緣層表面進(jìn)行等離子體處理，以修復(fù)該柵極絕緣層表面的缺陷。

在步驟104中，利用第一柵電極51和第二柵電極52作為遮擋層，對(duì)柵極絕緣層4進(jìn)行離子植入；

如圖6所示，圖6為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)柵極絕緣層進(jìn)行離子植入的示意圖，1為基板，2為緩沖層，3為第一有源層，4為柵極絕緣層，51為第一柵電極，52為第二柵電極。

步驟105中，在柵極絕緣層4、第一柵電極51和第二柵電極52上沉積層間絕緣層6，并在所述層間絕緣層6上沉積第二非晶硅層61，然后對(duì)第二非晶硅層61進(jìn)行離子植入，接著對(duì)所述第二非晶硅層61進(jìn)行固相晶化(SPC)，使所述第二非晶硅層結(jié)晶轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙嗑Ч鑼樱?/p>

如圖7所示，圖7為本發(fā)明實(shí)施例中在柵極絕緣層、第一柵電極和第二柵電極上沉積層間絕緣層及第二非晶硅層的示意圖，1為基板，2為緩沖層，3為第一有源層，4為柵極絕緣層，51為第一柵電極，52為第二柵電極，6為層間絕緣層，61為第二非晶硅層。

對(duì)所述第二多晶硅層61進(jìn)行圖案化處理，形成第二有源層7，第二有源層7位于與第二柵電極52相對(duì)應(yīng)的位置處；

如圖8所示，圖8為本發(fā)明實(shí)施例中在第二柵電極形成第二有源層的示意圖，1為基板，2為緩沖層，3為第一有源層，4為柵極絕緣層，51為第一柵電極，52為第二柵電極，6為層間絕緣層，7為第二有源層。

具體的，采用快速熱退火(RTA)方法進(jìn)行固相晶化。具有用時(shí)短、耗熱少、產(chǎn)量大、過(guò)程容易控制的優(yōu)點(diǎn)。而且晶化后的多晶硅缺陷少、內(nèi)應(yīng)力少。在快速熱處理過(guò)程中，量子效應(yīng)的作用有：a、在任何處理溫度下，增大體擴(kuò)散和表面擴(kuò)散系數(shù)；b、縮短熱處理過(guò)程的時(shí)間；c、減小微觀缺陷密度，從而改善材料性能。

在步驟106中，在所述柵極絕緣層4和層間絕緣層6上對(duì)應(yīng)所述第一有源層3形成第一過(guò)孔71和第二過(guò)孔72，在所述層間絕緣層6上對(duì)應(yīng)所述第二柵電極52形成第三過(guò)孔73；

如圖9所示，圖9為本發(fā)明實(shí)施例中在第一有源層3和第二柵電極52上方形成過(guò)孔的示意圖，1為基板，2為緩沖層，3為第一有源層，4為柵極絕緣層，51為第一柵電極，52為第二柵電極，6為層間絕緣層，7為第二有源層，71為第一過(guò)孔，72為第二過(guò)孔，73為第三過(guò)孔。

在步驟107中，沉積源漏電極層8(M2層)，并對(duì)源漏電極層8進(jìn)行圖案化，同時(shí)在第二有源層7表面形成溝道74；

如圖10所示，圖10為本發(fā)明實(shí)施例中沉積源漏電極層的示意圖，1為基板，2為緩沖層，3為第一有源層，4為柵極絕緣層，51為第一柵電極，52為第二柵電極，6為層間絕緣層，7為第二有源層，74為溝道，8為源漏電極層。

在步驟108中，沉浸鈍化層9，并對(duì)鈍化層9圖案化，然后在鈍化層9上沉積平坦層10，在所述平坦層10上位于所述顯示TFT區(qū)域的位置處形成第四過(guò)孔100，所述第四過(guò)孔100延伸至源漏電極層8表面；

如圖11所示，圖11為本發(fā)明實(shí)施例中沉浸鈍化層和平坦層的示意圖，1為基板，2為緩沖層，3為第一有源層，4為柵極絕緣層，51為第一柵電極，52為第二柵電極，6為層間絕緣層，7為第二有源層，8為源漏電極層，9為鈍化層，10為平坦層，100為第四過(guò)孔。

在步驟109中，在所述平坦層10上沉積陽(yáng)極電極11，陽(yáng)極電極11經(jīng)由第四過(guò)孔100與所述源漏電極層相接觸，然后沉積像素定義層12，并進(jìn)行圖形定義，即完成TFT基板的制備。

如圖12所示，圖12為本發(fā)明實(shí)施例中制備的TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖，1為基板，2為緩沖層，3為第一有源層，4為柵極絕緣層，51為第一柵電極，52為第二柵電極，6為層間絕緣層，7為第二有源層，8為源漏電極層，9為鈍化層，10為平坦層，11為陽(yáng)極電極，12為像素定義層。

顯示TFT區(qū)域需要較短的開關(guān)時(shí)間和漏電流，而驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域需要足夠的電子遷移率和電流輸出均一性，以提高發(fā)光均一程度。因此，其中本發(fā)明針對(duì)驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域的非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，獲得LTPS TFT，同時(shí)對(duì)顯示TFT區(qū)域的非晶硅層進(jìn)行固相晶化(SPC)，獲得SPC poly TFT，來(lái)滿足顯示面板對(duì)不同TFT的特性要求。顯示TFT區(qū)域采用LTPS的TFT，發(fā)揮其相應(yīng)快速，器件較小的優(yōu)勢(shì)；而驅(qū)動(dòng)TFT區(qū)域采用SPC poly TFT，可以做成電流恒定型的OLED器件，并且遷移率高，可靠性好，寄生電容小。二者配合，可以有效解決畫面不均和降低功耗的要求。既可以節(jié)省制程支出，又可以提高OLED發(fā)光均一性。

雖然在本文中參照了特定的實(shí)施方式來(lái)描述本發(fā)明，但是應(yīng)該理解的是，這些實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的原理和應(yīng)用的示例。因此應(yīng)該理解的是，可以對(duì)示例性的實(shí)施例進(jìn)行許多修改，并且可以設(shè)計(jì)出其他的布置，只要不偏離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。應(yīng)該理解的是，可以通過(guò)不同于原始權(quán)利要求所描述的方式來(lái)結(jié)合不同的從屬權(quán)利要求和本文中所述的特征。還可以理解的是，結(jié)合單獨(dú)實(shí)施例所描述的特征可以使用在其他所述實(shí)施例中。