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      一種利于封裝的新型背接觸電池裝置的制作方法

      文檔序號(hào):11810194閱讀:278來源:國知局

      本發(fā)明涉及太陽能電池工程領(lǐng)域,具體涉及一種利于封裝的新型背接觸電池裝置。



      背景技術(shù):

      在全球能源危機(jī)的大背景下,太陽能電池以其特有的光生伏特效應(yīng)和無污染成為綠色能源領(lǐng)域的璀璨新星。這種可將無處不在的太陽能轉(zhuǎn)換成電能并未人類所利用的強(qiáng)大特性,引起全世界學(xué)者們的不斷探索與應(yīng)用。其中背接觸太陽能電池更是得到快速的發(fā)展。

      隨著光伏產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,降低發(fā)電成本,提高電池效率是降低成本的關(guān)鍵。背接觸電池由于正電極及背電極都在電池背面,其封裝不同于傳統(tǒng)的封裝工藝,生產(chǎn)成本高,工藝過程復(fù)雜,不利于規(guī)?;伞?/p>

      基于此,研究并開發(fā)設(shè)計(jì)一種便于封裝的新型背接觸太陽能電池。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的在于提供一種利于封裝的新型背接觸電池裝置。

      本發(fā)明通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):

      一種利于封裝的新型背接觸電池裝置,包括硅片基體,硅片基體的背面設(shè)有用于形成P型發(fā)射極的P型摻雜層,P型摻雜層的外表面設(shè)有用于形成N型背場的N型非晶硅層,N型非晶硅層上覆蓋有氮化硅鈍化膜,P型摻雜層上覆蓋有氮化硅鈍化膜,硅片基體的背面還印刷有金屬柵線;所述硅片基體的正面覆蓋有氮化硅膜,所述N型非晶硅層的外表面依次層疊設(shè)有EVA膜、導(dǎo)電薄膜、玻璃基體,EVA膜與導(dǎo)電薄膜之間設(shè)有導(dǎo)電膠體,導(dǎo)電膠層通過設(shè)置在其上通孔與硅片基體的背面接觸。

      優(yōu)選,所述導(dǎo)電薄膜為石墨烯膜。

      優(yōu)選,所述玻璃基體為鋼化玻璃板。

      優(yōu)選,所述EVA膜的厚度為0.1mm。

      優(yōu)選,所述金屬柵線的寬度為1.5—1.9mm。

      本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有如下的優(yōu)點(diǎn)和有益效果:

      1、本申請通過在硅片基體上形成N型非晶硅層,N型非晶硅層具有良好的氫鈍化效果和場鈍化效果,N型非晶硅層作為背接觸電池中的電場,提高鈍化效果,電池效率增加,從而降低了太陽能電池的成本,同時(shí)利于封裝。

      2、本技術(shù)方案所述新型背接觸電池,其結(jié)構(gòu)簡單,便于制作,在一定程度上降低了成本。

      附圖說明

      此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明實(shí)施例的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本申請的一部分,并不構(gòu)成對本發(fā)明實(shí)施例的限定。在附圖中:

      圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;

      附圖中標(biāo)記及對應(yīng)的零部件名稱:

      1-硅片基體,2-金屬柵線,3-氮化硅膜,4-N型非晶硅層,5-P型摻雜層,6-EVA膜,7-導(dǎo)電薄膜,8-玻璃基體。

      具體實(shí)施方式

      為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,下面結(jié)合實(shí)施例和附圖,對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明,本發(fā)明的示意性實(shí)施方式及其說明僅用于解釋本發(fā)明,并不作為對本發(fā)明的限定。

      實(shí)施例1:

      如圖1所示,本實(shí)施例一種利于封裝的新型背接觸電池裝置, 包括硅片基體1,硅片基體1的背面設(shè)有用于形成P型發(fā)射極的P型摻雜層5,P型摻雜層5的外表面設(shè)有用于形成N型背場的N型非晶硅層4,N型非晶硅層4上覆蓋有氮化硅鈍化膜,P型摻雜層5上覆蓋有氮化硅鈍化膜,硅片基體1的背面還印刷有金屬柵線2;所述硅片基體1的正面覆蓋有氮化硅膜3,所述N型非晶硅層4的外表面依次層疊設(shè)有EVA膜6、導(dǎo)電薄膜7、玻璃基體8,EVA膜6與導(dǎo)電薄膜7之間設(shè)有導(dǎo)電膠體,導(dǎo)電膠層通過設(shè)置在其上通孔與硅片基體1的背面接觸。

      其中氮化硅鈍化膜的設(shè)置,主要為了保護(hù)P型摻雜層5和N型非晶硅層4,防止其受到損傷。

      其中,為了減小太陽能電池在使用過程中光的反射率,提高短路電流,增加太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,在硅片基體的正面覆蓋氮化硅膜3。

      實(shí)施例2:

      在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步限定,所述導(dǎo)電薄膜7為石墨烯膜,導(dǎo)電薄膜7還可以為銅膜、鋁膜等,導(dǎo)電薄膜7為一種能導(dǎo)電的薄膜,能實(shí)現(xiàn)一些特定的電子功能。本實(shí)施例中涉及到的其他結(jié)構(gòu)及其功能為所屬領(lǐng)域的公知常識(shí),不再詳述。

      實(shí)施例3:

      本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步限定,所述玻璃基體8為鋼化玻璃板。所述EVA膜2的厚度為0.1mm。EVA膜又為EVA膠膜,是一種熱固性有粘性的膠膜,用于放在夾膠玻璃中間,具有良好的粘著力,耐久性和光學(xué)特性。

      所述金屬柵線2的寬度為1.5—1.9mm,金屬柵線2的主要作用是收集電流,設(shè)置該寬度,通過大量實(shí)驗(yàn)得出,能夠獲得較高的收集效率,且能夠降低生產(chǎn)成本。

      (1)本實(shí)施例通過在硅片基體上形成N型非晶硅層,N型非晶硅層具有良好的氫鈍化效果和場鈍化效果,N型非晶硅層作為背接觸電池中的電場,提高鈍化效果,電池效率增加,從而降低了太陽能電池的成本。

      (2)本實(shí)施例所述新型背接觸電池,其結(jié)構(gòu)簡單,便于制作,在一定程度上降低了成本。

      以上所述的具體實(shí)施方式,對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式而已,并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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