技術(shù)領(lǐng)域

一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)和一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

近來(lái)，顯示裝置已經(jīng)被用于各種目的。此外，顯示裝置根據(jù)諸如其厚度和重量的減小的技術(shù)發(fā)展被廣泛地使用。

具體來(lái)說(shuō)，顯示裝置最近正被廣泛地研究并制造為平板顯示裝置。

因?yàn)轱@示裝置可以形成為平板顯示裝置，所以各種方法可以被用于設(shè)計(jì)顯示裝置，顯示裝置從而可以提供越來(lái)越多的功能。

順便一提的是，作為具有相對(duì)簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件的發(fā)光二極管(“LED”)被用于顯示裝置的設(shè)計(jì)的各種目的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

單個(gè)LED非常小，存在對(duì)于用于將這樣的LED制造成期望的形狀并實(shí)現(xiàn)具有高光效率的LED的操作的限制。

此外，存在對(duì)于改善使用該LED的顯示裝置的光效率和諸如精確圖案化的制造特性的限制。

一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例包括具有改善的光特性、圖像質(zhì)量特性和制造便利性的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)以及包括該發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的顯示裝置。

另外的示例性實(shí)施例將在隨后的描述中部分地被闡述，并且將部分地通過(guò)所述描述清楚，或者可通過(guò)給出的實(shí)施例的實(shí)踐而被獲知。

根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包括分隔單元和多個(gè)發(fā)光二極管單元，其中，所述多個(gè)發(fā)光二極管單元中的至少一個(gè)包括：堆疊結(jié)構(gòu)，包括n型半導(dǎo)體層、p型半導(dǎo)體層和布置在n型半導(dǎo)體層與p型半導(dǎo)體層之間的光活性層；第一電極，布置為面對(duì)堆疊結(jié)構(gòu)的表面，并電連接到n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層中的一者；第二電極，布置為面對(duì)堆疊結(jié)構(gòu)的在與第一電極面對(duì)的表面對(duì)面的表面，并電連接到n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層中的另一者，分隔單元布置在所述多個(gè)發(fā)光二極管單元中的彼此相鄰的至少兩個(gè)發(fā)光二極管單元之間，并將所述至少兩個(gè)發(fā)光二極管單元彼此分隔開。

在示例性實(shí)施例中，所述多個(gè)發(fā)光二極管單元可以從布置在第一電極與第二電極之間的多個(gè)側(cè)表面中的一個(gè)或更多個(gè)側(cè)表面發(fā)射光。

在示例性實(shí)施例中，所述多個(gè)發(fā)光二極管單元中的彼此相鄰的所述至少兩個(gè)發(fā)光二極管單元可以至少沿第一方向彼此相鄰，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)可以從布置在第一電極與第二電極之間的所述多個(gè)側(cè)表面中的面對(duì)第一方向或與第一方向相交的第二方向的側(cè)表面發(fā)射光。

在示例性實(shí)施例中，分隔單元還可以包括與所述多個(gè)發(fā)光二極管單元的側(cè)表面中的至少一個(gè)側(cè)表面對(duì)應(yīng)的一個(gè)或更多個(gè)分隔壁。

在示例性實(shí)施例中，所述多個(gè)發(fā)光二極管單元還可以包括沿第一方向彼此相鄰的兩個(gè)發(fā)光二極管單元和沿與第一方向相交的方向彼此相鄰的兩個(gè)發(fā)光二極管單元。

根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，顯示裝置包括多個(gè)像素和一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，所述一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中的任何一個(gè)布置為至少對(duì)應(yīng)于彼此相鄰的所述多個(gè)像素，所述一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中的任何一個(gè)包括分隔單元和多個(gè)發(fā)光二極管單元，所述多個(gè)發(fā)光二極管單元中的每個(gè)包括：堆疊結(jié)構(gòu)，包括n型半導(dǎo)體層、p型半導(dǎo)體層和布置在n型半導(dǎo)體層與p型半導(dǎo)體層之間的光活性層；第一電極，面對(duì)堆疊結(jié)構(gòu)的表面，并電連接到n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層中的一者；第二電極，面對(duì)堆疊結(jié)構(gòu)的在與第一電極面對(duì)的表面對(duì)面的表面，并電連接到n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層中的另一者，分隔單元布置在所述多個(gè)發(fā)光二極管單元中的彼此相鄰的至少兩個(gè)發(fā)光二極管單元之間，并將所述至少兩個(gè)發(fā)光二極管單元彼此分隔開。

在示例性實(shí)施例中，所述多個(gè)發(fā)光二極管單元可以布置為分別對(duì)應(yīng)于彼此相鄰的所述多個(gè)像素。

在示例性實(shí)施例中，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的所述多個(gè)發(fā)光二極管單元可以包括沿第一方向彼此相鄰的至少兩個(gè)發(fā)光二極管單元，所述多個(gè)像素中的與沿第一方向彼此相鄰的所述至少兩個(gè)發(fā)光二極管單元對(duì)應(yīng)的至少兩個(gè)像素可以沿第一方向彼此相鄰。

在示例性實(shí)施例中，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的所述多個(gè)發(fā)光二極管單元可以包括沿第一方向彼此相鄰的發(fā)光二極管單元，所述多個(gè)像素中的與沿第一方向彼此相鄰的發(fā)光二極管單元對(duì)應(yīng)的像素可以沿與第一方向相交的第二方向彼此相鄰。

在示例性實(shí)施例中，所述多個(gè)像素中的每個(gè)可以包括至少一個(gè)薄膜晶體管，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管單元中的每個(gè)可以電連接到所述至少一個(gè)薄膜晶體管。

在示例性實(shí)施例中，所述多個(gè)像素中的每個(gè)可以包括像素電極和對(duì)電極，所述像素電極使所述至少一個(gè)薄膜晶體管與所述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的所述發(fā)光二極管單元中的每個(gè)電連接，所述對(duì)電極電連接到所述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的所述發(fā)光二極管單元中的每個(gè)。

在示例性實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括布置為對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)像素并反射由發(fā)光二極管單元發(fā)射的光的反射層。

在示例性實(shí)施例中，反射層可以包括傾斜反射層。

在示例性實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括像素限定層，與所述多個(gè)像素對(duì)應(yīng)的開口限定在所述像素限定層中，所述像素限定層包括絕緣材料。

在示例性實(shí)施例中，像素限定層的所述開口可以布置為至少對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)像素，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)可以布置為對(duì)應(yīng)于所述開口。

在示例性實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括布置為對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)像素并控制由發(fā)光二極管單元發(fā)射的光的光控制構(gòu)件。

在示例性實(shí)施例中，所述多個(gè)發(fā)光二極管單元還可以包括沿第一方向彼此相鄰的兩個(gè)發(fā)光二極管單元和沿與第一方向相交的第二方向彼此相鄰的兩個(gè)發(fā)光二極管單元，所述多個(gè)像素包括對(duì)應(yīng)于沿第一方向彼此相鄰的兩個(gè)發(fā)光二極管單元并且彼此相鄰的兩個(gè)像素、以及對(duì)應(yīng)于沿第二方向彼此相鄰的兩個(gè)發(fā)光二極管單元并且彼此相鄰的兩個(gè)像素。

在示例性實(shí)施例中，所述多個(gè)發(fā)光二極管單元可以從布置在第一電極與第二電極之間的多個(gè)側(cè)表面中的一個(gè)或更多個(gè)側(cè)表面發(fā)射光。

在示例性實(shí)施例中，所述多個(gè)發(fā)光二極管單元中的彼此相鄰的兩個(gè)發(fā)光二極管單元可以至少沿第一方向彼此相鄰，發(fā)光二極管單元可以從布置在第一電極與第二電極之間的所述多個(gè)側(cè)表面中的面對(duì)第一方向或與第一方向相交的第二方向的側(cè)表面發(fā)射光。

在示例性實(shí)施例中，分隔單元還可以包括與所述多個(gè)發(fā)光二極管單元的側(cè)表面中的至少一個(gè)側(cè)表面對(duì)應(yīng)的一個(gè)或更多個(gè)分隔壁。

附圖說(shuō)明

通過(guò)示例性實(shí)施例的接下來(lái)結(jié)合附圖的描述，這些和/或其他示例性實(shí)施例將變得清楚和更容易理解，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的示例性實(shí)施例的透視圖；

圖2A至圖2E是示出用于制造圖1的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的工藝的示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的示例性實(shí)施例的平面圖；

圖4是以更近的細(xì)節(jié)示出圖3的PA的圖；

圖5是沿著圖4的線V-V獲得的剖視圖；

圖6是用于描述圖5的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)和反射層的平面圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的另一示例性實(shí)施例的示意性剖視圖；

圖8A至圖8D是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置中的像素布置的各種示例性實(shí)施例的平面圖；

圖9是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的另一示例性實(shí)施例的透視圖；

圖10是圖9的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的修改示例的透視圖；

圖11是包括圖10的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；

圖12是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的另一示例性實(shí)施例的透視圖；

圖13是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的另一示例性實(shí)施例的平面圖；

圖14是以更近的細(xì)節(jié)示出圖13的PA的圖；

圖15是用于描述圖14的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)和反射層的平面圖；

圖16是沿著圖15的線X-X獲得的剖視圖；

圖17A和圖17B是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置中的像素布置的各種示例性實(shí)施例的平面圖；

圖18是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的另一示例性實(shí)施例的平面圖；

圖19是沿著圖18的線XI-XI獲得的剖視圖；

圖20A和圖20B是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置中的像素布置的各種示例性實(shí)施例的平面圖。

具體實(shí)施方式

由于本發(fā)明允許各種改變和許多實(shí)施例，因此將在附圖中示出并在文字描述中詳細(xì)描述具體的實(shí)施例。然而，這不意圖將本發(fā)明限制為實(shí)施的具體模式，并且要理解的是，在本發(fā)明中包括不脫離本發(fā)明的精神和技術(shù)范圍的所有改變、等同物和替代物。在本發(fā)明的描述中，當(dāng)認(rèn)為現(xiàn)有技術(shù)的特定詳細(xì)解釋會(huì)不必要地使本發(fā)明的實(shí)質(zhì)模糊時(shí)，省略現(xiàn)有技術(shù)的特定詳細(xì)解釋。

將理解的是，雖然在這里可以使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等來(lái)描述各種組件，但是這些組件不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)所限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)將一個(gè)組件與另一組件區(qū)分開來(lái)。

如在這里使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式“一個(gè)(種)”和“所述(該)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。

還將理解的是，在這里使用的術(shù)語(yǔ)“包括(包含)”和/或其變型說(shuō)明存在所述的特征或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其他特征或組件。

將理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或組件被稱為“在”另一層、區(qū)域或組件“上”時(shí)，該層、區(qū)域或組件可以直接或間接在所述另一層、區(qū)域或組件上。即，例如，可以存在中間層、區(qū)域或組件。

將理解的是，雖然在這里可以使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等來(lái)描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)所限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來(lái)。因此，在不脫離在這里的教導(dǎo)的情況下，下面討論的“第一元件”、“第一組件”、“第一區(qū)域”、“第一層”或“第一部分”可以被命名為第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或第二部分。

在這里使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述具體實(shí)施例的目的，而不意圖限制。如在這里使用的，除非上下文另外明確地指出，否則單數(shù)形式“一個(gè)(種)”和“所述(該)”意圖包括復(fù)數(shù)形式，包括“至少一個(gè)”?！盎颉币庵浮昂?或”。如在這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)列出項(xiàng)中的一個(gè)或更多個(gè)的任意和全部組合。還將理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書中使用術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”和/或其變型時(shí)，說(shuō)明存在所述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其他特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

此外，可以在這里使用諸如“下”或“底”以及“上”或“頂”的相對(duì)術(shù)語(yǔ)來(lái)描述如圖中示出的一個(gè)元件與另一元件的關(guān)系。將理解的是，相對(duì)術(shù)語(yǔ)意圖包括除了在圖中描繪的方位之外的裝置的不同方位。在示例性實(shí)施例中，當(dāng)一幅圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)時(shí)，描述為在其他元件的“下”側(cè)的元件然后將被定位在其他元件的“上”側(cè)。取決于圖的具體方位，示例性術(shù)語(yǔ)“下”可以因此包括“下”和“上”兩種方位。相似地，當(dāng)一幅圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)時(shí)，描述為“在”其他元件“下方”或“之下”的元件然后將被定位為“在”其他元件“上方”。示例性術(shù)語(yǔ)“在……下方”或“在……之下”可以因此包括“在……上方”和“在……下方”兩種方位。

如在這里使用的“大約”或“近似”包括所述值，并意指在如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員考慮到談及的測(cè)量和與具體量的測(cè)量相關(guān)的誤差(即，測(cè)量系統(tǒng)的限制)而確定的具體值的可接受偏差范圍之內(nèi)。在示例性實(shí)施例中，“大約”可以意指在一個(gè)或更多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差之內(nèi)，或在所述值的±30％、20％、10％、5％之內(nèi)。

除非另外定義，否則在這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常所理解的意思相同的意思。還將理解的是，術(shù)語(yǔ)(諸如在通用的字典中定義的術(shù)語(yǔ))應(yīng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域和本發(fā)明的環(huán)境中的意思一致的意思，而不將以理想的或過(guò)于形式化的意思來(lái)解釋，除非在這里明確地如此定義。

在這里參照作為理想實(shí)施例的示意圖的剖視圖描述示例性實(shí)施例。這樣，將預(yù)計(jì)出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，在這里描述的實(shí)施例不應(yīng)被解釋為限于此處所示出的區(qū)域的具體形狀，而將包括例如由制造引起的形狀的偏差。在示例性實(shí)施例中，示出或描述為平坦的區(qū)域通?？梢跃哂写植诤?或非線性特征。此外，示出的銳角可以被倒圓。因此，在圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，所示區(qū)域的形狀不意圖示出區(qū)域的精確形狀并且不意圖限制權(quán)利要求的范圍。

為了便于解釋，可以夸大附圖中的元件的尺寸。換言之，因?yàn)闉榱吮阌诮忉尪我獾厥境龈綀D中的組件的尺寸和厚度，所以下面的實(shí)施例不限于此。

在下面的示例中，x軸、y軸和z軸不限于直角坐標(biāo)系的三個(gè)軸，并且可以以更廣泛的含義解釋。在示例性實(shí)施例中，例如，x軸、y軸和z軸可以彼此垂直或者可以代表不互相垂直的不同方向。

當(dāng)可以不同地實(shí)施特定的實(shí)施例時(shí)，可以不同于描述的順序地執(zhí)行具體的工藝順序。在示例性實(shí)施例中，例如，可以基本上在相同的時(shí)間執(zhí)行兩個(gè)連續(xù)描述的工藝，或者以與描述的順序相反的順序執(zhí)行兩個(gè)連續(xù)描述的工藝。

現(xiàn)在將詳細(xì)地對(duì)示例性實(shí)施例做出參考，示例性實(shí)施例的示例示出在附圖中，其中，同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件。在這一點(diǎn)上，示例性實(shí)施例可以具有不同的形式而不應(yīng)被解釋為限于在這里所闡述的描述。因此，通過(guò)參照附圖在下面描述示例性實(shí)施例僅為了解釋描述的示例性實(shí)施例。

圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的透視圖。

參照?qǐng)D1，根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100包括多個(gè)發(fā)光二極管單元LU1和LU2以及分隔單元SU。換句話說(shuō)，雖然圖1示出了兩個(gè)發(fā)光二極管單元，但是發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100也可以包括三個(gè)或更多個(gè)發(fā)光二極管單元。

發(fā)光二極管單元LU1和LU2包括第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2。

分隔單元SU布置在彼此相鄰的兩個(gè)發(fā)光二極管單元LU1與LU2之間。換句話說(shuō)，分隔單元SU可以布置在第一發(fā)光二極管單元LU1與第二發(fā)光二極管單元LU2之間，并使第一發(fā)光二極管單元LU1與第二發(fā)光二極管單元LU2彼此分隔開。

根據(jù)示例性實(shí)施例，分隔單元SU可以使第一發(fā)光二極管單元LU1與第二發(fā)光二極管單元LU2彼此絕緣。為此，分隔單元SU可以包括絕緣材料。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，分隔單元SU可以包括具有低透光率的材料，以減少或阻擋第一發(fā)光二極管單元LU1與第二發(fā)光二極管單元LU2之間的光透射。在示例性實(shí)施例中，分隔單元SU可以包括例如黑矩陣(“BM”)。

將在下面給出第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2的描述。

第一發(fā)光二極管單元LU1包括包含n型半導(dǎo)體層NS1、p型半導(dǎo)體層PS1、光活性層LL1、第一電極BE1和第二電極TE1的堆疊結(jié)構(gòu)。

n型半導(dǎo)體層NS1可以包括任何各種材料，例如可以包括氮化物基半導(dǎo)體材料。

根據(jù)示例性實(shí)施例，n型半導(dǎo)體層NS1可以包括n型III族氮化物基半導(dǎo)體材料。在示例性實(shí)施例中，n型半導(dǎo)體層NS1可以包括GaN基材料。更具體地，n型半導(dǎo)體層NS1可以包括例如Al_xGa_yIn_zN(0≤x，y，z≤1)。

此外，根據(jù)另一示例性實(shí)施例，n型半導(dǎo)體層NS1可以包括諸如InGaN、GaN、AlInN、AlN、InN或AlGaN的n型III族氮化物基半導(dǎo)體材料，可以包括具有氮極性表面的氮化物基層，并還可以包括包含上述材料的超晶格結(jié)構(gòu)層。

p型半導(dǎo)體層PS1可以包括任何各種材料，例如可以包括氮化物基半導(dǎo)體材料。

根據(jù)示例性實(shí)施例，p型半導(dǎo)體層PS1可以包括p型III族氮化物基半導(dǎo)體材料。在示例性實(shí)施例中，p型半導(dǎo)體層PS1可以包括GaN基材料。更具體地，p型半導(dǎo)體層PS1可以包括例如Al_xGa_yIn_zN(0≤x，y，z≤1)。

在示例性實(shí)施例中，例如，p型半導(dǎo)體層PS1可以包括GaN基材料，并可以通過(guò)向其注入包含Mg或Zn的材料被提供。

光活性層LL1可以包括各種材料，并且可以包括單個(gè)或多個(gè)量子阱結(jié)構(gòu)。在示例性實(shí)施例中，例如，光活性層LL1可以包括GaN基材料，即，p型Al_xGa_yIn_zN(0≤x，y，z≤1)，并可以具有包括至少一個(gè)勢(shì)壘層和至少一個(gè)阱層的單個(gè)(或多個(gè))量子阱結(jié)構(gòu)。

構(gòu)成n型半導(dǎo)體層NS1、p型半導(dǎo)體層PS1和光活性層LL1的上述材料僅是示例，示例性實(shí)施例不限于此，可以選擇性地使用各種其他材料。

此外，n型半導(dǎo)體層NS1和p型半導(dǎo)體層PS1可以以相反的順序堆疊。

第一電極BE1布置在p型半導(dǎo)體層PS1之下，以電連接到p型半導(dǎo)體層PS1。在示例性實(shí)施例中，例如，第一電極BE1可以接觸p型半導(dǎo)體層PS1。

第二電極TE1布置在n型半導(dǎo)體層NS1之上，以電連接到n型半導(dǎo)體層NS1。在示例性實(shí)施例中，例如，第二電極TE1可以接觸n型半導(dǎo)體層NS1。

第二發(fā)光二極管單元LU2包括堆疊結(jié)構(gòu)，該堆疊結(jié)構(gòu)包括n型半導(dǎo)體層NS2、p型半導(dǎo)體層PS2、光活性層LL2、第一電極BE2和第二電極TE2。

因?yàn)榈诙l(fā)光二極管單元LU2的n型半導(dǎo)體層NS2、p型半導(dǎo)體層PS2、光活性層LL2、第一電極BE2和第二電極TE2可以包括與第一發(fā)光二極管單元LU1的n型半導(dǎo)體層NS1、p型半導(dǎo)體層PS1、光活性層LL1、第一電極BE1和第二電極TE1相同的材料，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

在根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100中，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2沿第一方向(圖1中的x軸方向)彼此相鄰，分隔單元SU布置在第一發(fā)光二極管單元LU1與第二發(fā)光二極管單元LU2之間。

在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100中，光可以從第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2的表面中的面對(duì)第一方向的表面發(fā)射。此外，雖然光從面對(duì)與第一方向(圖1中的x軸方向)相交的第二方向(圖1中的y軸方向)的表面發(fā)射，但是從面對(duì)第二方向(圖1中的y軸方向)的表面發(fā)射的光的量可小于從面對(duì)第一方向(圖1中的x軸方向)的表面發(fā)射的光的量。

這里，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2可以發(fā)射相同類型的光。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2可以發(fā)射不同類型的光。換句話說(shuō)，通過(guò)控制對(duì)光活性層LL1和光活性層LL2的摻雜，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2可以發(fā)射不同類型的光。

換句話說(shuō)，為此，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2具有在第一電極BE1和BE2與第二電極TE1和TE2之間的側(cè)表面，其中，面對(duì)第一方向(x軸方向)的側(cè)表面可以大于例如面對(duì)與第一方向相交的第二方向(y軸方向)的側(cè)表面的其他側(cè)表面。

因此，沿第一光提取方向LD1提取的光的量可以大于沿第二光提取方向LD2提取的光的量。

因此，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100可以容易地沿第一方向(x軸方向)和與其相反的方向發(fā)光。

根據(jù)示例性實(shí)施例，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2的面對(duì)第一方向(x軸方向)的側(cè)表面可以設(shè)置為傾斜表面。

換句話說(shuō)，在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100中，面對(duì)第一電極BE1和BE2的表面可以大于面對(duì)第二電極TE1和TE2的表面。

在示例性實(shí)施例中，第一發(fā)光二極管單元LU1的第一電極BE1的表面可以大于第二電極TE1的表面。同樣地，第二發(fā)光二極管單元LU2的第一電極BE2的表面可以大于第二電極TE2的表面。

因此，當(dāng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100布置在另一構(gòu)件處時(shí)，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100可以被布置為使得第一電極BE1和BE2朝下面對(duì)。結(jié)果，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100可以被穩(wěn)定地布置。

分隔單元SU的與第一電極BE1和BE2相鄰的表面可以小于分隔單元SU的與第二電極TE1和TE2相鄰的表面。因此，分隔單元SU可以有效地將第一發(fā)光二極管單元LU1與第二發(fā)光二極管單元LU2彼此分隔開，并防止對(duì)分隔單元SU的毀壞或損壞，從而減少或防止第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2彼此接觸或者來(lái)自第一發(fā)光二極管單元LU1的光與來(lái)自第二發(fā)光二極管單元LU2的光之間的干擾。

圖2A至圖2E是示出用于制造圖1的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的工藝的示意圖。

首先，參照?qǐng)D2A，將第一電極材料層BE、p型半導(dǎo)體材料層PS、光活性材料層LL、n型半導(dǎo)體材料層NS和第二電極材料層TE設(shè)置在基構(gòu)件BSW上。

第一電極材料層BE、p型半導(dǎo)體材料層PS、光活性材料層LL、n型半導(dǎo)體材料層NS和第二電極材料層TE包括與以上描述的n型半導(dǎo)體層NS1、p型半導(dǎo)體層PS1、光活性層LL1、第一電極BE1和第二電極TE1相同的材料，因此將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

在制造工藝期間出于制造的方便提供基構(gòu)件BSW，基構(gòu)件BSW可以包括各種材料。

根據(jù)示例性實(shí)施例，基構(gòu)件BSW可以是晶圓，更具體地，可以是包括一層或更多層的晶圓。

接著，參照?qǐng)D2B，相對(duì)于第一電極材料層BE、p型半導(dǎo)體材料層PS、光活性材料層LL、n型半導(dǎo)體材料層NS和第二電極材料層TE設(shè)置分隔區(qū)域SUA。

可以通過(guò)使用各種方法設(shè)置分隔區(qū)域SUA。在示例性實(shí)施例中，可以通過(guò)執(zhí)行圖案化操作(諸如光刻操作)設(shè)置分隔區(qū)域SUA。

接著，參照?qǐng)D2C，可以在分隔區(qū)域SUA處設(shè)置分隔單元材料SU'。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，分隔單元材料SU'可以填充分隔區(qū)域SUA。

接著，參照?qǐng)D2D，通過(guò)切割基構(gòu)件BSW、第一電極材料層BE、p型半導(dǎo)體材料層PS、光活性材料層LL、n型半導(dǎo)體材料層NS和第二電極材料層TE來(lái)提供預(yù)備發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100A。

接著，參照?qǐng)D2E，通過(guò)去除基構(gòu)件BSW來(lái)提供圖1的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100。

圖2A至圖2E示出了形成圖1的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的步驟的示例。然而，可以用另外的方法提供圖1的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100。

換句話說(shuō)，可以以不同的順序去除基構(gòu)件BSW。在另一示例中，可以在無(wú)需基構(gòu)件BSW的情況下提供圖1的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，可以獨(dú)立地提供第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2，并將其經(jīng)由分隔單元SU彼此組合。

圖3是根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的平面圖，圖4是以更近的細(xì)節(jié)示出圖3的PA的圖，圖5是沿著圖4的線V-V獲得的剖視圖，圖6是用于描述圖5的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100和反射層1020的平面圖。

根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置1000包括布置在基底1001上的多個(gè)像素P(參照?qǐng)D14)。用戶可以經(jīng)由像素P識(shí)別一幅或更多幅圖像。

此外，顯示裝置1000可以包括像素P和一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100。

因?yàn)榘l(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100與如上所述的圖1的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100是相同的，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

為了便于解釋，圖4至圖6示出了兩個(gè)相鄰的像素P1和P2。

第一像素P1和第二像素P2沿一個(gè)方向(即，圖4中的y軸方向)彼此相鄰。發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100可以對(duì)應(yīng)于第一像素P1和第二像素P2。

換句話說(shuō)，可以與兩個(gè)相鄰的像素P1和P2對(duì)應(yīng)地布置一個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100。

此外，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100可以包括第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2可以分別對(duì)應(yīng)于第一像素P1和第二像素P2。

此外，第一像素P1和第二像素P2中的每個(gè)包括至少一個(gè)薄膜晶體管(“TFT”)。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第一像素P1包括第一薄膜晶體管TFT1，而第二像素P2包括第二薄膜晶體管TFT2。

第一像素P1的第一薄膜晶體管TFT1可以電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1，而第二像素P2的第二薄膜晶體管TFT2可以電連接到第二發(fā)光二極管單元LU2。

第一薄膜晶體管TFT1可以電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1并施加電信號(hào)到第一發(fā)光二極管單元LU1。在示例性實(shí)施例中，例如，第一薄膜晶體管TFT1可以驅(qū)動(dòng)第一發(fā)光二極管單元LU1。

第二薄膜晶體管TFT2可以電連接到第二發(fā)光二極管單元LU2并施加電信號(hào)到第二發(fā)光二極管單元LU2。在示例性實(shí)施例中，例如，第二薄膜晶體管TFT2可以驅(qū)動(dòng)第二發(fā)光二極管單元LU2。

第一薄膜晶體管TFT1和第二薄膜晶體管TFT2中的每個(gè)可以包括有源層1003、柵電極1005、源電極1007和漏電極1008。

為了便于解釋，示例性實(shí)施例示出了柵電極1005設(shè)置在有源層1003上的頂柵型像素。然而，它僅是為了便于解釋，根據(jù)示例性實(shí)施例的第一像素P1和第二像素P2還可以是底柵型像素。

參照?qǐng)D5和圖6，將在下面給出各個(gè)組件的詳細(xì)描述。因?yàn)榈谝槐∧ぞw管TFT1的組件(例如，有源層1003、柵電極1005、源電極1007和漏電極1008)與第二薄膜晶體管TFT2的組件相同，所以為了便于解釋僅在下面描述第一薄膜晶體管TFT1和第二薄膜晶體管TFT2中的一者的組件。

基底1001可以包括各種材料。在示例性實(shí)施例中，基底1001可以包括各種其他有機(jī)材料中的一種、玻璃或金屬。

根據(jù)示例性實(shí)施例，基底1001可以包括柔性材料。在示例性實(shí)施例中，例如，基底1001可以是可彎曲的、可折疊的或可卷曲的。

根據(jù)示例性實(shí)施例，基底1001可以包括超薄玻璃、金屬或塑料。在示例性實(shí)施例中，在基底1001包括塑料的情況下，基底1001可以包括例如聚酰亞胺(“PI”)。然而，它僅是示例，基底1001可以包括各種材料。

根據(jù)示例性實(shí)施例，底保護(hù)層PFL可以布置在基底1001的與面對(duì)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的表面背對(duì)的表面上。底保護(hù)層PFL可以增強(qiáng)基底1001的耐久性并減少或防止潮氣、外部氣氛或外來(lái)物質(zhì)經(jīng)由基底1001的引入。

根據(jù)示例性實(shí)施例，緩沖層1002可以設(shè)置在基底1001與有源層1003之間。緩沖層1002可以減少或防止潮氣、外部氣氛或外來(lái)物質(zhì)通過(guò)基底1001的引入并可以在基底1001上提供平坦的表面。

在示例性實(shí)施例中，例如，緩沖層1002可以包括各種絕緣材料中的一種，并且可以包括諸如氧化物或氮化物的無(wú)機(jī)材料。在示例性實(shí)施例中，緩沖層1002可以包括例如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化鉿(HfO₂)或氧化鋅(ZnO₂)。

有源層1003設(shè)置在緩沖層1002上。有源層1003包括半導(dǎo)體材料，例如，可以包括非晶硅或多晶硅。然而，本發(fā)明不限于此，有源層1003可以包括各種其他材料。根據(jù)示例性實(shí)施例，有源層1003可以包括有機(jī)半導(dǎo)體材料。

根據(jù)另一示例性實(shí)施例，有源層1003可以包括氧化物半導(dǎo)體材料。

柵極絕緣層1004設(shè)置在有源層1003上。柵極絕緣層1004可以包括各種絕緣材料。根據(jù)示例性實(shí)施例，柵極絕緣層1004可以包括無(wú)機(jī)材料。在示例性實(shí)施例中，柵極絕緣層1004可以包括例如氧化物或氮化物。在示例性實(shí)施例中，柵極絕緣層1004可以包括例如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化鉿(HfO₂)或氧化鋅(ZnO₂)。

根據(jù)示例性實(shí)施例，柵極絕緣層1004可以具有包括多個(gè)層的堆疊結(jié)構(gòu)。所述多個(gè)層可以包括相同的材料或者可以包括彼此不同的材料。柵極絕緣層1004使有源層1003與柵電極1005彼此絕緣。

柵電極1005布置在柵極絕緣層1004上面。柵電極1005可以包括低電阻金屬。在示例性實(shí)施例中，例如，柵電極1005可以包括導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)和鈦(Ti)，并且可以包括包含上述材料的單層或多層。

層間絕緣層(層間介電層)1006設(shè)置在柵電極1005上。層間介電層1006使源電極1007與柵電極1005彼此絕緣，并使漏電極1008與柵電極1005彼此絕緣。

層間介電層1006可以包括各種絕緣材料。根據(jù)示例性實(shí)施例，層間介電層1006可以包括無(wú)機(jī)材料。在示例性實(shí)施例中，層間介電層1006可以包括例如氧化物或氮化物。在示例性實(shí)施例中，層間介電層1006可以包括例如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化鉿(HfO₂)或氧化鋅(ZnO₂)。

源電極1007和漏電極1008設(shè)置在層間介電層1006上。源電極1007和漏電極1008中的每個(gè)可以包括高導(dǎo)電性材料并包括單層或多層。

源電極1007和漏電極1008設(shè)置為接觸有源層1003的一部分。

鈍化層1009設(shè)置在源電極1007和漏電極1008上。

鈍化層1009可以去除由于第一薄膜晶體管TFT1和第二薄膜晶體管TFT2設(shè)置的臺(tái)階，并在第一薄膜晶體管TFT1和第二薄膜晶體管TFT2之上提供平坦的表面。此外，鈍化層1009可以保護(hù)源電極1007和漏電極1008。

鈍化層1009可以包括各種材料。根據(jù)示例性實(shí)施例，鈍化層1009可以包括有機(jī)材料并可以包括單層或多層。

根據(jù)示例性實(shí)施例，鈍化層1009可以包括普通通用聚合物(諸如聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”))、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酰類聚合物、酰亞胺類聚合物、芳基醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對(duì)二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物及其混合物。

此外，鈍化層1009可以包括復(fù)合堆疊結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合堆疊結(jié)構(gòu)包括無(wú)機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層。

第一像素電極PE1設(shè)置在鈍化層1009上，并電連接到源電極1007或漏電極1008。在示例性實(shí)施例中，例如，第一像素電極PE1可以電連接到漏電極1008。

第一像素電極PE1可以具有各種形狀中的一種。在示例性實(shí)施例中，第一像素電極PE1可以被圖案化成例如類島形狀。

第二像素電極PE2設(shè)置在鈍化層1009上，并電連接到源電極1007或漏電極1008。在示例性實(shí)施例中，例如，第二像素電極PE2可以電連接到漏電極1008。

第二像素電極PE2可以具有各種形狀中的一種。在示例性實(shí)施例中，第二像素電極PE2可以被圖案化成例如類島形狀。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100設(shè)置在鈍化層1009上。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第一發(fā)光二極管單元LU1電連接到第一薄膜晶體管TFT1。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第一發(fā)光二極管單元LU1的第一電極BE1可以電連接到第一像素電極PE1，因此第一薄膜晶體管TFT1可以電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第二發(fā)光二極管單元LU2電連接到第二薄膜晶體管TFT2。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第二發(fā)光二極管單元LU2的第一電極BE2可以電連接到第二像素電極PE2，因此第二薄膜晶體管TFT2可以電連接到第二發(fā)光二極管單元LU2。

第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2被布置為分別面對(duì)第一像素電極PE1和第二像素電極PE2，并分別電連接到發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2。

詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第一對(duì)電極FE1電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1的第二電極TE1(參照?qǐng)D2E)。第二對(duì)電極FE2電連接到第二發(fā)光二極管單元LU2的第二電極TE2(參照?qǐng)D2E)。

隨著電信號(hào)被施加到第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2的各自的第一電極BE1和BE2，并且電信號(hào)被施加到第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2的各自的第二電極TE1和TE2，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2中的每個(gè)可以發(fā)射一種或更多種光。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的分隔單元SU布置在第一發(fā)光二極管單元LU1與第二發(fā)光二極管單元LU2之間，并可以減小或防止第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2發(fā)射的光彼此影響。

換句話說(shuō)，分隔單元SU可以減小與第一像素P1對(duì)應(yīng)的第一發(fā)光二極管單元LU1發(fā)射的光對(duì)第二像素P2的影響，并減小與第二像素P2對(duì)應(yīng)的第二發(fā)光二極管單元LU2發(fā)射的光對(duì)第一像素P1的影響。

根據(jù)示例性實(shí)施例，像素限定層1010可以設(shè)置在鈍化層1009上。與第一像素P1和第二像素P2對(duì)應(yīng)的開口可以被限定在像素限定層1010中。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100與像素限定層1010的開口對(duì)應(yīng)地布置，并且根據(jù)示例性實(shí)施例，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100可以與像素限定層1010分隔開。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100可以被布置在像素限定層1010的開口的中心處。因此，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100可以被布置在第一像素P1與第二像素P2之間，當(dāng)情況需要時(shí)，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100可以與第一像素P1和第二像素P2的部分疊置。

根據(jù)示例性實(shí)施例，可以在像素限定層1010中限定彼此相鄰的第一像素P1和第二像素P2共用的開口。

根據(jù)示例性實(shí)施例，可以在像素限定層1010中限定對(duì)應(yīng)于第一像素P1的開口和與對(duì)應(yīng)于第一像素P1的開口分開并對(duì)應(yīng)于第二像素P2的開口，還可以在像素限定層1010中限定對(duì)應(yīng)于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100并在兩個(gè)開口之間連接到對(duì)應(yīng)于第一像素P1的開口和對(duì)應(yīng)于第二像素P2的開口的開口。

根據(jù)示例性實(shí)施例，雖然未示出，但是像素限定層1010可以覆蓋第一像素電極PE1和第二像素電極PE2的邊緣部。

根據(jù)示例性實(shí)施例，像素限定層1010可以具有傾斜表面。換句話說(shuō)，像素限定層1010的開口的側(cè)表面可以是傾斜表面。

根據(jù)示例性實(shí)施例，反射層1020可以設(shè)置在像素限定層1010的頂表面上。在示例性實(shí)施例中，例如，反射層1020可以包括設(shè)置在像素限定層1010的傾斜表面上的傾斜反射層1021和連接到傾斜反射層1021并設(shè)置在像素限定層1010的頂表面的基本平坦的部分上的頂反射層1022。

傾斜反射層1021傾斜特定角度，在該角度光朝向用戶有效率地發(fā)射。在示例性實(shí)施例中，例如，傾斜反射層1021可以沿著用于使發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光向上聚焦的方向傾斜。

雖然未示出，但是即使在未布置像素限定層1010時(shí)也可以選擇性地設(shè)置反射層1020。

第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2產(chǎn)生的光可以被反射層1020反射并向上前進(jìn)(即，朝向用戶)。結(jié)果，可以改善顯示裝置1000的光效率，并因此可以改善其圖像質(zhì)量特性。

根據(jù)示例性實(shí)施例，覆蓋層CL可以設(shè)置在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100、第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2上，中間層1030可以設(shè)置在覆蓋層CL與第一像素電極PE1和第二像素電極PE2之間。

中間層1030可以設(shè)置在像素限定層1010和反射層1020上，并可以保護(hù)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100和反射層1020。在示例性實(shí)施例中，例如，中間層1030可以包括無(wú)機(jī)材料并可以包括高光透射材料。

第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2設(shè)置在中間層1030上。第一對(duì)電極FE1電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1的第二電極TE1。第二對(duì)電極FE2電連接到第二發(fā)光二極管單元LU2的第二電極TE2。

覆蓋層CL包括無(wú)機(jī)材料并通過(guò)使用高光透射材料設(shè)置在第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2上。

根據(jù)示例性實(shí)施例，低光透射構(gòu)件OBU可以至少設(shè)置在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100上以與發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100疊置。

根據(jù)示例性實(shí)施例，如圖6所示，低光透射構(gòu)件OBU可以具有大于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的寬度的寬度OBUW和大于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的面積的面積，因此低光透射構(gòu)件OBU可以完全覆蓋發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100。

此外，如圖6所示，根據(jù)示例性實(shí)施例，第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2可以彼此分開，第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2可以連接到對(duì)電極線FEL并從其接收電信號(hào)。在圖6中，對(duì)電極FE1'是連接到與第一像素P1相鄰的另一像素(未示出)的第一對(duì)電極。

根據(jù)示例性實(shí)施例，雖然未示出，但是還可以在低光透射構(gòu)件OBU上布置包封構(gòu)件(未示出)，其中，包封構(gòu)件可以包括玻璃、金屬或塑料。

此外，包封構(gòu)件可以具有其中堆疊有一個(gè)更多個(gè)有機(jī)層或無(wú)機(jī)層的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置1000至少包括多個(gè)像素P1和P2以及發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100布置在多個(gè)像素P1和P2之間，其中，第一發(fā)光二極管單元LU1對(duì)應(yīng)于第一像素P1，第二發(fā)光二極管單元LU2對(duì)應(yīng)于第二像素P2。

兩個(gè)像素P1和P2經(jīng)由單個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100產(chǎn)生光，因此增加了驅(qū)動(dòng)顯示裝置1000的效率。

這里，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的分隔單元SU可以減小或防止第一發(fā)光二極管單元LU1與第二發(fā)光二極管單元LU2對(duì)彼此的電干擾。此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)分隔單元SU包括減少光透射的材料(例如，BM材料)時(shí)，可以減小或防止基于第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2對(duì)彼此的光干擾的影響，從而改善顯示裝置1000的光特性及其圖像質(zhì)量特性。

根據(jù)示例性實(shí)施例，可以布置反射層1020。結(jié)果，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2產(chǎn)生的光可以被反射層1020反射，因此可以改善顯示裝置1000的光效率。

具體來(lái)說(shuō)，根據(jù)示例性實(shí)施例，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2沿第一方向(圖5中的x軸方向)彼此相鄰，第一像素P1和第二像素P2沿第一方向(圖5中的x軸方向)彼此相鄰。結(jié)果，可以在與像素被布置的方向平行的方向上產(chǎn)生光，朝向用戶提取的光的量可以朝向用戶增加。結(jié)果，可以改善光效率。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，反射層1020可以包括傾斜反射層1021以朝向用戶反射更多的光，從而改善顯示裝置1000的圖像質(zhì)量特性。

因?yàn)榘l(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的其他操作和效果與以上在以上描述的示例性實(shí)施例中描述的操作和效果相同，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

圖7是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的顯示裝置的示意性剖視圖。

顯示裝置2000包括布置在基底2001上的多個(gè)像素P1和P2。此外，顯示裝置2000可以包括所述多個(gè)像素P1和P2以及一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200。

此外，像素P1和P2中的每個(gè)可以包括至少一個(gè)薄膜晶體管。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第一像素P1可以包括第一薄膜晶體管TFT1，而第二像素P2可以包括第二薄膜晶體管TFT2。

第一薄膜晶體管TFT1和第二薄膜晶體管TFT2中的每個(gè)可以包括有源層2003、柵電極2005、源電極2007和漏電極2008。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，底保護(hù)層PFL或緩沖層2002可以被布置。

此外，層間介電層2006、鈍化層2009、第一像素電極PE1、第二像素電極PE2、像素限定層2010和反射層2020可以被布置。

顯示裝置2000的上述組件與在以上描述的示例性實(shí)施例中的顯示裝置1000的組件相同，因此將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置2000可以包括對(duì)電極FE。對(duì)電極FE可以是對(duì)于第一像素P1和第二像素P2共用的。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，雖然未示出，但是對(duì)電極FE可以是對(duì)于所有像素共用的。

根據(jù)示例性實(shí)施例，低光透射構(gòu)件OBU可以設(shè)置在對(duì)電極FE上。

此外，在另一示例中，覆蓋層CL可以設(shè)置在低光透射構(gòu)件OBU上。與根據(jù)以上描述的示例性實(shí)施例的顯示裝置1000的低光透射構(gòu)件OBU和覆蓋層CL的位置相比，低光透射構(gòu)件OBU和覆蓋層CL的位置可以改變。中間層2030可以設(shè)置在像素限定層2010和反射層2020上，并可以保護(hù)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200和反射層2020。

此外，根據(jù)圖7的示例性實(shí)施例的低光透射構(gòu)件OBU和覆蓋層CL的位置可以被應(yīng)用于以上描述的示例性實(shí)施例的顯示裝置1000。

圖8A至圖8D是示出在根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置中的像素布置的各種示例的平面圖。

根據(jù)示例性實(shí)施例，圖8A至圖8D可以示出顯示裝置1000(參見圖5)的像素布置或者顯示裝置2000(參見圖7)的像素布置。

參照?qǐng)D8A，第一像素P1和第二像素P2布置為彼此相鄰，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100布置在第一像素P1與第二像素P2之間。此外，第三像素P3和第四像素P4布置為彼此相鄰，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100布置在第三像素P3與第四像素P4之間。第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4可以沿第一方向(y軸方向)布置。此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4可以表現(xiàn)同一顏色的光。

第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以沿與第一方向(y軸方向)相交的第二方向(x軸方向)布置，以與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4相鄰。第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以按所述的順序沿第一方向(y軸方向)布置。此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以表現(xiàn)同一顏色的光，其中，該顏色與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4所實(shí)現(xiàn)的光的顏色不同。

第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12可以沿與第一方向(y軸方向)相交的第二方向(x軸方向)布置，以與第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8相鄰。第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12可以按所述的順序沿第一方向(y軸方向)布置。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12可以表現(xiàn)同一顏色的光，其中，該顏色與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4所實(shí)現(xiàn)的光的顏色以及第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8所實(shí)現(xiàn)的光的顏色不同。

通過(guò)控制發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2，各個(gè)像素可以設(shè)定為發(fā)射不同顏色。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，所有像素中包括的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100可以設(shè)定為發(fā)射同一顏色的光，并且通過(guò)使用顏色轉(zhuǎn)換層(未示出)、顏色轉(zhuǎn)換濾器(未示出)、濾色器等，各個(gè)像素可以被控制為發(fā)射不同顏色的光。

參照?qǐng)D8B，第一像素P1和第二像素P2布置為彼此相鄰，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100布置在第一像素P1與第二像素P2之間。此外，第三像素P3和第四像素P4布置為彼此相鄰，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100布置在第三像素P3與第四像素P4之間。此外，第五像素P5和第六像素P6布置為彼此相鄰，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100布置在第五像素P5與第六像素P6之間。

第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3、第四像素P4、第五像素P5和第六像素P6可以沿第一方向(y軸方向)布置。此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第一像素P1和第二像素P2可以表現(xiàn)同一第一顏色的光，第三像素P3和第四像素P4可以表現(xiàn)同一第二顏色的光，其中，第一顏色可以與第二顏色不同。此外，第五像素P5和第六像素P6可以表現(xiàn)同一第三顏色的光，其中，第三顏色可以與第一顏色和第二顏色不同。

第七像素P7、第八像素P8、第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12可以沿與第一方向(y軸方向)相交的第二方向(x軸方向)布置，以與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3、第四像素P4、第五像素P5和第六像素P6相鄰。第七像素P7、第八像素P8、第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12可以按所述的順序沿第一方向(y軸方向)布置。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第七像素P7和第八像素P8可以表現(xiàn)同一第二顏色的光，第九像素P9和第十像素P10可以表現(xiàn)同一第三顏色的光，第十一像素P11和第十二像素P12可以表現(xiàn)同一第一顏色的光。

第十三像素P13、第十四像素P14、第十五像素P15、第十六像素P16、第十七像素P17和第十八像素P18可以沿與第一方向(y軸方向)相交的第二方向(x軸方向)布置，以與第七像素P7、第八像素P8、第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12相鄰。第十三像素P13、第十四像素P14、第十五像素P15、第十六像素P16、第十七像素P17和第十八像素P18可以按所述的順序沿第一方向(y軸方向)布置。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第十三像素P13和第十四像素P14可以表現(xiàn)同一第三顏色的光，第十五像素P15和第十六像素P16可以表現(xiàn)同一第一顏色的光，第十七像素P17和第十八像素P18可以表現(xiàn)同一第二顏色的光。

參照?qǐng)D8C，第一像素P1和第二像素P2布置為彼此相鄰，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100布置在第一像素P1與第二像素P2之間。此外，第三像素P3和第四像素P4布置為彼此相鄰，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100布置在第三像素P3與第四像素P4之間。第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4可以沿第一方向(y軸方向)布置。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第一像素P1可以表現(xiàn)第一顏色的光，而第二像素P2可以表現(xiàn)與第一顏色不同的第二顏色的光。第三像素P3可以表現(xiàn)與第一顏色和第二顏色不同的第三顏色的光，而第四像素P4可以表現(xiàn)第一顏色的光。

如上所述，通過(guò)改變構(gòu)成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2的材料，彼此相鄰的像素可以被設(shè)定為表現(xiàn)不同顏色的光。在示例性實(shí)施例中，例如，可以通過(guò)改變構(gòu)成光活性層LL1和LL2的材料或者摻雜到光活性層LL1和LL2的材料來(lái)控制各個(gè)像素發(fā)射的光的顏色。

第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以沿與第一方向(y軸方向)相交的第二方向(x軸方向)布置，以與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4相鄰。第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以按所述的順序沿第一方向(y軸方向)布置。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第五像素P5可以表現(xiàn)第二顏色的光，而第六像素P6可以表現(xiàn)與第二顏色不同的第三顏色的光。第七像素P7可以表現(xiàn)與第二顏色和第三顏色不同的第一顏色的光，而第八像素P8可以表現(xiàn)第二顏色的光。

第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12可以沿與第一方向(y軸方向)相交的第二方向(x軸方向)布置，以與第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8相鄰。第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12可以按所述的順序沿第一方向(y軸方向)布置。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第九像素P9可以表現(xiàn)第三顏色的光，而第十像素P10可以表現(xiàn)第一顏色的光。第十一像素P11可以表現(xiàn)第二顏色的光，而第十二像素P12可以表現(xiàn)第三顏色的光。

參照?qǐng)D8D，第一像素P1和第二像素P2布置為彼此相鄰，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100布置在第一像素P1與第二像素P2之間。此外，第三像素P3和第四像素P4布置為彼此相鄰，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100布置在第三像素P3與第四像素P4之間。第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4沿第三方向布置，所述第三方向相對(duì)于第一方向(y軸方向)和第二方向(x軸方向)傾斜小于90度或大于90度的角度。

可以各種各樣地定義圖8A至圖8D中的第一方向、第二方向和第三方向。換句話說(shuō)，第一方向、第二方向和第三方向可以被顯示裝置的邊緣所定義。此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，圖8A至圖8D中的第一方向、第二方向和第三方向可以是當(dāng)用戶在使用顯示裝置時(shí)基于用戶的眼睛的方向。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第一像素P1可以表現(xiàn)第一顏色的光，而第二像素P2可以表現(xiàn)與第一顏色不同的第二顏色的光。第三像素P3可以表現(xiàn)第一顏色的光，而第四像素P4可以表現(xiàn)第二顏色的光。

第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以沿與第三方向相交的方向布置，以與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4相鄰。第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以按所述的順序沿第三方向布置。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第五像素P5可以表現(xiàn)第一顏色的光，而第六像素P6可以表現(xiàn)第三顏色的光。第七像素P7可以表現(xiàn)第一顏色的光，而第八像素P8可以表現(xiàn)第三顏色的光。

可以對(duì)圖8D中示出的布置做出各種改變。在示例性實(shí)施例中，例如，可以如圖8D中所示地將圖8A至圖8C中示出的像素布置順序改變?yōu)檠氐谌较虿贾孟袼兀桓淖儾贾孟袼氐捻樞颉?/p>

圖9是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的透視圖。

參照?qǐng)D9，根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200包括多個(gè)發(fā)光二極管單元LU1和LU2以及分隔單元SU。換句話說(shuō)，雖然圖9示出了兩個(gè)發(fā)光二極管單元，但是發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200還可以包括三個(gè)或更多個(gè)發(fā)光二極管單元。

多個(gè)發(fā)光二極管單元LU1和LU2包括第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2。

在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200中，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2沿第一方向(圖9中的x軸方向)彼此相鄰，分隔單元SU布置在第一發(fā)光二極管單元LU1與第二發(fā)光二極管單元LU2之間。

在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200中，光可以從第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2的表面中的面對(duì)與第一方向(圖9中的x軸方向)相交的第二方向(圖9中的y軸方向)的表面發(fā)射。此外，雖然光從面對(duì)第一方向(圖9中的x軸方向)的表面發(fā)射，但是從面對(duì)第一方向(圖9中的x軸方向)的表面發(fā)射的光的量可以小于從面對(duì)第二方向(圖9中的y軸方向)的表面發(fā)射的光的量。

為此，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2具有在第一電極BE1和BE2與第二電極TE1和TE2之間的側(cè)表面，其中，面對(duì)第二方向(y軸方向)的側(cè)表面可以大于其他側(cè)表面，例如，面對(duì)與第二方向相交的第一方向(x軸方向)的側(cè)表面。

因此，沿第二光提取方向LD2提取的光的量可以小于沿第一光提取方向LD1提取的光的量。

因此，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200可以容易地沿第二方向(y軸方向)和與其相反的方向發(fā)射光。

根據(jù)示例性實(shí)施例，第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2的面對(duì)第一方向(x軸方向)的側(cè)表面可以設(shè)置為傾斜表面。

換句話說(shuō)，在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200中，面對(duì)第一電極BE1和BE2的表面可以大于面對(duì)第二電極TE1和TE2的表面。

詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第一發(fā)光二極管單元LU1的第一電極BE1的表面可以大于第二電極TE1的表面。同樣地，第二發(fā)光二極管單元LU2的第一電極BE2的表面可以大于第二電極TE2的表面。

第一發(fā)光二極管單元LU1包括堆疊結(jié)構(gòu)，該堆疊結(jié)構(gòu)包括n型半導(dǎo)體層NS1、p型半導(dǎo)體層PS1、光活性層LL1、第一電極BE1和第二電極TE1，而第二發(fā)光二極管單元LU2包括堆疊結(jié)構(gòu)，該堆疊結(jié)構(gòu)包括n型半導(dǎo)體層NS2、p型半導(dǎo)體層PS2、光活性層LL2、第一電極BE2和第二電極TE2。因?yàn)闃?gòu)成上述組件的材料與根據(jù)以上描述的示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100中的相應(yīng)材料相同，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

此外，因?yàn)榉指魡卧猄U與根據(jù)以上描述的示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的分隔單元SU相同，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

圖10是圖9的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200的修改示例的透視圖。

參照?qǐng)D10，根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200'包括多個(gè)發(fā)光二極管單元LU1和LU2以及分隔單元SU。

分隔單元SU包括中間分隔單元SUM、第一分隔壁SU1和第二分隔壁SU2。

中間分隔單元SUM布置在多個(gè)發(fā)光二極管單元LU1和LU2之間。

第一分隔壁SU1連接到中間分隔單元SUM，并對(duì)應(yīng)于第一發(fā)光二極管單元LU1的側(cè)表面來(lái)布置。換句話說(shuō)，第一分隔壁SU1對(duì)應(yīng)于第一發(fā)光二極管單元LU1的面對(duì)第一光提取方向(圖10中的y軸方向)的兩個(gè)取向中的一個(gè)取向的側(cè)表面布置，其中，第一發(fā)光二極管單元LU1可以主要沿第一光提取方向LD1的第一主光提取方向LU1LD1提取光。

第二分隔壁SU2連接到中間分隔單元SUM，并對(duì)應(yīng)于第二發(fā)光二極管單元LU2的側(cè)表面來(lái)布置。第二分隔壁SU2可以與第一分隔壁SU1分開。

第二分隔壁SU2對(duì)應(yīng)于第二發(fā)光二極管單元LU2的面對(duì)第一光提取方向(圖10中的y軸方向)的兩個(gè)取向中的一個(gè)取向的側(cè)表面布置，其中，第二發(fā)光二極管單元LU2可以主要沿第一光提取方向LD1的第二主光提取方向LU2LD1提取光。

圖11是包括圖10的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200'的顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。

參照?qǐng)D11，示出了顯示裝置中包括的兩個(gè)相鄰的像素，即，第一像素P1和第二像素P2。

圖10的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200'布置在第一像素P1與第二像素P2之間，第一發(fā)光二極管單元LU1的光與第一像素P1對(duì)應(yīng)，第二發(fā)光二極管單元LU2的光與第二像素P2對(duì)應(yīng)。

這里，第一分隔壁SU1可以減小第一發(fā)光二極管單元LU1對(duì)第二像素P2的影響，而第二分隔壁SU2可以減小第二發(fā)光二極管單元LU2對(duì)第一像素P1的影響。

根據(jù)示例性實(shí)施例，圖9的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200可以布置在像素之間。

圖12是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的透視圖。

參照?qǐng)D12，根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300包括多個(gè)發(fā)光二極管單元LU1、LU2、LU3和LU4以及分隔單元SU。

多個(gè)發(fā)光二極管單元LU1、LU2、LU3和LU4包括第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4。

第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2沿第一方向(圖12中的x軸方向)彼此相鄰。

第二發(fā)光二極管單元LU2和第三發(fā)光二極管單元LU3沿與第一方向(圖12中的x軸方向)相交的第二方向(圖12中的y軸方向)彼此相鄰。

第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4沿第一方向(圖12中的x軸方向)彼此相鄰。

第一發(fā)光二極管單元LU1和第四發(fā)光二極管單元LU4沿第二方向(圖12中的y軸方向)彼此相鄰。

分隔單元SU布置在彼此相鄰的四個(gè)發(fā)光二極管單元LU1、LU2、LU3和LU4之間。換句話說(shuō)，分隔單元SU可以布置在發(fā)光二極管單元LU1、LU2、LU3和LU4之間，并將發(fā)光二極管單元LU1、LU2、LU3和LU4彼此分隔開。

根據(jù)示例性實(shí)施例，分隔單元SU可以使發(fā)光二極管單元LU1、LU2、LU3和LU4絕緣。為此，分隔單元SU可以包括絕緣材料。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，分隔單元SU可以包括具有低透光率的材料，以減少或阻擋第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3與第四發(fā)光二極管單元LU4之間的光透射。在示例性實(shí)施例中，例如，分隔單元SU可以包括BM。

詳細(xì)來(lái)說(shuō)，分隔單元SU包括第一分隔單元SUM1、第二分隔單元SUM2、第三分隔單元SUM3和第四分隔單元SUM4。

第一分隔單元SUM1布置在第一發(fā)光二極管單元LU1與第二發(fā)光二極管單元LU2之間，并使第一發(fā)光二極管單元LU1與第二發(fā)光二極管單元LU2彼此分隔開。

第二分隔單元SUM2布置在第二發(fā)光二極管單元LU2與第三發(fā)光二極管單元LU3之間，并使第二發(fā)光二極管單元LU2與第三發(fā)光二極管單元LU3彼此分隔開。

第三分隔單元SUM3布置在第三發(fā)光二極管單元LU3與第四發(fā)光二極管單元LU4之間，并使第三發(fā)光二極管單元LU3與第四發(fā)光二極管單元LU4彼此分隔開。

第四分隔單元SUM4布置在第一發(fā)光二極管單元LU1與第四發(fā)光二極管單元LU4之間，并使第一發(fā)光二極管單元LU1與第四發(fā)光二極管單元LU4彼此分隔開。

根據(jù)示例性實(shí)施例，第一分隔單元SUM1、第二分隔單元SUM2、第三分隔單元SUM3和第四分隔單元SUM4可以彼此連接。

具體來(lái)說(shuō)，連接到第一分隔單元SUM1、第二分隔單元SUM2、第三分隔單元SUM3和第四分隔單元SUM4的中心區(qū)域可以使第一發(fā)光二極管單元LU1與第三發(fā)光二極管單元LU3彼此分隔開，并使第二發(fā)光二極管單元LU2與第四發(fā)光二極管單元LU4彼此分隔開。

雖然未示出，但是制造圖12的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的方法可以與根據(jù)以上描述的示例性實(shí)施例的制造發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的方法相似。換句話說(shuō)，每個(gè)制造工藝可以提供一個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300。

根據(jù)另一示例性實(shí)施例，可以在單獨(dú)地提供或執(zhí)行中間操作之后組合各個(gè)發(fā)光二極管單元LU1、LU2、LU3和LU4。

因?yàn)橛糜谛纬稍诘谝话l(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4中包括的堆疊結(jié)構(gòu)的材料(所述堆疊結(jié)構(gòu)由n型半導(dǎo)體層NS1、NS2和NS3，p型半導(dǎo)體層PS1、PS2和PS3，光活性層LL1、LL2和LL3，第一電極BE1、BE2和BE3以及第二電極TE1、TE2和TE3構(gòu)成)與根據(jù)以上描述的示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100中的相應(yīng)材料相同，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

雖然未在圖12中示出，但是與第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2和第三發(fā)光二極管單元LU3之一相似，第四發(fā)光二極管單元LU4也包括由n型半導(dǎo)體層、p型半導(dǎo)體層、光活性層、第一電極和第二電極構(gòu)成的堆疊結(jié)構(gòu)。

在根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300中，第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4沿第一方向(圖12中的x軸方向)和第二方向(圖12中的y軸方向)彼此相鄰，其中，分隔單元SU布置在第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3與第四發(fā)光二極管單元LU4之間。

光可以從發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4的面對(duì)第一方向(圖12中的x軸方向)的表面發(fā)射。此外，光還可以從第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4的面對(duì)與第一方向相交的第二方向(圖12中的y軸方向)的表面發(fā)射。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，可以控制第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4的形狀(包括側(cè)表面)，使得通過(guò)面對(duì)第一方向(圖12中的x軸方向)的表面發(fā)射的光的量與通過(guò)面對(duì)第二方向(圖12中的y軸方向)的表面發(fā)射的光的量相同或相似。

這里，第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4可以發(fā)射相同類型的光。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4可以發(fā)射不同類型的光。換句話說(shuō)，通過(guò)控制對(duì)光活性層LL1、LL2、LL3和LL4的摻雜，第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4可以發(fā)射不同類型的光。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的面對(duì)第一電極BE1、BE2和BE3的表面可以大于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的面對(duì)第二電極TE1、TE2和TE3的表面。

因此，當(dāng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300布置在另一構(gòu)件處時(shí)，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以布置為使得第一電極BE1、BE2和BE3朝下面對(duì)。結(jié)果，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以被穩(wěn)定地布置。

分隔單元SU的與第一電極BE1、BE2和BE3相鄰的表面可以小于分隔單元SU的與第二電極TE1、TE2和TE3相鄰的表面。因此，分隔單元SU可以有效地將第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3與第四發(fā)光二極管單元LU4彼此分隔開，并防止對(duì)分隔單元SU的破壞或損壞，從而減少或防止第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4彼此接觸或者來(lái)自第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4的光之間的干擾。

圖13是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的顯示裝置的平面圖，圖14是以更近的細(xì)節(jié)示出圖13的PA的圖，圖15是用于描述圖14的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)和反射層的平面圖，圖16是沿著圖15的線X-X獲得的剖視圖。

根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置3000包括布置在基底3001上的多個(gè)像素P。用戶可以經(jīng)由像素P識(shí)別一幅或更多幅圖像。

此外，顯示裝置3000可以包括像素P以及一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300(參見圖12)。

因?yàn)橐陨嫌脠D12描述了發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300，所以如上所述，將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

圖14示出了彼此相鄰的八個(gè)像素，并且為了便于解釋，圖15示出了四個(gè)像素P1、P2、P3和P4。

第一像素P1和第三像素P3沿第一方向(即，圖14中的x軸方向)彼此相鄰。第二像素P2和第四像素P4沿第二方向(即，圖14中的y軸方向)彼此相鄰。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以對(duì)應(yīng)于第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4。

換句話說(shuō)，單個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以對(duì)應(yīng)于彼此相鄰的四個(gè)像素P1、P2、P3和P4布置。

根據(jù)示例性實(shí)施例，彼此相鄰的四個(gè)像素P1、P2、P3和P4可以圍繞發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300形成類十字形狀。

此外，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以包括第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4，其中，第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4可以分別對(duì)應(yīng)于第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4。

此外，如圖15所示，第一發(fā)光二極管單元LU1的在第一電極BE1與第二電極TE1之間的側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第一像素P1。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第一發(fā)光二極管單元LU1的在第一電極BE1與第二電極TE1之間的兩個(gè)相鄰的側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第一像素P1。在示例性實(shí)施例中，例如，在第一發(fā)光二極管單元LU1的相鄰的側(cè)表面之間的角可以對(duì)應(yīng)于第一像素P1。

因此，第一發(fā)光二極管單元LU1可以沿與第一像素P1對(duì)應(yīng)的第一主光提取方向LU1LD1產(chǎn)生大量的光。

第二發(fā)光二極管單元LU2的在第一電極BE2與第二電極TE2之間的側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第二像素P2。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第二發(fā)光二極管單元LU2的在第一電極BE2與第二電極TE2之間的兩個(gè)相鄰的側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第二像素P2。在示例性實(shí)施例中，例如，在第二發(fā)光二極管單元LU2的相鄰的側(cè)表面之間的角可以對(duì)應(yīng)于第二像素P2。

因此，第二發(fā)光二極管單元LU2可以沿與第二像素P2對(duì)應(yīng)的第二主光提取方向LU2LD1產(chǎn)生大量的光。

第三發(fā)光二極管單元LU3的在第一電極BE3與第二電極TE3之間的側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第三像素P3。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第三發(fā)光二極管單元LU3的在第一電極BE3與第二電極TE3之間的兩個(gè)相鄰的側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第三像素P3。在示例性實(shí)施例中，例如，在第三發(fā)光二極管單元LU3的相鄰的側(cè)表面之間的角可以對(duì)應(yīng)于第三像素P3。

因此，第三發(fā)光二極管單元LU3可以沿與第三像素P3對(duì)應(yīng)的第三主光提取方向LU3LD1產(chǎn)生大量的光。

第四發(fā)光二極管單元LU4的在第一電極BE4與第二電極TE4之間的側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第四像素P4。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第四發(fā)光二極管單元LU4的在第一電極BE4與第二電極TE4之間的兩個(gè)相鄰的側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第四像素P4。在示例性實(shí)施例中，例如，在第四發(fā)光二極管單元LU4的相鄰的側(cè)表面之間的角可以對(duì)應(yīng)于第四像素P4。

因此，第四發(fā)光二極管單元LU4可以沿與第四像素P4對(duì)應(yīng)的第四主光提取方向LU4LD1產(chǎn)生大量的光。

此外，第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4中的每個(gè)包括至少一個(gè)薄膜晶體管。

將在下面參照?qǐng)D16給出其詳細(xì)描述。為了便于解釋，關(guān)于第一像素P1和第三像素P3給出下面的描述。因?yàn)榈诙袼豍2和第四像素P4中的每個(gè)可以包括一個(gè)或更多個(gè)薄膜晶體管，并可以具有與第一像素P1和第三像素P3的構(gòu)造基本相同的構(gòu)造，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D16，第一像素P1包括第一薄膜晶體管TFT1，而第三像素P3包括第三薄膜晶體管TFT3。

第一像素P1的第一薄膜晶體管TFT1可以電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1，而第三像素P3的第三薄膜晶體管TFT3可以電連接到第三發(fā)光二極管單元LU3。

第一薄膜晶體管TFT1可以電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1，并可以將電信號(hào)施加到第一發(fā)光二極管單元LU1。在示例性實(shí)施例中，例如，第一薄膜晶體管TFT1可以驅(qū)動(dòng)第一發(fā)光二極管單元LU1。

第三薄膜晶體管TFT3可以電連接到第三發(fā)光二極管單元LU3，并可以將電信號(hào)施加到第三發(fā)光二極管單元LU3。在示例性實(shí)施例中，例如，第三薄膜晶體管TFT3可以驅(qū)動(dòng)第三發(fā)光二極管單元LU3。

第一薄膜晶體管TFT1和第三薄膜晶體管TFT3中的每個(gè)可以包括有源層3003、柵電極3005、源電極3007和漏電極3008。

為了便于解釋，示例性實(shí)施例示出了柵電極3005設(shè)置在有源層3003上的頂柵型像素。然而，這僅是為了便于解釋，根據(jù)示例性實(shí)施例的第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4也可以是底柵型像素。

參照?qǐng)D15和圖16，將在下面詳細(xì)地描述各個(gè)組件。因?yàn)榈谝槐∧ぞw管TFT1的組件(例如，有源層3003、柵電極3005、源電極3007和漏電極3008)與第三薄膜晶體管TFT3的組件相同，所以為了便于解釋，僅在下面描述第一薄膜晶體管TFT1和第三薄膜晶體管TFT3中的一者的組件。

基底3001可以包括各種材料。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，基底3001可以包括各種其他有機(jī)材料中的一種、玻璃或金屬。

根據(jù)示例性實(shí)施例，基底3001可以包括柔性材料。在示例性實(shí)施例中，例如，基底3001可以是可彎曲的、可折疊的或可卷曲的。

根據(jù)示例性實(shí)施例，基底3001可以包括超薄玻璃、金屬或塑料。在示例性實(shí)施例中，在基底3001包括塑料的情況下，基底3001可以包括例如PI。然而，它僅是示例，基底3001可以包括各種材料。

根據(jù)示例性實(shí)施例，底保護(hù)層PFL可以布置在基底3001的與面對(duì)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的表面背對(duì)的表面上。底保護(hù)層PFL可以增強(qiáng)基底3001的耐久性并減少或防止潮氣、外部氣氛或外來(lái)物質(zhì)經(jīng)由基底3001的引入。

根據(jù)示例性實(shí)施例，緩沖層3002可以設(shè)置在基底3001與有源層3003之間。緩沖層3002可以減少或防止潮氣、外部氣氛或外來(lái)物質(zhì)通過(guò)基底3001的引入并可以在基底3001上提供平坦的表面。

例如，緩沖層3002可以包括各種絕緣材料中的一種并可以包括諸如氧化物或氮化物的無(wú)機(jī)材料。在示例性實(shí)施例中，緩沖層3002可以包括例如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化鉿(HfO₂)或氧化鋅(ZnO₂)。

有源層3003設(shè)置在緩沖層3002上。有源層3003包括半導(dǎo)體材料，并且可以包括例如非晶硅或多晶硅。然而，本發(fā)明不限于此，有源層3003可以包括各種其他材料。根據(jù)示例性實(shí)施例，有源層3003可以包括有機(jī)半導(dǎo)體材料。

根據(jù)另一示例性實(shí)施例，有源層3003可以包括氧化物半導(dǎo)體材料。

柵極絕緣層3004設(shè)置在有源層3003上。柵極絕緣層3004可以包括各種絕緣材料。根據(jù)示例性實(shí)施例，柵極絕緣層3004可以包括無(wú)機(jī)材料。在示例性實(shí)施例中，柵極絕緣層3004可以包括例如氧化物或氮化物。在示例性實(shí)施例中，柵極絕緣層3004可以包括例如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化鉿(HfO₂)或氧化鋅(ZnO₂)。

根據(jù)示例性實(shí)施例，柵極絕緣層3004可以具有包括多個(gè)層的堆疊結(jié)構(gòu)。所述多個(gè)層可以包括相同的材料或者可以包括彼此不同的材料。柵極絕緣層3004使有源層3003和柵電極3005彼此絕緣。

柵電極3005布置在柵極絕緣層3004上面。柵電極3005可以包括低電阻金屬。在示例性實(shí)施例中，例如，柵電極3005可以包括包含鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)和鈦(Ti)的導(dǎo)電材料，并且可以包括包含上述材料的單層或多層。

層間絕緣層(層間介電層)3006設(shè)置在柵電極3005上。層間介電層3006使源電極3007與柵電極3005彼此絕緣，并使漏電極3008與柵電極3005彼此絕緣。

層間介電層3006可以包括各種絕緣材料。根據(jù)示例性實(shí)施例，層間介電層3006可以包括無(wú)機(jī)材料。在示例性實(shí)施例中，層間介電層3006可以包括例如氧化物或氮化物。在示例性實(shí)施例中，層間介電層3006可以包括例如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化鉿(HfO₂)或氧化鋅(ZnO₂)。

源電極3007和漏電極3008設(shè)置在層間介電層3006上。源電極3007和漏電極3008中的每個(gè)可以包括高導(dǎo)電性材料并包括單層或多層。

源電極3007和漏電極3008接觸有源層3003的一部分。

鈍化層3009設(shè)置在源電極3007和漏電極3008上。

鈍化層3009可以去除由于第一薄膜晶體管TFT1和第三薄膜晶體管TFT3設(shè)置的臺(tái)階，并在第一薄膜晶體管TFT1和第三薄膜晶體管TFT3之上提供平坦的表面。此外，鈍化層3009可以保護(hù)源電極3007和漏電極3008。

鈍化層3009可以包括各種材料。根據(jù)示例性實(shí)施例，鈍化層3009可以包括有機(jī)材料并可以包括單層或多層。

根據(jù)示例性實(shí)施例，鈍化層3009可以包括普通通用聚合物(諸如PMMA或PS)、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酰類聚合物、酰亞胺類聚合物、芳基醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對(duì)二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物及其混合物。

此外，鈍化層3009可以包括復(fù)合堆疊結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合堆疊結(jié)構(gòu)包括無(wú)機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層。

第一像素電極PE1設(shè)置在鈍化層3009上，并電連接到源電極3007或漏電極3008。在示例性實(shí)施例中，例如，第一像素電極PE1可以電連接到漏電極3008。

第一像素電極PE1可以具有各種形狀中的一種。在示例性實(shí)施例中，第一像素電極PE1可以被圖案化成例如類島形狀。

第三像素電極PE3設(shè)置在鈍化層3009上，并電連接到源電極3007或漏電極3008。在示例性實(shí)施例中，例如，第三像素電極PE3可以電連接到漏電極3008。

第三像素電極PE3可以具有各種形狀中的一種。在示例性實(shí)施例中，第三像素電極PE3可以被圖案化成例如類島形狀。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300設(shè)置在鈍化層3009上。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的第一發(fā)光二極管單元LU1電連接到第一薄膜晶體管TFT1。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第一發(fā)光二極管單元LU1的第一電極BE1可以電連接到第一像素電極PE1，因此第一薄膜晶體管TFT1可以電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的第三發(fā)光二極管單元LU3電連接到第三薄膜晶體管TFT3。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第三發(fā)光二極管單元LU3的第一電極BE3可以電連接到第三像素電極PE3，因此第三薄膜晶體管TFT3可以電連接到第三發(fā)光二極管單元LU3。

第一對(duì)電極FE1和第三對(duì)電極FE3被布置為分別面對(duì)第一像素電極PE1和第三像素電極PE3，并分別電連接到發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的第一發(fā)光二極管單元LU1和第三發(fā)光二極管單元LU3。

詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第一對(duì)電極FE1和第三對(duì)電極FE3分別電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1的第二電極TE1和第三發(fā)光二極管單元LU3的第二電極TE3。

隨著電信號(hào)被施加到第一發(fā)光二極管單元LU1和第三發(fā)光二極管單元LU3的各自的第一電極BE1和BE3，并且電信號(hào)被施加到第一發(fā)光二極管單元LU1和第三發(fā)光二極管單元LU3的各自的第二電極TE1和TE3，第一發(fā)光二極管單元LU1和第三發(fā)光二極管單元LU3中的每個(gè)可以發(fā)射一種或更多種光。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的分隔單元SU被布置在第一發(fā)光二極管單元LU1與第三發(fā)光二極管單元LU3之間，并可以減小或防止第一發(fā)光二極管單元LU1和第三發(fā)光二極管單元LU3發(fā)射的光彼此影響。

換句話說(shuō)，分隔單元SU可以減小與第一像素P1對(duì)應(yīng)的第一發(fā)光二極管單元LU1發(fā)射的光對(duì)第三像素P3的影響，并減小與第三像素P3對(duì)應(yīng)的第三發(fā)光二極管單元LU3發(fā)射的光對(duì)第一像素P1的影響。

根據(jù)示例性實(shí)施例，像素限定層3010可以設(shè)置在鈍化層3009上。與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4對(duì)應(yīng)的開口可以被限定在像素限定層3010中。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300與像素限定層3010的開口對(duì)應(yīng)地布置，并且根據(jù)示例性實(shí)施例，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以與像素限定層3010分隔開。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以被布置在像素限定層3010的開口的中心處。因此，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以被布置在第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3與第四像素P4之間，當(dāng)情況需要時(shí)，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4的部分疊置。

根據(jù)示例性實(shí)施例，可以在像素限定層3010中限定彼此相鄰的第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4共用的開口。

根據(jù)示例性實(shí)施例，可以在像素限定層3010中限定對(duì)應(yīng)于第一像素P1的開口、對(duì)應(yīng)于第二像素P2的開口、對(duì)應(yīng)于第三像素P3的開口和對(duì)應(yīng)于第四像素P4的開口，還可以在像素限定層3010中限定對(duì)應(yīng)于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300并在四個(gè)開口之間連接到對(duì)應(yīng)于第一像素P1的開口、對(duì)應(yīng)于第二像素P2的開口、對(duì)應(yīng)于第三像素P3的開口和對(duì)應(yīng)于第四像素P4的開口的開口。

根據(jù)示例性實(shí)施例，雖然未示出，但是像素限定層3010可以覆蓋第一像素電極PE1和第三像素電極PE3的邊緣部。

根據(jù)示例性實(shí)施例，像素限定層3010可以具有傾斜表面。換句話說(shuō)，像素限定層3010的開口的側(cè)表面可以是傾斜表面。

根據(jù)示例性實(shí)施例，反射層3020可以設(shè)置在像素限定層3010的頂表面上。在示例性實(shí)施例中，例如，反射層3020可以包括設(shè)置在像素限定層3010的傾斜表面上的傾斜反射層3021和連接到傾斜反射層3021并設(shè)置在像素限定層3010的頂表面的基本上平坦的部分上的頂反射層3022。

雖然未示出，但是即使在未布置像素限定層3010時(shí)也可以選擇性地設(shè)置反射層3020。

第一發(fā)光二極管單元LU1和第三發(fā)光二極管單元LU3產(chǎn)生的光可以被反射層3020反射并向上前進(jìn)，即，朝向用戶。結(jié)果，可以改善顯示裝置3000的光效率，并因此可以改善其圖像質(zhì)量特性。

根據(jù)示例性實(shí)施例，覆蓋層CL可以設(shè)置在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300、第一對(duì)電極FE1和第三對(duì)電極FE3上，中間層3030可以設(shè)置在覆蓋層CL與第一像素電極PE1和第三像素電極PE3之間。

中間層3030可以設(shè)置在像素限定層3010和反射層3020上，并可以保護(hù)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300和反射層3020。中間層3030可以包括無(wú)機(jī)材料并可以包括高光透射材料。

第一對(duì)電極FE1和第三對(duì)電極FE3設(shè)置在中間層3030上，并分別電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1的第二電極TE1和第三發(fā)光二極管單元LU3的第二電極TE3。

覆蓋層CL包括無(wú)機(jī)材料并通過(guò)使用高光透射材料設(shè)置在第一對(duì)電極FE1和第三對(duì)電極FE3上。

根據(jù)示例性實(shí)施例，低光透射構(gòu)件OBU可以至少設(shè)置在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300上以與發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300疊置。

根據(jù)示例性實(shí)施例，如圖15和圖16所示，低光透射構(gòu)件OBU可以具有大于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的寬度的寬度OBUW和大于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的面積的面積，因此低光透射構(gòu)件OBU可以完全覆蓋發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300。

第一對(duì)電極FE1和第三對(duì)電極FE3可以彼此分開。此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，如圖7所示，第一對(duì)電極FE1和第三對(duì)電極FE3可以是對(duì)于第一像素P1和第三像素P3共用的。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，對(duì)電極線FEL可以是對(duì)于四個(gè)像素P1、P2、P3和P4共用的。根據(jù)另一示例性實(shí)施例，對(duì)電極線FEL可以是對(duì)于全部像素共用的。

此外，在另一示例中，覆蓋層CL可以設(shè)置在低光透射構(gòu)件OBU上。

根據(jù)示例性實(shí)施例，雖然未示出，但是還可以在低光透射構(gòu)件OBU上布置包封構(gòu)件(未示出)，其中，包封構(gòu)件可以包括玻璃、金屬或塑料。

此外，包封構(gòu)件可以具有其中堆疊有一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)層或無(wú)機(jī)層的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置3000至少包括多個(gè)像素P1、P2、P3和P4以及發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300布置在多個(gè)像素P1、P2、P3和P4之間，其中，第一發(fā)光二極管單元LU1對(duì)應(yīng)于第一像素P1，第二發(fā)光二極管單元LU2對(duì)應(yīng)于第二像素P2，第三發(fā)光二極管單元LU3對(duì)應(yīng)于第三像素P3，第四發(fā)光二極管單元LU4對(duì)應(yīng)于第四像素P4。

光通過(guò)四個(gè)像素P1、P2、P3和P4經(jīng)由單個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300而產(chǎn)生，并因此增加了驅(qū)動(dòng)顯示裝置3000的效率。

這里，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的分隔單元SU可以減小或防止第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4對(duì)彼此的電干擾。此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)分隔單元SU包括減少光透射的材料(例如，BM材料)時(shí)，可以減小或防止基于第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4對(duì)彼此的光干擾的影響，從而改善顯示裝置3000的光特性及其圖像質(zhì)量特性。

根據(jù)示例性實(shí)施例，可以布置反射層3020。結(jié)果，第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4產(chǎn)生的光可以被反射層3020反射，因此可以改善顯示裝置3000的光效率。

具體來(lái)說(shuō)，根據(jù)示例性實(shí)施例，第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4彼此相鄰。結(jié)果，光可以被容易地提取到第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4，其中，第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4對(duì)應(yīng)于第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4彼此相鄰地布置。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，反射層3020可以包括傾斜反射層3021以朝向用戶反射更多的光，從而改善顯示裝置3000的圖像質(zhì)量特性。

因?yàn)榘l(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的其他操作和效果與以上在以上描述的示例性實(shí)施例中描述的操作和效果相同，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

圖17A和圖17B是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置中的像素布置的各種示例的平面圖。

根據(jù)示例性實(shí)施例，圖17A和圖17B可以示出顯示裝置3000的像素布置。

參照?qǐng)D17A，第一像素P1和第三像素P3布置為沿第一方向(即，圖17A中的x軸方向)彼此相鄰。第二像素P2和第四像素P4布置為沿與第一方向(圖17A中的x軸方向)相交的第二方向(即，圖17A中的y軸方向)彼此相鄰。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以對(duì)應(yīng)于第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4。

換句話說(shuō)，單個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以與彼此相鄰的四個(gè)像素P1、P2、P3和P4對(duì)應(yīng)地布置。

根據(jù)示例性實(shí)施例，彼此相鄰的四個(gè)像素P1、P2、P3和P4可以圍繞發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300形成類十字形狀。

根據(jù)示例性實(shí)施例，第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4可以表現(xiàn)同一第一顏色的光。

此外，第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以與第一像素P1和第二像素P2相鄰。

第五像素P5與第七像素P7沿第一方向(即，圖17A中的x軸方向)彼此相鄰。第六像素P6和第八像素P8被布置為沿與第一方向(圖17A中的x軸方向)相交的第二方向(即，圖17A中的y軸方向)彼此相鄰。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以對(duì)應(yīng)于第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8。

換句話說(shuō)，單個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以布置為對(duì)應(yīng)于彼此相鄰的四個(gè)像素P5、P6、P7和P8。

根據(jù)示例性實(shí)施例，彼此相鄰的四個(gè)像素P1、P2、P3和P4可以圍繞發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300形成類十字形狀。此外，四個(gè)像素P5、P6、P7和P8可以布置為與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4相鄰，但是可以不與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4沿第一方向(圖17A的x軸方向)水平對(duì)準(zhǔn)。

根據(jù)示例性實(shí)施例，第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以表現(xiàn)同一第二顏色的光，所述第二顏色與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4實(shí)現(xiàn)的第一顏色不同。

此外，第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11(未示出)和第十二像素P12可以布置為與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4以及第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8相鄰，而不與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4以及第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8沿第一方向(圖17A中的x軸方向)水平對(duì)準(zhǔn)，并且布置為與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4以及第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8相鄰，而不與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4以及第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8沿第二方向(圖17A中的y軸方向)豎直對(duì)準(zhǔn)。

此外，第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12可以表現(xiàn)第三顏色，所述第三顏色與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4實(shí)現(xiàn)的第一顏色以及第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8實(shí)現(xiàn)的第二顏色不同。

通過(guò)控制發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4，各個(gè)像素可以設(shè)定為發(fā)射不同顏色。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，在所有像素中包括的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以設(shè)定為發(fā)射同一顏色的光，并且通過(guò)使用顏色轉(zhuǎn)換層(未示出)、顏色轉(zhuǎn)換濾器(未示出)、濾色器等，各個(gè)像素可以被控制為發(fā)射不同顏色的光。

圖17B示出了圖17A中示出的結(jié)構(gòu)的修改示例，其中，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300'與發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300稍有不同。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4對(duì)應(yīng)的各個(gè)發(fā)光二極管單元LU1、LU2、LU3和LU4的在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300'中的位置與在圖17A的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300中的位置稍有不同。

此外，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300'的分隔單元SU與發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的分隔單元SU不同。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，與發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的分隔單元SU相比，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300'的分隔單元SU還包括第一分隔壁SU1、第二分隔壁SU2、第三分隔壁SU3和第四分隔壁SU4。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300'的第一發(fā)光二極管單元LU1的側(cè)表面中的一個(gè)側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第一像素P1，與所述一個(gè)側(cè)表面相鄰的另一側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第二像素P2。第一分隔壁SU1可以布置在第一發(fā)光二極管單元LU1的對(duì)應(yīng)于第二像素P2的側(cè)表面上。因此，可以減小或防止第一發(fā)光二極管單元LU1產(chǎn)生的光對(duì)第二像素P2的影響，光可以主要沿朝向第一像素P1的方向(箭頭指示的方向)被提取。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300'的第二發(fā)光二極管單元LU2的側(cè)表面中的一個(gè)側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第二像素P2，與所述一個(gè)側(cè)表面相鄰的另一側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第三像素P3。第二分隔壁SU2可以布置在第二發(fā)光二極管單元LU2的對(duì)應(yīng)于第三像素P3的側(cè)表面上。因此，可以減小或防止第二發(fā)光二極管單元LU2產(chǎn)生的光對(duì)第三像素P3的影響，光可以主要沿朝向第二像素P2的方向(箭頭指示的方向)被提取。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300'的第三發(fā)光二極管單元LU3的側(cè)表面中的一個(gè)側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第三像素P3，與所述一個(gè)側(cè)表面相鄰的另一側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第四像素P4。第三分隔壁SU3可以布置在第三發(fā)光二極管單元LU3的對(duì)應(yīng)于第四像素P4的側(cè)表面上。因此，可以減小或防止第三發(fā)光二極管單元LU3產(chǎn)生的光對(duì)第四像素P4的影響，光可以主要沿朝向第三像素P3的方向(箭頭指示的方向)被提取。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300'的第四發(fā)光二極管單元LU4的側(cè)表面中的一個(gè)側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第四像素P4，與所述一個(gè)側(cè)表面相鄰的另一側(cè)表面可以對(duì)應(yīng)于第一像素P1。第四分隔壁SU4可以布置在第四發(fā)光二極管單元LU4的對(duì)應(yīng)于第一像素P1的側(cè)表面上。因此，可以減小或防止第四發(fā)光二極管單元LU4產(chǎn)生的光對(duì)第一像素P1的影響，光可以主要沿朝向第四像素P4的方向(箭頭指示的方向)被提取。

圖18是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的顯示裝置的平面圖，圖19是沿著圖18的線XI-XI獲得的剖視圖。

根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置4000包括布置在基底4001上的多個(gè)像素。用戶可以經(jīng)由像素識(shí)別一幅或更多幅圖像。

此外，顯示裝置4000可以包括像素以及一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300。

因?yàn)榘l(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300與圖12的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300(如上所述)相同，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D18，第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4彼此相鄰。換句話說(shuō)，第一像素P1和第二像素P2沿第一方向(圖18的x軸方向)彼此相鄰。第二像素P2和第三像素P3沿與第一方向(圖18的x軸方向)相交的第二方向(圖18的y軸方向)彼此相鄰。此外，第三像素P3和第四像素P4沿第一方向(圖18的x軸方向)彼此相鄰。第四像素P4和第一像素P1沿與第一方向(圖18的x軸方向)相交的第二方向(圖18的y軸方向)彼此相鄰。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以對(duì)應(yīng)于第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4。

換句話說(shuō)，單個(gè)的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以布置為對(duì)應(yīng)于彼此相鄰的四個(gè)像素P1、P2、P3和P4。

根據(jù)示例性實(shí)施例，彼此相鄰的四個(gè)像素P1、P2、P3和P4可以圍繞發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300形成類矩形形狀。

此外，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以包括第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4，第一發(fā)光二極管單元LU1，第二發(fā)光二極管單元LU2，第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4可以分別對(duì)應(yīng)于第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4。

此外，第一像素P1和第二像素P2中的每個(gè)包括至少一個(gè)TFT。

將在下面參照?qǐng)D19給出其詳細(xì)描述。為了便于解釋，關(guān)于第一像素P1和第二像素P2給出下面的描述。因?yàn)榈谌袼豍3和第四像素P4中的每個(gè)可以包括一個(gè)或更多個(gè)薄膜晶體管，并可以具有與第一像素P1和第二像素P2的構(gòu)造基本相同的構(gòu)造，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D19，第一像素P1包括第一薄膜晶體管TFT1，而第二像素P2包括第二薄膜晶體管TFT2。

第一像素P1的第一薄膜晶體管TFT1可以電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1，而第二像素P2的第二薄膜晶體管TFT2可以電連接到第二發(fā)光二極管單元LU2。

第一薄膜晶體管TFT1和第二薄膜晶體管TFT2中的每個(gè)可以包括有源層4003、柵電極4005、源電極4007和漏電極4008。因?yàn)榈谝槐∧ぞw管TFT1和第二薄膜晶體管TFT2與根據(jù)以上描述的示例性實(shí)施例的顯示裝置1000的第一薄膜晶體管TFT1和第二薄膜晶體管TFT2相同或相似，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

此外，因?yàn)楦鶕?jù)示例性實(shí)施例的底保護(hù)層PFL和緩沖層4002與以上描述的示例性實(shí)施例中的底保護(hù)層和緩沖層相同，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

此外，因?yàn)楦鶕?jù)示例性實(shí)施例的柵極絕緣層4004、層間介電層4006和鈍化層4009與以上描述的示例性實(shí)施例中的柵極絕緣層、層間介電層和鈍化層相同，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

如以上在以上描述的示例性實(shí)施例中描述的，第一像素電極PE1和第二像素電極PE2可以設(shè)置在鈍化層4009上，并可以連接到源電極4007或漏電極4008，例如，連接到漏電極4008。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300設(shè)置在鈍化層4009上。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的第一發(fā)光二極管單元LU1電連接到第一薄膜晶體管TFT1。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第一發(fā)光二極管單元LU1的第一電極BE1可以電連接到第一像素電極PE1，因此第一薄膜晶體管TFT1可以電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的第二發(fā)光二極管單元LU2電連接到第二薄膜晶體管TFT2。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第二發(fā)光二極管單元LU2的第一電極BE2可以電連接到第二像素電極PE2，因此第二薄膜晶體管TFT2可以電連接到第二發(fā)光二極管單元LU2。

第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2布置為分別面對(duì)第一像素電極PE1和第二像素電極PE2，并分別電連接到發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的第一發(fā)光二極管單元LU1和第二發(fā)光二極管單元LU2。

詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2分別電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1的第二電極TE1和第二發(fā)光二極管單元LU2的第二電極TE2。

根據(jù)示例性實(shí)施例，反射層4020可以設(shè)置為圍繞發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300。在示例性實(shí)施例中，例如，反射層4020可以設(shè)置在鈍化層4009上。

雖然未示出，但是根據(jù)示例性實(shí)施例，像素限定層(未示出)可以如以上描述的示例性實(shí)施例中地設(shè)置在鈍化層4009上?？梢栽谙袼叵薅▽又邢薅ㄅc第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4對(duì)應(yīng)的開口。

雖然未示出，但是反射層4020可以設(shè)置在像素限定層上。

根據(jù)示例性實(shí)施例，覆蓋層CL可以設(shè)置在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300、第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2上，中間層4030可以設(shè)置在覆蓋層CL與第一像素電極PE1和第二像素電極PE2之間。

中間層4030可以保護(hù)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300和反射層4020。中間層4030可以包括絕緣材料并可以包括高光透射材料。

第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2設(shè)置在中間層4030上，并分別電連接到第一發(fā)光二極管單元LU1的第二電極TE1和第二發(fā)光二極管單元LU2的第二電極TE2。

覆蓋層CL包括無(wú)機(jī)材料并通過(guò)使用高光透射材料設(shè)置在第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2上。

根據(jù)示例性實(shí)施例，反射構(gòu)件LRU可以至少設(shè)置在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300上以與發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300疊置。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，反射構(gòu)件LRU可以被選擇性地應(yīng)用于以上描述的顯示裝置1000、2000和3000，其中，可以在顯示裝置1000、2000和3000中省略低光透射構(gòu)件OBU。此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置4000可以包括低光透射構(gòu)件OBU來(lái)替代反射構(gòu)件LRU。

反射構(gòu)件LRU可以至少設(shè)置在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300上，以與發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300疊置。根據(jù)示例性實(shí)施例，反射構(gòu)件LRU可以具有比發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的寬度大的寬度和比發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的面積大的面積，因此反射構(gòu)件LRU可以完全覆蓋發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300。

顯示裝置4000還可以包括對(duì)應(yīng)于像素P1和P2的一個(gè)或更多個(gè)光控制構(gòu)件LER。根據(jù)示例性實(shí)施例，光控制構(gòu)件LER可以不與發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300疊置。

根據(jù)示例性實(shí)施例，光控制構(gòu)件LER可以設(shè)置在覆蓋層CL上。

雖然未示出，但是光控制構(gòu)件LER可以被選擇性地應(yīng)用于根據(jù)以上描述的示例性實(shí)施例的顯示裝置1000、2000和3000。

光控制構(gòu)件LER可以具有各種形狀中的一種。在示例性實(shí)施例中，例如，光控制構(gòu)件LER可以具有類透鏡形狀，并減小光不均勻性。

為此，光控制構(gòu)件LER不僅可以具有類凸透鏡形狀，還具有諸如類凹透鏡形狀、類淚珠形狀、類圓錐形狀或彎曲形狀的各種其他形狀。

第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2可以彼此分開。此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，如圖7中所示，第一對(duì)電極FE1和第二對(duì)電極FE2可以是對(duì)于第一像素P1和第二像素P2共用的。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，對(duì)電極線FEL可以是對(duì)于四個(gè)像素P1、P2、P3和P4共用的。根據(jù)另一示例性實(shí)施例，對(duì)電極線FEL可以是對(duì)于全部像素共用的。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，覆蓋層CL可以設(shè)置在反射構(gòu)件LRU上。

根據(jù)示例性實(shí)施例，雖然未示出，但是還可以在反射構(gòu)件LRU上布置包封構(gòu)件(未示出)，其中，包封構(gòu)件可以包括玻璃、金屬或塑料。

此外，包封構(gòu)件可以具有其中堆疊有一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)層或無(wú)機(jī)層的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置4000至少包括多個(gè)像素P1、P2、P3和P4以及發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300。

發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300布置在多個(gè)像素P1、P2、P3和P4之間，其中，第一發(fā)光二極管單元LU1對(duì)應(yīng)于第一像素P1，第二發(fā)光二極管單元LU2對(duì)應(yīng)于第二像素P2，第三發(fā)光二極管單元LU3對(duì)應(yīng)于第三像素P3，第四發(fā)光二極管單元LU4對(duì)應(yīng)于第四像素P4。

光通過(guò)四個(gè)像素P1、P2、P3和P4經(jīng)由單個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300而產(chǎn)生，并因此增加了驅(qū)動(dòng)顯示裝置4000的效率。

這里，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的分隔單元SU可以減小或防止第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4對(duì)彼此的電干擾。此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)分隔單元SU包括減少光透射的材料(例如，BM材料)時(shí)，可以減小或防止基于第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4對(duì)彼此的光干擾的影響，從而改善顯示裝置4000的光特性及其圖像質(zhì)量特性。

根據(jù)示例性實(shí)施例，可以布置反射層4020。結(jié)果，第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4產(chǎn)生的光可以被反射層4020反射，因此可以改善顯示裝置4000的光效率。

此外，通過(guò)使用光控制構(gòu)件LER，可以改善朝向用戶的光提取并可以改善光均勻性，因此可以改善顯示裝置4000的圖像質(zhì)量特性。

圖20A和圖20B是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置中的像素布置的各種示例的平面圖。

參照?qǐng)D20A，四個(gè)像素P1、P2、P3和P4彼此相鄰。第一像素P1和第二像素P2布置為沿第一方向(圖20A中的x軸方向)彼此相鄰。第二像素P2和第三像素P3布置為沿與第一方向相交的第二方向(圖20A中的y軸方向)彼此相鄰。此外，第三像素P3和第四像素P4布置為沿第一方向(圖20A中的x軸方向)彼此相鄰。第四像素P4和第一像素P1布置為沿與第一方向相交的第二方向(圖20A中的y軸方向)彼此相鄰。發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以對(duì)應(yīng)于第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4。

換句話說(shuō)，單個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以布置為對(duì)應(yīng)于彼此相鄰的四個(gè)像素P1、P2、P3和P4。

根據(jù)示例性實(shí)施例，彼此相鄰的四個(gè)像素P1、P2、P3和P4可以圍繞發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300形成類矩形形狀。

根據(jù)示例性實(shí)施例，第一像素P1可以表現(xiàn)第一顏色的光。第二像素P2和第三像素P3可以表現(xiàn)與第一像素P1實(shí)現(xiàn)的第一顏色不同的同一第二顏色的光。第四像素P4可以表現(xiàn)與第一像素P1實(shí)現(xiàn)的第一顏色以及第二像素P2和第三像素P3實(shí)現(xiàn)的第二顏色不同的第三顏色的光。

此外，第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4相鄰。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以在第一方向(圖20A中的x軸方向)上與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4相鄰。

第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以分別表現(xiàn)與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4的光相同顏色的光。

此外，第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12可以與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4相鄰。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12可以在與第一方向(圖20A的x軸方向)相交第二方向(圖20A的y軸方向)上與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4相鄰。

第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12可以分別表現(xiàn)與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4的光相同顏色的光。

此外，第十三像素P13、第十四像素P14、第十五像素P15和第十六像素P16可以與第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12相鄰。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第十三像素P13、第十四像素P14、第十五像素P15和第十六像素P16可以在第一方向(圖20A的x軸方向)上與第九像素P9、第十像素P10、第十一像素P11和第十二像素P12相鄰。

第十三像素P13、第十四像素P14、第十五像素P15和第十六像素P16可以分別表現(xiàn)與第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4的光相同顏色的光。

通過(guò)控制發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的第一發(fā)光二極管單元LU1、第二發(fā)光二極管單元LU2、第三發(fā)光二極管單元LU3和第四發(fā)光二極管單元LU4，各個(gè)像素可以設(shè)定為發(fā)射不同顏色。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，在所有像素中包括的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以設(shè)定為發(fā)射同一顏色的光，并且通過(guò)使用顏色轉(zhuǎn)換層(未示出)、顏色轉(zhuǎn)換濾器(未示出)、濾色器等，各個(gè)像素可以被控制為發(fā)射不同顏色的光。

參照?qǐng)D20B，像素和發(fā)光二極管的布置與圖20A的相應(yīng)布置相似。換句話說(shuō)，第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4彼此相鄰。此外，單個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以布置為對(duì)應(yīng)于彼此相鄰的四個(gè)像素P1、P2、P3和P4。

此外，其他四個(gè)像素可以彼此相鄰，單個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300可以布置為對(duì)應(yīng)于彼此相鄰的四個(gè)像素。

圍繞單個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)300的四個(gè)像素可以不在第一方向(y軸方向)和第二方向(x軸方向)而在第三方向上鄰近于第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4，所述第三方向相對(duì)于第一方向(y軸方向)和第二方向(x軸方向)傾斜小于90度或大于90度的角度。

與圖20A相比，第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4不在第一方向(y軸方向)和第二方向(x軸方向)而在第三方向上彼此相鄰，所述第三方向相對(duì)于第一方向(y軸方向)和第二方向(x軸方向)傾斜小于90度或大于90度的角度。

可以各種各樣地定義圖20A和圖20B中的第一方向、第二方向和第三方向。換句話說(shuō)，第一方向、第二方向和第三方向可以被顯示裝置的邊緣所定義。此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，圖20A和圖20B中的第一方向、第二方向和第三方向可以是當(dāng)用戶在使用顯示裝置時(shí)基于用戶的眼睛的方向。

此外，根據(jù)示例性實(shí)施例，第一像素P1可以表現(xiàn)第一顏色的光，而第二像素P2和第四像素P4可以表現(xiàn)與第一顏色不同的第二顏色的光。第三像素P3可以表現(xiàn)與第一像素P1實(shí)現(xiàn)的第一顏色以及第二像素P2和第四像素P4實(shí)現(xiàn)的第二顏色不同的第三顏色的光。

基于以上描述的各種單元構(gòu)造，可以實(shí)施滿足用戶方便需求并滿足各種目的以及其圖像質(zhì)量特性的顯示裝置。

如上所述，根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)上述的示例性實(shí)施例，根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)和顯示裝置可以提供具有改善的光特性、圖像質(zhì)量特性和制造便利性的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)以及包括其的顯示裝置。

應(yīng)理解的是，應(yīng)僅以描述性的含義考慮在這里描述的示例性實(shí)施例，而不是為了限制的目的。在每個(gè)示例性實(shí)施例中的特征或示例性實(shí)施例的描述通常應(yīng)被視為可用于其他示例性實(shí)施例中的其他相似特征或示例性實(shí)施例。

雖然已經(jīng)參照附圖描述了一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可以在其中做出形式上和細(xì)節(jié)上的各種改變。