本發(fā)明涉及P型多晶雙面太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)制造領(lǐng)域，具體是一種提高多晶硅太陽(yáng)能電池背面開(kāi)壓的鍍膜工藝。

背景技術(shù)：

在普通單、多晶太陽(yáng)能電池片工藝中，開(kāi)路電壓Uoc是影響電池轉(zhuǎn)換效率的重要參數(shù)。Uoc主要由硅片本身品質(zhì)和PN結(jié)工藝決定，而雙面電池的背面沒(méi)有PN結(jié)工藝，無(wú)法通過(guò)該工藝來(lái)提高背面Uoc。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：如何通過(guò)鍍膜提高多晶硅雙面太陽(yáng)能電池背面開(kāi)壓。

本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種提高多晶硅太陽(yáng)能電池背面開(kāi)壓的鍍膜工藝，按照如下的步驟進(jìn)行：

步驟一、將多晶硅片基材和純銀靶材置于等離子合金化爐內(nèi)，抽真空至0.5Pa后，通入NH₃，氣壓控制在35Pa，同時(shí)開(kāi)啟工件電源和源極電源，使工件電壓高于源極電壓，壓差保持250V。緩慢升高電壓，溫度升至930℃后，保溫30min，對(duì)工件背面進(jìn)行濺射2-4秒；

步驟二、將溫度冷到430℃-450℃進(jìn)行PECVD鍍膜，背面層膜鍍膜時(shí)，SiH₄氣體流量為3.6slm，NH₃的氣體流量為1100sccm，鍍膜時(shí)間150s，射頻功率為5650W，正面層膜鍍膜時(shí)，SiH₄氣體流量為6.8slm，NH₃的氣體流量為680sccm，鍍膜時(shí)間150s，射頻功率為5650W。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明在PECVD鍍膜前，對(duì)多晶硅片背面進(jìn)行銀硅摻雜，使SiN附在銀硅摻雜硅層上提高了多晶硅太陽(yáng)能電池背面開(kāi)壓。

具體實(shí)施方式

在進(jìn)行PECVD鍍膜前，將多晶硅片基材和純銀靶材置于等離子合金化爐內(nèi)，抽真空至0.5Pa后，通入NH₃，氣壓控制在35Pa，同時(shí)開(kāi)啟工件電源和源極電源，使工件電壓高于源極電壓，壓差保持250V。緩慢升高電壓，溫度升至930℃后，保溫30min，對(duì)工件兩面分別進(jìn)行濺射2-4秒；使在多晶硅片背面表面形成一層銀硅摻雜層，控制銀硅摻雜層的銀硅原子比為1:100-1:50，提高了多晶硅太陽(yáng)能電池背面開(kāi)壓。將溫度冷到430℃-450℃進(jìn)行PECVD鍍膜，背面層膜鍍膜時(shí)，SiH₄氣體流量為3.6slm，NH₃的氣體流量為1100sccm，鍍膜時(shí)間150s，射頻功率為5650W，折射率控制為2.31，正面層膜鍍膜時(shí)，SiH₄氣體流量為6.8slm，NH₃的氣體流量為680sccm，鍍膜時(shí)間150s，射頻功率為5650W，折射率控制為2.02。