此申請要求2015年8月25日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請第10-2015-0119825號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其出于各種目的通過引用被合并于此，如同完全在本文中提出。

技術(shù)領(lǐng)域

示例性實施例涉及一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光顯示裝置可以是具有空穴注入電極、電子注入電極、以及在空穴注入電極與電子注入電極之間的有機發(fā)光層的自發(fā)光顯示裝置。隨著由空穴注入電極注入的空穴和由電子注入電極注入的電子在有機發(fā)光層中結(jié)合并變成中性，光被發(fā)射。有機發(fā)光顯示裝置已經(jīng)作為具有例如低功耗、高亮度和快速響應(yīng)速度的高品質(zhì)特性的下一代顯示裝置而受矚目。

在此背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于增強對本發(fā)明構(gòu)思的背景技術(shù)的理解，因此可能包含不構(gòu)成在該國家對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

示例性實施例提供了一種可降低其制造成本的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。

另外方面將在隨后的詳細描述中提出，部分地通過公開而顯而易見，或者可以通過對發(fā)明構(gòu)思的實踐來獲知。

根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法包括：在基底上形成陽極；在包括陽極的基底上形成剝離層，剝離層包括含氟聚合物；在剝離層上形成聚合物層；使用卷對卷印花工藝(roll-to-roll stamp process)在聚合物層的與陽極重疊的第一部分上形成圖案；使用包括氟的第一溶劑蝕刻剝離層的與圖案對應(yīng)的第一部分，剝離層的第一部分被設(shè)置在陽極上；在陽極和聚合物層的沒有形成圖案的第二部分上形成包括有機發(fā)光層的有機功能層；使用包括氟的第二溶劑除去剝離層；以及在有機功能層上形成陰極。

根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法包括：在基底上形成陽極；在包括陽極的基底上形成剝離層，剝離層包括含氟聚合物；使用卷對卷印花工藝在剝離層的與陽極重疊的第一部分上形成圖案；在陽極和剝離層的沒有形成圖案的第二部分上形成包括有機發(fā)光層的有機功能層；使用包括氟的溶劑除去剝離層；以及在有機功能層上形成陰極。

根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法包括：在基底上形成彼此隔開的第一陽極和第二陽極；在第一陽極和第二陽極中的每個上進行單元工藝；在針對第一陽極和第二陽極中的每個進行單元工藝之后形成陰極。單元工藝包括：在基底上形成剝離層，剝離層包括含氟聚合物；在剝離層上形成聚合物層；使用卷對卷印花工藝在聚合物層的與對應(yīng)陽極重疊的第一部分上形成圖案；使用包括氟的第一溶劑蝕刻剝離層的與圖案對應(yīng)的第一部分；在對應(yīng)陽極和聚合物層的沒有形成圖案的第二部分上形成包括有機發(fā)光層的有機功能層；以及使用包括氟的第二溶劑除去剝離層。被設(shè)置在第一陽極上的第一有機發(fā)光層和被設(shè)置在第二陽極上的第二有機發(fā)光層被配置為發(fā)射不同顏色的光。

根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法包括：在基底上形成彼此隔開的第一陽極和第二陽極；在第一陽極和第二陽極中的每個上進行單元工藝；在針對第一陽極和第二陽極中的每個進行單元工藝之后形成陰極。單元工藝包括：在基底上形成包括含氟聚合物的剝離層；使用卷對卷印花工藝在剝離層的與對應(yīng)陽極重疊的第一部分上形成圖案；在對應(yīng)陽極和剝離層的沒有形成圖案的第二部分上形成包括有機發(fā)光層的有機功能層；以及使用包括氟的溶劑除去剝離層。被設(shè)置在第一陽極上的第一有機發(fā)光層和被設(shè)置在第二陽極上的第二有機發(fā)光層被配置為發(fā)射不同顏色的光。

前述一般性描述和下面的詳細描述都是示例性和解釋性的，并且旨在提供對要求保護的主題的進一步解釋。

附圖說明

被包括進來以提供對發(fā)明構(gòu)思的進一步理解并且被并入且構(gòu)成此說明書中的一部分的附圖示出了發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，并與描述一起用于解釋發(fā)明構(gòu)思的原理。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖。

圖2是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的在基底上形成的陽極的剖視圖。

圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E和圖3F是示意性地示出了圖1的制造方法的第一單元操作的剖視圖。

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E和圖4F是示意性地示出了圖1的制造方法的第二單元操作的剖視圖。

圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E和圖5F是示意性地示出了圖1的制造方法的第三單元操作的剖視圖。

圖6是通過圖1的制造方法制造的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。

圖7是通過根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的制造方法制造的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。

圖8是通過根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的制造方法制造的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。

圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖。

圖10A、圖10B、圖10C和圖10D是示意性地示出了圖9的制造方法的第一單元操作的剖視圖。

圖11A、圖11B、圖11C和圖11D是示意性地示出了圖9的制造方法的第二單元操作的剖視圖。

圖12A、圖12B、圖12C和圖12D是示意性地示出了圖9的制造方法的第三單元操作的剖視圖。

具體實施方式

在下面的描述中，出于解釋的目的，為了提供對各種示例性實施例的徹底理解，闡述了許多具體的細節(jié)。然而，很明顯各種示例性實施例可以在沒有這些具體細節(jié)或具有一個或多個等同布置的情況下實施。在其它情況下，為了避免不必要地使各種示例性實施例晦澀難懂，公知的結(jié)構(gòu)和設(shè)備以框圖形式被示出。

在附圖中，為了清楚和描述性目的，層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對尺寸可能被夸大。此外，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。

當(dāng)一個元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“被連接到”或“被結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由?，被直接連接到或結(jié)合到另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g元件或中間層。然而，當(dāng)一個元件或?qū)颖环Q為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“被直接連接到”或“被直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。出于此公開的目的，“X、Y和Z中的至少一個”和“選自由X、Y和Z組成的組中的至少一個”可以被解釋為只有X、只有Y、只有Z、或X、Y和Z中的兩個或更多個的任意組合，諸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。在全文中，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。如本文所用，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的所列項目的一個或多個的任意和所有組合。

雖然術(shù)語第一、第二等可在本文中用來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用來區(qū)分一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。因此，在不脫離本公開的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、第一組件、第一區(qū)域、第一層和/或第一部分可以被稱為第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層和/或第二部分。

出于解釋性目的，在本文中使用了諸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空間相對術(shù)語來描述如圖中所示的一個元件或特征與另一個元件或特征的關(guān)系。除了圖中描述的方位之外，空間相對術(shù)語意在包含裝置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件將然后被定向為在其它元件或特征的“上方”。因此，術(shù)語“下方”可以包括上方和下方兩種方位。此外，裝置可被另外定向(例如旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方向)，諸如，本文使用的空間相對描述符可以被相應(yīng)地解釋。

本文使用的術(shù)語僅用于描述特定的實施例，并不旨在進行限制。如本文所用，單數(shù)形式的“一”、“所述”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確指示。此外，當(dāng)在此說明書中使用時，術(shù)語“包括”和/或“包含”表明存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

在本文中參考理想化示例性實施例和/或中間結(jié)構(gòu)的示意性圖示的剖視圖示來描述各種示例性實施例。這樣，作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果，可以預(yù)期與圖示的形狀之間的變化。因此，在本文中公開的示例實施例不應(yīng)被解釋為限于區(qū)域的特定示出的形狀，而是包括例如由于制造而造成的形狀的偏差。例如，被示出為矩形的植入?yún)^(qū)域在其邊緣處將通常具有圓形或彎曲的特征和/或植入濃度的梯度，而不是從植入?yún)^(qū)域到非植入?yún)^(qū)域的二進制變化。同樣，通過植入形成的掩埋區(qū)域可能導(dǎo)致在掩埋區(qū)域與植入發(fā)生的表面之間的區(qū)域中的一些植入。因而，圖中所示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不旨在示出設(shè)備的區(qū)域的實際形狀，也不旨在進行限制。

除非另有定義，本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與此公開是其一部分的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。諸如那些在常用字典中定義的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的上下文中的含義一致的含義，將不以理想化或過于正式的意義來解釋，除非在本文中明確地如此定義。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖。

參考圖1，在根據(jù)本示例性實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置1的方法中，根據(jù)步驟S10，在基底上形成陽極。在步驟S20中，在包括陽極的基底上形成包括含氟聚合物的剝離層。在步驟S30中，在剝離層上形成聚合物層，并且利用卷對卷印花工藝在聚合物層上形成圖案。

在步驟S40中，使用包括氟的第一溶劑蝕刻在陽極上方的其上形成有圖案的剝離層的一部分。在步驟S50中，在陽極上方和保留有聚合物層的區(qū)域的上方形成包括有機發(fā)光層的有機功能層。在步驟S60中，使用包括氟的第二溶劑除去剝離層。在步驟S70中，在有機發(fā)光層上形成陰極。

下面將參考圖2至圖6詳細描述根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的制造方法。

圖2是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的在基底上形成的陽極的剖視圖。圖3A至圖3F是示意性地示出了圖1的制造方法的第一單元操作的剖視圖。圖4A至圖4F是示意性地示出了圖1的制造方法的第二單元操作的剖視圖。圖5A至圖5F是示意性地示出了圖1的制造方法的第三單元操作的剖視圖。圖6是通過圖1的制造方法制造的有機發(fā)光顯示裝置1的示意性剖視圖。

參考圖2，包括第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103的陽極被形成在基底100上。

基底100可以由包括玻璃或塑料的柔性材料形成。例如，塑料可以由諸如聚酰亞胺、聚苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亞胺或聚醚砜的具有優(yōu)異的耐熱性和耐用特性的材料形成。

盡管在圖2中未示出，但平坦表面可以被形成在基底100上方，緩沖層(未示出)可被進一步形成在平坦表面上，以防止雜質(zhì)滲入。緩沖層可以包括單層或多層的氮化硅和/或氧化硅。

作為空穴注入電極的第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103可以包括具有相對大的功函數(shù)的材料。第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103可以包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵和氧化鋁鋅中的至少一種。

盡管在圖2中未示出，第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103可以被分別電連接到位于基底100與第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103之間的第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管(未示出)。

參考圖3A，包括含氟聚合物的剝離層120被形成在其上形成有第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103的基底100上。

被包括在剝離層120中的含氟聚合物可以是具有約10至60重量％的氟含量的聚合物。例如，被包括在剝離層120中的含氟聚合物可以包括聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯和二氯二氟乙烯的共聚物、四氟乙烯和全氟代烷基乙烯基醚的共聚物、氯三氟乙烯和全氟代烷基乙烯基醚的共聚物、四氟乙烯和全氟代烷基乙烯基醚的共聚物、以及氯三氟乙烯和全氟代烷基乙烯基醚的共聚物中的至少一種。

剝離層120可通過例如涂覆法、印刷法或沉積法被形成在基底100上。當(dāng)剝離層120通過涂覆法或印刷法形成時，可以在進行固化和聚合工藝之后進行圖案化工藝。

剝離層120的厚度可以大于等于約0.2微米且小于等于約5微米。當(dāng)剝離層120的厚度過厚時，為了圖案化而熔化剝離層120的時間增加，這可能增加制造工藝時間。當(dāng)剝離層120的厚度過薄時，可能難以進行剝離工藝。

參考圖3B，聚合物層130被形成在剝離層120上。

聚合物層130可以由可以在由驅(qū)動輥DR1(參考圖3C)提供的溫度范圍內(nèi)產(chǎn)生玻璃轉(zhuǎn)化的各種聚合物材料形成，以通過卷對卷印花工藝形成圖案，這將參考圖3C更詳細地描述。聚合物層130還可以包括紫外線固化樹脂或熱固化樹脂。

聚合物層130的玻璃轉(zhuǎn)化溫度可以大于等于50℃并且小于等于130℃。當(dāng)溫度過低時，可能難以在聚合物層130上產(chǎn)生玻璃轉(zhuǎn)化。當(dāng)溫度過高時，熱應(yīng)力可能被施加到剝離層120或包括有機發(fā)光層的有機功能層150(參考圖3E)。

參考圖3C，第一凹入圖案131通過卷對卷印花工藝被形成在聚合物層130上。圖3B的結(jié)構(gòu)被插入在驅(qū)動輥DR1與支撐輥SR1之間。

在驅(qū)動輥DR1被對準(zhǔn)使得驅(qū)動輥DR1的第一凸出圖案DR11位于聚合物層130的與第一陽極101對應(yīng)的部分處時，驅(qū)動輥DR1被旋轉(zhuǎn)以按壓聚合物層130。支撐輥SR1位于基底100的下方，以在驅(qū)動輥DR1在聚合物層130上行進時支撐基底100。

驅(qū)動輥DR1可以包括溫度調(diào)節(jié)器(未示出)。由驅(qū)動輥DR1提供的溫度范圍比聚合物層130的玻璃轉(zhuǎn)化溫度高。達到玻璃轉(zhuǎn)化溫度的聚合物層130可以處于軟狀態(tài)。以這種方式，第一凹入圖案131被形成在聚合物層130的由驅(qū)動輥DR1的第一凸出圖案DR11印花的部分中。

當(dāng)聚合物層130包括紫外線固化樹脂時，聚合物層130可通過在聚合物層130上形成第一凹入圖案131然后直接對第一凹入圖案131照射紫外光而被固化。當(dāng)聚合物層130包括熱固化樹脂時，聚合物層130可通過在聚合物層130上形成第一凹入圖案131然后在第一凹入圖案131上進行熱處理工藝被固化。聚合物層130的驅(qū)動輥DR1的第一凸出圖案DR11未經(jīng)過的區(qū)域136保持未被圖案化。

雖然圖3C示出了僅在聚合物層130上形成第一凹入圖案131的結(jié)構(gòu)，第一凹入圖案131可以通過改變驅(qū)動輥DR1的第一凸出圖案DR11的結(jié)構(gòu)或者調(diào)整印花壓力而被形成在剝離層120的上部。

參考圖3D，剝離層120通過使用被形成在圖3C的聚合物層130上的第一凹入圖案131被蝕刻。

由于剝離層120包括含氟聚合物，因此能蝕刻含氟聚合物的溶劑可以被用作蝕刻劑。包括氟的第一溶劑(未示出)可以被用作蝕刻劑。第一溶劑可包括氫氟醚。氫氟醚由于其與其它材料的低的相互作用而是電化學(xué)穩(wěn)定的材料，并且由于其低的全球暖化潛勢和毒性而是環(huán)境上穩(wěn)定的材料。

在蝕刻工藝中，剝離層120的與第一凹入圖案131對應(yīng)(也就是在第一陽極101的上方)的部分被蝕刻。更具體地說，剝離層120的被設(shè)置在第一陽極101上的部分使用上述包括氫氟醚的第一溶劑被蝕刻。

在剝離層120的蝕刻期間，包括氟的第一溶劑在被設(shè)置在保留有聚合物層130的區(qū)域136(參考圖3E)的界面下的剝離層120中形成第一底切輪廓UC1。

第一底切輪廓UC1可以使得能夠在沉積工藝中形成第一有機功能層150的精細沉積圖案，這將參考圖3E更詳細地描述，并在剝離工藝中干凈地除去保留在基底100上的剝離層120，這將參考圖3F更詳細地描述。

參考圖3E，包括第一有機發(fā)光層的第一有機功能層150被形成在圖3D的結(jié)構(gòu)上。第一有機功能層150還可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個。在本示例性實施例中，第一有機發(fā)光層被用作第一有機功能層150的一個示例。在下文中，為了描述方便，第一有機功能層和第一有機發(fā)光層可以具有相同的附圖標(biāo)記。

第一有機功能層150可以通過真空沉積法形成。在沉積工藝中，剝離層120和聚合物層130用作掩模。以這種方式，第一有機功能層150的第一部分151被設(shè)置在第一陽極101上，第一有機功能層150被設(shè)置在保留有聚合物層130的區(qū)域136上。

參考圖3F，對圖3E的結(jié)構(gòu)進行剝離工藝。

由于剝離層120包括含氟聚合物，因此包括氟的第二溶劑被用在剝離工藝中。由于剝離工藝在形成第一有機功能層150之后進行，因此具有對有機功能層150低反應(yīng)性的材料被用作第二溶劑。第二溶劑可包括氫氟醚。

隨著被形成在保留有聚合物層130的區(qū)域136下方的剝離層120的區(qū)域126(參考圖3E)被剝離，被設(shè)置在保留有聚合物層130的區(qū)域136上的第一有機功能層150被除去，因此被形成在第一陽極101上的第一有機功能層150的第一部分151被留下作為圖案。

根據(jù)本示例性實施例，由于第一有機功能層150的第一部分151的圖案在剝離工藝中形成，而不是使用具有開口的金屬掩模(未示出)被沉積，因此可以防止基底100與金屬掩模之間的未對準(zhǔn)。此外，由于剝離層120的圖案化通過輥對輥印花工藝來進行，而不是光刻工藝，因此可以降低工藝成本。

在進行了上述第一單元工藝之后，形成發(fā)射與第一有機功能層150的第一部分151的顏色不同顏色的光的第二有機功能層160的第一部分162(參考圖4F)的第二單元工藝在設(shè)置有第二陽極102的區(qū)域中進行。第二單元工藝將在下面參考圖4A至圖4F描述。

參考圖4A，包括含氟聚合物的剝離層120被形成在形成有第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103的基底100上。

剝離層120可以包括與在第一單元工藝中使用的含氟聚合物相同或不同的材料。剝離層120可通過例如涂覆法、印刷法或沉積法形成。

參考圖4B，聚合物層130被形成在剝離層120上。

聚合物層130可以由可以在由驅(qū)動輥DR2(參考圖4C)提供的溫度范圍內(nèi)產(chǎn)生玻璃轉(zhuǎn)化的各種聚合物材料形成，以通過卷對卷印花工藝形成圖案，這將參考圖4C更詳細地描述。聚合物層130可以包括與在第一單元工藝中使用的聚合物層相同或不同的材料。

參考圖4C，第二凹入圖案132通過卷對卷印花工藝被形成在聚合物層130上。圖4B的結(jié)構(gòu)被插入在驅(qū)動輥DR2與支撐輥SR2之間。

在驅(qū)動輥DR2被對準(zhǔn)使得驅(qū)動輥DR2的第二凸出圖案DR22位于聚合物層130的與第二陽極102對應(yīng)的部分處時，驅(qū)動輥DR2被旋轉(zhuǎn)以按壓聚合物層130。支撐輥SR2位于基底100的下方，以在驅(qū)動輥DR2在聚合物層130上行進時支撐基底100。

由于驅(qū)動輥DR2所傳送的熱而達到玻璃轉(zhuǎn)化溫度的聚合物層130可以處于軟狀態(tài)。以這種方式，第二凹入圖案132被形成在聚合物層130的由驅(qū)動輥DR2的第二凸出圖案DR22印花的部分中。聚合物層130的驅(qū)動輥DR2的第二凸出圖案DR22未經(jīng)過的區(qū)域137保持未被圖案化。

雖然圖4C示出了僅在聚合物層130上形成第二凹入圖案132的結(jié)構(gòu)，但第二凹入圖案132可以通過改變驅(qū)動輥DR2的第二凸出圖案DR22的結(jié)構(gòu)或者調(diào)整印花壓力而被形成在剝離層120的上部上。

參考圖4D，剝離層120通過使用被形成在圖4C的聚合物層130上的第二凹入圖案132被蝕刻。由于剝離層120包括含氟聚合物，因此能蝕刻含氟聚合物的溶劑可以被用作蝕刻劑。包括氟的第一溶劑(未示出)可以被用作蝕刻劑。如在上述第一單元工藝中，第一溶劑可包括氫氟醚。第一溶劑的氟的含量可以與第一單元工藝中使用的第一溶劑的氟的含量不同。

在蝕刻工藝中，剝離層120的與第二凹入圖案132對應(yīng)(也就是在第二陽極102的上方)的部分被蝕刻。更具體地說，剝離層120的被設(shè)置在第二陽極102上的部分使用上述包括氫氟醚的第一溶劑被蝕刻。

在剝離層120的蝕刻期間，包括氟的第一溶劑在被設(shè)置在保留有聚合物層130的區(qū)域137(參考圖4E)的界面下的剝離層120中形成第二底切輪廓UC2。

參考圖4E，包括第二有機發(fā)光層的第二有機功能層160被形成在圖4D的結(jié)構(gòu)上。第二有機功能層160可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個功能層。在本示例性實施例中，第二有機發(fā)光層被用作第二有機功能層160的一個示例。在下文中，為了描述方便，第二有機功能層和第二有機發(fā)光層可以具有相同的附圖標(biāo)記。

第二有機功能層160可以通過真空沉積法形成。在沉積工藝中，剝離層120和聚合物層130用作掩模。以這種方式，第二有機功能層160的第一部分162被設(shè)置在第二陽極102上，第二有機功能層160被形成在保留有聚合物層130的區(qū)域137上。

參考圖4F，對圖4E的結(jié)構(gòu)進行剝離工藝。

由于剝離層120包括含氟聚合物，因此包括氟的第二溶劑被用在剝離工藝中。由于剝離工藝在形成第二有機功能層160之后進行，因此具有對第二有機功能層160低反應(yīng)性的材料可以被用作第二溶劑。類似于第一溶劑，第二溶劑可包括氫氟醚。

隨著被形成在保留有聚合物層130的區(qū)域137(參考圖4E)下方的剝離層120的區(qū)域127(參考圖4E)被剝離，被設(shè)置在保留有聚合物層130的區(qū)域137上的第二有機功能層160被除去，被形成在第二陽極102上的第二有機功能層160的第一部分162被留下作為圖案。

在進行了上述第一單元工藝和第二單元工藝之后，形成發(fā)射與第一有機功能層150的第一部分151和第二有機功能層160的第一部分162的顏色不同顏色的光的第三有機功能層170的第一部分173(參考圖5F)的第三單元工藝在設(shè)置有第三陽極103的區(qū)域中進行。第三單元工藝將在下面參考圖5A至圖5F描述。

參考圖5A，包括含氟聚合物的剝離層120被形成在形成有第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103的基底100上。

剝離層120可以包括與在第一單元工藝和第二單元工藝中使用的含氟聚合物相同或不同的材料。剝離層120可通過例如涂覆法、印刷法或沉積法被形成在基底100上。

參考圖5B，聚合物層130被形成在剝離層120上。

聚合物層130可以由可以在由驅(qū)動輥DR3(參考圖5C)提供的溫度范圍內(nèi)產(chǎn)生玻璃轉(zhuǎn)化的各種聚合物材料形成，以通過卷對卷印花工藝形成圖案。聚合物層130可以包括與在第一單元工藝和第二單元工藝中使用的聚合物層相同或不同的材料。

參考圖5C，第三凹入圖案133通過卷對卷印花工藝被形成在聚合物層130上。圖5B的結(jié)構(gòu)被插入在驅(qū)動輥DR3與支撐輥SR3之間。

在驅(qū)動輥DR3被對準(zhǔn)使得驅(qū)動輥DR3的第三凸出圖案DR33位于聚合物層130的與第三陽極103對應(yīng)的部分處時，驅(qū)動輥DR3被旋轉(zhuǎn)以按壓聚合物層130。支撐輥SR3位于基底100的下方，以在驅(qū)動輥DR3在聚合物層130上行進時支撐基底100。

由于驅(qū)動輥DR3所傳送的熱而達到玻璃轉(zhuǎn)化溫度的聚合物層130可以處于軟狀態(tài)。以這種方式，第三凹入圖案133被形成在聚合物層130的由驅(qū)動輥DR3的第三凸出圖案DR33印花的一部分中。聚合物層130的驅(qū)動輥DR3的第三凸出圖案DR33未經(jīng)過的區(qū)域138保持未被圖案化。

雖然圖5C示出了僅在聚合物層130上形成第三凹入圖案133的結(jié)構(gòu)，第三凹入圖案133可以通過改變驅(qū)動輥DR3的第三凸出圖案DR33的結(jié)構(gòu)或者調(diào)整印花壓力而被形成在剝離層120的上部。

參考圖5D，剝離層120使用被形成在圖5C的聚合物層130上的第三凹入圖案133被蝕刻。

由于剝離層120包括含氟聚合物，因此能夠蝕刻含氟聚合物的溶劑可以被用作蝕刻劑。包括氟的第一溶劑(未示出)可以被用作蝕刻劑。如在上述第一單元工藝中，第一溶劑可包括氫氟醚。第一溶劑的氟的含量可以與第一單元工藝中使用的第一溶劑的氟的含量不同。

在蝕刻工藝中，剝離層120的與第三凹入圖案133對應(yīng)(也就是在第三陽極103的上方)的部分被蝕刻。更具體地說，剝離層120的被設(shè)置在第三陽極103上的部分使用上述包括氫氟醚的第一溶劑被蝕刻。

在剝離層120的蝕刻期間，包括氟的第一溶劑在被設(shè)置在保留有聚合物層130的區(qū)域138(參考圖5E)的界面下的剝離層120中形成第三底切輪廓UC3。

參考圖5E，包括第三有機發(fā)光層的第三有機功能層170被形成在圖5D的結(jié)構(gòu)上。第三有機功能層170可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個功能層。在本示例性實施例中，第三有機發(fā)光層被用作第三有機功能層170的一個示例。在下文中，為了描述方便，第三有機功能層和第三有機發(fā)光層可以具有相同的附圖標(biāo)記。

第三有機功能層170可以通過真空沉積法形成。在沉積工藝中，剝離層120和聚合物層130用作掩模。以這種方式，第三有機功能層170的第一部分173被設(shè)置在第三陽極103上，第三有機功能層170被形成在保留有聚合物層130的區(qū)域138上。

參考圖5F，對圖5E的結(jié)構(gòu)進行剝離工藝。

由于剝離層120包括含氟聚合物，因此包括氟的第二溶劑被用在剝離工藝中。由于剝離工藝在形成第三有機功能層170之后進行，因此具有對第三有機功能層170低反應(yīng)性的材料可以被用作第二溶劑。類似于第一溶劑，第二溶劑可包括氫氟醚。

隨著被形成在保留有聚合物層130的區(qū)域138(參考圖5E)下方的剝離層120的區(qū)域128(參考圖5E)被剝離，被設(shè)置在保留有聚合物層130的區(qū)域138上的第三有機功能層170被除去，因此被設(shè)置在第三陽極103上的第三有機功能層170的第一部分173被留下作為圖案。

參考圖6，在通過第一單元工藝、第二單元工藝和第三單元工藝形成了第一有機功能層150的第一部分151、第二有機功能層160的第一部分162和第三有機功能層170的第一部分173之后，陰極180被設(shè)置在其上作為公共層。

盡管圖6示出了被形成在第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103上的陰極180被分離地形成，但是本公開不限于此，陰極180可被一體地形成。

第一有機功能層150的第一部分151、第二有機功能層160的第一部分162和第三有機功能層170的第一部分173可以發(fā)射不同顏色的光。由第一有機功能層150的第一部分151、第二有機功能層160的第一部分162和第三有機功能層170的第一部分173發(fā)射的光在被混合在一起時可以顯示為白光。例如，第一有機功能層150的第一部分151、第二有機功能層160的第一部分162和第三有機功能層170的第一部分173可以分別發(fā)射紅色、綠色和藍色的光。例如，第一有機功能層150的第一部分151、第二有機功能層160的第一部分162和第三有機功能層170的第一部分173可限定形成有機發(fā)光顯示裝置1的單元像素的子像素。圖6的有機發(fā)光顯示裝置1可指示一個單元像素。

根據(jù)參考圖6示出的本示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置可以被應(yīng)用于具有多個單元像素的有機發(fā)光顯示裝置。

例如，參考圖3C，在第一單元工藝中，第一凹入圖案131可以通過使用具有第一凸出圖案DR11的驅(qū)動輥DR1被形成在聚合物層130上，用于發(fā)射第一顏色的第一有機功能層150的第一部分151可以通過將第一凹入圖案131用作蝕刻掩模而被同時形成在第一陽極101上。

參考圖4C，在第二單元工藝中，第二凹入圖案132可以通過使用具有第二凸出圖案DR22的驅(qū)動輥DR2被形成在聚合物層130上，用于發(fā)射第二顏色的第二有機功能層160的第一部分162可以通過將第二凹入圖案132用作蝕刻掩模而被同時形成在第二陽極102上。

參考圖5C，在第三單元工藝中，第三凹入圖案133可以通過使用具有第三凸出圖案DR33的驅(qū)動輥DR3被形成在聚合物層130上，用于發(fā)射第三顏色的第三有機功能層170的第一部分173可以通過將第三凹入圖案133用作蝕刻掩模而被同時形成在第三陽極103上。以這種方式，有機發(fā)光顯示裝置1可以通過上述第一單元工藝至第三單元工藝體現(xiàn)全彩色。

圖7是通過根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的制造方法制造的有機發(fā)光顯示裝置2的示意性剖視圖。

圖7的有機發(fā)光顯示裝置2的制造方法可以類似于上述圖6的有機發(fā)光顯示裝置1的制造方法。在下文中，將主要描述與上述圖6的有機發(fā)光顯示裝置1的制造方法的差別。

參考圖7，第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103被形成在基底100上。像素限定層110被設(shè)置為圍繞第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103的邊緣。像素限定層110限定發(fā)光區(qū)域，并且防止第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103與陰極180之間的短路。

在本示例性實施例中，在形成第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103以及像素限定層110之后進行第一單元工藝、第二單元工藝和第三單元工藝。通過第一單元工藝至第三單元工藝，第一有機功能層150的第一部分151、第二有機功能層160的第一部分162和第三有機功能層170的第一部分173被分別形成在第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103上，陰極180被形成為公共層。

圖8是通過根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的制造方法制造的有機發(fā)光顯示裝置3的示意性剖視圖。

圖8的有機發(fā)光顯示裝置3的制造方法可以類似于上述圖7的有機發(fā)光顯示裝置2的制造方法。在下文中，將主要描述與上述圖7的有機發(fā)光顯示裝置2的制造方法的差別。

參考圖8，第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103被形成在基底100上。像素限定層110被設(shè)置為圍繞第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103的邊緣。像素限定層110限定發(fā)光區(qū)域，并且防止第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103與陰極180之間的短路。在本示例性實施例中，在形成第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103以及像素限定層110之后進行第一單元工藝、第二單元工藝和第三單元工藝。

在第一單元工藝中，再次參考圖3C，被設(shè)置在第一陽極101上的剝離層120通過輥對輥印花工藝和蝕刻工藝被蝕刻。接下來，第一有機功能層150的第一部分151通過沉積工藝被形成在第一陽極101上。當(dāng)形成第一有機功能層150的第一部分151時，第一輔助陰極181被連續(xù)沉積在第一有機功能層150的第一部分151上，并進行剝離工藝。

在剝離工藝期間，使用包括氟的第二溶劑(未示出)。包括氟的第二溶劑可能損壞第一有機功能層150的第一部分151。這樣，第一輔助陰極181在剝離工藝期間用作相對于第一有機功能層150的第一部分151的壁壘。

在第一單元工藝之后進行第二單元工藝。再次參考圖4C，被設(shè)置在第二陽極102上的剝離層120通過輥對輥印花工藝和蝕刻工藝被蝕刻。接下來，第二有機功能層160的第一部分162通過沉積工藝被形成在第二陽極102上。當(dāng)形成第二有機功能層160的第一部分162時，第二輔助陰極182被連續(xù)沉積在第二有機功能層160的第一部分162上，并進行剝離工藝。

在剝離工藝期間，使用包括氟的第二溶劑(未示出)。包括氟的第二溶劑可能損壞第二有機功能層160的第一部分162。這樣，第二輔助陰極182在剝離工藝期間用作相對于第二有機功能層160的第一部分162的壁壘。

在第二單元工藝之后進行第三單元工藝。再次參考圖5C，被設(shè)置在第三陽極103上的剝離層120通過輥對輥印花工藝和蝕刻工藝被蝕刻。接下來，第三有機功能層170的第一部分173通過沉積工藝被形成在第三陽極103上。當(dāng)形成第三有機功能層170的第一部分173時，第三輔助陰極183被連續(xù)沉積在第三有機功能層170的第一部分173上，并進行剝離工藝。

在剝離工藝期間，使用包括氟的第二溶劑(未示出)。包括氟的第二溶劑可能損壞第三有機功能層170的第一部分173。這樣，第三輔助陰極183在剝離工藝期間用作相對于第三有機功能層170的第一部分173的壁壘。在進行了第一單元工藝至第三單元工藝之后，陰極180被形成為公共層。

根據(jù)圖8的制造方法，由于第一輔助陰極181、第二輔助陰極182和第三輔助陰極183在各自的單元工藝中在第一有機功能層150的第一部分151、第二有機功能層160的第一部分162和第三有機功能層170的第一部分173的沉積期間被分別連續(xù)沉積在第一有機功能層150的第一部分151、第二有機功能層160的第一部分162和第三有機功能層170的第一部分173上，因此可以防止在后續(xù)的剝離工藝中第一有機功能層150的第一部分151、第二有機功能層160的第一部分162和第三有機功能層170的第一部分173被損壞。另外，由于第一輔助陰極181、第二輔助陰極182和第三輔助陰極183與在第一單元工藝至第三單元工藝之后被公共形成在像素上的陰極180電接觸，因此可以防止陰極180的電壓降。

圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的制造方法的流程圖。

參考圖9，在根據(jù)本示例性實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置1的方法中，根據(jù)步驟S11，在基底上形成陽極。在步驟S21中，在包括陽極的基底上形成包括含氟聚合物的剝離層，并且通過卷對卷印花工藝在剝離層上形成圖案。

在步驟S31中，在陽極上方和保留有剝離層的區(qū)域上方形成包括有機發(fā)光層的有機功能層。在步驟S41中，使用包括氟的第二溶劑除去剝離層。在步驟S51中，在有機發(fā)光層上形成陰極。

將參考圖10A至圖12D詳細描述根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的制造方法。

圖10A至圖10D是示意性地示出了圖9的制造方法的第一單元操作的剖視圖。圖11A至圖11D是示意性地示出了圖9的制造方法的第二單元操作的剖視圖。圖12A至圖12D是示意性地示出了圖9的制造方法的第三單元操作的剖視圖。

參考圖10A，包括含氟聚合物的剝離層120被形成在其上形成有第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103的基底100上。

參考圖10B，第一凹入圖案121通過輥對輥印花工藝形成在剝離層120上。在本示例性實施例中，第一凹入圖案121被直接形成在剝離層120上，而不形成圖3B的聚合物層130。

剝離層120可以包括具有約10至60重量％的氟含量的含氟聚合物。剝離層120可以由可以在由驅(qū)動輥DR4提供的溫度范圍內(nèi)產(chǎn)生玻璃轉(zhuǎn)化的各種聚合物材料形成。圖10A的結(jié)構(gòu)被插入在驅(qū)動輥DR4與支撐輥SR4之間。

剝離層120的玻璃轉(zhuǎn)化溫度可以大于等于50℃并且小于等于130℃。當(dāng)溫度過低時，可能難以在剝離層120上產(chǎn)生玻璃轉(zhuǎn)化。當(dāng)溫度過高時，熱應(yīng)力可能被施加到包括有機發(fā)光層的有機功能層150(參考圖10C)。

在驅(qū)動輥DR4被對準(zhǔn)使得驅(qū)動輥DR4的第一凸出圖案DR44位于剝離層120的與第一陽極101對應(yīng)的部分處時，驅(qū)動輥DR4被旋轉(zhuǎn)以按壓剝離層120。支撐輥SR4位于基底100下，以在驅(qū)動輥DR4在剝離層120上行進時支撐基底100。

由于驅(qū)動輥DR4所傳送的熱而達到玻璃轉(zhuǎn)化溫度的剝離層120的一部分可以處于軟狀態(tài)。第一凹入圖案121被形成在剝離層120的由驅(qū)動輥DR4的第一凸出圖案DR44印花的部分中。剝離層120的驅(qū)動輥DR4的第一凸出圖案DR44未經(jīng)過的區(qū)域126保持未被圖案化。

參考圖10C，包括第一有機發(fā)光層的第一有機功能層150被形成在圖10B的結(jié)構(gòu)上。第一有機功能層150還可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個。在本示例性實施例中，第一有機發(fā)光層被用作第一有機功能層150的一個示例。在下文中，第一有機功能層和第一有機發(fā)光層可以具有相同的附圖標(biāo)記。

第一有機功能層150可以通過真空沉積法形成。在沉積工藝中，剝離層120用作掩模。以這種方式，第一有機功能層150的一部分151被設(shè)置在第一陽極101上，第一有機功能層150被形成在保留有剝離層120的區(qū)域126上。

參考圖10D，對圖10C的結(jié)構(gòu)進行剝離工藝。

由于剝離層120包括含氟聚合物，因此包括氟的第二溶劑被用在剝離工藝中。由于剝離工藝在形成第一有機功能層150之后進行，因此具有對有機功能層150低反應(yīng)性的材料被用作第二溶劑。類似于第一溶劑，第二溶劑可包括氫氟醚。

隨著被設(shè)置在區(qū)域126中的剝離層120被剝離，被設(shè)置在保留有剝離層120的區(qū)域126上的第一有機功能層150被除去，因此被形成在第一陽極101上的第一有機功能層150的第一部分151被留下作為圖案。

根據(jù)本示例性實施例，由于剝離層120被用作蝕刻掩模而無需單獨形成聚合物層130，制造工藝可以簡化，因此可以降低工藝成本。

在進行了上述第一單元工藝之后，形成發(fā)射與第一有機功能層150的第一部分151的顏色不同顏色的光的第二有機功能層160的第一部分162(參考圖11D)的第二單元工藝在設(shè)置有第二陽極102的區(qū)域中進行。第二單元工藝將在下面參考圖11A至圖11D描述。

參考圖11A，包括含氟聚合物的剝離層120被形成在其上形成有第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103的基底100上。

參考圖11B，第二凹入圖案122通過輥對輥印花工藝形成在剝離層120上。在本示例性實施例中，第二凹入圖案122被直接形成在剝離層120上，而不形成圖4B的聚合物層130。

剝離層120可以包括具有約10至60重量％的氟含量的含氟聚合物。剝離層120可以由可以在由驅(qū)動輥DR5提供的溫度范圍內(nèi)產(chǎn)生玻璃轉(zhuǎn)化的各種聚合物材料形成。圖11A的結(jié)構(gòu)被插入在驅(qū)動輥DR5與支撐輥SR5之間。

在驅(qū)動輥DR5被對準(zhǔn)使得驅(qū)動輥DR5的第二凸出圖案DR55位于剝離層120的與第二陽極102對應(yīng)的部分處時，驅(qū)動輥DR5被旋轉(zhuǎn)以按壓剝離層120。支撐輥SR5位于基底100下，以在驅(qū)動輥DR5在剝離層120上行進時支撐基底100。

由于驅(qū)動輥DR5所傳送的熱而達到玻璃轉(zhuǎn)化溫度的剝離層120的一部分可以處于軟狀態(tài)。第二凹入圖案122被形成在剝離層120的由驅(qū)動輥DR5的第二凸出圖案DR55印花的一部分中。剝離層120的驅(qū)動輥DR5的第二凸出圖案DR55未經(jīng)過的區(qū)域127保持未被圖案化。

參考圖11C，包括第二有機發(fā)光層的第二有機功能層160被形成在圖11B的結(jié)構(gòu)上。在本示例性實施例中，第二有機發(fā)光層被用作第二有機功能層160的一個示例。在下文中，為了便于描述，第二有機功能層和第二有機發(fā)光層可以具有相同的附圖標(biāo)記。

第二有機功能層160的第一部分162被設(shè)置在第二陽極102上，第二有機功能層160被形成在保留有剝離層120的區(qū)域127上。

參考圖11D，對圖11C的結(jié)構(gòu)進行剝離工藝。

隨著被形成在區(qū)域127中的剝離層120被剝離，被設(shè)置在保留有剝離層120的區(qū)域127上的第二有機功能層160被除去，因此被形成在第二陽極102上的第二有機功能層160的第一部分162被留下作為圖案。

在進行了上述第二單元工藝之后，形成發(fā)射與第二有機功能層160的第一部分162的顏色不同顏色的光的第三有機功能層170的第一部分173(參考圖12D)的第三單元工藝在設(shè)置有第三陽極103的區(qū)域中進行。第三單元工藝將在下面參考圖12A至圖12D描述。

參考圖12A，包括含氟聚合物的剝離層120被形成在形成有第一陽極101、第二陽極102和第三陽極103的基底100上。

參考圖12B，第三凹入圖案123通過輥對輥印花工藝形成在剝離層120上。在本示例性實施例中，第三凹入圖案123被直接形成在剝離層120上，而不形成圖5B的聚合物層130。

剝離層120可以包括具有約10至60重量％的氟含量的含氟聚合物。剝離層120可以由可以在由驅(qū)動輥DR6提供的溫度范圍內(nèi)產(chǎn)生玻璃轉(zhuǎn)化的各種聚合物材料形成。圖12A的結(jié)構(gòu)被插入在驅(qū)動輥DR6與支撐輥SR6之間。

在驅(qū)動輥DR6被對準(zhǔn)使得驅(qū)動輥DR6的第三凸出圖案DR66位于剝離層120的與第三陽極103對應(yīng)的部分處時，驅(qū)動輥DR6被旋轉(zhuǎn)以按壓剝離層120。支撐輥SR6位于基底100下，以在驅(qū)動輥DR6在剝離層120上行進時支撐基底100。

由于驅(qū)動輥DR6所傳送的熱而達到玻璃轉(zhuǎn)化溫度的剝離層120的一部分可以處于軟狀態(tài)。第三凹入圖案123被形成在剝離層120的由驅(qū)動輥DR6的第三凸出圖案DR66印花的一部分中。剝離層120的驅(qū)動輥DR6的第三凸出圖案DR66未經(jīng)過的區(qū)域128保持未被圖案化。

參考圖12C，包括第三有機發(fā)光層的第三有機功能層170被形成在圖12B的結(jié)構(gòu)上。在本示例性實施例中，第三有機發(fā)光層被用作第三有機功能層170的一個示例。在下文中，為了便于描述，第三有機功能層和第三有機發(fā)光層可以具有相同的附圖標(biāo)記。

第三有機功能層170的第一部分173被設(shè)置在第三陽極103上，第三有機功能層170被形成在保留有剝離層120的區(qū)域128中。

參考圖12D，對圖12C的結(jié)構(gòu)進行剝離工藝。

隨著被設(shè)置在區(qū)域128中的剝離層120被剝離，被設(shè)置在保留有剝離層120的區(qū)域128上的第三有機功能層170被除去，因此被形成在第三陽極103上的第三有機功能層170的第一部分173被留下作為圖案。

雖然未在圖中示出，上述的有機發(fā)光裝置1、2和3還可以包括封裝構(gòu)件。封裝構(gòu)件可以包括玻璃基底、金屬箔、或混合有無機層和有機層的薄膜封裝層。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法可降低制造成本。

盡管已經(jīng)在本文中描述了某些示例性實施例和實施方式，但通過這些描述其它實施例和修改將是顯而易見的。因此，本發(fā)明構(gòu)思不限于這樣的示例性實施例，而是所呈現(xiàn)的權(quán)利要求以及各種明顯修改和等同布置的更寬范圍。