1.一種處理晶片(W)的方法，所述晶片(W)的一側(cè)(1)上具有由多條分割線(11)分隔的多個器件的器件區(qū)(2)并具有外圍邊緣區(qū)(3)，所述外圍邊緣區(qū)(3)不具有器件并且圍繞所述器件區(qū)(2)形成，其中所述器件區(qū)(2)形成有從所述晶片(W)的平面突出的多個突起(14)，并且所述方法包括：
將用于覆蓋所述晶片(W)上的所述器件的保護膜(4)附接至所述晶片(W)的所述一側(cè)(1)，其中所述保護膜(4)用粘合劑附著至所述晶片(W)的所述一側(cè)(1)的至少一部分；
提供可固化樹脂(13)施加到其前表面(17)的載子(7)；
將所述晶片(W)的附接有所述保護膜(4)的所述一側(cè)(1)附接至所述載子(7)的所述前表面(17)，使得從所述晶片(W)的所述平面突出的所述突起(14)嵌入到所述可固化樹脂(13)中，并且所述載子(7)的與其所述前表面(17)相反的后表面(18)大致平行于所述晶片(W)的與所述一側(cè)(1)相反的一面(6)；以及
磨削所述晶片(W)的與所述一側(cè)(1)相反的所述一面(6)以調(diào)整晶片厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進一步包括：沿著所述分割線(11)切割所述晶片(W)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，所述方法進一步包括：從所述晶片(W)中去除施加有所述可固化樹脂(13)的所述載子(7)和所述保護膜(4)。
4.根據(jù)從屬于權(quán)利要求2時的權(quán)利要求3所述的方法，其中，切割所述晶片(W)的步驟在從所述晶片(W)中去除施加有所述可固化樹脂(13)的所述載子(7)和所述保護膜(4)之后執(zhí)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其中，切割所述晶片(W)的步驟在所述保護膜(4)和所述載子(7)附接至所述晶片(W)的狀態(tài)下執(zhí)行。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的方法，其中，所述粘合劑設(shè)置在所述晶片(W)的所述一側(cè)(1)與所述保護膜(4)的整個接觸面積上。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的方法，其中，所述保護膜(4)可膨脹，并且使所述保護膜(4)在附接至所述晶片(W)的所述一側(cè)(1)時膨脹，以遵循從所述晶片(W)的所述平面突出的所述突起(14)的輪廓。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的方法，其中，所述可固化樹脂(13)能夠被諸如紫外線輻射、熱、電場和/或化學制劑的外部刺激固化。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，所述方法進一步包括：在磨削所述晶片(W)的與所述一側(cè)(1)相反的所述一面(6)之前將所述外部刺激施加到所述可固化樹脂(13)以固化所述可固化樹脂(13)。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的方法，所述方法進一步包括：在磨削所述晶片(W)的與所述一側(cè)(1)相反的所述一面(6)之前切除施加有所述可固化樹脂(13)的所述載子(7)的橫向延伸超出所述晶片(W)的圓周的部分(23)。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的方法，其中，所述載子(7)由剛性材料制成，諸如由PET和/或硅和/或玻璃和/或SUS制成。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的方法，其中，所述保護膜(4)的厚度位于5μm至200μm的范圍內(nèi)。