本發(fā)明涉及半導體生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種高溫擴散設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著經(jīng)濟的繁榮昌盛，人們生活水平的不斷的提高，生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展越來越好，人們對自己時間的利用越來越苛刻，生活中，我們對于設(shè)備的要求越來越高，希望能夠通過對設(shè)備的創(chuàng)新來提高設(shè)備的工作效率，減少工作時間，提高使用效率，使之發(fā)揮出最大的價值，隨著科技的發(fā)展，半導體的應用越來越加廣泛，主要是制成有特殊功能的元器件，比如晶體管、集成電路、整流器、激光器以及各種光電探測器件和微波器件等，半導體的發(fā)展在近些年有著十分迅猛的趨勢，它的使用不僅能夠提高設(shè)備的功能性也能促進相關(guān)行業(yè)的發(fā)展，隨著半導體的發(fā)展，制造半導體的設(shè)備有隨之有了很大的發(fā)展，其中高溫擴散設(shè)備是制造半導體器件的關(guān)鍵工藝設(shè)備之一。目前市場上的高溫擴散設(shè)備雖然種類數(shù)量很多，生產(chǎn)技術(shù)也相對比較成熟，但是大多數(shù)的高溫擴散設(shè)備在對半導體器件進行加工時加工效率不高，內(nèi)部氣體的反應不夠穩(wěn)定，常常會導致加工效果不夠理想，導致加工成品中有較多的次品，而且很多設(shè)備沒有保溫層，在高溫加熱時會導致熱量容易散失，耗費了大量的能源。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種高溫擴散設(shè)備，以解決上述背景技術(shù)提出的目前市場上的高溫擴散設(shè)備加工時穩(wěn)定性不夠好、熱量容易散失等問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種高溫擴散設(shè)備，包括設(shè)備主體、高溫加熱管、加熱絲、抽氣泵、石英進氣口、硅片放置槽、石英出氣口和出氣孔，所述設(shè)備主體下方固定有電器控制箱，所述高溫加熱管外部設(shè)置有保溫層，且保溫層外部設(shè)置有設(shè)備主體，所述加熱絲外部安裝有高溫加熱管，所述抽氣泵下方連接有電器控制箱，且左側(cè)固定有設(shè)備主體，所述石英進氣口左側(cè)安裝有石英進氣管，且石英進氣管上方設(shè)置有晶舟，所述電器控制箱內(nèi)部安裝有散熱孔，所述散熱孔左側(cè)設(shè)置有散熱風扇，且散熱風扇上方安裝有設(shè)備主體，所述晶舟左側(cè)連接有晶舟固定架，且晶舟固定架外部固定有保溫層，所述硅片放置槽外部安裝有晶舟，所述石英出氣口右側(cè)連接有設(shè)備主體，所述出氣孔下方連接有石英進氣管。

優(yōu)選的，所述設(shè)備主體內(nèi)部四周均設(shè)置有保溫層。

優(yōu)選的，所述抽氣泵與設(shè)備主體連接方式為無縫連接。

優(yōu)選的，所述晶舟共設(shè)置有三個，且位置為上下對稱。

優(yōu)選的，所述出氣孔均勻密布在石英進氣管上。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：該高溫擴散設(shè)備底部設(shè)置有散熱孔和散熱風扇，由于需要將加熱絲加熱到很高的溫度，所以電器也會相應的產(chǎn)生很多熱量，散熱孔和散熱風扇可以將電器產(chǎn)生的熱量及時排出，增加了設(shè)備的使用壽命，設(shè)備主體內(nèi)部四周均設(shè)置有保溫層，一定程度的防止了設(shè)備內(nèi)部的熱量流失，節(jié)約了能源，抽氣泵與設(shè)備主體連接方式為無縫連接，能夠使設(shè)備內(nèi)部在反應氣體進入之前處于真空狀態(tài)，使反應氣體在設(shè)備內(nèi)部能夠穩(wěn)定的發(fā)生反應，提高了工作效率和產(chǎn)品質(zhì)量，晶舟共設(shè)置有三個，且位置為上下對稱，能夠使半導體硅片與反應氣體反應均勻充分，出氣孔均勻密布在石英進氣管上，同樣的能夠使反應氣體均勻的與半導體硅片發(fā)生反應，使加工效果更為理想。

附圖說明

圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、設(shè)備主體，2、高溫加熱管，3、加熱絲，4、抽氣泵，5、石英進氣口，6、保溫層，7、電器控制箱，8、散熱孔，9、晶舟，10、晶舟固定架，11、硅片放置槽，12、石英進氣管，13、石英出氣口，14、出氣孔，15、散熱風扇。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參閱圖1，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案：一種高溫擴散設(shè)備，包括設(shè)備主體1、高溫加熱管2、加熱絲3、抽氣泵4、石英進氣口5、硅片放置槽11、石英出氣口13和出氣孔14，設(shè)備主體1下方固定有電器控制箱7，設(shè)備主體1內(nèi)部四周均設(shè)置有保溫層6，高溫加熱管2外部設(shè)置有保溫層6，且保溫層6外部設(shè)置有設(shè)備主體1，可以防止熱量散失，加熱絲3外部安裝有高溫加熱管2，抽氣泵4下方連接有電器控制箱7，且左側(cè)固定有設(shè)備主體1，抽氣泵4與設(shè)備主體1連接方式為無縫連接，能夠有效的將設(shè)備內(nèi)部的空氣抽出，使反應更加穩(wěn)定，石英進氣口5左側(cè)安裝有石英進氣管12，且石英進氣管12上方設(shè)置有晶舟9，電器控制箱7內(nèi)部安裝有散熱孔8，散熱孔8左側(cè)設(shè)置有散熱風扇15，且散熱風扇15上方安裝有設(shè)備主體1，能夠?qū)㈦娖鳟a(chǎn)生的熱量及時排出，增加了設(shè)備的使用壽命，晶舟9左側(cè)連接有晶舟固定架10，晶舟9共設(shè)置有三個，且位置為上下對稱，一次可以加工較多的半導體器件并且能夠均勻充分的進行反應，且晶舟固定架10外部固定有保溫層6，硅片放置槽11外部安裝有晶舟9，石英出氣口13右側(cè)連接有設(shè)備主體1，出氣孔14下方連接有石英進氣管12，出氣孔14均勻密布在石英進氣管12上，同樣的能夠使反應氣體與半導體均勻充分的接觸來發(fā)生反應，使加工效果更理想。

工作原理：在使用該高溫擴散設(shè)備時，首先將半導體硅片放置在硅片放置槽11中，然后將晶舟9安裝在晶舟固定架10上，接著將電器控制箱7接通電源，然后啟動抽氣泵4，將設(shè)備主體1內(nèi)部的空氣抽走，形成真空狀態(tài)，抽氣完畢后，將反應氣體從石英進氣口5輸入到石英進氣管12中，并從石英進氣管12上的出氣孔14中排進到設(shè)備主體1內(nèi)部，在反應氣體進入設(shè)備內(nèi)部的同時，電器控制箱7會對高溫加熱管2中的加熱絲3進行高溫加熱，硅片放置槽11中的硅片會在高溫下和反應氣體發(fā)生反應來完成熱擴散工作，工作過程中，保溫層6能夠阻止設(shè)備內(nèi)部的熱量散失，節(jié)約了能源，反應氣體最終會從石英出氣口13排出，在電器控制箱7工作時，出氣孔14和散熱風扇15能夠?qū)㈦娖鳟a(chǎn)生的熱量及時排出，從而高效節(jié)能的完成一系列半導體硅片的高溫擴散工作。

盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。