本公開涉及一種透明顯示裝置和制造該透明顯示裝置的方法。更具體地，本公開涉及包括透射區(qū)和像素區(qū)的透明顯示裝置以及制造該透明顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

近來，已經(jīng)開發(fā)了具有透明性質(zhì)或透射性質(zhì)的諸如有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置的顯示裝置。

可以控制包括基底、電極、絕緣層、覆蓋層等的組合物、布置或厚度的各種參數(shù)，從而獲得透明顯示裝置。OLED裝置可以包括可由不同的材料形成的多個絕緣層和導(dǎo)電層，因此，不會容易地實(shí)現(xiàn)透射性質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

示例實(shí)施例提供一種具有改善的透射率的透明顯示裝置。

示例實(shí)施例提供一種制造具有改善的透射率的透明顯示裝置的方法。

根據(jù)示例實(shí)施例，提供一種透明顯示裝置。所述透明顯示裝置可以包括：基底，具有像素區(qū)和透射區(qū)；像素電路，位于基底的像素區(qū)中；絕緣結(jié)構(gòu)，覆蓋位于基底上的像素電路；第一電極，位于基底的像素區(qū)中并至少部分地穿過絕緣結(jié)構(gòu)延伸以電連接到像素電路；顯示層，位于第一電極上；第二電極，相對于顯示層面對第一電極；以及覆蓋層，位于第二電極上。覆蓋層可以連續(xù)地延伸到像素區(qū)和透射區(qū)中。覆蓋層可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

在示例實(shí)施例中，第二電極可以連續(xù)地延伸到像素區(qū)和透射區(qū)中。

在示例實(shí)施例中，第二電極可以包括銀(Ag)、鎂(Mg)或者Ag和Mg的合金。

在示例實(shí)施例中，第二電極可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

在示例實(shí)施例中，顯示層可以包括有機(jī)發(fā)光層。第一電極和第二電極可以分別用作陽極和陰極。覆蓋層可以包括空穴傳輸型有機(jī)材料。

在示例實(shí)施例中，透明顯示裝置還可以包括位于絕緣結(jié)構(gòu)上的像素限定層。暴露透射區(qū)處的絕緣結(jié)構(gòu)的透射窗可以通過絕緣結(jié)構(gòu)的頂表面和所述像素限定層的側(cè)壁來限定。

在示例實(shí)施例中，像素電路可以包括位于基底上的有源圖案、柵電極、源電極和漏電極。絕緣結(jié)構(gòu)可以包括：柵極絕緣層，覆蓋位于基底上的有源圖案；絕緣中間層，覆蓋位于柵極絕緣層上的柵電極；以及通孔絕緣層，覆蓋位于絕緣中間層上的源電極和漏電極。源電極和漏電極可以穿過絕緣中間層和柵極絕緣層延伸以與有源圖案接觸。第一電極可以穿過通孔絕緣層延伸以與漏電極接觸。

在示例實(shí)施例中，通孔絕緣層可以選擇性地形成在像素區(qū)中，透射窗可以通過通孔絕緣層的側(cè)壁和絕緣中間層的頂表面限定在透射區(qū)處。

在示例實(shí)施例中，第二電極和覆蓋層可以在透射區(qū)處沿透射窗的表面形成。

在示例實(shí)施例中，通孔絕緣層和絕緣中間層可以選擇性地設(shè)置在像素區(qū)中，透射窗可以通過通孔絕緣層的側(cè)壁和柵極絕緣層的頂表面限定在透射區(qū)處。

在示例實(shí)施例中，透明顯示裝置還可以包括順序地設(shè)置在覆蓋層上的填充層和包封基底。

在示例實(shí)施例中，覆蓋層可以包括具有至少大約1.85的折射率的有機(jī)材料。

在示例實(shí)施例中，填充層可以包括具有在從大約1.4至大約1.6的范圍內(nèi)的折射率的有機(jī)材料。

根據(jù)示例實(shí)施例，提供了一種透明顯示裝置。該透明顯示裝置可以包括：基底，具有像素區(qū)和透射區(qū)；像素電路，位于基底的像素區(qū)處；絕緣結(jié)構(gòu)，覆蓋位于基底上的像素電路；第一電極，位于基底的像素區(qū)處并至少部分地穿過絕緣結(jié)構(gòu)延伸以電連接到像素電路；顯示層，位于第一電極上；第二電極，相對于顯示層面對第一電極；以及覆蓋層，位于第二電極上。覆蓋層可以連續(xù)地延伸到像素區(qū)和透射區(qū)中。覆蓋層可以在像素區(qū)和透射區(qū)處具有不同的厚度。

在示例實(shí)施例中，覆蓋層可以包括覆蓋像素區(qū)并具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度的第一部分和覆蓋透射區(qū)并具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度的第二部分。

在示例實(shí)施例中，第二電極可以連續(xù)地延伸到像素區(qū)和透射區(qū)中。

在示例實(shí)施例中，第二電極可以包括Ag、Mg或者Ag和Mg的合金，第二電極可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

在示例實(shí)施例中，位于透射區(qū)處的絕緣結(jié)構(gòu)的厚度可以比位于像素區(qū)處的絕緣結(jié)構(gòu)的厚度小，透射窗可以通過位于透射區(qū)處的絕緣結(jié)構(gòu)的表面來限定。第二電極和覆蓋層可以在透射區(qū)處沿透射窗的表面形成。

根據(jù)示例實(shí)施例，提供了一種制造透明顯示裝置的方法。在該方法中，可以準(zhǔn)備具有像素區(qū)和透射區(qū)的基底?？梢栽诨咨闲纬上袼仉娐贰？梢栽诨咨闲纬山^緣結(jié)構(gòu)。絕緣結(jié)構(gòu)可以至少部分地覆蓋像素電路。可以在絕緣結(jié)構(gòu)的位于像素區(qū)處的一部分上形成第一電極。第一電極可以電連接到像素電路?？梢栽诘谝浑姌O上形成顯示層。可以在顯示層上形成第二電極。第二電極可以面對第一電極?？梢愿鶕?jù)第二電極的厚度條件確定覆蓋層的最大透射率厚度和最大發(fā)光效率厚度?？梢栽诘诙姌O上形成覆蓋層。覆蓋層可以具有位于像素區(qū)處的最大發(fā)光效率厚度和位于透射區(qū)處的最大透射率厚度。

在示例實(shí)施例中，最大發(fā)光效率厚度可以與最小透射率厚度對應(yīng)。

附圖說明

通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將更清楚地理解示例實(shí)施例。圖1至圖29描繪了如這里描述的非限制性的示例實(shí)施例：

圖1和圖2是示出根據(jù)示例實(shí)施例的透明顯示裝置的示意性俯視圖；

圖3和圖4是示出根據(jù)示例實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖；

圖5至圖11是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖；

圖12和圖13是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖；

圖14和圖15是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖；

圖16和圖17是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖；

圖18至圖20是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖；

圖21和圖22是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖；

圖23至圖27是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖；

圖28和圖29是示出透射率與覆蓋層的厚度變化的變化關(guān)系的圖。

具體實(shí)施方式

以下將參照示出一些示例實(shí)施例的附圖更充分地描述各種示例實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為限于這里所闡述的示例實(shí)施例。相反，提供這些示例實(shí)施例使得本公開將是徹底的和完整的，并將本發(fā)明構(gòu)思的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。同樣的標(biāo)記始終指示同樣的元件。

將理解的是，盡管在此可以使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語用來將一個元件與另一元件區(qū)分開。因此，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件可被命名為第二元件。如這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)所列項(xiàng)的任意和所有組合。

將理解的是，當(dāng)元件被稱作為“連接”或“結(jié)合”到另一元件時，該元件可以直接連接或結(jié)合到所述另一元件，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接連接”或“直接結(jié)合”到另一元件時，不存在中間元件。用來描述元件之間的關(guān)系的其它詞應(yīng)以同樣的方式(例如，“在……之間”對“直接在……之間”、“與……相鄰”對“直接與……相鄰”等)來解釋。

這里使用的術(shù)語僅出于描述具體示例實(shí)施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明構(gòu)思。如這里使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式“一個”、“一種(者)”和“該(所述)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時，說明存在陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除存在或附加一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。將進(jìn)一步理解的是，除非在此明確地這樣定義，否則術(shù)語(諸如在通用字典中定義的術(shù)語)應(yīng)被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中它們的含義相一致的含義，而將不以理想化或過于形式化的含義來進(jìn)行解釋。

圖1和圖2是示出根據(jù)示例實(shí)施例的透明顯示裝置的示意性俯視圖。圖3和圖4是示出根據(jù)示例實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖。

例如，圖2是在圖1中標(biāo)示出的顯示區(qū)DA中的一個顯示區(qū)DA的放大俯視圖。圖3和圖4是沿圖2中標(biāo)示出的線I-I'截取的剖視圖。

參照圖1和圖2，透明顯示裝置可以包括多個顯示區(qū)DA。顯示區(qū)DA可以沿可平行于基底100(見圖3和圖4)的頂表面且可彼此垂直的第一方向和第二方向布置。

每個顯示區(qū)DA可以包括像素區(qū)(PA)和透射區(qū)(TA)。多個像素可以沿例如第一方向布置并可以在像素區(qū)PA中彼此相鄰。例如，每個像素區(qū)PA可以包括紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb。

如圖1和圖2中所示出的，像素Pr、Pg和Pb可以具有基本上相同的尺寸。然而，為了改善發(fā)光效率，紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb可以具有彼此不同的尺寸。

透射區(qū)TA可以在顯示區(qū)DA中與紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb相鄰。在一些實(shí)施例中，透射區(qū)TA可以根據(jù)像素區(qū)PA中的每個像素單獨(dú)地圖案化。

在一些實(shí)施例中，透射區(qū)TA可以在例如第一方向上延伸，并可以對包括在多個顯示區(qū)DA中的像素區(qū)PA進(jìn)行共同地設(shè)置。

在示例實(shí)施例中，用于實(shí)現(xiàn)圖像的像素電路可以設(shè)置在像素區(qū)PA中。外部光可以在透射區(qū)TA處透射，從而可以觀察外部圖像。

諸如薄膜晶體管(TFT)的晶體管可以設(shè)置在像素區(qū)PA的每個像素中，晶體管可以電連接到數(shù)據(jù)線D和掃描線S。如圖2中所示，數(shù)據(jù)線D和掃描線S可以彼此交叉，每個像素可以限定在數(shù)據(jù)線D和掃描線S的相交區(qū)域處。像素電路可以包括數(shù)據(jù)線D、掃描線S和晶體管。

像素電路還可以包括可平行于數(shù)據(jù)線D的電源線Vdd(未示出)。電連接到電源線Vdd和晶體管的電容器可以設(shè)置在每個像素中。

在圖2中的每個像素中示出了一個晶體管；然而，在其它實(shí)施例中，可以對每個像素設(shè)置至少兩個晶體管。例如，可以在每個像素中設(shè)置開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管。電容器可以連接在開關(guān)晶體管與驅(qū)動晶體管之間。

參照圖3，晶體管可以設(shè)置在形成在基底100上的阻擋層110的在像素區(qū)PA處的一部分上。晶體管可以包括有源圖案120、柵極絕緣層130、柵電極135、源電極150和漏電極155。通孔絕緣層160可以覆蓋晶體管，電連接到漏電極155的第一電極170可以設(shè)置在通孔絕緣層160上。

透明絕緣基底可以用作基底100。例如，基底100可以包括玻璃或具有透明性質(zhì)或柔性性質(zhì)的聚合物材料。如果基底100包括聚合物材料，則透明顯示裝置可以設(shè)置為透明柔性顯示裝置。例如，基底100可以包括聚酰亞胺、聚硅氧烷、環(huán)氧類樹脂、丙烯酰類樹脂或聚酯等。在實(shí)施例中，基底100可以包括聚酰亞胺。

根據(jù)圖1和圖2中示出的透明顯示裝置的構(gòu)造，基底100還可以包括像素區(qū)PA和透射區(qū)TA。

阻擋層110可以形成在基底100的頂表面上。在一些實(shí)施例中，阻擋層110可以共同地形成在基底100的像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上。阻擋層110可以阻擋濕氣和/或雜質(zhì)擴(kuò)散穿過基底100并且阻擋位于基底100與基底100上的結(jié)構(gòu)之間的濕氣和/或雜質(zhì)擴(kuò)散。

例如，阻擋層110可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者以組合來使用。在一些實(shí)施例中，阻擋層110可以具有包括氧化硅層和氮化硅層的多層結(jié)構(gòu)。

有源圖案120可以設(shè)置在阻擋層110的位于像素區(qū)PA上的一部分上。

有源圖案120可以包括諸如多晶硅的硅化合物。在一些實(shí)施例中，包括p型或n型雜質(zhì)的源區(qū)和漏區(qū)可以形成在有源圖案120的兩端處。

在一些實(shí)施例中，有源圖案120可以包括例如氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化鋅錫(ZTO)或氧化銦錫鋅(ITZO)等的氧化物半導(dǎo)體。

柵極絕緣層130可以形成在阻擋層110上，并可以覆蓋有源圖案120。在示例實(shí)施例中，柵極絕緣層130可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在一些實(shí)施例中，柵極絕緣層130可以具有包括氧化硅層和氮化硅層的多層結(jié)構(gòu)。

如圖3中所示，與阻擋層110相似，柵極絕緣層130可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上共同地延伸。在一些實(shí)施例中，柵極絕緣層130可以基本上選擇性地設(shè)置在像素區(qū)PA上。

柵電極135可以設(shè)置在柵極絕緣層130上。柵電極135可以相對于柵極絕緣層130基本上疊置在有源圖案120上方。

柵電極135可以電連接到掃描線S。例如，如圖2中所示，柵電極135可以從掃描線S分流(diverge)。

柵電極135可以包括諸如鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)、鎢(W)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鉭(Ta)、釹(Nd)和鈧(Sc)的金屬、其合金或者其氮化物。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者以組合來使用。柵電極135可以包括具有不同物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)的至少兩個金屬層。例如，柵電極135可以具有諸如Al/Mo結(jié)構(gòu)或Ti/Cu結(jié)構(gòu)的雙層結(jié)構(gòu)。

絕緣中間層140可以形成在柵極絕緣層130上，并可以覆蓋柵電極135。絕緣中間層140可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者以組合來使用。絕緣中間層140可以具有包括氧化硅層和氮化硅層的多層結(jié)構(gòu)。

如圖3中所示，與阻擋層110相似，絕緣中間層140可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上共同地延伸。在一些實(shí)施例中，絕緣中間層140可以基本上選擇性地設(shè)置在像素區(qū)PA上。

源電極150和漏電極155可以穿過絕緣中間層140和柵極絕緣層130延伸以與有源圖案120接觸。源電極150和漏電極155可以包括諸如Al、Mg、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的金屬、其合金或者其氮化物。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者以組合來使用。源電極150和漏電極155可以包括諸如Al層和Mo層的至少兩個不同的金屬層。

源電極150和漏電極155可以分別與有源圖案120的源區(qū)和漏區(qū)接觸。有源圖案120的位于源區(qū)與漏區(qū)之間的一部分可以用作電荷通過其移動或傳遞的溝道。

如圖2中所示，源電極150可以電連接到數(shù)據(jù)線D。例如，源電極150可以從數(shù)據(jù)線D分流。

晶體管可以通過有源圖案120、柵極絕緣層130、柵電極135、源電極150和漏電極155來限定。

圖3示出晶體管具有柵電極135疊在有源圖案120上的頂柵結(jié)構(gòu)。然而，晶體管可以具有柵電極135設(shè)置在有源圖案120之下的底柵結(jié)構(gòu)。

通孔絕緣層160可以形成在絕緣中間層140上，并可以覆蓋源電極150和漏電極155。將第一電極170與漏電極155彼此電連接的通孔結(jié)構(gòu)可以容納在通孔絕緣層160中。通孔絕緣層160可以具有基本上平坦的或水平的頂表面，并可以用作透明顯示裝置的平坦化層。

通孔絕緣層160可以包括例如聚酰亞胺、環(huán)氧類樹脂、丙烯酰類樹脂或聚酯等的有機(jī)材料。在示例實(shí)施例中，通孔絕緣層160可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上共同地延伸。

第一電極170可以設(shè)置在通孔絕緣層160上，并可以包括穿過通孔絕緣層160延伸以與漏電極155接觸或者電連接到漏電極155的通孔結(jié)構(gòu)。第一電極170可以選擇性地設(shè)置在像素區(qū)PA上，并可以根據(jù)每個像素單獨(dú)地設(shè)置。第一電極170可以用作像素電極或陽極。

在實(shí)施例中，第一電極170可以包括具有高逸出功的透明導(dǎo)電材料。例如，第一電極170可以包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅或氧化銦。在此情況下，可以進(jìn)一步改善透明顯示裝置的透射率。

在實(shí)施例中，第一電極170可以用作反射電極。在此情況下，第一電極170可以包括例如Al、Mg、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的金屬或者它們的合金。

在實(shí)施例中，第一電極170可以具有包括透明導(dǎo)電材料和金屬的多層結(jié)構(gòu)。

可以限定透明顯示裝置的可包括像素電路、絕緣層和第一電極170的背面(back-plane，BP)結(jié)構(gòu)。

BP結(jié)構(gòu)還可以包括像素限定層(PDL)180。PDL 180可以形成在通孔絕緣層160上，并可以覆蓋第一電極170的外圍部分。PDL 180可以包括諸如聚酰亞胺或丙烯酰類樹脂的透明有機(jī)材料。

像素區(qū)PA的每個像素可以被PDL 180暴露。第一電極170的不被PDL 180覆蓋的區(qū)域可以基本上等于相應(yīng)像素的發(fā)光區(qū)域。

在示例實(shí)施例中，PDL 180還可以延伸到透射區(qū)TA。

顯示層200可以設(shè)置在PDL 180和第一電極170上。例如，顯示層200可以設(shè)置在PDL 180的側(cè)壁和第一電極170的被PDL 180暴露的頂表面上。

顯示層200可以包括針對紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb單獨(dú)地圖案化的有機(jī)發(fā)光層，以在每個像素處產(chǎn)生不同的顏色。有機(jī)發(fā)光層可以包括由空穴和電子激發(fā)的主體材料和通過吸收和釋放能量而改善發(fā)射效率的摻雜劑材料。

在一些實(shí)施例中，顯示層200還可以包括位于第一電極170與有機(jī)發(fā)光層之間的空穴傳輸層(HTL)。顯示層200還可以包括位于有機(jī)發(fā)光層上的電子傳輸層(ETL)。

HTL可以包括空穴傳輸材料，例如，4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯氨基]聯(lián)苯(NPB)、4,4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯氨基]聯(lián)苯(TPD)、N,N'-二-1-萘基-N,N'-二苯基-1,1'-聯(lián)苯基-4,4'-二胺(NPD)、N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑或它們的組合物。

ETL可以包括電子傳輸材料，例如，三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-4-叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚-鋁(BAlq)、浴銅靈(BCP)、三唑(TAZ)、苯基喹唑啉或它們的組合物。

在一些實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光層、HTL和ETL中的至少一個可以不針對每個像素而被單獨(dú)地圖案化，而可以針對多個像素共同地設(shè)置。在實(shí)施例中，可以針對多個像素設(shè)置有機(jī)發(fā)光層，每個像素的顏色可以通過濾色器實(shí)現(xiàn)。在此情況下，透明顯示裝置可用作白色OLED(W-OLED)裝置。

在一些實(shí)施例中，顯示層200可以包括液晶層而不是有機(jī)發(fā)光層。在此情況下，透明顯示裝置可以設(shè)置為液晶顯示(LCD)裝置。

第二電極210可以形成在PDL 180和顯示層200上。第二電極210可以相對于顯示層200面對第一電極170。

在示例實(shí)施例中，第二電極210可以用作針對多個像素共同地設(shè)置的共電極。第二電極210可以用作透明顯示裝置的陰極。

在示例實(shí)施例中，第二電極210可以包括諸如Ag、Mg、Al、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd、Sc的具有低逸出功的金屬或者它們的合金。在一些示例實(shí)施例中，第二電極可以包括Ag和Mg的合金(例如，Ag_xMg_1-x)。

第二電極210可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上連續(xù)地延伸。可以在考慮到像素區(qū)PA中的發(fā)光效率和透射區(qū)TA中的期望的透射率的情況下來確定第二電極210的厚度。

在一些實(shí)施例中，可以從透射區(qū)TA基本上去除第二電極210。

在示例實(shí)施例中，第二電極210的厚度可以在從大約至大約的范圍內(nèi)。如果第二電極210的厚度超過大約則透射區(qū)TA中的透射率會極度降低。如果第二電極210的厚度小于大約則像素區(qū)PA中的發(fā)光效率會劣化，并且第二電極210不會均勻地形成。另外，第二電極210的電阻會極度增大。

覆蓋層220可以形成在第二電極210上。在示例實(shí)施例中，覆蓋層220可以覆蓋第二電極210的基本上整個頂表面，并可以被共同地設(shè)置在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上。

覆蓋層220可以包括具有改善的透射性質(zhì)的有機(jī)材料。在一些實(shí)施例中，覆蓋層220可以包括與空穴傳輸材料基本上相同或相似的材料。因此，像素區(qū)PA中的發(fā)光性質(zhì)不會被作為陰極的第二電極210干擾。

在示例實(shí)施例中，可以在考慮到改善透射區(qū)TA中的透射率或者使透射區(qū)TA中的透射率最大化的情況下確定覆蓋層220的厚度，并且覆蓋層220的厚度可以在從大約至大約的范圍內(nèi)。遍及像素區(qū)PA和透射區(qū)TA，覆蓋層220可以具有均勻的厚度。

如上所述，當(dāng)?shù)诙姌O210包括例如Ag和/或Mg的金屬且具有預(yù)定的厚度時，可以在上述范圍內(nèi)設(shè)計(jì)覆蓋層220的厚度，從而可以最大化透射區(qū)TA的透射率。

在一些示例實(shí)施例中，如圖3中所示，包封基底250可以進(jìn)一步地設(shè)置在覆蓋層220上方，填充層240可以進(jìn)一步地包括在覆蓋層220與包封基底250之間。

包封基底250可以包括玻璃基底或聚合物基底。填充層240可以包括例如基本上透明或透射的有機(jī)材料。

在一些實(shí)施例中，有機(jī)/無機(jī)堆疊層可以用作代替包封基底250和填充層240的密封膜。在一些實(shí)施例中，薄膜包封(TFE)可以用作密封膜。

在一些實(shí)施例中，填充層240可以包括具有從大約1.4至大約1.6的范圍內(nèi)的折射率的有機(jī)材料。在一些實(shí)施例中，覆蓋層220可以包括具有至少大約1.85的折射率的有機(jī)材料。在一些實(shí)施例中，覆蓋層220可以包括具有從大約1.85至大約2的范圍內(nèi)的折射率的有機(jī)材料。

參照圖4，位于像素區(qū)PA處的覆蓋層225的厚度可以與位于透射區(qū)TA處的覆蓋層225的厚度不同。在此情況下，覆蓋層225可以包括第一部分225a和第二部分225b。第一部分225a可以基本上覆蓋像素區(qū)PA，并可以相對厚。第二部分225b可以基本上覆蓋透射區(qū)TA，并可以相對薄。

可以在考慮到改善(例如，最大化)像素區(qū)PA中的發(fā)光效率的情況下來確定第一部分225a的厚度。在一些實(shí)施例中，第一部分225a的厚度可以被確定為用于使透射率最小化的厚度。例如，考慮到如上面描述的第二電極210的材料和/或厚度，第一部分225a的厚度可以在從大約至大約的范圍內(nèi)。

可以在考慮到改善(例如，最大化)透射區(qū)TA中的透射率的情況下來確定第二部分225b的厚度。在示例實(shí)施例中，第二部分225b的厚度可以在從大約至大約的范圍內(nèi)。

如上所述，覆蓋層225的厚度可以是有差別的，從而可以根據(jù)透明顯示裝置的部件來改善或優(yōu)化發(fā)光效率和透射率。因此，可以得到具有改善的顯示質(zhì)量的透明顯示裝置。

在比較示例中，形成在透射區(qū)TA上的第二電極210可以通過額外的蝕刻或圖案化工藝來去除以改善其上的透射率。然而，會由于蝕刻掩模的增加而增大工藝復(fù)雜性，顯示裝置的機(jī)械強(qiáng)度會降低，第二電極210的電阻會增加。

然而，根據(jù)示例實(shí)施例，第二電極210可以連續(xù)地延伸到像素區(qū)PA和透射區(qū)TA中，可以在考慮到與第二電極210相匹配的阻抗的情況下來控制覆蓋層225的厚度，從而可以改善透明顯示裝置的透射率。

另外，在一些示例實(shí)施例中，即使從透射區(qū)TA基本上去除第二電極210，也可以根據(jù)透明顯示裝置的區(qū)域來設(shè)計(jì)覆蓋層225的厚度以改善發(fā)光效率和透射率。

圖5至圖11是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖。例如，圖5至圖11示出制造圖3中示出的透明顯示裝置的方法。

參照圖5，可以在載體基底50上形成基底100，可以在基底100上形成阻擋層110。

在透明顯示裝置的制造工藝期間，載體基底50可以用作基底100的支撐件。例如，玻璃基底或金屬基底可以用作載體基底50。

可以使用諸如聚酰亞胺類樹脂的透明聚合物樹脂來形成基底100。例如，可以通過例如旋涂工藝在載體基底50上涂覆包含聚酰亞胺前驅(qū)體的前驅(qū)體組合物以形成涂覆層。可以將涂覆層熱固化以形成基底100。

聚酰亞胺前驅(qū)體可以包括二胺和二酐?？赏ㄟ^將聚酰亞胺前驅(qū)體溶解在有機(jī)溶劑中來制備前驅(qū)體組合物。有機(jī)溶劑可以包括例如N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基甲酰胺(DMF)、四氫呋喃(THF)、三乙胺(TEA)、乙酸乙酯、二甲亞砜(DMSO)或乙二醇類醚溶劑。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者以它們的組合來使用。

可以通過熱固化工藝來聚合二胺和二酐，從而可以生成聚酰胺酸，可以對聚酰胺酸額外地進(jìn)行固化和縮合以形成聚酰亞胺類樹脂。

基底100的預(yù)定區(qū)域可以被分配為像素區(qū)PA，除了像素區(qū)PA之外的剩余區(qū)域可以被分配為透射區(qū)TA。

阻擋層110可以基本上覆蓋基底100的整個頂表面，并可以由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。

參照圖6，可以在阻擋層110上形成有源圖案120、柵電極135和額外的絕緣層。

有源圖案120可以形成在阻擋層110的在像素區(qū)PA上的一部分上。例如，可以在阻擋層110上形成包括非晶硅或多晶硅的半導(dǎo)體層，然后可以將半導(dǎo)體層圖案化以形成有源圖案120。

在一些實(shí)施例中，還可以在形成半導(dǎo)體層之后執(zhí)行例如低溫多晶硅(LTPS)工藝或激光結(jié)晶工藝的結(jié)晶工藝。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體層可以由諸如IGZO、ZTO或ITZO的氧化物半導(dǎo)體形成。

可以在阻擋層110上形成覆蓋有源圖案120的柵極絕緣層130。柵極絕緣層130可以由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。

如圖6中所示，柵極絕緣層130可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上連續(xù)地延伸。在一些實(shí)施例中，可以將柵極絕緣層130圖案化以選擇性地存在于像素區(qū)PA上。

可以在柵極絕緣層130上形成柵電極135，并可以將柵電極135基本上疊置在有源圖案120上方。

例如，可以在柵極絕緣層130上形成第一導(dǎo)電層?？梢酝ㄟ^例如光刻工藝將第一導(dǎo)電層圖案化以形成柵電極135?？梢允褂媒饘佟⒑辖鸹蚪饘俚飦硇纬傻谝粚?dǎo)電層?？梢酝ㄟ^沉積多個金屬層來形成第一導(dǎo)電層。

柵電極135可以與圖2中示出的掃描線S一起形成。例如，可以通過基本上同一蝕刻工藝由第一導(dǎo)電層形成柵電極135和掃描線S，掃描線S可以與柵電極135成一體。

在一些實(shí)施例中，可以使用柵電極135作為離子注入掩模將雜質(zhì)注入到有源圖案120中，從而可以在有源圖案120的兩端處形成源區(qū)和漏區(qū)。

可以在柵極絕緣層130上形成覆蓋柵電極135的絕緣中間層140。絕緣中間層140可以根據(jù)有源圖案120和柵電極135的輪廓而包括臺階部。絕緣中間層140可以由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。

如圖6中所示，絕緣中間層140可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA兩者中延伸。在一些實(shí)施例中，可以去除絕緣中間層140的形成在透射區(qū)TA上的至少一部分。

參照圖7，可以通過例如第一光刻工藝部分地去除絕緣中間層140和柵極絕緣層130以形成第一接觸孔142和第二接觸孔144。

第一接觸孔142和第二接觸孔144可以穿過絕緣中間層140和柵極絕緣層130來形成，使得可以部分地暴露有源圖案120的頂表面。例如，有源圖案120的源區(qū)和漏區(qū)可以分別通過第一接觸孔142和第二接觸孔144來暴露。

參照圖8，可以分別在第一接觸孔142和第二接觸孔144中形成源電極150和漏電極155。源電極150和漏電極155可以分別與源區(qū)和漏區(qū)接觸。

例如，可以在絕緣中間層140上形成充分地填充第一接觸孔142和第二接觸孔144的第二導(dǎo)電層?？梢酝ㄟ^光刻工藝將第二導(dǎo)電層圖案化以形成源電極150和漏電極155。可以使用金屬、金屬氮化物或合金來形成第二導(dǎo)電層。

因此，可以在基底100的像素區(qū)PA上形成包括有源圖案120、柵極絕緣層130、柵電極135、源電極150和漏電極155的TFT。例如，多個像素可以包括在如圖1和圖2中示出的像素區(qū)PA中，并且可以對每個像素形成至少一個TFT。

另外，可以在基底100上形成包括TFT、數(shù)據(jù)線D和掃描線S的像素電路。如圖2中示出的，源電極150可以電連接到數(shù)據(jù)線D。例如，可以通過基本上同一蝕刻工藝由第二導(dǎo)電層形成源電極150、漏電極155和數(shù)據(jù)線D。

可以形成通孔絕緣層160以覆蓋絕緣中間層140、源電極150和漏電極155。通孔絕緣層160可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上共同地延伸，并可以具有基本上平坦的或水平的上表面。通孔絕緣層160可以用作用于透明顯示裝置或BP結(jié)構(gòu)的平坦化層。

可以通過旋涂工藝或狹縫涂覆工藝使用諸如聚酰亞胺、環(huán)氧類樹脂、丙烯酰類樹脂或聚酯的有機(jī)材料來形成通孔絕緣層160。

參照圖9，可以通過例如第二光刻工藝部分地去除通孔絕緣層160以形成通孔163。

在示例實(shí)施例中，可以通過通孔163至少部分地暴露漏電極155的頂表面。

參照圖10，可以在通孔絕緣層160上形成第一電極170，從而可以獲得BP結(jié)構(gòu)。

例如，可以在通孔絕緣層160和暴露的漏電極155上形成填充通孔163的第三導(dǎo)電層，并可以將第三導(dǎo)電層圖案化以形成第一電極170。第一電極170可以用作透明顯示裝置的像素電極和/或陽極。第一電極170的形成在通孔163中的一部分可以被定義為用于與漏電極155互連的通孔結(jié)構(gòu)。

第三導(dǎo)電層可以由諸如Ag、Mg、Al、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd、Sc等的金屬或它們的合金來形成。

可以通過化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP-CVD)工藝、熱蒸發(fā)工藝、真空沉積工藝、旋涂工藝、濺射工藝、原子層沉積(ALD)工藝和印刷工藝中的至少一種來形成阻擋層110、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層130、絕緣中間層140和第一至第三導(dǎo)電層。

可以在通孔絕緣層160上形成PDL 180以覆蓋第一電極170的外圍部分。例如，可以涂覆諸如聚酰亞胺樹脂或丙烯酸樹脂的光敏有機(jī)材料，然后可以執(zhí)行曝光工藝和顯影工藝以形成PDL 180。在一些實(shí)施例中，可以通過印刷工藝(例如，噴墨印刷工藝)由聚合物材料或無機(jī)材料來形成PDL 180。

參照圖11，可以在PDL 180和第一電極170上順序地形成顯示層200、第二電極210和覆蓋層220。

可以在通過PDL 180暴露的每個第一電極170上使用用于產(chǎn)生紅色光、藍(lán)色光或綠色光的有機(jī)發(fā)光材料來形成顯示層200。例如，可以使用精細(xì)金屬掩模(FMM)通過旋涂工藝、輥印刷工藝、噴嘴印刷工藝、噴墨工藝等來形成顯示層200，所述FMM可以包括開口，通過此開口暴露與紅色像素Pr、綠色像素Pg或藍(lán)色像素Pb對應(yīng)的區(qū)域。因此，可以在每個像素中單獨(dú)地形成包括有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)發(fā)光層。

在一些實(shí)施例中，可以在形成有機(jī)發(fā)光層之前使用上述空穴傳輸材料來形成HTL。也可以使用上述電子傳輸材料在有機(jī)發(fā)光層上形成ETL。HTL和ETL可以包括在顯示層200中，并可以通過與針對有機(jī)發(fā)光層的工藝基本上相同或相似的工藝針對每個像素將HTL和ETL圖案化。

例如，如圖11中所示，PDL 180的側(cè)壁可以限定每個像素的顯示層200。

在一些實(shí)施例中，可以不針對每個像素將有機(jī)發(fā)光層、HTL和ETL中的至少一個單獨(dú)地圖案化，并可以在多個像素中連續(xù)地形成有機(jī)發(fā)光層、HTL和ETL中的至少一個。在實(shí)施例中，可以針對多個像素形成有機(jī)發(fā)光層，并且可以通過濾色器實(shí)現(xiàn)單個像素的顏色。在此情況下，透明顯示裝置可以用作白色OLED(W-OLED)裝置。

可以在顯示層200上沉積諸如Al、Mg、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的具有低逸出功的金屬或者所述金屬的合金以形成第二電極210。第二電極210可以用作透明顯示裝置的共電極和/或陰極。

例如，可以通過例如用于形成第二電極210的濺射工藝使用包括開口的開口掩模來沉積金屬，其中，通過所述開口共同地暴露像素區(qū)PA和透射區(qū)TA?？梢詫ο袼貐^(qū)PA和透射區(qū)TA共同地形成第二電極210而不需要額外的圖案化工藝，從而可以簡化工藝，并且可以減小第二電極210的電阻。

在一些實(shí)施例中，可以將第二電極210圖案化以將其從透射區(qū)TA基本上去除。

在一些示例實(shí)施例中，第二電極210可以由Ag、Mg或它們的合金形成。另外，為了改善像素區(qū)PA中的發(fā)光效率并獲得透射區(qū)TA中的期望的透射率，可以確定第二電極210的厚度。

在一些實(shí)施例中，第二電極210可以具有從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

接著，可以在第二電極210上形成覆蓋層220。在示例實(shí)施例中，覆蓋層220可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上連續(xù)地延伸，并可以具有遍及像素區(qū)PA和透射區(qū)TA的基本上均勻的厚度。

覆蓋層220可以通過例如旋涂工藝的涂覆工藝由空穴傳輸型有機(jī)材料形成。例如，覆蓋層220可以由具有至少大約1.85(例如，在從大約1.85至大約2的范圍內(nèi))的折射率的有機(jī)材料形成，從而可以增強(qiáng)與包括有機(jī)材料的PDL 180和/或通孔絕緣層160的光學(xué)一致性。

在示例實(shí)施例中，可以鑒于包括Ag和/或Mg的第二電極210的厚度來確定覆蓋層220的厚度以使透射區(qū)TA中的透射率最大化。覆蓋層220可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

接著，如圖11中所示，可以將載體基底50從基底100脫離。例如，當(dāng)基底100可以是塑料基底時，可以通過激光剝離工藝或通過施加機(jī)械拉力將載體基底50脫離。

在一些示例實(shí)施例中，如圖3中所示，可以在覆蓋層220上堆疊填充層240和包封基底250?？紤]到與覆蓋層220光學(xué)一致性，填充層240可以由具有在從大約1.4至大約1.6的范圍內(nèi)的折射率的有機(jī)材料形成。

根據(jù)如上所述的示例實(shí)施例，可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上共同地形成第二電極210，并且可以通過覆蓋層220來調(diào)整由于透射區(qū)TA中的金屬材料引起的光學(xué)阻抗，以改善透明顯示裝置的透射率。

因此，可以避免由于將第二電極210選擇性地圖案化導(dǎo)致的工藝失敗和顯示質(zhì)量的劣化，同時獲得增加的透射率。

圖12和圖13是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖。

例如，圖12和圖13示出制造圖4的透明顯示裝置的方法。在此省略對與參照圖5至圖11示出的工藝和/或材料基本上相同或相似的工藝和/或材料的詳細(xì)描述。

參照圖12，可以通過與參照圖5至圖11示出的工藝基本上相同或相似的工藝來形成BP結(jié)構(gòu)，可以在BP結(jié)構(gòu)上形成顯示層200和第二電極210。

在示例實(shí)施例中，可以在第二電極210上形成初始覆蓋層222。初始覆蓋層222可以形成為具有與圖11中示出的覆蓋層220的材料和厚度基本上相同或相似的材料和厚度。初始覆蓋層222可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

例如，可以使用通過其可使像素區(qū)PA和透射區(qū)TA暴露的開口掩模通過涂覆工藝或印刷工藝來形成初始覆蓋層222。

參照圖13，可以在像素區(qū)PA上選擇性地形成額外的覆蓋層。因此，可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上形成包括可具有不同厚度的第一部分225a和第二部分225b的覆蓋層225。

在示例實(shí)施例中，可以在初始覆蓋層222上放置選擇性地覆蓋透射區(qū)TA的掩模260?？梢詧?zhí)行使用掩模260的涂覆工藝使得額外的覆蓋層可以形成在像素區(qū)PA的初始覆蓋層222的一部分上。因此，可以增大覆蓋層225在像素區(qū)PA上的厚度以形成第一部分225a。

在示例實(shí)施例中，圖12中示出的初始覆蓋層222可以形成為具有用于改善透射區(qū)TA中的透射率(例如，使透射率最大化)的厚度。接著，如圖13中所示，選擇性地形成在像素區(qū)PA上的額外的覆蓋層的厚度可以被確定為用于使像素區(qū)PA中的發(fā)光效率最大化或者使像素區(qū)PA中的透射率最小化的厚度。

因此，覆蓋層225的第一部分225a可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。覆蓋層225的第二部分225b可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

接著，如參照圖11所示的，可以將載體基底50從基底100脫離。

如上所述，根據(jù)先前形成的第二電極210的材料和厚度可以使覆蓋層225的厚度有差別，從而可以對像素區(qū)PA和透射區(qū)TA的發(fā)光效率和透射率單獨(dú)地進(jìn)行最優(yōu)化。因此，可以實(shí)現(xiàn)具有增強(qiáng)的顯示質(zhì)量的透明顯示裝置。

圖14和圖15是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖。

除了透射區(qū)TA上的堆疊結(jié)構(gòu)之外，圖14和圖15的透明顯示裝置可以具有與圖3和圖4中示出的元件和/或構(gòu)造基本上相同或相似的元件和/或構(gòu)造。因此，在此省略對重復(fù)的元件和/或結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述，同樣的附圖標(biāo)記用來指示同樣的元件。

參照圖14，可以從透射區(qū)TA基本上去除PDL 185。例如，PDL 185可以選擇性地印刷在圖1中示出的像素區(qū)PA與透射區(qū)TA之間的邊界上和顯示區(qū)DA之間的邊界上。

在示例實(shí)施例中，透射窗(transmitting window)270可以通過通孔絕緣層160的頂表面和PDL 185的側(cè)壁來限定。透射窗270可以通過PDL 185來形成，從而可以進(jìn)一步地改善透射區(qū)TA中的透射率。

第二電極212可以沿著PDL 185的表面、顯示層200的上表面和通孔絕緣層160的頂表面共形地形成。如上所述，第二電極212可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

覆蓋層224可以形成在第二電極212上以具有用于改善透射區(qū)TA中的透射率的厚度。如上所述，覆蓋層224可以形成為遍及像素區(qū)PA和透射區(qū)TA，并可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

參照圖15，覆蓋層226可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA處具有不同的厚度。在此情況下，覆蓋層226可以通過與參照圖12和圖13示出的工藝基本上相同或相似的工藝來形成。

覆蓋層226可以包括第一部分226a和第二部分226b。第一部分226a可以形成在像素區(qū)PA上，并可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。第二部分226b可以覆蓋透射區(qū)TA或透射窗270，并可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

如圖3和圖4中所示，填充層可以形成在覆蓋層224和226上，使得透明顯示裝置的上部可以被平坦化。包封基底還可以設(shè)置在填充層上。

圖16和圖17是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖。

除了透射區(qū)TA上的堆疊結(jié)構(gòu)之外，圖16和圖17的透明顯示裝置可以具有與圖14和圖15中示出的元件和/或構(gòu)造基本上相同或相似的元件和/或構(gòu)造。因此，在此省略對重復(fù)的元件和/或結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述，同樣的附圖標(biāo)記用來指示同樣的元件。

參照圖16，可以從透射區(qū)TA基本上去除圖14中示出的通孔絕緣層160。因此，覆蓋像素電路或TFT的通孔絕緣圖案165可以選擇性地形成在像素區(qū)PA上。例如，透射窗275可以通過絕緣中間層140的頂表面、PDL 185和通孔絕緣圖案165的側(cè)壁來限定。

第二電極214可以沿PDL 185的表面、顯示層200的上表面和透射窗275的表面共形地形成。如上所述，第二電極214可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

覆蓋層230可以形成在第二電極214上以具有用于改善透射區(qū)TA中的透射率的厚度。如上所述，覆蓋層230可以形成為遍及像素區(qū)PA和透射區(qū)TA，并可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

參照圖17，也如參照圖15所示，覆蓋層232可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA上具有不同的厚度。

覆蓋層232可以包括第一部分232a和第二部分232b。第一部分232a可以形成在像素區(qū)PA上，并可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。第二部分232b可以覆蓋透射區(qū)TA或透射窗275，并可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

如圖3和圖4中所示，填充層可以形成在覆蓋層230和232上，使得透明顯示裝置的上部可以被平坦化。包封基底還可以設(shè)置在填充層上。

圖18至圖20是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖。例如，圖18至圖20示出制造圖16和圖17的透明顯示裝置的方法。

在此省略對與參照圖5至圖11以及圖12和圖13示出的工藝和/或材料基本上相同或相似的工藝和/或材料的詳細(xì)描述。

參照圖18，可以執(zhí)行與參照圖5至圖8示出的工藝基本上相同或相似的工藝。因此，可以在載體基底50上形成基底100和阻擋層110，可以形成包括有源圖案120、柵極絕緣層130、柵電極135、源電極150和漏電極155的晶體管。還可以形成覆蓋晶體管的通孔絕緣層160和絕緣中間層140。

參照圖19，可以部分地去除通孔絕緣層160以形成通孔163和透射窗275。

在示例實(shí)施例中，透射窗275可以通過用于形成通孔163的第二光刻工藝(見圖9)同時地形成。例如，也可以去除通孔絕緣層160的形成在透射區(qū)TA上的部分，同時形成通孔163，使得可以在像素區(qū)PA上選擇性地形成通孔絕緣圖案165。

在一些實(shí)施例中，絕緣中間層140的頂表面可以被透射窗275暴露。因此，透射窗275可以通過絕緣中間層140的頂表面和通孔絕緣圖案165的側(cè)壁來限定。

參照圖20，也如圖10中所示，可以在通孔絕緣圖案165上形成填充通孔163的第一電極170?？梢栽谕捉^緣圖案165的頂表面上形成部分地覆蓋第一電極170的PDL 185。

例如，可以在通孔絕緣圖案165的頂表面上印刷PDL 185，使得可以暴露每個像素的第一電極170。

圖18和圖20示出可以通過用于形成通孔163的光刻工藝同時蝕刻通孔絕緣層160。然而，可以通過用于去除PDL 185的形成在透射區(qū)TA上的一部分的圖案化工藝將通孔絕緣層160同時圖案化以形成通孔絕緣圖案165。

在一些示例實(shí)施例中，可以執(zhí)行與參照圖11示出的工藝基本上相同或相似的工藝以形成圖16中示出的顯示層200、第二電極214和覆蓋層230。

在一些示例實(shí)施例中，可以執(zhí)行與參照圖12和圖13示出的工藝基本上相同或相似的工藝以形成如圖17中示出的在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA處具有不同的厚度的覆蓋層232。

圖21和圖22是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的透明顯示裝置的剖視圖。

除了位于透射區(qū)TA上的堆疊結(jié)構(gòu)之外，圖21和圖22的透明顯示裝置可以具有與圖16和圖17中示出的元件和/或構(gòu)造基本上相同或相似的元件和/或構(gòu)造。因此，在此省略對重復(fù)的元件和/或結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述，同樣的附圖標(biāo)記用來指示同樣的元件。

參照圖21，可以從透射區(qū)TA基本上去除圖16中示出的絕緣中間層140。因此，覆蓋像素電路或TFT的絕緣中間層圖案145可以選擇性地形成在像素區(qū)PA上。

在一些實(shí)施例中，絕緣中間層圖案145可以包括在通孔絕緣圖案167中。在此情況下，透射窗277可以通過柵極絕緣層130的頂表面以及PDL 185和通孔絕緣圖案167的側(cè)壁來限定。

第二電極216可以沿PDL 185的表面、顯示層200的上表面和透射窗277的表面共形地形成。如上所述，第二電極216可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

覆蓋層234可以形成在第二電極216上以具有用于改善透射區(qū)TA中的透射率的厚度。如上所述，覆蓋層234可以形成為遍及像素區(qū)PA和透射區(qū)TA，并可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

參照圖22，覆蓋層236可以在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA處具有不同的厚度。

覆蓋層236可以包括第一部分236a和第二部分236b。第一部分236a可以形成在像素區(qū)PA上，并可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。第二部分236b可以覆蓋透射區(qū)TA或透射窗277，并可以具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度。

如圖3和圖4中所示，填充層可以形成在覆蓋層234和236上，使得透明顯示裝置的上部可以被平坦化。包封基底還可以設(shè)置在填充層上。

如上所述，可以從透射區(qū)TA基本上去除通孔絕緣層160和絕緣中間層140的部分以形成透射窗275和277。因此，可以減小透射區(qū)TA中的光透射距離，從而可以進(jìn)一步改善透射區(qū)TA中的透射率。

在一些實(shí)施例中，可以從透射區(qū)TA去除柵極絕緣層130，從而擴(kuò)展透射窗。

圖23至圖27是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的制造透明顯示裝置的方法的剖視圖。例如，圖23至圖27示出制造圖21和圖22的透明顯示裝置的方法。

在此省略對與參照圖5至圖11以及圖12和圖13示出的工藝和/或材料基本上相同或相似的工藝和/或材料的詳細(xì)描述。

參照圖23，可以執(zhí)行與參照圖5和圖6示出的工藝基本上相同或相似的工藝。

在示例實(shí)施例中，可以在載體基底50上形成基底100，可以在基底100上順序地形成阻擋層110、有源圖案120、柵極絕緣層130、柵電極135和絕緣中間層140。

參照圖24，也如參照圖7所示，可以執(zhí)行第一光刻工藝，使得可以部分地蝕刻絕緣中間層140和柵極絕緣層130的形成在像素區(qū)PA上的部分以形成第一接觸孔142和第二接觸孔144。

在示例實(shí)施例中，還可以通過第一光刻工藝去除絕緣中間層140的形成在透射區(qū)TA上的一部分。因此，可以在像素區(qū)PA上選擇性地形成絕緣中間層圖案145。

在一些實(shí)施例中，還可以通過第一光刻工藝去除柵極絕緣層130的形成在透射區(qū)TA上的一部分。

參照圖25，可以執(zhí)行與參照圖8示出的工藝基本上相同或相似的工藝。

因此，可以在第一接觸孔142和第二接觸孔144中分別形成源電極150和漏電極155?？梢栽诮^緣中間層圖案145和柵極絕緣層130上形成覆蓋源電極150和漏電極155的通孔絕緣層160。

參照圖26，可以執(zhí)行與參照圖19示出的工藝基本上相同或相似的工藝。

例如，可以執(zhí)行第二光刻工藝，使得可以在像素區(qū)PA上形成暴露漏電極155的通孔163，可以至少部分地去除通孔絕緣層160的形成在透射區(qū)TA上的一部分。因此，可以在像素區(qū)PA上選擇性地形成通孔絕緣圖案167。

在一些實(shí)施例中，絕緣中間層圖案145可以包括在位于像素區(qū)PA上的通孔絕緣圖案167中。另外，可以限定通過其暴露例如柵極絕緣層130的頂表面的透射窗277。

在一些實(shí)施例中，如上所述，如果還從透射區(qū)TA去除柵極絕緣層130，則可以通過透射窗277暴露阻擋層110。

參照圖27，也如參照圖20所示，可以在通孔絕緣圖案167上形成填充通孔163的第一電極170，可以在通孔絕緣圖案167上形成部分地覆蓋第一電極170的PDL 185。

在一些示例實(shí)施例中，可以執(zhí)行與參照圖11示出的工藝基本上相同或相似的工藝以形成圖21中示出的顯示層200、第二電極216和覆蓋層234。

在一些示例實(shí)施例中，覆蓋層236可以通過與參照圖12和圖13示出的工藝基本上相同或相似的工藝在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA處形成為具有不同的厚度。因此，可以實(shí)現(xiàn)圖22的透明顯示裝置。

圖28和圖29是示出透射率與覆蓋層的厚度變化的變化關(guān)系的曲線圖。

具體地，在具有的厚度的銀(Ag)電極上涂覆空穴傳輸型有機(jī)材料以形成覆蓋層。在改變覆蓋層的厚度的同時測量透射率變化，以獲得圖28中示出的曲線圖。

如圖28中所示，高透射率區(qū)A可以限定在小于大約的厚度范圍內(nèi)。例如，最大透射率區(qū)可以限定在大約至大約的范圍之內(nèi)。低透射率區(qū)B可以限定在從大約至大約的厚度范圍內(nèi)。

因此，具有在低透射率區(qū)B內(nèi)的厚度的覆蓋層可以形成在透明顯示裝置的像素區(qū)PA上，具有在高透射率區(qū)A內(nèi)的厚度的覆蓋層可以形成在透明顯示裝置的透射區(qū)TA上，因此，可以制造具有改善的透射率和顯示質(zhì)量的透明顯示裝置。例如，考慮到透射區(qū)TA中的透射率、對位于覆蓋層之下的下結(jié)構(gòu)的保護(hù)以及與像素區(qū)PA上的覆蓋層一致性，可以在透射區(qū)TA上形成具有在從大約至大約的范圍內(nèi)的厚度的覆蓋層。

另外，在具有的厚度的鎂(Mg)電極上涂覆空穴傳輸型有機(jī)材料以形成覆蓋層。在改變覆蓋層的厚度的同時測量透射率變化，以獲得圖29中示出的曲線圖。

參照圖29，與從Ag電極獲得的總體透射率相比，從Mg電極獲得的總體透射率降低。然而，與高透射率區(qū)A和低透射率區(qū)B對應(yīng)的覆蓋層的厚度與圖28中測量的覆蓋層的厚度基本上相同或相似。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，可以根據(jù)用作例如透明顯示裝置的陰極的第二電極的材料和厚度來調(diào)整覆蓋層的厚度。因此，可以實(shí)現(xiàn)在透射區(qū)中具有改善的透射率的透明顯示裝置。另外，覆蓋層的厚度在像素區(qū)處可以是有差別的，以改善像素區(qū)中的發(fā)光效率。

前述是示例實(shí)施例的說明，并且將不被理解為限制示例實(shí)施例。盡管已經(jīng)描述了一些示例實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解的是，在實(shí)質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，在示例實(shí)施例中許多修改是可能的。因此，所有這樣的修改意圖被包括在如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)。因此，將理解的是，前述是各種示例實(shí)施例的說明，并且將不被解釋為限定公開的具體示例實(shí)施例，并且對公開的示例實(shí)施例和其它示例實(shí)施例的修改意圖被包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。