本發(fā)明涉及TFT顯示技術領域，具體涉及TFT陣列基板及其制備方法。

背景技術：

隨著互聯(lián)網技術的飛速發(fā)展，與之相對應的移動終端產品，如手機、平板電腦、筆記本電腦等已成為人們日常生活當中的必需品。薄膜晶體管(TFT)式顯示屏是各類筆記本電腦和臺式機上的主流顯示設備，該類顯示屏上的每個像素點都是由集成在像素點后面的TFT來驅動，其具有高響應度、高亮度、高對比度等優(yōu)點，顯示效果接近CRT式顯示器。

圖1a所示為現(xiàn)有技術中TFT陣列基板的結構示意圖。從圖中可以看出，該TFT陣列基板包括襯底10，以及沉積在襯底10之上的TFT結構層11。其中TFT結構層包括至少一個TFT結構單元110。圖1b所示為圖1a中一個TFT結構單元的放大圖。從圖中可以看出，對于每一個TFT結構單元110而言，從下到上依次包括絕緣層111、P型半導體層112、柵極絕緣層113、柵極114、源極115、漏極116、鈍化層117。

然而，具備上述TFT陣列基板的移動終端設備在實際應用過程中，如果長時間連續(xù)使用，會導致機身發(fā)熱，隨之而來的可能是產品使用性能降低，耗電量增加，硬件老化加快等，這些問題無一不制約著產品性能的發(fā)揮。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種TFT陣列基板，解決了移動終端產品長時間使用導致機身發(fā)熱，進而降低產品性能的問題。本發(fā)明實施例還提供了一種TFT陣列基板的制備方法，使TFT陣列基板同時具備了薄膜溫差電池的功能。

本發(fā)明一實施例提供的一種TFT陣列基板，包括TFT結構單元，還包括N型半導體單元，N型半導體單元與所述TFT結構單元中的P型半導體層通過金屬線串聯(lián)形成熱電單元。

本發(fā)明還提供了一種TFT陣列基板的制備方法，包括逐層制備TFT結構層，進一步包括，制備N型半導體單元，并將N型半導體單元與TFT結構單元中的P型半導體層通過金屬線串聯(lián)形成熱電單元。

本發(fā)明實施例提供的一種TFT陣列基板及其制備方法，通過在現(xiàn)有TFT結構層的基礎上增加一個N型半導體層，然后借助TFT結構層中的P型半導體層形成了熱電單元結構，方法簡單，同時擴展了現(xiàn)有TFT陣列基板的功能。在制備顯示屏時，可以利用顯示屏工作時產生的熱量來發(fā)電，一方面綠色節(jié)能，另一方面可以為顯示屏表面降溫，降低了顯示屏使用過程中表面過熱帶來的一系列不良后果。

附圖說明

圖1a所示為現(xiàn)有技術中TFT陣列基板的結構示意圖。

圖1b所示為圖1a中一個TFT結構單元的放大圖。

圖2a所示為本發(fā)明一實施例提供的TFT陣列基板的局部截面示意圖。

圖2b所示為圖2a中熱電單元的電流回路示意圖。

圖3所示為本發(fā)明一實施例提供的熱電單元串并聯(lián)形成薄膜電池陣列的電路連接關系示意圖。

圖4所示為本發(fā)明一實施例提供的TFT陣列基板的制備方法流程圖。

圖5a-圖5d所示為本發(fā)明一實施例提供的TFT陣列基板制備過程示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明提供的TFT陣列基板，與現(xiàn)有技術相比進一步包括N型半導體層，該N型半導體層又包括至少一個N型半導體單元，每一個N型半導體單元對應一個TFT結構單元，N型半導體單元的一端與與之對應的TFT結構單元中的P型半導體層的一端通過金屬線相連形成熱電單元。

圖2a所示為本發(fā)明一實施例提供的TFT陣列基板的局部截面示意圖。從圖中可以看出，該陣列基板相比于現(xiàn)有技術而言，在TFT結構層11中位于最底層的絕緣層111與襯底10之間進一步包括一個N型半導體層12，該N型半導體層12包括至少一個N型半導體單元120，每一個N型半導體單元120對應一個TFT結構單元110。每一個N型半導體單元120的兩端分別包括第一金屬引線121和第二金屬引線122，其中第一金屬引線121與TFT結構單元110的源極115(或漏極116)相連形成串聯(lián)結構的電路單元，即熱電單元，則第二金屬引線122和TFT結構單元110的漏極116(或源極115)分別為熱電單元的正、負電極，該熱電單元中的電流回路如圖2b中虛箭頭線所示。本領域技術人員可以理解，圖2a和圖2b示出的熱電單元的具體結構只是示例性的，也可以不借助TFT結構單元110的源極115和漏極116，而是在TFT結構單元110中的P型半導體層兩端單獨設置兩條金屬線，專門用于形成熱電單元，此時可以設置其中的一條金屬線與第一金屬引線121電連接，另一條金屬線作為熱電單元的負極。

在一個實施例中，N型半導體層12也可以設置在TFT結構層11之上。

根據本發(fā)明實施方式的TFT陣列基板，通過在現(xiàn)有TFT結構層11的基礎上增加一個N型半導體層12，然后借助TFT結構層中的P型半導體層形成了熱電單元結構。方法簡單，同時擴展了現(xiàn)有TFT陣列基板的功能。

當將如圖2a所示TFT陣列基板用于制造顯示屏時，可以將所有的熱電單元通過串聯(lián)和/或并聯(lián)的方式組成薄膜電池陣列。圖3所示為本發(fā)明一實施例提供的熱電單元串并聯(lián)形成薄膜電池陣列的電路連接關系示意圖。從圖中可以看出，熱電單元1-1到1-6、熱電單元2-1到2-6、熱電單元3-1到3-6分別串聯(lián)組成三個串聯(lián)行，三個串聯(lián)行再相互并聯(lián)組成薄膜電池陣列。這種情況下，薄膜電池陣列可以進一步包括儲電單元，儲電單元的兩端分別連接薄膜電池陣列的正、負極，用于將薄膜電池陣列產生的電能儲存起來。

本領域技術人員可以理解，這里給出的熱電單元的數(shù)量、連接關系只是示例性的，對于連接關系可以是所有熱電單元串聯(lián)組成薄膜電池陣列，也可以是所有熱電單元并聯(lián)組成薄膜電池陣列。

根據本發(fā)明實施方式的TFT陣列基板，可以用于制備顯示屏，當顯示屏工作時，會產生大量熱量，而由于TFT陣列基板的層級結構中每一層的材質是不同的，使得每一層的導熱效果不同，這樣就會在層與層之間形成溫度差，這種情況下，將位于TFT陣列基板的不同層的P型半導體層112和N型半導體單元120串聯(lián)起來，就可以根據塞貝克效應，在P型半導體層112和N型半導體單元120所構成的回路中產生電流，從而形成可發(fā)電的熱電單元結構。這種發(fā)電形式一方面綠色節(jié)能，另一方面可以為顯示屏表面降溫，降低了顯示屏使用過程中表面過熱帶來的一系列不良后果。

本發(fā)明還提供了一種TFT陣列基板的制備方法，在現(xiàn)有技術中的逐層制備TFT結構層的基礎上，還包括，制備與TFT結構層中的每一個TFT結構單元一一對應的N型半導體單元，并將TFT結構單元中的P型半導體的一端與與之對應的N型半導體單元的一端電連接。下面通過一個具體實施例詳述本發(fā)明中TFT陣列基板的制備過程。

圖4所示為本發(fā)明一實施例提供的TFT陣列基板的制備方法流程圖。從圖中可以看出，該方法包括：

步驟301，在襯底上形成N型半導體層，該N型半導體層包括至少一個與TFT結構單元一一對應并且彼此絕緣的N型半導體單元。

參考圖5a，具體為，在襯底10上沉積N型半導體層12，通過光刻掩模技術形成彼此絕緣的N型半導體單元120，該N型半導體單元120與后續(xù)形成的TFT結構層11中的TFT結構單元110一一對應。

步驟302，參考圖5b，在N型半導體層12上沉積第一金屬層，并通過一道光刻制程圖案化該第一金屬層，形成分別位于每一個N型半導體單元120一端的第一金屬引線121和第二金屬引線122。

步驟303，參考圖5c，在襯底10、N型半導體層12，以及第一金屬引線121和第二金屬引線122之上形成TFT結構層11。該形成TFT結構層的過程為現(xiàn)有技術，對此不作限定。

步驟304，參考圖5d，將每一個N型半導體單元120一端的第一金屬引線121(或第二金屬引線122)與與之對應的TFT結構單元110中的源極115(或漏極116)通過金屬線連接，即得到如圖2a所示TFT陣列基板。

在一個實施例中，采用過孔的形式將N型半導體單元120一端的第一金屬引線121(或第二金屬引線122)與與之對應的TFT結構單元110中的源極115(或漏極116)電連接。

本領域技術人員可以理解，一個熱電單元中的TFT結構單元與N型半導體單元的數(shù)量并不一定是相等的，本發(fā)明實施例中給出的一一對應的關系只是示例性的。例如，也可以設置多個N型半導體單元120與一個TFT結構單元110中的P型半導體層112串聯(lián)形成一個熱電單元，或者一個N型半導體單元120與多個TFT結構單元110中的P型半導體層112串聯(lián)形成一個熱電單元。當然，也可以實施成有的TFT結構單元110中的P型半導體層112與N型半導體單元120形成熱電單元，而有的TFT結構單元110中的P型半導體層112沒有與N型半導體單元120形成熱電單元。這需要結合實際TFT陣列基板產生的熱量以及一個熱電單元的發(fā)電量合理設置。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。