1.生長(zhǎng)在鋁酸鎂鈧襯底上的LED外延片，其特征在于，包括生長(zhǎng)在鋁酸鎂鈧襯底上的GaN緩沖層，生長(zhǎng)在GaN緩沖層上的Al納米島層，生長(zhǎng)在Al納米島層上的非摻雜GaN層，生長(zhǎng)在非摻雜GaN層上的n型摻雜GaN薄膜，生長(zhǎng)在n型摻雜GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生長(zhǎng)在InGaN/GaN量子阱上的p型摻雜GaN薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在鋁酸鎂鈧襯底上的LED外延片，其特征在于，所述ScMgAlO4襯底以(0001)面偏(11-20)面0.5～1°為外延面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在鋁酸鎂鈧襯底上的LED外延片，其特征在于，所述GaN緩沖層的厚度為50～100nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在鋁酸鎂鈧襯底上的LED外延片，其特征在于，所述Al納米島層的厚度為50～200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在鋁酸鎂鈧襯底上的LED外延片，其特征在于，所述非摻雜GaN層的厚度為200～300nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在鋁酸鎂鈧襯底上的LED外延片，其特征在于，所述n型摻雜GaN薄膜的厚度為3～5μm，n型摻雜GaN薄膜濃度為5～9×1018cm-3。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在鋁酸鎂鈧襯底上的LED外延片，其特征在于，所述InGaN/GaN量子阱為7～10個(gè)周期的InGaN阱層/GaN壘層，其中InGaN阱層的厚度為2～3nm；GaN壘層的厚度為10～13nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在鋁酸鎂鈧襯底上的LED外延片，其特征在于，所述p型摻雜GaN薄膜的厚度為250～350nm，p型摻雜GaN薄膜摻雜濃度為2～5×1018cm-3。
9.權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的生長(zhǎng)在鋁酸鎂鈧襯底上的LED外延片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)襯底以及其晶向的選取：采用鋁酸鎂鈧襯底，以(0001)面偏(11-20)面0.5～1°為外延面，晶體外延取向關(guān)系為：GaN的(0001)面平行于ScMgAlO4襯底的(0001)面；
(2)襯底退火處理，所述退火的具體過程為：將襯底放入分子束外延真空生長(zhǎng)室，在600～700℃下對(duì)ScMgAlO4襯底進(jìn)行退火處理1-2h，獲得原子級(jí)平整的襯底表面；
(3)GaN緩沖層外延生長(zhǎng)：襯底溫度調(diào)為450～550℃，采用脈沖激光沉積技術(shù)在反應(yīng)室的壓力為1.0～4.0×10-5Pa、激光能量密度為1.5-3.0J/cm2的條件下生長(zhǎng)GaN緩沖層；在450～550℃生長(zhǎng)緩沖層；
(4)Al納米島層的外延生長(zhǎng)：采用分子束外延生長(zhǎng)工藝，將襯底保持在700～900℃，N2流量0.1-2sccm，Al源蒸發(fā)溫度為1100-1200℃，在步驟(3)得到的GaN緩沖層上生長(zhǎng)Al納米島層；
(5)非摻雜GaN層的外延生長(zhǎng)：采用分子束外延生長(zhǎng)工藝，將襯底保持在500～600℃，在反應(yīng)室的壓力為6.0～8.0×10-5Pa、生長(zhǎng)速度為0.6～0.8ML/s條件下，在步驟(4)得到的Al納米島層上生長(zhǎng)非摻雜GaN層；
(6)n型摻雜GaN薄膜的外延生長(zhǎng)：采用分子束外延生長(zhǎng)工藝，將襯底溫度升至650～750℃，在反應(yīng)室壓力為6.0～8.0×10-5Pa、生長(zhǎng)速度為0.6～0.8ML/s條件下，在步驟(5)得到的非摻雜GaN層上生長(zhǎng)n型摻雜GaN薄膜；
(7)InGaN/GaN多量子阱的外延生長(zhǎng)：采用分子束外延生長(zhǎng)工藝，生長(zhǎng)溫度為650～750℃，在反應(yīng)室的壓力為1.0～2.0×10-5Pa、生長(zhǎng)速度為0.2～0.4ML/s條件下，在步驟(6)得到的n型摻雜GaN薄膜上生長(zhǎng)InGaN/GaN多量子阱；
(8)p型摻雜GaN薄膜的外延生長(zhǎng)：采用分子束外延生長(zhǎng)工藝，將襯底溫度調(diào)至650～750℃，反應(yīng)室的壓力6.0～8.0×10-5Pa、生長(zhǎng)速度0.6～0.8ML/s條件下，在步驟(7)得到的InGaN/GaN多量子阱上生長(zhǎng)p型摻雜GaN薄膜。