本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種利用側(cè)墻結(jié)構(gòu)提高存儲(chǔ)區(qū)可靠性的方法以及閃存存儲(chǔ)器。
背景技術(shù)：
嵌入式閃存是將已有的閃存與現(xiàn)有的邏輯模塊從物理或是電學(xué)進(jìn)行結(jié)合，提供更多樣的性能。嵌入式閃存中閃存采用特殊的陣列機(jī)構(gòu)，具有高的數(shù)據(jù)讀取速度，低功耗等優(yōu)點(diǎn)。
但是，如何將閃存工藝與原有邏輯的制造工藝相兼容，盡可能地保留原有邏輯的制造工藝，依舊是個(gè)問題。
傳統(tǒng)工藝中保留邏輯的制造工藝，將邏輯區(qū)與存儲(chǔ)區(qū)柵極側(cè)壁的氧化層分開生長，最終存儲(chǔ)區(qū)的側(cè)壁結(jié)構(gòu)順序從里至外為氧化層、氮化層。但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，往往忽略了由于嵌入式閃存特殊陣列結(jié)構(gòu)易造成的側(cè)壁底部切口，而切口會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)區(qū)柵極氧化層會(huì)被破壞，從而會(huì)影響存儲(chǔ)區(qū)可靠性這一嚴(yán)重問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種利用側(cè)墻結(jié)構(gòu)提高存儲(chǔ)區(qū)可靠性的方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種利用側(cè)墻結(jié)構(gòu)提高存儲(chǔ)區(qū)可靠性的方法，包括：
第一步驟：在閃存的邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)分別形成柵極結(jié)構(gòu)；
第二步驟：在相同工藝中，在邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成氧化層；
第三步驟：在相同工藝中，在邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)的氧化層表面形成氮化層。
優(yōu)選地，所述利用側(cè)墻結(jié)構(gòu)提高存儲(chǔ)區(qū)可靠性的方法用于制造嵌入式閃存。
優(yōu)選地，所述氧化層是氧化硅層。
優(yōu)選地，所述氮化層是氮化硅層。
優(yōu)選地，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極氧化物層和柵極多晶硅層。
為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種采用根據(jù)上述利用側(cè)墻結(jié)構(gòu)提高存儲(chǔ)區(qū)可靠性的方法制成的閃存存儲(chǔ)器，包括：邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)，其中存儲(chǔ)區(qū)的器件的柵極側(cè)壁的結(jié)構(gòu)為氧化層-氮化層-氧化層-氮化層結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地，所述氧化層-氮化層-氧化層-氮化層結(jié)構(gòu)是氧化硅層-氮化硅層-氧化硅層-氮化硅層結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地，所述閃存存儲(chǔ)器是嵌入式閃存存儲(chǔ)器。
本發(fā)明將閃存?zhèn)缺贠NO(氧化層-氮化層-氧化層)結(jié)構(gòu)優(yōu)化為ONON(氧化層-氮化層-氧化層-氮化層)結(jié)構(gòu)，有效保護(hù)閃存區(qū)存儲(chǔ)區(qū)柵極氧化層，提高閃存可靠性。
附圖說明
結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：
圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的利用側(cè)墻結(jié)構(gòu)提高存儲(chǔ)區(qū)可靠性的方法的流程圖。
需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
本發(fā)明將閃存?zhèn)缺贠NO(氧化層-氮化層-氧化層)結(jié)構(gòu)優(yōu)化為ONON(氧化層-氮化層-氧化層-氮化層)結(jié)構(gòu)，有效保護(hù)閃存區(qū)存儲(chǔ)區(qū)柵極氧化層，提高閃存可靠性。
圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的利用側(cè)墻結(jié)構(gòu)提高存儲(chǔ)區(qū)可靠性的方法的流程圖。
所述利用側(cè)墻結(jié)構(gòu)提高存儲(chǔ)區(qū)可靠性的方法可用于制造嵌入式閃存。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的利用側(cè)墻結(jié)構(gòu)提高存儲(chǔ)區(qū)可靠性的方法包括：
第一步驟S1：在閃存的邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)分別形成柵極結(jié)構(gòu)；例如，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極氧化物層和柵極多晶硅層。
第二步驟S2：在同一工藝中，在邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成氧化層；
優(yōu)選地，所述氧化層是氧化硅層。
第三步驟S3：在同一工藝中，在邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)的氧化層表面形成氮化層。
優(yōu)選地，所述氮化層是氮化硅層。
由此，利用根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的利用側(cè)墻結(jié)構(gòu)提高存儲(chǔ)區(qū)可靠性的方法制造的嵌入式閃存包括：邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)，其中存儲(chǔ)區(qū)的器件的柵極側(cè)壁的結(jié)構(gòu)為氧化層-氮化層-氧化層-氮化層結(jié)構(gòu)。例如，所述氧化層-氮化層-氧化層-氮化層結(jié)構(gòu)是氧化硅層-氮化硅層-氧化硅層-氮化硅層結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明將邏輯與存儲(chǔ)區(qū)柵極側(cè)壁的氧化層、氮化層一同形成，即保留邏輯的制造工藝，又可將閃存區(qū)的側(cè)壁結(jié)構(gòu)更改為ONON(氧化層-氮化層-氧化層-氮化層)結(jié)構(gòu)，利用氮化層來保護(hù)存儲(chǔ)區(qū)柵極氧化層，使其不會(huì)由于嵌入式閃存特殊陣列結(jié)構(gòu)造成的側(cè)壁底部切口而被破壞，提高存儲(chǔ)區(qū)可靠性。
此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。