技術總結
本發(fā)明提供了一種硅摻雜氮化鎵納米帶紫外光探測器及其制備方法。本發(fā)明(1)在鍍有二氧化硅作掩膜的硅襯底上光刻和氫氧化鉀濕法刻蝕圖形；(2)在所述圖形的凹槽側壁上生長硅摻雜的氮化鎵納米帶；(3)剝離所述納米帶，將所述剝離得到的納米帶轉移至鍍有二氧化硅的硅片基底上；(4)在所述步驟(3)得到基底的納米帶上鍍銀電極，得到硅摻雜氮化鎵納米帶紫外光探測器。本發(fā)明提供的技術方案改善了微納米量級氮化鎵紫外光探測器的光開關比和光增益。實驗結果表明，本發(fā)明得到的硅摻雜氮化鎵納米帶紫外光探測器的光開關比達到5.4×104，光增益和光敏度分別為8.8×105、2.3×10?5A/W。

技術研發(fā)人員：李述體;趙亮亮;王幸福
受保護的技術使用者：華南師范大學
文檔號碼：201610783309
技術研發(fā)日：2016.08.31
技術公布日：2016.12.14