1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,包含:
提供一半導(dǎo)體基材;
形成一圖案化層在該半導(dǎo)體基材上,其中該圖案化層包含一感光性添加劑成分,該感光性添加劑成分包含一金屬陽離子,且形成該圖案化層的步驟還包含:
在該金屬陽離子及一或多個陰離子之間形成一或多個鍵,其中該一或多個陰離子的每一者為一保護基及一高分子鏈鍵結(jié)成分的一者,且該高分子鏈鍵結(jié)成分是與該圖案化層的一高分子鏈鍵結(jié);以及
以一輻射對該半導(dǎo)體基材進行曝光。
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