1.一種薄膜電容器，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體襯底；
第一金屬層，其位于所述半導(dǎo)體襯底上；
電介質(zhì)層，其位于所述第一金屬層上；以及
第二金屬層，其位于所述電介質(zhì)層上，與所述第一金屬層一起將所述電介質(zhì)層夾在中間構(gòu)成“三明治”結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，所述第一金屬層、所述電介質(zhì)層和所述第二金屬層中的至少一種為多層復(fù)合結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層由選自鋁、鎂、鋅等的材料中的至少一種形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，所述電介質(zhì)層由SiO2、Al2O3、聚四氟乙烯或氮化鉭中的至少一種形成。
5.一種薄膜電容器制造方法，包括以下步驟：
S1：提供半導(dǎo)體襯底；
S2：在所述半導(dǎo)體襯底上制備第一光刻膠，以所述第一光刻膠為掩模，采用離子束濺射沉積在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一金屬層，并去除所述第一光刻膠；
S3：在所述第一金屬層上制備第二光刻膠，以所述第二光刻膠為掩模，采用離子束濺射沉積在所述第一金屬層上形成電介質(zhì)層，并去除所述第二光刻膠；以及
S4：在所述電介質(zhì)層上制備第三光刻膠，以所述第三光刻膠為掩模，在所述電介質(zhì)層上形成第二金屬層，并去除所述第三光刻膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜電容器制造方法，其特征在于：
在步驟S2中進(jìn)一步包括以下步驟：
S2-1：將硅襯底固定在旋轉(zhuǎn)工件臺上面，并在硅襯底上制備尺寸為0.6×1.25cm的鋁膜光刻膠，將鋁靶固定在靶臺上；
S2-2：先用機(jī)械泵粗抽真空，然后用分子泵精抽真空，使真空倉的真空度達(dá)到并在離子束濺射沉積過程中始終保持在6.0×10-3；
S2-3：向真空倉內(nèi)的離子源充入惰性氬氣，并打開高壓電源，使氬氣輝光放電成Ar+等離子體；
S2-4：Ar+等離子體經(jīng)引出、成束、加速、中和形成Ar離子束對鋁靶進(jìn)行轟擊，由鋁靶濺射出來的鋁原子向固定在工件臺上有鋁膜光刻膠的硅襯底沉積，形成鋁膜；
S2-5：打開真空倉，取出硅襯底，清洗剩余的鋁膜光刻膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜電容器制造方法，其特征在于：
在形成所述第一金屬層后，步驟S3中進(jìn)一步包括以下步驟：
S3-1：將聚四氟乙烯靶固定在靶臺上；
S3-2：在第一金屬層上制備尺寸為1.05×1.05cm的聚四氟乙烯光刻膠；
S3-3：先用機(jī)械泵粗抽真空，然后用分子泵精抽真空，使真空倉的真空度達(dá)到并在離子束濺射沉積過程中始終保持在6.0×10-3；
S3-4：向真空倉內(nèi)的離子源充入惰性氬氣，并打開高壓電源，使氬氣輝光放電成Ar+等離子體；
S3-5：Ar+等離子體經(jīng)引出、成束、加速、中和形成Ar離子束對聚四氟乙烯靶進(jìn)行轟擊，由聚四氟乙烯靶濺射出來的聚四氟乙烯原子向固定在工件臺上有聚四氟乙烯光刻膠的硅襯底沉積，形成聚四氟乙烯膜；
S3-6：打開真空倉，取出硅襯底，清洗剩余的鋁膜光刻膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜電容器制造方法，其特征在于：
在形成所述電介質(zhì)層后，在步驟S4中進(jìn)一步包括以下步驟：
S4-1：將鋁靶固定在靶臺上，并在所述電介質(zhì)層上制備尺寸為0.6×1.25cm的鋁膜光刻膠；
S4-2：先用機(jī)械泵粗抽真空，然后用分子泵精抽真空，使真空倉的真空度達(dá)到并在離子束濺射沉積過程中始終保持在6.0×10-3；
S4-3：向真空倉內(nèi)的離子源充入惰性氬氣，并打開高壓電源，使氬氣輝光放電成Ar+等離子體；
S4-4：Ar+等離子體經(jīng)引出、成束、加速、中和形成Ar離子束對鋁靶進(jìn)行轟擊，由鋁靶濺射出來的鋁原子向固定在工件臺上有鋁膜光刻膠的硅襯底沉積，形成鋁膜；
S4-5：打開真空倉，取出硅襯底，清洗剩余的鋁膜光刻膠。