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      一種小型化LTE多陣列天線的制作方法

      文檔序號:12615827閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      1.一種小型化LTE多陣列天線,包括反射板(1),設置于反射板正面的四個陣列1(2.1)、陣列2(2.2)、陣列3(2.3)、陣列4(2.4),設置于反射板背面的耦合校準網(wǎng)絡(3),和設置于反射板背面的饋電網(wǎng)絡1(4.1)、饋電網(wǎng)絡2(4.2)、饋電網(wǎng)絡3(4.3)、饋電網(wǎng)絡4(4.4),其特征在于:陣列1(2.1)、陣列2(2.2)、陣列3(2.3)、陣列4(2.4)分別包括若干個等間距排列的輻射單元;

      每個輻射單元包括雙極化振子(5)以及巴倫1(6.1)、巴倫2(6.2),雙極化振子是兩個分開的偶極子,分別沿不同極化方向放置,沿±45°方向形成 ±45°兩路極化;兩個偶極子分別連接巴倫1(6.1)、巴倫2(6.2);

      饋電網(wǎng)絡1(4.1)、饋電網(wǎng)絡2(4.2)、饋電網(wǎng)絡3(4.3)、饋電網(wǎng)絡4(4.4)分別采用平面結(jié)構(gòu),網(wǎng)絡各端口之間的饋電點在同一個水平線上;

      各輻射單元采用強耦合方式放置。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述小型化LTE多陣列天線,其特征在于:陣列1(2.1)、陣列2(2.2)、陣列3(2.3)、陣列4(2.4)分別包括十個等間距排列的輻射單元。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述小型化LTE多陣列天線,其特征在于:所述各輻射單元采用強耦合方式放置,包括陣列1(2.1)、陣列2(2.2)、陣列3(2.3)、陣列4(2.4)之間的間距為0.5~0.7λ,各陣列中每個輻射單元間距為0.5~0.7λ,λ為中心頻點的波長。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述小型化LTE多陣列天線,其特征在于:饋電網(wǎng)絡1(4.1)、饋電網(wǎng)絡2(4.2)、饋電網(wǎng)絡3(4.3)、饋電網(wǎng)絡4(4.4)具有預置下傾角。

      5.根據(jù)權(quán)利要求3所述小型化LTE多陣列天線,其特征在于:饋電網(wǎng)絡1(4.1)、饋電網(wǎng)絡2(4.2)、饋電網(wǎng)絡3(4.3)、饋電網(wǎng)絡4(4.4)具有預置下傾角。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述小型化LTE多陣列天線,其特征在于:饋電網(wǎng)絡1(4.1)、饋電網(wǎng)絡2(4.2)、饋電網(wǎng)絡3(4.3)、饋電網(wǎng)絡4(4.4)中,各個功率分配單元之間用平面微帶線直接連接。

      7.根據(jù)權(quán)利要求3所述小型化LTE多陣列天線,其特征在于:饋電網(wǎng)絡1(4.1)、饋電網(wǎng)絡2(4.2)、饋電網(wǎng)絡3(4.3)、饋電網(wǎng)絡4(4.4)中,各個功率分配單元之間用平面微帶線直接連接。

      8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述小型化LTE多陣列天線,其特征在于:巴倫1(6.1)和巴倫2(6.2)的高度為0.16λ,λ為中心頻點的波長。

      9.根據(jù)權(quán)利要求3所述小型化LTE多陣列天線,其特征在于:巴倫1(6.1)和巴倫2(6.2)的高度為0.16λ,λ為中心頻點的波長。

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