本發(fā)明涉及具備線圈的電子部件。

背景技術(shù)：

作為以往的電子部件，例如，公知有專利文獻(xiàn)1所記載的層疊型電子部件。圖20是專利文獻(xiàn)1所記載的層疊型電子部件的層疊體100的分解立體圖。

如圖20所示，層疊型電子部件具備層疊體100以及內(nèi)部導(dǎo)體層102a～102d。應(yīng)予說明，就內(nèi)部導(dǎo)體層而言，除了內(nèi)部導(dǎo)體層102a～102d以外，也有設(shè)置于層疊體100的內(nèi)部導(dǎo)體層，但僅對說明所需要的內(nèi)部導(dǎo)體層標(biāo)注了參照附圖標(biāo)記。層疊體100從上側(cè)向下側(cè)層疊層疊體片材104a～104l而構(gòu)成。

內(nèi)部導(dǎo)體層102a～102d分別設(shè)置于層疊體片材104d～104g，呈L字型。更詳細(xì)而言，在從上側(cè)觀察時，內(nèi)部導(dǎo)體層102a～102d相互重合而形成長方形形狀的軌道。內(nèi)部導(dǎo)體層102a與軌道的右側(cè)的短邊以及后側(cè)的長邊重疊。內(nèi)部導(dǎo)體層102b與軌道的后側(cè)的長邊以及左側(cè)的短邊重疊。內(nèi)部導(dǎo)體層102c與軌道的左側(cè)的短邊以及前側(cè)的長邊重疊。內(nèi)部導(dǎo)體層102d與軌道的前側(cè)的長邊以及右側(cè)的短邊重疊。在此，內(nèi)部導(dǎo)體層102a～102d分別沿上下方向貫通層疊體片材104d～104g。因此，內(nèi)部導(dǎo)體層102a與內(nèi)部導(dǎo)體層102b在后側(cè)的長邊連接。內(nèi)部導(dǎo)體層102b與內(nèi)部導(dǎo)體層102c在左側(cè)的短邊連接。內(nèi)部導(dǎo)體層102c與內(nèi)部導(dǎo)體層102d在前側(cè)的長邊連接。由此，形成有螺旋狀的線圈。

然而，在專利文獻(xiàn)1所記載的層疊型電子部件中，存在線圈容易發(fā)生短路的問題。更詳細(xì)而言，例如，內(nèi)部導(dǎo)體層102a的右側(cè)的短邊與內(nèi)部導(dǎo)體層102d的右側(cè)的短邊對置。但是，在這兩個短邊之間存在兩層絕緣體層104e、104f。因此，在內(nèi)部導(dǎo)體層102a的右側(cè)的短邊與內(nèi)部導(dǎo)體層102d的右側(cè)的短邊之間發(fā)生短路的概率相對較低。

另一方面，內(nèi)部導(dǎo)體層102a中的逆時針方向的上游側(cè)的端部與內(nèi)部導(dǎo)體層102c中的逆時針方向的下游側(cè)的端部對置。在這兩個端部之間存在1層絕緣片材104e。因此，在內(nèi)部導(dǎo)體層102a上的逆時針方向的上游側(cè)的端部與內(nèi)部導(dǎo)體層102c上的逆時針方向的下游側(cè)的端部之間發(fā)生短路的概率相對較高。這樣，在專利文獻(xiàn)1所記載的層疊型電子部件中，有可能在特定的位置線圈發(fā)生短路。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-183007號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制在線圈中發(fā)生短路的電子部件。

本發(fā)明的第一方式所涉及的電子部件的特征在于，具備：

層疊體，其在層疊方向?qū)盈B多個絕緣體層而構(gòu)成；以及

線圈，其設(shè)置于上述層疊體，包括從上述層疊方向的一側(cè)向另一側(cè)依次排列的第一線圈導(dǎo)體層、第二線圈導(dǎo)體層以及第三線圈導(dǎo)體層，

定義在從上述層疊方向觀察時，繞規(guī)定方向依次連接第一邊、第二邊、第三邊以及第四邊而構(gòu)成的四邊形狀的軌道，

上述第一線圈導(dǎo)體層遍及上述第一邊以及上述第二邊，

上述第二線圈導(dǎo)體層遍及上述第二邊以及上述第三邊，并且在該第二邊與上述第一線圈導(dǎo)體層連接，

上述第三線圈導(dǎo)體層遍及上述第三邊以及上述第四邊，并且在該第三邊與上述第二線圈導(dǎo)體層連接，

在從上述層疊方向觀察時，上述第一線圈導(dǎo)體層或者上述第三線圈導(dǎo)體層的至少任意一方未設(shè)置于由上述第一邊和上述第四邊形成的第一角。

本發(fā)明的第二方式所涉及的電子部件的特征在于，具備：

層疊體，其在層疊方向?qū)盈B多個絕緣體層而構(gòu)成；以及

線圈，其設(shè)置于上述層疊體，包括從上述層疊方向的一側(cè)向另一側(cè)依次排列的第一線圈導(dǎo)體層、第二線圈導(dǎo)體層、第三線圈導(dǎo)體層以及第四線圈導(dǎo)體層，

定義在從上述層疊方向觀察時，繞規(guī)定方向依次連接第一邊、第二邊、第三邊以及第四邊而構(gòu)成的四邊形狀的軌道，

上述第一線圈導(dǎo)體層以及上述第二線圈導(dǎo)體層遍及上述第一邊以及上述第二邊，并且在該第一邊以及該第二邊相互連接，

上述第三線圈導(dǎo)體層遍及上述第二邊以及上述第三邊，并且在該第二邊與上述第二線圈導(dǎo)體層連接，

上述第四線圈導(dǎo)體層遍及上述第三邊以及上述第四邊，并且在該第三邊與上述第三線圈導(dǎo)體層連接，

在從上述層疊方向觀察時，上述第二線圈導(dǎo)體層或者上述第四線圈導(dǎo)體層的至少任意一方未設(shè)置于由上述第一邊和上述第四邊形成的第一角。

根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制在線圈中發(fā)生短路。

附圖說明

圖1是電子部件10、10a～10f的外觀立體圖。

圖2是電子部件10的層疊體12的分解立體圖。

圖3A是從上側(cè)觀察軌道R的圖。

圖3B是從上側(cè)觀察其它例子所涉及的軌道R的一部分的圖。

圖4A是示出電子部件10中的線圈導(dǎo)體層18a～18f的位置關(guān)系的圖。

圖4B是圖1所示的電子部件10a在A-A方向上的剖面構(gòu)造圖。

圖5是從上側(cè)俯視電子部件10的制造時的情況的圖。

圖6是從上側(cè)俯視電子部件10的制造時的情況的圖。

圖7是從上側(cè)俯視電子部件10的制造時的情況的圖。

圖8是從上側(cè)俯視電子部件10的制造時的情況的圖。

圖9是從上側(cè)俯視電子部件10的制造時的情況的圖。

圖10是從上側(cè)俯視電子部件10的制造時的情況的圖。

圖11A是從上側(cè)俯視電子部件10的制造時的情況的圖。

圖11B是示出比較例所涉及的電子部件300中的線圈導(dǎo)體層318a～318f的位置關(guān)系的圖。

圖12是第一變形例所涉及的電子部件10a的層疊體12的分解立體圖。

圖13是示出第一變形例所涉及的電子部件10a中的線圈導(dǎo)體層18a～18f的位置關(guān)系的圖。

圖14是示出第二變形例所涉及的電子部件10b中的線圈導(dǎo)體層18a～18f的位置關(guān)系的圖。

圖15是示出第三變形例所涉及的電子部件10c中的線圈導(dǎo)體層18a～18f的位置關(guān)系的圖。

圖16是示出第四變形例所涉及的電子部件10d中的線圈導(dǎo)體層18a～18f的位置關(guān)系的圖。

圖17是示出第五變形例所涉及的電子部件10e中的線圈導(dǎo)體層18a～18f的位置關(guān)系的圖。

圖18是第六變形例所涉及的電子部件10f的層疊體12的分解立體圖。

圖19是示出第六變形例所涉及的電子部件10f中的線圈導(dǎo)體層18a～18i的位置關(guān)系的圖。

圖20是專利文獻(xiàn)1所記載的層疊型電子部件的層疊體100的分解立體圖。

附圖標(biāo)記說明

10、10a～10f…電子部件；12…層疊體；14a、14b…外部電極；16a～16k…絕緣體層；18a～18i…線圈導(dǎo)體層；20a～20i、22a～22i…部分；L1～L4…邊；24a、24b…引出導(dǎo)體層；30b～30g…磁性部；32b～32k…非磁性部；C1～C4…角；L…線圈；R…軌道。

具體實施方式

(電子部件的結(jié)構(gòu))

以下，參照附圖對本發(fā)明的一實施方式所涉及的電子部件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是電子部件10、10a～10f的外觀立體圖。圖2是電子部件10的層疊體12的分解立體圖。圖3A是從上側(cè)觀察軌道R的圖。圖3B是從上側(cè)觀察其它例子所涉及的軌道R的一部分的圖。圖4A是示出電子部件10中的線圈導(dǎo)體層18a～18f的位置關(guān)系的圖。圖4B是圖1所示的電子部件10a在A-A方向上的剖面構(gòu)造圖。

以下，將電子部件10的層疊方向定義為上下方向(上側(cè)是層疊方向的一側(cè)的一個例子，下側(cè)是層疊方向的另一側(cè)的一個例子)。另外，將在從上側(cè)觀察電子部件10時，電子部件10的長邊延伸的方向定義為左右方向，將電子部件10的短邊延伸的方向定義為前后方向。上下方向、前后方向以及左右方向相互正交。

如圖1以及圖2所示，電子部件10具備層疊體12、外部電極14a、14b、引出導(dǎo)體層24a、24b、以及線圈L。如圖2所示，層疊體12呈長方體狀，以從上側(cè)向下側(cè)依次排列的方式層疊絕緣體層16a～16h而構(gòu)成。

絕緣體層16a、16h由具有磁性的鐵素體(例如，Ni-Zn-Cu鐵素體或者Ni-Zn鐵素體等)制作而成，在從上側(cè)觀察時，是長方形形狀的絕緣層。絕緣體層16b～16g分別包括磁性部30b～30g以及非磁性部32b～32g。磁性部30b～30g由具有磁性的鐵素體(例如，Ni-Zn-Cu鐵素體或者Ni-Zn鐵素體等)制作而成。非磁性部32b～32g由非磁性(即，磁導(dǎo)率為1)的鐵素體(例如，Zn-Cu鐵素體)制作而成。其中，也可以代替非磁性部32b～32g，設(shè)置具有比磁性部30b～30g的磁導(dǎo)率低的磁導(dǎo)率的低磁性部。在對磁性部30b～30g以及非磁性部32b～32g的形狀進(jìn)行說明之前，參照圖3A以及圖3B對軌道R進(jìn)行說明。

如圖3A所示，對電子部件10定義了軌道R。軌道R在從上側(cè)觀察時，呈四邊形狀(在本實施方式中是長方形形狀)的框型，按順時針方向(規(guī)定方向的一個例子)依次連接邊L1(第一邊的一個例子)、L2(第二邊的一個例子)、L3(第三邊的一個例子)、L4(第四邊的一個例子)而構(gòu)成。對軌道R的角實施了倒角。邊L1、L3是沿前后方向延伸的短邊，邊L2、L4是沿左右方向延伸的長邊。

另外，將由邊L1和邊L4形成的角定義為角C1(第一角的一個例子)。將由邊L1和邊L2形成的角定義為角C2(第二角的一個例子)。將由邊L2和邊L3形成的角定義為角C3(第三角的一個例子)。將由邊L3和邊L4形成的角定義為角C4(第四角的一個例子)。

在此，對邊L1～L4以及角C1～C4的邊界進(jìn)行說明。對軌道R的角C1～C4實施了倒角。角C1是圖3A中的被粗線圍起的區(qū)域，具體而言，是被軌道R的外側(cè)的外緣的圓弧部c1、軌道R的內(nèi)側(cè)的外緣的圓弧部c2、連接圓弧部c1的一端和圓弧部c2的一端的直線部l1、以及連接圓弧部c1的另一端和圓弧部c2的另一端的直線部l2圍起的區(qū)域。其中，對于角C2～C4，由于與角C1相同所以省略其說明。

此外，在沒有對軌道R的角C1～C4實施倒角的情況下，如圖3B所示，角C1是被直線部l1～l4圍起的區(qū)域。直線部l1是從軌道R的內(nèi)側(cè)的角向左側(cè)延伸的直線。直線部l2是從軌道R的內(nèi)側(cè)的角向前側(cè)延伸的直線。直線部l3是從軌道R的外側(cè)的角向右側(cè)延伸的直線。直線部l4是從軌道R的外側(cè)的角向后側(cè)延伸的直線。

另外，角C1的左后一半是邊L1的前端，角C2的左前一半是邊L1的后端。角C2的右后一半是邊L2的左端，角C3的左后一半是邊L2的右端。角C3的右前一半是邊L3的后端，角C4的右后一半是邊L3的前端。角C4的左前一半是邊L4的右端，角C1的右前一半是邊L4的左端。

返回到磁性部30b～30g以及非磁性部32b～32g的形狀的說明。如圖2以及圖3A所示，非磁性部32b設(shè)置于邊L2的右端附近、邊L3、邊L4以及角C1的左后一半(即，邊L1的前端)。邊L2的右端附近意味著邊L2的右端(即，角C3的左后一半)以及與邊L2的右端相鄰的部分。如圖2以及圖3A所示，非磁性部32c設(shè)置于角C4的右后一半、邊L4、邊L1以及邊L2的左端附近。如圖2以及圖3A所示，非磁性部32d設(shè)置于邊L4的左端附近、邊L1、邊L2以及角C3的右前一半(即，邊L3的后端)。如圖2以及圖3A所示，非磁性部32e設(shè)置于角C2的左前一半、邊L2、邊L3以及邊L4的右端附近。如圖2以及圖3A所示，非磁性部32f設(shè)置于邊L2的右端附近、邊L3、邊L4以及角C1的左后一半(即，邊L1的前端)。如圖2以及圖3A所示，非磁性部32g設(shè)置于角C4的右后一半(即，邊L3的前端)、邊L4、邊L1以及邊L2的左端附近。

磁性部30c～30f是絕緣體層16c～16f中的軌道R以外的部分。磁性部30b是絕緣體層16b中的軌道R以及后述的引出導(dǎo)體層24a以外的部分。磁性部30g是絕緣體層16g中的軌道R以及后述的引出導(dǎo)體層24b以外的部分。

如圖2所示，線圈L包括線圈導(dǎo)體層18a～18f，在從上方觀察時，呈按順時針方向旋轉(zhuǎn)并且從上側(cè)向下側(cè)行進(jìn)的螺旋狀。線圈導(dǎo)體層18a～18f設(shè)置于層疊體12，從上側(cè)向下側(cè)依次排列。在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18a～18f相互重合形成軌道R。以下，參照圖2以及圖4A對線圈導(dǎo)體層18a～18f的詳細(xì)內(nèi)容進(jìn)行說明。在圖4A中，線圈導(dǎo)體層18a～18f的兩端成為白圈意味著在角C1～C4未設(shè)置線圈導(dǎo)體層18a～18f。此外，在后述的圖11B等中，線圈導(dǎo)體層18a～18f的兩端成為黑圈意味著在角C1～C4設(shè)置有線圈導(dǎo)體層18a～18f。

如圖2以及圖4A所示，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18a(第一線圈導(dǎo)體層的一個例子)遍及邊L1、L2，呈L字型。另外，線圈導(dǎo)體層18a設(shè)置于絕緣體層16b，沿上下方向貫通絕緣體層16b。即，線圈導(dǎo)體層18a的厚度與絕緣體層16b的厚度實質(zhì)相等。由此，在從上側(cè)觀察絕緣體層16b時以及在從下側(cè)觀察絕緣體層16b時，從絕緣體層16b露出L字型的線圈導(dǎo)體層18a。

線圈導(dǎo)體層18a設(shè)置于邊L1的除去角C1的部分、以及邊L2的除去右端附近的部分。因此，如圖2以及圖4A所示，線圈導(dǎo)體層18a未設(shè)置于角C1、C3。以下，將線圈導(dǎo)體層18a中與邊L1重疊的部分稱為部分20a，將線圈導(dǎo)體層18a中與邊L2重疊的部分稱為部分22a。如圖2所示，由于部分22a(即，線圈導(dǎo)體層18a)設(shè)置于邊L2的除去右端附近的部分，所以不與角C3接觸。即，在部分22a的右端與角C3之間存在非磁性部32b。通過將像以上那樣的線圈導(dǎo)體層18a與非磁性部32b組合，在從上側(cè)觀察時，形成有軌道R。

如圖2以及圖4A所示，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18b(第二線圈導(dǎo)體層的一個例子)遍及邊L2、L3，呈L字型。另外，線圈導(dǎo)體層18b設(shè)置于絕緣體層16c，沿上下方向貫通絕緣體層16c。即，線圈導(dǎo)體層18b的厚度與絕緣體層16c的厚度實質(zhì)相等。由此，在從上側(cè)觀察絕緣體層16c時以及在從下側(cè)觀察絕緣體層16c時，從絕緣體層16c露出L字型的線圈導(dǎo)體層18b。

線圈導(dǎo)體層18b設(shè)置于邊L2的除去左端附近的部分、以及邊L3的除去角C4的部分。因此，如圖2以及圖4A所示，線圈導(dǎo)體層18b未設(shè)置于角C2、C4。以下，將在線圈導(dǎo)體層18b中與邊L2重疊的部分稱為部分20b，將在線圈導(dǎo)體層18b中與邊L3重疊的部分稱為部分22b。如圖2所示，由于部分20b(即，線圈導(dǎo)體層18b)設(shè)置于邊L2的除去左端附近的部分，所以不與角C2接觸。即，在部分20b的左端與角C2之間存在非磁性部32c。通過將像以上那樣的線圈導(dǎo)體層18b與非磁性部32c組合，在從上側(cè)觀察時，形成有軌道R。另外，線圈導(dǎo)體層18b在部分20b與部分22a(線圈導(dǎo)體層18a)連接。

如圖2以及圖4A所示，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18c(第三線圈導(dǎo)體層的一個例子)遍及邊L3、L4，呈L字型。另外，線圈導(dǎo)體層18c設(shè)置于絕緣體層16d，沿上下方向貫通絕緣體層16d。即，線圈導(dǎo)體層18c的厚度與絕緣體層16d的厚度實質(zhì)相等。由此，在從上側(cè)觀察絕緣體層16d時以及在從下側(cè)觀察絕緣體層16d時，從絕緣體層16d露出L字型的線圈導(dǎo)體層18c。

線圈導(dǎo)體層18c設(shè)置于邊L3的除去角C3的部分、以及邊L4的除去左端附近的部分。因此，如圖2以及圖4A所示，線圈導(dǎo)體層18c未設(shè)置于角C1、C3。以下，將在線圈導(dǎo)體層18c中與邊L3重疊的部分稱為部分20c，將在線圈導(dǎo)體層18c中與邊L4重疊的部分稱為部分22c。如圖2所示，由于部分22c(即，線圈導(dǎo)體層18c)設(shè)置于邊L4的除去左端附近的部分，所以不與角C1接觸。即，在部分22c的左端與角C1之間存在非磁性部32d。通過將像以上那樣的線圈導(dǎo)體層18c與非磁性部32d組合，在從上側(cè)觀察時，形成有軌道R。另外，線圈導(dǎo)體層18c在部分20c與部分22b(線圈導(dǎo)體層18b)連接。

如圖2以及圖4A所示，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18d(第四線圈導(dǎo)體層的一個例子)遍及邊L4、L1，呈L字型。另外，線圈導(dǎo)體層18d設(shè)置于絕緣體層16e，沿上下方向貫通絕緣體層16e。即，線圈導(dǎo)體層18d的厚度與絕緣體層16e的厚度實質(zhì)相等。由此，在從上側(cè)觀察絕緣體層16e時以及在從下側(cè)觀察絕緣體層16e時，從絕緣體層16e露出L字型的線圈導(dǎo)體層18d。

線圈導(dǎo)體層18d設(shè)置于邊L4的除去右端附近的部分、以及邊L1的除去角C2的部分。因此，如圖2以及圖4A所示，線圈導(dǎo)體層18d未設(shè)置于角C2、C4。以下，將在線圈導(dǎo)體層18d中與邊L4重疊的部分稱為部分20d，將在線圈導(dǎo)體層18d中與邊L1重疊的部分稱為部分22d。如圖2所示，由于部分20d(即，線圈導(dǎo)體層18d)設(shè)置于邊L4的除去右端附近的部分，所以不與角C4接觸。即，在部分20d的右端與角C4之間存在非磁性部32e。通過將像以上那樣的線圈導(dǎo)體層18d與非磁性部32e組合，在從上側(cè)觀察時，形成有軌道R。另外，線圈導(dǎo)體層18d在部分20d與部分22c(線圈導(dǎo)體層18c)連接。

如圖2以及圖4A所示，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18e(第五線圈導(dǎo)體層的一個例子)遍及邊L1、L2，呈L字型。另外，線圈導(dǎo)體層18e設(shè)置于絕緣體層16f，沿上下方向貫通絕緣體層16f。即，線圈導(dǎo)體層18e的厚度與絕緣體層16f的厚度實質(zhì)相等。由此，在從上側(cè)觀察絕緣體層16f時以及在從下側(cè)觀察絕緣體層16f時，從絕緣體層16f露出L字型的線圈導(dǎo)體層18e。

線圈導(dǎo)體層18e設(shè)置于邊L1的除去角C1的部分、以及邊L2的除去右端附近的部分。因此，如圖2以及圖4A所示，線圈導(dǎo)體層18e未設(shè)置于角C1、C3。以下，將在線圈導(dǎo)體層18e中與邊L1重疊的部分稱為部分20e，將在線圈導(dǎo)體層18e中與邊L2重疊的部分稱為部分22e。如圖2所示，由于部分22e(即，線圈導(dǎo)體層18e)設(shè)置于邊L2的除去右端附近的部分，所以不與角C3接觸。即，在部分22e的右端與角C3之間存在非磁性部32f。通過將像以上那樣的線圈導(dǎo)體層18e與非磁性部32f組合，在從上側(cè)觀察時，形成有軌道R。另外，線圈導(dǎo)體層18e在部分20e與部分22d(線圈導(dǎo)體層18d)連接。

如圖2以及圖4A所示，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18f(第六線圈導(dǎo)體層的一個例子)遍及邊L2、L3，呈L字型。另外，線圈導(dǎo)體層18f設(shè)置于絕緣體層16g，沿上下方向貫通絕緣體層16g。即，線圈導(dǎo)體層18f的厚度與絕緣體層16g的厚度實質(zhì)相等。由此，在從上側(cè)觀察絕緣體層16g時以及在從下側(cè)觀察絕緣體層16g時，從絕緣體層16g露出L字型的線圈導(dǎo)體層18f。

線圈導(dǎo)體層18f設(shè)置于邊L2的除去左端附近的部分、以及邊L3的除去角C4的部分。因此，如圖2以及圖4A所示，線圈導(dǎo)體層18f未設(shè)置于角C2、C4。以下，將在線圈導(dǎo)體層18f中與邊L2重疊的部分稱為部分20f，將在線圈導(dǎo)體層18f中與邊L3重疊的部分稱為部分22f。如圖2所示，由于部分20f(即，線圈導(dǎo)體層18f)設(shè)置于邊L2的除去左端附近的部分，所以不與角C2接觸。即，在部分20f的左端與角C2之間存在非磁性部32g。通過將像以上那樣的線圈導(dǎo)體層18f與非磁性部32g組合，在從上側(cè)觀察時，形成有軌道R。另外，線圈導(dǎo)體層18f在部分20f與部分22e(線圈導(dǎo)體層18e)連接。

引出導(dǎo)體層24a設(shè)置于絕緣體層16b，沿上下方向貫通絕緣體層16b。如圖2以及圖4B所示，引出導(dǎo)體層24a在部分20a與線圈導(dǎo)體層18a連接，從絕緣體層16b的左側(cè)的邊露出在層疊體12外部。

引出導(dǎo)體層24b設(shè)置于絕緣體層16g，沿上下方向貫通絕緣體層16g。如圖2以及圖4B所示，引出導(dǎo)體層24b在部分22f與線圈導(dǎo)體層18f連接，從絕緣體層16g的右側(cè)的邊露出在層疊體12外部。

像以上那樣的線圈導(dǎo)體層18a～18f以及引出導(dǎo)體層24a、24b例如由以銀、銅等為主要成分的導(dǎo)體制作而成。

如圖1以及圖4B所示，外部電極14a覆蓋層疊體12的左表面的整個面，并且折回到層疊體12的上表面、下表面、前表面以及后表面。由此，外部電極14a與引出導(dǎo)體層24a連接。如圖1以及圖4B所示，外部電極14b覆蓋層疊體12的右表面的整個面，并且折回到層疊體12的上表面、下表面、前表面以及后表面。由此，外部電極14b與引出導(dǎo)體層24b連接。外部電極14a、14b例如通過在由以銀等為主要成分的材料形成的基底電極上實施鍍Ni以及鍍Sn而形成。

(制造方法)

以下，參照圖5～圖11A對電子部件10的制造方法進(jìn)行說明。圖5～圖11A是從上側(cè)俯視電子部件10的制造時的情況的圖。其中，在圖5～圖11A中，示出一個電子部件10的制造時的情況，而在實際制造時，在制作出母層疊體后，將母層疊體切割成多個層疊體12。

制作作為絕緣體層16a、16h以及磁性部30b～30g的原料的第一陶瓷漿料。將以48.0mol％的比率稱量出的氧化鐵(Fe₂O₃)、以20.0mol％的比率稱量出的氧化鋅(ZnO)、以23.0mol％的比率稱量出的氧化鎳(NiO)以及以9.0mol％的比率秤量出的氧化銅(CuO)這些各種材料作為原材料投入至球磨機(jī)中，進(jìn)行濕式調(diào)合。在對得到的混合物進(jìn)行干燥后進(jìn)行粉碎，并將得到的粉末在750℃下煅燒1小時。在用球磨機(jī)對得到的煅燒粉末進(jìn)行了濕式粉碎后，進(jìn)行干燥，之后使其破碎(解砕)，得到鐵素體陶瓷粉末。

對該鐵素體陶瓷粉末添加結(jié)合劑(醋酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)和可塑劑、濕潤劑、分散劑并用球磨機(jī)進(jìn)行混合，之后，通過減壓進(jìn)行脫泡。由此，得到作為絕緣體層16a、16h以及磁性部30b～30g的原料的第一陶瓷漿料。

接下來，制作作為非磁性部32b～32g的原料的第二陶瓷漿料。將以48.0mol％的比率稱量出的氧化鐵(Fe₂O₃)、以43.0mol％的比率稱量出的氧化鋅(ZnO)以及以9.0mol％的比率秤量出的氧化銅(CuO)這些各種材料作為原材料投入至球磨機(jī)中，進(jìn)行濕式調(diào)合。在對得到的混合物進(jìn)行干燥后進(jìn)行粉碎，并將得到的粉末在750℃下煅燒1小時。在用球磨機(jī)對得到的煅燒粉末進(jìn)行了濕式粉碎后，進(jìn)行干燥，之后進(jìn)行使其破碎，得到鐵素體陶瓷粉末。

對該鐵素體陶瓷粉末添加結(jié)合劑(醋酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)和可塑劑、濕潤劑、分散劑并用球磨機(jī)進(jìn)行混合，之后，通過減壓進(jìn)行脫泡。由此，得到作為非磁性部32b～32g的原料的第二陶瓷漿料。

接下來，如圖5所示，通過印刷第一陶瓷漿料，形成應(yīng)成為絕緣體層16h的陶瓷坯體層116h。

接下來，如圖6的(1)所示，通過絲網(wǎng)印刷法、光刻法等方法，在陶瓷坯體層116h上涂覆以Ag、Pd、Cu、Au、它們的合金等為主要成分的導(dǎo)電性漿料，由此形成線圈導(dǎo)體層18f以及引出導(dǎo)體層24b。

接下來，如圖6的(2)所示，通過絲網(wǎng)印刷法在陶瓷坯體層116h上涂覆第二陶瓷漿料，由此形成應(yīng)成為非磁性部32g的陶瓷坯體部132g。

接下來，如圖6的(3)所示，通過絲網(wǎng)印刷法在陶瓷坯體層116h上涂覆第一陶瓷漿料，由此形成應(yīng)成為磁性部30g的陶瓷坯體部130g。

之后，通過反復(fù)進(jìn)行圖6的(1)～(3)的工序，如圖7～圖11A所示，形成陶瓷坯體部130b～130f、132b～132f、線圈導(dǎo)體層18a～18e以及引出導(dǎo)體層24a。

接下來，通過絲網(wǎng)印刷法，以覆蓋陶瓷坯體部130b、132b、線圈導(dǎo)體層18a以及引出導(dǎo)體層24a的方式涂覆第一陶瓷漿料，由此形成應(yīng)成為絕緣體層16a的陶瓷坯體層116a(未圖示)。經(jīng)過以上的工序，形成母層疊體。通過等靜壓機(jī)等對母層疊體實施主壓接。主壓接例如在45℃以及1.0t/cm²的條件下進(jìn)行。

接下來，將母層疊體切割成規(guī)定尺寸(例如，3.2mm×2.5mm×0.8mm)的層疊體12。由此得到未燒制的層疊體12。之后，對未燒制的層疊體12實施脫粘合劑處理以及燒制。脫粘合劑處理例如在低氧氣氛中500℃的條件下進(jìn)行2小時。燒制例如在大氣中890℃的條件下進(jìn)行2.5小時。

通過以上的工序，得到燒制后的層疊體12。對層疊體12實施滾磨并進(jìn)行層疊體12的倒角。之后，通過浸漬法等方法對層疊體12涂覆主要成分為銀的電極漿料涂覆并進(jìn)行燒成，形成應(yīng)成為外部電極14a、14b的基底電極?；纂姌O的干燥在100℃下進(jìn)行10分鐘，基底電極的燒成在780℃下進(jìn)行2.5小時。

最后，通過對基底電極的表面實施鍍Ni/鍍Sn，形成外部電極14a、14b。經(jīng)過以上的工序，如圖1所示的電子部件10完成。

(效果)

根據(jù)本實施方式所涉及的電子部件10，能夠抑制在線圈L中發(fā)生短路。圖11B是示出比較例所涉及的電子部件300中的線圈導(dǎo)體層318a～318f的位置關(guān)系的圖。

比較例所涉及的電子部件300具有與專利文獻(xiàn)1所記載的層疊型電子部件相同的構(gòu)造。在這樣的電子部件300中，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層318a～318f設(shè)置于角C1～C4。因此，在角C1中，線圈導(dǎo)體層318a的端部與線圈導(dǎo)體層318c的端部隔著1層絕緣體層對置。在角C2中，線圈導(dǎo)體層318b的端部與線圈導(dǎo)體層318d的端部隔著1層絕緣體層對置。在角C3中，線圈導(dǎo)體層318c的端部與線圈導(dǎo)體層318e的端部隔著1層絕緣體層對置。在角C4中，線圈導(dǎo)體層318d的端部與線圈導(dǎo)體層318f的端部隔著1層絕緣體層對置。因此，在角C1～C4中，存在在線圈中發(fā)生短路的憂患。

另一方面，在電子部件10中，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18a～18f未設(shè)置于角C1～C4。由此，在角C1中，線圈導(dǎo)體層彼此不對置。在角C2中，線圈導(dǎo)體層18a與線圈導(dǎo)體層18e隔著3層絕緣體層對置。在角C3中，線圈導(dǎo)體層18b與線圈導(dǎo)體層18f隔著3層絕緣體層對置。在角C4中，線圈導(dǎo)體彼此不對置。這樣，在電子部件10中，與電子部件300相比，角C1～C4的線圈導(dǎo)體層彼此的間隔較大。由此，在角C1～C4中，抑制在線圈L中發(fā)生短路。

此外，在電子部件10中，能夠抑制線圈L的直流電阻值增大。更詳細(xì)而言，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18a～18f未設(shè)置于角C1～C4。因此，存在在角C1～C4中線圈L的上下方向的厚度減小，線圈L的直流電阻值增大的憂患。然而，角C1～C4上的線圈導(dǎo)體層18a～18f的線寬比軌道R上除去角C1～C4的部分的線圈導(dǎo)體層18a～18f的線寬粗。因此，線圈L的直流電阻值的增大量較少。

另外，在電子部件10中，基于以下的理由，能夠抑制在線圈L中發(fā)生短路，并且能夠抑制在線圈L中產(chǎn)生斷線。在比較例所涉及的電子部件300中，存在在角C1～C4中在線圈中發(fā)生短路的憂患。在這樣的電子部件300中，為了抑制在線圈中發(fā)生短路，例如，對于線圈導(dǎo)體層18a～18f，在從上側(cè)觀察時不設(shè)置于角C1～C4即可。

然而，即使在線圈導(dǎo)體層18a～18f未設(shè)置于角C1～C4的情況下，若線圈導(dǎo)體層18a～18f與角C1～C4的外緣接觸，則在角C1～C4的外緣，線圈導(dǎo)體層18a～18f彼此也會接近。為了消除這樣的問題，可以考慮線圈導(dǎo)體層18a～18f的端部的全部不與角C1～C4的外緣接觸。然而，該情況下，部分20a～20f、22a～22f變短。特別是，若與軌道R的短邊重疊的部分22b、20c、22d、20e變短，則線圈導(dǎo)體層18b與線圈導(dǎo)體層18c的連接面積以及線圈導(dǎo)體層18d與線圈導(dǎo)體層18e的連接面積變小。結(jié)果，存在在線圈導(dǎo)體層18b與線圈導(dǎo)體層18c之間、以及線圈導(dǎo)體層18d與線圈導(dǎo)體層18e之間發(fā)生斷線的憂患。

因此，在電子部件10中，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18a與角C1接觸，不與角C3接觸。在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18b與角C4接觸，不與角C2接觸。在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18c與角C3接觸，不與角C1接觸。在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18d與角C2接觸，不與角C4接觸。在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18e與角C1接觸，不與角C3接觸。在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18f與角C4接觸，不與角C2接觸。由此，與軌道R的長邊重疊的部分22a、20b、22c、20d、22e、20f變短，與軌道R的短邊重疊的部分22b、20c、22d、20e不變短。其中，部分22a、20b、22c、20d、22e、20f具有足夠的長度，因此在線圈導(dǎo)體層18a與線圈導(dǎo)體層18b之間、線圈導(dǎo)體層18c與線圈導(dǎo)體層18d之間、以及線圈導(dǎo)體層18e與線圈導(dǎo)體層18f之間發(fā)生斷線的可能性較低。綜上，在電子部件10中，能夠抑制在線圈L中發(fā)生短路，并且能夠抑制在線圈L中發(fā)生斷線。此外，該構(gòu)成不會妨礙線圈導(dǎo)體層18a～18f的端部與角C1～C4接觸。

另外，在電子部件10中，通過非磁性部32b～32g與線圈導(dǎo)體層18a～18f相互組合，形成有軌道R。結(jié)果，在軌道R中，如圖4B所示，線圈導(dǎo)體層18a～18f與非磁性部32b～32g在上下方向上交替排列。結(jié)果，抑制電流值較小的區(qū)域中的線圈L的電感值的降低。

此外，在電子部件10中，非磁性部32僅設(shè)置于與軌道R重疊的位置，但也可以從軌道R突出。即，在從上側(cè)觀察時，也可以非磁性部32也可以設(shè)置于線圈L的內(nèi)側(cè)及/或外側(cè)。由此，抑制電流值較小的區(qū)域中的線圈L的電感值的降低。

(第一變形例)

以下，參照附圖對第一變形例所涉及的電子部件進(jìn)行說明。圖12是第一變形例所涉及的電子部件10a的層疊體12的分解立體圖。圖13是示出第一變形例所涉及的電子部件10a中的線圈導(dǎo)體層18a～18f的位置關(guān)系的圖。對于電子部件10a的外觀立體圖，參照圖1。

電子部件10a在線圈導(dǎo)體層18a～18f的形狀上與電子部件10不同。以下，以這樣的不同點為中心對電子部件10a進(jìn)行說明。

在電子部件10a中，如圖12以及圖13所示，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18a、18e被設(shè)置于角C1，未設(shè)置于角C3。在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18b、18f被設(shè)置于角C4，未設(shè)置于角C2。在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18c被設(shè)置于角C3，未設(shè)置于角C1。在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18d被設(shè)置于角C2，未設(shè)置于角C4。

在電子部件10a中，與電子部件10相同，能夠抑制在線圈L中發(fā)生短路。更詳細(xì)而言，在角C1中，線圈導(dǎo)體層18a與線圈導(dǎo)體層18d隔著2層絕緣體層對置。在角C2中，線圈導(dǎo)體層18a與線圈導(dǎo)體層18d隔著2層絕緣體層對置。在角C3中，線圈導(dǎo)體層18c與線圈導(dǎo)體層18f隔著2層絕緣體層對置。在角C4中，線圈導(dǎo)體層18c與線圈導(dǎo)體層18f隔著2層絕緣體層對置。這樣，在電子部件10a中，與電子部件300相比，角C1～C4中的線圈導(dǎo)體層彼此的間隔較大。由此，在角C1～C4中，抑制在線圈L中發(fā)生短路。

此外，電子部件10a基于與電子部件10相同的理由，能夠抑制在線圈L中發(fā)生短路，并且能夠抑制在線圈L中發(fā)生斷線。

(第二變形例至第五變形例)

以下，參照附圖對第二變形例至第五變形例所涉及的電子部件進(jìn)行說明。圖14是示出第二變形例所涉及的電子部件10b中的線圈導(dǎo)體層18a～18f的位置關(guān)系的圖。圖15是示出第三變形例所涉及的電子部件10c中的線圈導(dǎo)體層18a～18f的位置關(guān)系的圖。圖16是示出第四變形例所涉及的電子部件10d中的線圈導(dǎo)體層18a～18f的位置關(guān)系的圖。圖17是示出第五變形例所涉及的電子部件10e中的線圈導(dǎo)體層18a～18f的位置關(guān)系的圖。其中，對于電子部件10b～10e的外觀立體圖，參照圖1。

電子部件10b在線圈導(dǎo)體層18a～18f的形狀上與電子部件10不同。以下，以這樣的不同點為中心對電子部件10b進(jìn)行說明。

在電子部件10b中，如圖14所示，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18a、18e設(shè)置于角C1、C3。在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18b、18f設(shè)置于角C2、C4。在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18c設(shè)置于角C3，未設(shè)置于角C1。在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18d設(shè)置于角C2、C4。

在電子部件10a中，與電子部件10相同，能夠抑制在線圈L中發(fā)生短路。更詳細(xì)而言，在角C1中，線圈導(dǎo)體層18a與線圈導(dǎo)體層18d隔著2層絕緣體層對置。因此，在角C1中，不會有線圈導(dǎo)體層18a與線圈導(dǎo)體層18c隔著1層絕緣體層對置的情況，抑制在線圈導(dǎo)體層18a與線圈導(dǎo)體層18c之間發(fā)生短路。

如上述那樣，也可以不是在全部的角C1～C4均能夠抑制線圈L發(fā)生短路，能夠在角C1～C4的至少一個角抑制線圈L發(fā)生短路即可。以下，將能夠在角C1抑制線圈L發(fā)生短路的條件作為條件1，將能夠在角C2抑制線圈L發(fā)生短路的條件作為條件2，將能夠在角C3抑制線圈L發(fā)生短路的條件作為條件3，將能夠在角C4抑制線圈L發(fā)生短路的條件作為條件4。

＜條件1＞

為了抑制在線圈導(dǎo)體層18a(第一線圈導(dǎo)體層的一個例子)與線圈導(dǎo)體層18c(第三線圈導(dǎo)體層的一個例子)之間(即，在角C1)發(fā)生短路，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18a或者線圈導(dǎo)體層18c的至少任意一方未設(shè)置于角C1即可。

＜條件2＞

為了抑制在線圈導(dǎo)體層18b(第一線圈導(dǎo)體層或者第二線圈導(dǎo)體層的一個例子)與線圈導(dǎo)體層18d(第三線圈導(dǎo)體層或者第四線圈導(dǎo)體層的一個例子)之間(即，在角C2)發(fā)生短路，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18b或者線圈導(dǎo)體層18d的至少任意一方未設(shè)置于角C2即可。

＜條件3＞

為了抑制在線圈導(dǎo)體層18c(第一線圈導(dǎo)體層或者第三線圈導(dǎo)體層的一個例子)與線圈導(dǎo)體層18e(第三線圈導(dǎo)體層或者第五線圈導(dǎo)體層的一個例子)之間(即，在角C3)發(fā)生短路，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18c或者線圈導(dǎo)體層18e的至少任意一方未設(shè)置于角C3即可。

＜條件4＞

為了抑制在線圈導(dǎo)體層18d(第一線圈導(dǎo)體層或者第四線圈導(dǎo)體層的一個例子)與線圈導(dǎo)體層18f(第三線圈導(dǎo)體層或者第六線圈導(dǎo)體層的一個例子)之間(即，在角C4)發(fā)生短路，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18d或者線圈導(dǎo)體層18f的至少任意一方未設(shè)置于角C4即可。

滿足以上的條件1至條件4中的至少任意一個即可。此外，作為滿足條件1～條件4的全部的電子部件，例如，可舉出第三變形例至第五變形例所涉及的電子部件10c～10e(參照圖15至圖17)。在電子部件10c～10e中，在全部的角C1～C4抑制線圈L發(fā)生短路。

(第六變形例)

以下，參照附圖對第六變形例所涉及的電子部件進(jìn)行說明。圖18是第六變形例所涉及的電子部件10f的層疊體12的分解立體圖。圖19是示出第六變形例所涉及的電子部件10f中的線圈導(dǎo)體層18a～18i的位置關(guān)系的圖。其中，對于電子部件10f的外觀立體圖，參照圖1。

電子部件10f在還具備絕緣體層16i～16k以及線圈導(dǎo)體層18g～18i的點上與電子部件10不同。以下，以這樣的不同點為中心對電子部件10f進(jìn)行說明。

由于電子部件10f的絕緣體層16a～16h與電子部件10的絕緣體層16a～16h相同，所以省略其說明。

絕緣體層16i層疊在絕緣體層16b與絕緣體層16c之間。絕緣體層16i的構(gòu)造與絕緣體層16b的構(gòu)造相同。但是，在絕緣體層16i沒有設(shè)置引出導(dǎo)體層24a，而在與引出導(dǎo)體層24a相當(dāng)?shù)牟糠衷O(shè)置有磁性部30i。絕緣體層16j層疊在絕緣體層16d與絕緣體層16e之間。絕緣體層16j的構(gòu)造與絕緣體層16d的構(gòu)造相同。絕緣體層16k層疊在絕緣體層16f與絕緣體層16g之間。絕緣體層16k的構(gòu)造與絕緣體層16f的構(gòu)造相同。

線圈L包括從上側(cè)向下側(cè)依次排列的線圈導(dǎo)體層18a、18g、18b、18c、18h、18d、18e、18i、18f。由于電子部件10f的線圈導(dǎo)體層18a～18f與電子部件10的線圈導(dǎo)體層18a～18f相同，所以省略其說明。

如圖18以及圖19所示，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18g(第二線圈導(dǎo)體層的一個例子)遍及邊L1、L2，呈L字型。另外，線圈導(dǎo)體層18g設(shè)置于絕緣體層16i，沿上下方向貫通絕緣體層16i。即，線圈導(dǎo)體層18g的厚度與絕緣體層16i的厚度實質(zhì)相等。由此，在從上側(cè)觀察絕緣體層16i時以及在從下側(cè)觀察絕緣體層16i時，從絕緣體層16i露出L字型的線圈導(dǎo)體層18g。

線圈導(dǎo)體層18g設(shè)置于邊L1的除去角C1的部分、以及邊L2的除去右端附近的部分。因此，如圖18以及圖19所示，線圈導(dǎo)體層18g未設(shè)置于角C1、C3。以下，將在線圈導(dǎo)體層18g中與邊L1重疊的部分稱為部分20g，將在線圈導(dǎo)體層18g中與邊L2重疊的部分稱為部分22g。如圖18所示，由于部分22g(即，線圈導(dǎo)體層18g)設(shè)置于邊L2的除去右端附近的部分，所以不與角C3接觸。即，在部分22g的右端與角C3之間存在非磁性部32i。通過將像以上那樣的線圈導(dǎo)體層18g與非磁性部32i組合，在從上側(cè)觀察時，形成有軌道R。另外，線圈導(dǎo)體層18g在部分20g、22g與部分20a、22a(線圈導(dǎo)體層18a)連接。而且，線圈導(dǎo)體層18g在部分22g與部分20b(線圈導(dǎo)體層18b(第三線圈導(dǎo)體層的一個例子))連接。

另外，線圈導(dǎo)體層18c(第四線圈導(dǎo)體層的一個例子)在部分20c與線圈導(dǎo)體層18b連接。

如圖18以及圖19所示，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18h(第五線圈導(dǎo)體層的一個例子)遍及邊L3、L4，呈L字型。另外，線圈導(dǎo)體層18h設(shè)置于絕緣體層16j，沿上下方向貫通絕緣體層16j。即，線圈導(dǎo)體層18h的厚度與絕緣體層16j的厚度實質(zhì)相等。由此，在從上側(cè)觀察絕緣體層16j時以及在從下側(cè)觀察絕緣體層16j時，從絕緣體層16j露出L字型的線圈導(dǎo)體層18h。

線圈導(dǎo)體層18h設(shè)置于邊L3的除去角C3的部分、以及邊L4的除去左端附近的部分。因此，如圖18以及圖19所示，線圈導(dǎo)體層18h未設(shè)置于角C1、C3。以下，將在線圈導(dǎo)體層18h中與邊L3重疊的部分稱為部分20h，將在線圈導(dǎo)體層18h與邊L4重疊的部分稱為部分22h。如圖18所示，由于部分22h(即，線圈導(dǎo)體層18h)設(shè)置于邊L4的除去左端附近的部分，所以不與角C1接觸。即，在部分22h的左端與角C1之間存在非磁性部32j。通過將以上那樣的線圈導(dǎo)體層18h與非磁性部32j組合，在從上側(cè)觀察時，形成有軌道R。另外，線圈導(dǎo)體層18h在部分20h、22h與部分20c、22c(線圈導(dǎo)體層18c)連接。而且，線圈導(dǎo)體層18h在部分22h與部分20d(線圈導(dǎo)體層18d)連接。

另外，線圈導(dǎo)體層18d在部分22d與線圈導(dǎo)體層18e連接。

如圖18以及圖19所示，在從上側(cè)觀察時，線圈導(dǎo)體層18i遍及邊L1、L2，呈L字型。另外，線圈導(dǎo)體層18i設(shè)置于絕緣體層16k，沿上下方向貫通絕緣體層16k。即，線圈導(dǎo)體層18i的厚度與絕緣體層16k的厚度實質(zhì)相等。由此，在從上側(cè)觀察絕緣體層16k時以及在從下側(cè)觀察絕緣體層16k時，從絕緣體層16k露出L字型的線圈導(dǎo)體層18i。

線圈導(dǎo)體層18i設(shè)置于邊L1的除去角C1的部分、以及邊L2的除去右端附近的部分。因此，如圖18以及圖19所示，線圈導(dǎo)體層18i未設(shè)置于角C1、C3。以下，將在線圈導(dǎo)體層18i中與邊L1重疊的部分稱為部分20i，將在線圈導(dǎo)體層18i中與邊L2重疊的部分稱為部分22i。如圖18所示，由于部分22i(即，線圈導(dǎo)體層18i)設(shè)置于邊L2的除去右端附近的部分，所以不與角C3接觸。即，在部分22i的右端與角C3之間存在非磁性部32k。通過將像以上那樣的線圈導(dǎo)體層18i與非磁性部32k組合，在從上側(cè)觀察時，形成有軌道R。另外，線圈導(dǎo)體層18i在部分20i、22i與部分20e、22e(線圈導(dǎo)體層18e)連接。而且，線圈導(dǎo)體層18i在部分22i中與部分20f(線圈導(dǎo)體層18f)連接。

像以上那樣的電子部件10f能夠起到與電子部件10相同的作用效果。

另外，在電子部件10f中，具有相同形狀的線圈導(dǎo)體層18a、18g相連接。具有相同形狀的線圈導(dǎo)體層18c、18h相連接。具有相同形狀的線圈導(dǎo)體層18e、18i相連接。由此，實現(xiàn)線圈L的直流電阻值的減少。

(其它實施方式)

本發(fā)明所涉及的電子部件并不局限于電子部件10、10a～10f，能夠在其主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行變更。

其中，也可以對電子部件10、10a～10f的結(jié)構(gòu)進(jìn)行任意組合。

其中，在電子部件10、10a～10f中，層疊體12也可以全部由磁性體材料來制作。

其中，在電子部件10中，設(shè)置至少3個以上線圈導(dǎo)體層即可。這是因為，例如若設(shè)置3個線圈導(dǎo)體層18a～18c，則如圖4A所示，在角C1，線圈導(dǎo)體層18a與線圈導(dǎo)體層18c能夠隔著1層絕緣體層對置。

如上所述，本發(fā)明對于電子部件有用，特別是在能夠抑制在線圈中發(fā)生短路這一點上較優(yōu)異。